JP2001210432A - マイクロストリップコネクタ - Google Patents

マイクロストリップコネクタ

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JP2001210432A
JP2001210432A JP2000018099A JP2000018099A JP2001210432A JP 2001210432 A JP2001210432 A JP 2001210432A JP 2000018099 A JP2000018099 A JP 2000018099A JP 2000018099 A JP2000018099 A JP 2000018099A JP 2001210432 A JP2001210432 A JP 2001210432A
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JP
Japan
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signal transmission
connector
microstrip
ground plate
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP2000018099A
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English (en)
Inventor
Shoji Tsujimura
昌治 辻村
Kazuhiro Ikurumi
和宏 王生
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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  • Waveguides (AREA)
  • Multi-Conductor Connections (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 不要な反射などにより高周波信号の伝送特性
を良好に保つことができ、高密度化を実現できるマイク
ロストリップコネクタを提供することを目的とする。 【解決手段】 マイクロストリップライン5a,5bに
一端が接続されて他端が基板4の面から立ち上がった信
号伝送ピン1a,1bと、マイクロストリップラインに
対向するよう基板4に形成されたグランド層6に接続さ
れ他端が前記信号伝送ピンに沿って前記基板面から立ち
上がったグランド板2とを設け、信号伝送ピン1aと前
記グランド板2との対向部分、および信号伝送ピン1b
と前記グランド板2との対向部分をマイクロストリップ
構造としたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロストリッ
プライン用のコネクタに関する。
【0002】
【従来の技術】マイクロストリップ線路の基板間を接続
する方法として、マイクロストリップ線路を基板の端面
で同軸コネクタに接続し、同軸ケーブルで基板を接続す
る方法が用いられている。そのような方法として、特許
2062219号、特許2655430号や特許271
5910号などが発明されている。
【0003】従来の構造の一例を図10に示す。図10
において、4は高周波信号を伝送する基板で、基板4の
上面にマイクロストリップライン5が形成され、基板4
の下面にはグランド層6が形成されている。7は同軸ケ
ーブルを接続する同軸コネクタであり、同軸コネクタ7
の中心導体がマイクロストリップライン5にはんだ付け
などの方法により電気的・機械的に接続されている。ま
た同軸コネクタ7の外周導体はグランド層6に接続され
ている。
【0004】このとき、中心導体と外部導体による特性
インピーダンスと、基板上のマイクロストリップ線路5
とグランド層6による特性インピーダンスとが一致する
ように接続することにより特性インピーダンスの不整合
を解消し、良好な高周波信号伝送特性を実現している。
【0005】また、特開平7−6823号公報のよう
に、コネクタ内部にマイクロストリップ構造のブロック
を備えて、これを接続端子とすることによりコネクタ接
続部分の特性インピーダンスの不整合を解消しようとす
る事も考えられている。
【0006】特許2062219号、特許265543
0号や特許2715910号などに見られるようにマイ
クロストリップ線路を有する基板の端面において、マイ
クロストリップ伝送線路と同軸コネクタとを接続する構
造であり、接続部分での特性インピーダンスの不整合を
なくす工夫がなされている。
【0007】特許2062219号では接地電極の接続
方法が特徴であり、特許2655430号では基板上の
マイクロストリップ線路と同軸コネクタの中心導体をフ
レキシブル基板で接続し、このフレキシブル基板のもつ
容量性リアクタンスと誘電性リアクタンスにより特性イ
ンピーダンスの整合を図るという特徴がある。
【0008】特許2715910号においては基板端面
に同軸型コネクタが接続できるように切り欠きおよび端
子パッドを設けている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これら従来の
コネクタでは、接続に用いるコネクタはすべて同軸型で
あり、同軸コネクタのサイズにより配線密度が制限され
てしまう。
【0010】また、基板の端面にコネクタを配置する構
造のため、コネクタの方向や配置が著しく制限されてし
まう。今後は各種電子機器の動作速度向上を目的とした
信号周波数の高周波化が予想されるが、従来のコネクタ
を用いたシステムではコネクタサイズの限界や基板配置
への制限などが機器を小型化する上で課題となることが
予想される。
【0011】また、特開平7−6823号公報のように
コネクタ内部に微少なマイクロストリップ線路を多数有
することにより、高密度かつ高周波伝送特性の良好なコ
ネクタも考えられているが、特開平7−6223号公報
では基板とコネクタの接続部分はディップ構造であり、
その部分だけマイクロストリップ構造が崩れることにな
る。そのため特性インピーダンスの不整合が起こり、良
好な高周波伝送特性を実現することができない。
【0012】本発明は、高周波信号に対して良好な伝送
特性を有するマイクロストリップ線路を有する基板同士
を接続する際に、特性インピーダンスを均一に保つコネ
クタを基板の任意の位置に配置できる構造を実現するも
のであり、さらに配線の高密度化と基板配置の自由度向
上を実現できるマイクロストリップコネクタを提供する
ことを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1記載の
マイクロストリップコネクタは、マイクロストリップラ
インが形成されたプリント基板に取り付けられるマイク
ロストリップコネクタであって、マイクロストリップラ
インに一端が接続されて他端が前記マイクロストリップ
ラインが形成されている基板面から立ち上がった信号伝
送ピンと、マイクロストリップラインに対向するよう前
記プリント基板に形成されたグランド層に接続され他端
が前記信号伝送ピンに沿って前記基板面から立ち上がっ
たグランド板とを設け、前記信号伝送ピンと前記グラン
ド板との対向部分がマイクロストリップ構造としたこと
を特徴とする。
【0014】本発明の請求項2記載のマイクロストリッ
プコネクタは、請求項1において、プリント基板におけ
る信号伝送ピンとグランド板の位置をコネクタシェルで
規定するとともに、信号伝送ピンの幅が基板上のマイク
ロストリップラインの幅と等しく、前記コネクタシェル
のうちの信号伝送ピンとグランド板の間に充填される部
分の材質が、前記マイクロストリップラインとグランド
層との間に介在する基板の基材と同じ誘電率を有し、か
つ信号伝送ピンとグランド板の間隔が、前記マイクロス
トリップラインとグランド層の間隔に等しく、さらに信
号伝送ピンのグランド板と対抗しない面側に空気の層が
存在することにより、基板とコネクタ間の接続部分での
特性インピーダンスの不整合を防止したことを特徴とす
る。
【0015】本発明の請求項3記載のマイクロストリッ
プコネクタは、請求項1,請求項2において、グランド
板を中央にして両側に信号伝送ピンを配設したことを特
徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施の形態を図
1〜図9に基づいて説明する。 (実施の形態1)図1〜図3は本発明の(実施の形態
1)のマイクロストリップコネクタAを示す。
【0017】マイクロストリップコネクタAを使用しよ
うとするプリント配線板Bには、基板4の上面にマイク
ロストリップライン5a,5bが形成され、基板4の裏
面には共通のグランド層6が形成されている。
【0018】マイクロストリップライン5a,5bを外
部と接続できる2回路のマイクロストリップコネクタA
は、図2と図3に示すように信号伝送ピン1a,1b
と、グランド板2と、L字形に折り曲げられて先端が基
板4の上面から立ち上がった信号伝送ピン1a,1bと
グランド板2とを取り囲むコネクタシェル3とで構成さ
れている。
【0019】信号伝送ピン1aの基端部はマイクロスト
リップライン5aに半田付けされ、信号伝送ピン1bの
基端部はマイクロストリップライン5bに半田付けされ
ている。
【0020】信号伝送ピン1aと信号伝送ピン1bの間
に位置するグランド板2は、図4に示すように信号伝送
ピン1a,1bよりも幅が広いグランド板本体2aと、
このグランド板本体2aより下に延長された接続ピン2
bとで形成されている。
【0021】基板4には、接続ピン2bが挿通される孔
9が穿設されており、孔9を通過した接続ピン先端がグ
ランド層6に半田付けされている。信号伝送ピン1a,
1bとグランド板2とは、コネクタシェル3によって保
持されており、信号伝送ピン1aとグランド板本体2a
との間および信号伝送ピン1bとグランド板本体2aと
の間にも、コネクタシェル3の一部が介在している。
【0022】なお、グランド板2はグランド層6と十分
に低いインピーダンスで接続されていればよく、この条
件を満たす限り、接続ピン2bの形状ならびに接合の手
段は半田付けに制限されるものではない。また、孔9は
内面にするホールメッキされていても良い。
【0023】このように構成したため、信号伝送ピン1
a,1bとグランド板本体2aとの間隔とこの両者の間
の介在物10の誘電率、ならびに信号伝送ピン1a,1
bの幅を考慮することによって、基板4上のマイクロス
トリップライン5a,5bから信号伝送ピン1a,1b
までの伝送路はいずれの個所においてもマイクロストリ
ップライン構造をとることができる。
【0024】また、コネクタシェル3の材質が、少なく
とも信号伝送ピンとグランド板の間に充填される部分の
材質が、基板上のマイクロストリップ線路を構成する誘
電体と同じまたは極めて近い誘電率を有することによ
り、基板とコネクタ間の接続部分での特性インピーダン
スの不整合を防止することができる。
【0025】この構成により高周波信号に対して優れた
伝送特性を備え、信号伝送線路部分の高密の高いコネク
タを実現することができる。図9は図3に示したマイク
ロストリップコネクタに接続する雄コネクタを示してい
る。11a,11bは信号を伝送する信号ピン、12は
グランド板である。13はコネクタシェルである。図9
における信号ピン11a,11bの基端部はマイクロス
トリップラインに半田付けされており、L字形に曲げら
れた先端には図3に示した信号ピン1a,1bに接続さ
れる接続部が備えられている。この接続部は弾性体で構
成されており、コネクタの接続時に信号ピン1aと信号
ピン11aが(または信号ピン1bと信号ピン11b
が)確実に接触することにより電気的接続を確保する構
造となっている。また、グランド板12の先端にも図3
に示したグランド板2を挟み込む形状を持ち、弾性体で
構成されている。コネクタの接続時には、グランド板1
2の先端がグランド板2の先端を挟み込んで保持するこ
とにより電気的接続を確保する構造となっている。図9
に接続状態を示す。
【0026】(実施の形態2)上記の(実施の形態1)
は2回路の場合を例に挙げて説明したが、図5と図6は
10回路の場合を示している。
【0027】図5において、基板4の上面にはマイクロ
ストリップライン5a〜5d,5f〜5jが形成されて
おり、基板4の裏面には共通のグランド層6が形成され
ている。この(実施の形態2)ではマイクロストリップ
ライン5a〜5jに基端部が接続されるL字形の信号伝
送ピン1a〜1e,1f〜1jが設けられており、断面
形状は(実施の形態1)の図3と同じである。
【0028】グランド板2は図6に示すように(実施の
形態1)に比べて幅が広く、多数の接続ピン2bが形成
されている。この多数の接続ピン2bに対応して基板4
には多数の孔9が形成されている。
【0029】なお、グランド板2に沿って隣接する信号
伝送ピン1a〜1eの間隔、信号伝送ピン1f〜1jの
間隔は、信号伝送ピンの幅の5倍程度あれば隣合う信号
伝送ピン同士の影響は無視できるため、従来のマイクロ
ストリップ−同軸変換コネクタに比べて配線密度を高く
することが可能となる。
【0030】このように(実施の形態2)では多数のマ
イクロストリップラインをもつ基板に対して、一つのコ
ネクタで一括して接続することが可能となる。また、基
板の端面以外の場所にコネクタを配置することも可能と
なるため、基板接続形態の幅を広げることもできる。
【0031】(実施の形態3)図7は(実施の形態3)
を示し、(実施の形態1)(実施の形態2)とは信号伝
送ピンの周辺の構造がだけが異なり、他は(実施の形態
1)(実施の形態2)と変わらないため、ここでは異な
る点について説明する。
【0032】図7の8は空気層であり、10はコネクタ
シェルの中でも信号伝送ピン1とグランド板2の間の介
在物である。空気層8は信号伝送ピン1の側面のうちグ
ランド板2に対する面以外の面に対して存在する。ま
た、信号伝送ピン1の幅はマイクロストリップライン5
の幅に等しく、前記介在物10の材質は誘電率が基板4
の誘電率と等しいものが選ばれている。
【0033】このように構成したため、基板4上のマイ
クロストリップライン5から信号伝送ピン1までの伝送
路はいずれの個所においてもマイクロストリップライン
構造をとり、かつその特性インピーダンスは等しくな
る。したがって、インピーダンスの不整合による信号の
反射や伝送信号の波形の歪みを防ぐことができ、高周波
信号に対して良好な伝送特性を実現することができる。
【0034】
【発明の効果】以上のように本発明のマイクロストリッ
プコネクタによれば、従来のマイクロストリップ−同軸
コネクタよりも配線密度の高いコネクタをプリント基板
の任意の位置に実装して、高周波信号を取り扱うシステ
ムの構成をコンパクトに実現することができる。
【0035】また、プリント基板上のマイクロストリッ
プラインからコネクタのピンまでの間を特性インピーダ
ンスの不整合を引き起こすことなく接続することがで
き、高周波信号に対して良好な伝送特性を実現すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のマイクロストリップコネクタを使用し
た(実施の形態1)の斜視図
【図2】同実施の形態の平面図
【図3】同実施の形態の拡大断面図
【図4】同実施の形態のグランド板の拡大斜視図
【図5】本発明の(実施の形態2)のマイクロストリッ
プコネクタの拡大斜視図
【図6】同実施の形態のグランド板の拡大斜視図
【図7】本発明の(実施の形態3)のマイクロストリッ
プコネクタの拡大断面図
【図8】本発明の(実施の形態1)の図3のコネクタに
接続される相手側コネクタの拡大断面図
【図9】図3と図8に示したコネクタの接続状態を示し
た拡大断面図
【図10】従来のマイクロストリップコネクタを使用し
たプリント基板の斜視図
【符号の説明】
1a〜1j 信号伝送ピン 2 グランド板 3 コネクタシェル 4 基板 5a〜5j マイクロストリップライン 6 グランド層 8 空気層 9 孔 10 コネクタシェルのピン間の介在物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01R 12/16 H01R 23/68 303D Fターム(参考) 5E023 AA03 AA16 BB02 BB22 CC02 CC22 CC26 CC27 EE03 EE11 EE21 FF01 GG06 HH15 5E077 BB08 BB09 BB11 CC02 CC22 CC26 DD01 GG12 JJ15 5J011 DA12 5J014 CA42

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】マイクロストリップラインが形成されたプ
    リント基板に取り付けられるマイクロストリップコネク
    タであって、 マイクロストリップラインに一端が接続されて他端が前
    記マイクロストリップラインが形成されている基板面か
    ら立ち上がった信号伝送ピンと、 マイクロストリップラインに対向するよう前記プリント
    基板に形成されたグランド層に接続され他端が前記信号
    伝送ピンに沿って前記基板面から立ち上がったグランド
    板とを設け、前記信号伝送ピンと前記グランド板との対
    向部分がマイクロストリップ構造としたマイクロストリ
    ップコネクタ。
  2. 【請求項2】プリント基板における信号伝送ピンとグラ
    ンド板の位置をコネクタシェルで規定するとともに、信
    号伝送ピンの幅が基板上のマイクロストリップラインの
    幅と等しく、前記コネクタシェルのうちの信号伝送ピン
    とグランド板の間に充填される部分の材質が、前記マイ
    クロストリップラインとグランド層との間に介在する基
    板の基材と同じ誘電率を有し、かつ信号伝送ピンとグラ
    ンド板の間隔が、前記マイクロストリップラインとグラ
    ンド層の間隔に等しく、さらに信号伝送ピンのグランド
    板と対抗しない面側に空気の層が存在することにより、
    基板とコネクタ間の接続部分での特性インピーダンスの
    不整合を防止した請求項1記載のマイクロストリップコ
    ネクタ。
  3. 【請求項3】グランド板を中央にして両側に信号伝送ピ
    ンを配設した請求項1または請求項2記載のマイクロス
    トリップコネクタ。
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Cited By (3)

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