JP3695507B2 - インクジェット式記録ヘッドの製造方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板の表面に圧電素子を形成して、圧電素子の変位によりインク滴を吐出させるインクジェット式記録ヘッドの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を圧電素子により変形させて圧力発生室のインクを加圧してノズル開口からインク滴を吐出させるインクジェット式記録ヘッドには、圧電素子の軸方向に伸長、収縮する縦振動モードの圧電アクチュエータを使用したものと、たわみ振動モードの圧電アクチュエータを使用したものの2種類が実用化されている。
【0003】
前者は圧電素子の端面を振動板に当接させることにより圧力発生室の容積を変化させることができて、高密度印刷に適したヘッドの製作が可能である反面、圧電素子をノズル開口の配列ピッチに一致させて櫛歯状に切り分けるという困難な工程や、切り分けられた圧電素子を圧力発生室に位置決めして固定する作業が必要となり、製造工程が複雑であるという問題がある。
【0004】
これに対して後者は、圧電材料のグリーンシートを圧力発生室の形状に合わせて貼付し、これを焼成するという比較的簡単な工程で振動板に圧電素子を作り付けることができるものの、たわみ振動を利用する関係上、ある程度の面積が必要となり、高密度配列が困難であるという問題がある。
【0005】
一方、後者の記録ヘッドの不都合を解消すべく、特開平5−286131号公報に見られるように、振動板の表面全体に亙って薄膜技術により均一な圧電材料層を形成し、この圧電材料層をリソグラフィ法により圧力発生室に対応する形状に切り分けて各圧力発生室毎に独立するように圧電素子を形成したものが提案されている。
【0006】
これによれば圧電素子を振動板に貼付ける作業が不要となって、リソグラフィ法という精密で、かつ簡便な手法で圧電素子を作り付けることができるばかりでなく、圧電素子の厚みを薄くできて高速駆動が可能になるという利点がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した薄膜技術およびリソグラフィ法による製造方法では、圧電振動子の駆動による変形量が小さいので、十分な吐出容量が得られがたいという問題がある。
【0008】
本発明はこのような事情に鑑み、圧電素子の駆動による変形量を容易に向上することのできるインクジェット式記録ヘッドの製造方法を提供することを課題とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する本発明の第1の態様は、流路形成基板の一方面に設けられた圧力発生室の一部を構成する弾性膜上に圧電素子を形成し、前記流路形成基板を他方面側からエッチングして前記圧力発生室を形成すると共に前記弾性膜の前記圧力発生室内の面の一部に凹部を形成するインクジェット式記録ヘッドの製造方法において、前記流路形成基板の他方面に設けられたマスク層の前記凹部と対向する領域に貫通部を有すると共に前記圧力発生室に対応して前記凹部以外の部分に薄膜部を有するマスクパターンを形成する第1のステップと、前記マスク層を利用してエッチングすることにより前記圧力発生室及び前記凹部を形成する第2のステップとを有することを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法にある。
【0010】
かかる第1の態様では、圧力発生室を構成する弾性膜の一部に、エッチングによって凹部を容易に形成することができる。
【0011】
本発明の第2の態様は、第1の態様において、第1のステップは、前記マスク層の前記凹部に対向する領域をエッチングして前記貫通部を形成するステップと、前記マスク層の前記圧力発生室に対応して前記凹部以外の部分をエッチングして前記薄膜部を形成するステップとを有することを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法にある。
【0012】
かかる第2の態様では、流路形成基板の一方面に設けられたマスク層を所定の形状にパターニングすることにより、マスク層を圧力発生室及び凹部を形成するためのマスクパターンとして用いることができる。
【0013】
本発明の第3の態様は、第1又は2の態様において、前記第2のステップは、前記貫通部に対応する部分の前記流路形成基板をエッチングして前記弾性膜が露出した露出部を形成するステップと、前記マスク層の前記薄膜部及び前記弾性膜の露出部をエッチングして前記凹部を形成するステップと、前記薄膜部に対応する部分の前記流路形成基板をエッチングして前記圧力発生室を形成するステップとを有することを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法にある。
【0014】
かかる第3の態様では、弾性膜を精度よくエッチングすることができ、凹部の深さを所望の寸法に形成することができる。
【0015】
本発明の第4の態様は、第3の態様において、前記露出部を形成するステップでは、前記貫通部に対応する部分の前記流路形成基板をエッチングすると共に前記薄膜部の厚さ方向の一部をさらにエッチングして除去することにより、次のステップでエッチングされる前記凹部の深さを調整することを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法にある。
【0016】
かかる第4の態様では、薄膜部の厚さを調整することにより、凹部の深さを確実に所望の寸法にすることができる。
【0017】
本発明の第5の態様は、第1又は2の態様において、前記第2のステップでは、前記薄膜部、前記流路形成基板及び前記弾性膜を一括してエッチングして前記圧力発生室及び前記凹部を形成することを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法にある。
【0018】
かかる第5の態様では、圧力発生室及び凹部を一括して形成することができ、製造工程が簡略化できる。
【0019】
本発明の第6の態様は、第1〜5の何れかの態様において、前記圧力発生室がシリコン単結晶基板に異方性エッチングにより形成され、前記圧電素子の各層が成膜及びリソグラフィ法により形成されたものであることを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法にある。
【0020】
かかる第6の態様では、高密度のノズル開口を有するインクジェット式記録ヘッドを大量に且つ比較的容易に製造することができる。
【0021】
本発明の第7の態様は、第1〜6の何れかの態様において、前記マスク層は、前記弾性膜と同一材料からなることを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法にある。
【0022】
本発明の第7の態様では、弾性膜とマスク層とのエッチング速度が略同一となり、凹部の寸法精度を向上する。
【0023】
本発明の第8の態様は、第7の態様において、前記弾性膜及び前記マスク層が、酸化シリコン又は窒化シリコンからなることを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法にある。
【0024】
かかる第8の態様では、流路形成基板上に弾性膜及びマスク層を容易に形成することができる。
【0025】
本発明の第9の態様は、第1〜8の何れかの態様において、前記圧力発生室及び前記凹部がウェットエッチング法によって形成されることを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法にある。
【0026】
かかる第9の態様では、凹部を精度よく形成することができる。
【0027】
本発明の第10の態様は、第1〜9の何れかの態様において、前記流路形成基板には前記圧力発生室に連通されるリザーバが画成され、前記ノズル開口を有するノズルプレートが接合されていることを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法にある。
【0028】
かかる第10の態様では、ノズル開口からインクを吐出するインクジェット式記録ヘッドを容易に実現できる。
【0029】
本発明の第11の態様は、第1〜10の何れかの態様において、前記流路形成基板には、前記圧力発生室にインクを供給する共通インク室と、前記圧力発生室と前記ノズル開口とを連通する流路とを形成する流路ユニットが接合されていることを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法にある。
【0030】
かかる第11の態様では、インクは流路ユニットから圧力発生室に供給され、ノズル開口から吐出される。
【0031】
本発明の第12の態様は、第11の態様において、前記流路ユニットが前記流路形成基板の前記圧力発生室開口側に接合されていることを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法にある。
【0032】
かかる第12の態様では、流路ユニットからのインクは圧力発生室の開口側から供給される。
【0033】
本発明の第13の態様は、第11の態様において、前記流路ユニットが前記流路形成基板の前記圧電素子形成側に接合されていることを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法にある。
【0034】
かかる第13の態様では、流路ユニットからのインクは圧電素子形成側に開口する連通路を介して圧力発生室に供給される。
【0035】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
【0036】
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1に係るインクジェット式記録ヘッドを示す分解斜視図であり、図2は、平面図及びその1つの圧力発生室の長手方向における断面構造を示す図である。
【0037】
図示するように、流路形成基板10は、本実施形態では面方位(110)のシリコン単結晶基板からなる。流路形成基板10としては、通常、150〜300μm程度の厚さのものが用いられ、望ましくは180〜280μm程度、より望ましくは220μm程度の厚さのものが好適である。これは、隣接する圧力発生室間の隔壁の剛性を保ちつつ、配列密度を高くできるからである。
【0038】
流路形成基板10の両面には、それぞれ、予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる、厚さ0.1〜2μmの弾性膜50と、詳しくは後述するが、圧力発生室12等を形成する際にマスクパターンとして用いられる保護膜55とが形成されている。そして、流路形成基板10の一方の面には、保護膜55をマスクとしてシリコン単結晶基板を異方性エッチングすることにより、ノズル開口11、圧力発生室12が形成されている。
【0039】
ここで、異方性エッチングは、シリコン単結晶基板をKOH等のアルカリ溶液に浸漬すると、徐々に侵食されて(110)面に垂直な第1の(111)面と、この第1の(111)面と約70度の角度をなし且つ上記(110)面と約35度の角度をなす第2の(111)面とが出現し、(110)面のエッチングレートと比較して(111)面のエッチングレートが約1/180であるという性質を利用して行われるものである。かかる異方性エッチングにより、二つの第1の(111)面と斜めの二つの第2の(111)面とで形成される平行四辺形状の深さ加工を基本として精密加工を行うことができ、圧力発生室12を高密度に配列することができる。
【0040】
本実施形態では、各圧力発生室12の長辺を第1の(111)面で、短辺を第2の(111)面で形成している。この圧力発生室12は、流路形成基板10をほぼ貫通し、後述するが、弾性膜50の一部までエッチングすることにより形成されている。なお、弾性膜50及び保護膜55は、シリコン単結晶基板をエッチングするアルカリ溶液に侵される量がきわめて小さい。
【0041】
一方、各圧力発生室12の一端に連通する各ノズル開口11は、圧力発生室12より幅狭で且つ浅く形成されている。すなわち、ノズル開口11は、シリコン単結晶基板を厚さ方向に途中までエッチング(ハーフエッチング)することにより形成されている。なお、ハーフエッチングは、エッチング時間の調整により行われる。
【0042】
ここで、インク滴吐出圧力をインクに与える圧力発生室12の大きさと、インク滴を吐出するノズル開口11の大きさとは、吐出するインク滴の量、吐出スピード、吐出周波数に応じて最適化される。例えば、1インチ当たり360個のインク滴を記録する場合、ノズル開口11は数十μmの溝幅で精度よく形成する必要がある。
【0043】
また、各圧力発生室12と後述する共通インク室31とは、後述する封止板20の各圧力発生室12の一端部に対応する位置にそれぞれ形成されたインク供給連通口21を介して連通されており、インクはこのインク供給連通口21を介して共通インク室31から供給され、各圧力発生室12に分配される。
【0044】
封止板20は、前述の各圧力発生室12に対応したインク供給連通口21が穿設された、厚さが例えば、0.1〜1mmで、線膨張係数が300℃以下で、例えば2.5〜4.5[×10-6/℃]であるガラスセラミックスからなる。なお、インク供給連通口21は、各圧力発生室12のインク供給側端部の近傍を横断する一つのスリット孔でも、あるいは複数のスリット孔であってもよい。封止板20は、一方の面で流路形成基板10の一面を全面的に覆い、シリコン単結晶基板を衝撃や外力から保護する補強板の役目も果たす。また、封止板20は、他面で共通インク室31の一壁面を構成する。
【0045】
共通インク室形成基板30は、共通インク室31の周壁を形成するものであり、ノズル開口数、インク滴吐出周波数に応じた適正な厚みのステンレス板を打ち抜いて作製されたものである。本実施形態では、共通インク室形成基板30の厚さは、0.2mmとしている。
【0046】
インク室側板40は、ステンレス基板からなり、一方の面で共通インク室31の一壁面を構成するものである。また、インク室側板40には、他方の面の一部にハーフエッチングにより凹部40aを形成することにより薄肉壁41が形成され、さらに、外部からのインク供給を受けるインク導入口42が打抜き形成されている。なお、薄肉壁41は、インク滴吐出の際に発生するノズル開口11と反対側へ向かう圧力を吸収するためのもので、他の圧力発生室12に、共通インク室31を経由して不要な正又は負の圧力が加わるのを防止する。本実施形態では、インク導入口42と外部のインク供給手段との接続時等に必要な剛性を考慮して、インク室側板40を0.2mmとし、その一部を厚さ0.02mmの薄肉壁41としているが、ハーフエッチングによる薄肉壁41の形成を省略するために、インク室側板40の厚さを初めから0.02mmとしてもよい。
【0047】
一方、流路形成基板10の開口面とは反対側の弾性膜50の上には、厚さが例えば、約0.5μmの下電極膜60と、厚さが例えば、約1μmの圧電体膜70と、厚さが例えば、約0.1μmの上電極膜80とが、後述するプロセスで積層形成されて、圧電素子300を構成している。ここで、圧電素子300は、下電極膜60、圧電体膜70、及び上電極膜80を含む部分をいう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体膜70を各圧力発生室12毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体膜70から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部320という。本実施形態では、下電極膜60は圧電素子300の共通電極とし、上電極膜80を圧電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。何れの場合においても、各圧力発生室毎に圧電体能動部が形成されていることになる。また、ここでは、圧電素子300と当該圧電素子300の駆動により変位が生じる振動板とを合わせて圧電アクチュエータと称する。なお、上述した例では、弾性膜50及び下電極膜60が振動板として作用するが、下電極膜が弾性膜を兼ねるようにしてもよい。
【0048】
ここで、シリコン単結晶基板からなる流路形成基板10上に、圧電体膜70等を形成するプロセスを図3を参照しながら説明する。
【0049】
図3(a)に示すように、まず、流路形成基板10となるシリコン単結晶基板のウェハを約1100℃の拡散炉で熱酸化して、流路形成基板10の両面に、それぞれ二酸化シリコンからなる弾性膜50及び保護膜55を一度に形成する。
【0050】
次に、図3(b)に示すように、スパッタリングで下電極膜60を形成する。下電極膜60の材料としては、Pt等が好適である。これは、スパッタリング法やゾル−ゲル法で成膜する後述の圧電体膜70は、成膜後に大気雰囲気下又は酸素雰囲気下で600〜1000℃程度の温度で焼成して結晶化させる必要があるからである。すなわち、下電極膜60の材料は、このような高温、酸化雰囲気下で導電性を保持できなければならず、殊に、圧電体膜70としてPZTを用いた場合には、PbOの拡散による導電性の変化が少ないことが望ましく、これらの理由からPtが好適である。
【0051】
次に、図3(c)に示すように、圧電体膜70を成膜する。本実施形態では、金属有機物を溶媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体膜70を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて形成した。圧電体膜70の材料としては、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)系の材料がインクジェット式記録ヘッドに使用する場合には好適である。なお、この圧電体膜70の成膜方法は、特に限定されず、例えば、スパッタリング法で形成してもよい。
【0052】
さらに、ゾル−ゲル法又はスパッタリング法等によりPZTの前駆体膜を形成後、アルカリ水溶液中での高圧処理法にて低温で結晶成長させる方法を用いてもよい。
【0053】
次に、図3(d)に示すように、上電極膜80を成膜する。上電極膜80は、導電性の高い材料であればよく、Al、Au、Ni、Pt等の多くの金属や、導電性酸化物等を使用できる。本実施形態では、Ptをスパッタリングにより成膜している。
【0054】
このように各層の成膜が終ると、これら下電極膜60、圧電体膜70及び上電極膜80をパターニングして圧電素子300を形成し、さらに、各圧電素子300に対応する領域の流路形成基板10をエッチングして、圧力発生室12を形成する。その際、本実施形態では、弾性膜50の圧力発生室12内の圧電体能動部320に対向する部分に凹部51を形成している。
【0055】
以下、この一連の形成工程について説明する。
【0056】
図4(a)に示すように、流路形成基板10の圧力発生室12形成側の表面に保護膜55が形成されており、本実施形態では、この保護膜55をマスクパターンとして圧力発生室12等をエッチングにより形成している。そこで、まず圧力発生室12形成位置に対応する領域で凹部51に対応する部分、例えば、本実施形態では、圧電体能動部320に対応する部分の保護膜55を、例えば、フッ酸(HF)等でエッチングして貫通部55aを形成する。
【0057】
次いで、図4(b)に示すように、圧力発生室12形成位置に対応する領域の貫通部55a以外の部分を貫通部55aの形成工程と同様に、HFでエッチングして、例えば、本実施形態では、貫通部55aの周囲を囲むように、圧力発生室12に対向する領域外の保護膜55よりも相対的に膜厚の薄い薄膜部55bを形成する。
【0058】
ここで、詳しくは後述するが、凹部51の深さは、基本的にはこの薄膜部55bの厚さによって決定される。そして、薄膜部55bの厚さは、以下の工程で調整が可能であるため、この工程では、薄膜部55bを凹部51の所望の深さと略同一、若しくは若干厚い膜厚としておくことが好ましい。なお、この薄膜部55bは、ハーフエッチング等により形成すればよい。
【0059】
次に、図4(c)に示すように、下電極膜60、圧電体膜70及び上電極膜80をエッチングして圧電体能動部320等のパターニングを行う。
【0060】
次に、図5(a)に示すように、このようにパターニングされた保護膜55をマスクパターンとして前述したKOH等のアルカリ溶液によるシリコン単結晶基板(流路形成基板)10の異方性エッチングを行う。この工程では、貫通部55aに対応する部分の流路形成基板10を完全に除去して、貫通部55aに対応する部分に弾性膜50が露出した露出部50aとなるまでエッチングを行う。
【0061】
この際、流路形成基板10のKOHによるエッチングに伴って保護膜55(薄膜部55a)もエッチングされるが、KOHでの保護膜55のエッチング速度は、流路形成基板10に比べて極めて遅いため、保護膜55がエッチングされる厚さは若干量である。本実施形態では、この若干量のエッチングを利用して、薄膜部55bの厚さの調整を行っている。
【0062】
次いで、図5(b)に示すように、保護膜55の薄膜部55b及び弾性膜50の露出部50aを、HFでエッチングして凹部51を形成する。ここで、弾性膜50及び保護膜55は、本実施形態では、上述したように二酸化シリコンからなるため、同一材質で形成されているため、エッチング速度も同一である。したがって、この工程のエッチングによって、凹部51は薄膜部55bの厚さと略同一の深さに形成されることになる。したがって、上述のように、薄膜部55bの厚さを精度よく調整しておくことで、凹部51を所定の深さで精度よく形成することができる。
【0063】
なお、弾性膜50及び保護膜55の材質は、特に限定されず、例えば、窒化シリコンであってもよい。また、エッチング速度が略同一であれば、弾性膜50と、弾性膜55との材質が異なっていてもよい。
【0064】
次に、図5(c)に示すように、薄膜部55bに対応する部分の流路形成基板10をKOHでエッチングして圧力発生室12を形成する。またこのとき、弾性膜55の露出部50aも同時にエッチングされ、このエッチングによって凹部51が所望の深さに形成される。
【0065】
このような圧力発生室12及び凹部51の形成方法では、保護膜55をマスクパターンとして流路形成基板10等をエッチングすることにより、圧力発生室12を形成すると共に弾性膜50に凹部51を容易に形成することができる。また、本実施形態では、流路形成基板10を二回に分けてエッチングして圧力発生室12及び凹部51を形成するようにしているため、その際、薄膜部55bの厚さを調整することができる。また、流路形成基板10の厚さは一定であるため、薄膜部55bの厚さの変化のみが凹部51の深さの変化となり、この薄膜部55bの厚さを調整するだけで、凹部51を所望の深さに精度よく形成することができる。
【0066】
図6は、このように形成されたインクジェット式記録ヘッドの要部断面図である。
【0067】
本実施形態では上述の工程によって、図6に示すように、各圧力発生室12に対向する領域内に圧電体膜70及び上電極膜80をパターニングして圧電体能動部320を形成し、圧力発生室12に対向する領域の弾性膜50に、圧電体能動部320の幅方向略中央部に長手方向に亘って、弾性膜50の厚さ方向の一部を残した深さで形成している。
【0068】
このように、上述のような工程によって、圧力発生室12内側の弾性膜50に凹部51を精度よく形成することにより、圧電体能動部320の駆動による応力が抑えられ、変位量を向上したインクジェット式記録ヘッドを実現することができる。
【0069】
なお、本実施形態では、凹部51を、圧電体能動部320に対応する領域に形成するようにしたが、これに限定されず、圧力発生室12内側の弾性膜50の何れの場所にも設けることができる。
【0070】
例えば、図7(a)に示すように、貫通部55aを圧電体能動部320の幅方向両側に設け、薄膜部55bを圧力発生室12の略中央部の圧電体能動部320に対向する領域に設けて流路形成基板10をエッチングするようにすれば、図7(b)に示すように、凹部51が圧力発生室12の幅方向両側に形成されることになる。
【0071】
すなわち、圧力発生室に対向する領域内で、凹部を形成したい部分に貫通部を設け、その他の部分に薄膜部を設けて、流路形成基板をエッチングすることにより所望の位置に凹部を形成することができる。また、何れの場合にも、薄膜部の厚さを調整することにより、所望の深さの凹部を精度よく形成することができる。
【0072】
なお、本実施形態では、凹部51を弾性膜50の一部を残した深さで形成するようにしたが、これに限定されず、例えば、下電極膜60の一部まで除去した深さとしてもよい。この場合にも、下電極膜60のエッチング速度等を考慮して薄膜部55bの厚さを調整しておくことにより、凹部51を精度良く形成することができる。なお、この場合には、保護膜55を弾性膜50よりも厚く形成しておくことが必要である。
【0073】
以上の説明では、圧電体能動部320形成後に、圧力発生室12を形成するようにしたが、実際には、図2に示すように、各上電極膜80の上面の少なくとも周縁、及び圧電体膜70および下電極膜60の側面を覆うように電気絶縁性を備えた絶縁体層90を形成し、さらに、絶縁体層90の各圧電体能動部320の一端部に対応する部分の上面を覆う部分の一部にはリード電極100と接続するために上電極膜80の一部を露出させるコンタクトホール90aを形成し、このコンタクトホール90aを介して各上電極膜80に一端が接続し、また他端が接続端子部に延びるリード電極100を形成した後に、圧力発生室12を形成するようにしてもよい。ここで、リード電極100は、駆動信号を上電極膜80に確実に供給できる程度に可及的に狭い幅となるように形成するのが好ましい。なお、本実施形態では、コンタクトホール90aは、圧力発生室12に対向する位置に設けられているが、特に限定されず、例えば、圧電体膜70及び上電極膜80を圧力発生室12の周壁に対向するまで延設して、その周壁に対向する位置にコンタクトホール90aを設けるようにしてもよい。
【0074】
また、以上説明した一連の膜形成及び異方性エッチングは、一枚のウェハ上に多数のチップを同時に形成し、プロセス終了後、図1に示すような一つのチップサイズの流路形成基板10毎に分割する。また、分割した流路形成基板10を、封止板20、共通インク室形成基板30、及びインク室側板40と順次接着して一体化し、インクジェット式記録ヘッドとする。
【0075】
このように構成したインクジェットヘッドは、図示しない外部インク供給手段と接続したインク導入口42からインクを取り込み、共通インク室31からノズル開口11に至るまで内部をインクで満たした後、図示しない外部の駆動回路からの記録信号に従い、リード電極100を介して下電極膜60と上電極膜80との間に電圧を印加し、弾性膜50、下電極膜60及び圧電体膜70をたわみ変形させることにより、圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口11からインク滴が吐出する。
【0076】
(実施形態2)
図8は、実施形態2に係る薄膜製造工程を示す断面図である。
【0077】
本実施形態は、流路形成基板10、保護膜55の薄膜部55b及び弾性膜50を一括してエッチングして圧力発生室12及び凹部51を形成した例である。
【0078】
まず、本実施形態の形成方法においても、実施形態1と同様に、図8(a)に示すように、圧力発生室12形成位置に対応する領域で凹部51を形成する部分に対応する位置の弾性膜55をエッチングして貫通部55aを形成する。次いで、図8(b)に示すように、圧力発生室12形成位置に対応する領域の貫通部55a以外の部分に、圧力発生室12に対向する領域外の弾性膜55よりも相対的に膜厚の薄い薄膜部55bを形成する。そして、図8(c)に示すように、圧電体膜70及び上電極膜80等をパターニングして圧電体能動部320を形成する。
【0079】
このように圧電体能動部320を形成後、流路形成基板10等をエッチングして、圧力発生室12及び凹部51を形成する。本実施形態では、図8(d)に示すように、薄膜部55b、流路形成基板10及び弾性膜50をKOH水溶液で一括してエッチングして、圧力発生室12及び凹部51を形成した。
【0080】
このような一括した流路形成基板10等のエッチングでは、最初に貫通部55aの領域のシリコン単結晶基板(流路形成基板)10が侵されていくが、これと共に周囲の薄膜部55bも侵される。そのため、薄膜部55bは時間と共に完全に除去され、薄膜部55bに覆われていた部分のシリコン単結晶基板(流路形成基板)10も、遅れて侵されていく。その後、貫通部55aの領域のシリコン単結晶基板(流路形成基板)10が完全に除去されるが、薄膜部55bの領域のシリコン単結晶基板(流路形成基板)10が完全に除去されるまで、すなわち、圧力発生室12が形成されるまでエッチングを続行する。結果的に、貫通部55aの領域の弾性膜50が侵され、凹部51が形成されることになる。
【0081】
このように、流路形成基板10等を一括してエッチングして圧力発生室12及び凹部51を形成することによって、製造工程を簡略化することができ、製造効率及び製造コストを向上することができる。
【0082】
(他の実施形態)
以上、本発明の各実施形態を説明したが、インクジェット式記録ヘッドの基本的構成は上述したものに限定されるものではない。
【0083】
例えば、上述の実施形態では、流路形成基板10、弾性膜50及び保護膜55をウェットエッチングによってパターニングするようにしたが、これに限定されず、例えば、ドライエッチングを用いてもよく、あるいはウェットエッチング及びドライエッチングを併用してもよい。
【0084】
また、上述の実施形態では、弾性膜50の圧電体能動部320に対向する領域、又は圧電体能動部320の幅方向両側に対向する領域に、それぞれ、一つの凹部51を形成するようにしたが、これに限定されず、例えば、図9(a)に示すように、圧電体能動部320に対向する領域の弾性膜50に複数の凹部51Aを設けるようにしてもよいし、図9(b)に示すように、圧電体能動部320の幅方向両側に対向する領域に、複数の凹部51Aを設けるようにしてもよいし、あるいは、圧力発生室12に対向する領域の弾性膜50の幅方向に亘って複数の凹部51Aを形成するようにしてもよい。勿論、凹凸の形状は、これらに限定されるものではない。
【0085】
さらに、例えば、上述した封止板20の他、共通インク室形成板30をガラスセラミックス製としてもよく、さらには、薄肉膜41を別部材としてガラスセラミックス製としてもよく、材料、構造等の変更は自由である。
【0086】
また、上述した実施形態では、ノズル開口を流路形成基板10の端面に形成しているが、面に垂直な方向に突出するノズル開口を形成してもよい。
【0087】
このように構成した実施形態の分解斜視図を図10、その流路の断面を図11にぞれぞれ示す。この実施形態では、ノズル開口11が圧電素子とは反対のノズル基板120に穿設され、これらノズル開口11と圧力発生室12とを連通するノズル連通口22が、封止板20、共通インク室形成板30及び薄肉板41A及びインク室側板40Aを貫通するように配されている。
【0088】
なお、本実施形態は、その他、薄肉板41Aとインク室側板40Aとを別部材とし、インク室側板40に開口40bを形成した以外は、基本的に上述した実施形態と同様であり、同一部材には同一符号を付して重複する説明は省略する。
【0089】
また、勿論、共通インク室を流路形成基板内に形成したタイプのインクジェット式記録ヘッドにも同様に応用できる。
【0090】
また、以上説明した各実施形態は、成膜及びリソグラフィプロセスを応用することにより製造できる薄膜型のインクジェット式記録ヘッドを例にしたが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、グリーンシートを貼付もしくはスクリーン印刷等により圧電体膜を形成するもの、又はスパッタリング法やゾル−ゲル法以外で、例えば、水熱法等の結晶成長により圧電体膜を形成するもの等、各種の構造のインクジェット式記録ヘッドに本発明を採用することができる。
【0091】
また、圧電素子とリード電極との間に絶縁体層を設けた例を説明したが、これに限定されず、例えば、絶縁体層を設けないで、各上電極に異方性導電膜を熱溶着し、この異方性導電膜をリード電極と接続したり、その他、ワイヤボンディング等の各種ボンディング技術を用いて接続したりする構成としてもよい。
【0092】
このように、本発明は、その趣旨に反しない限り、種々の構造のインクジェット式記録ヘッドに応用することができる。
【0093】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、圧力発生室を形成するためのマスクパターンとなる弾性膜等に薄膜部を設けて、流路形成基板等をエッチングするようにしたので、圧力発生室内側の弾性膜に凹部を容易に形成することができる。また、圧力発生室を2回に分けてエッチングすることにより、薄膜部の厚さを精度よく調整することができる。これにより、凹部の深さを精度よく形成することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係るインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図である。
【図2】本発明の実施形態1に係るインクジェット式記録ヘッドを示す図であり、図1の平面図及び断面図である。
【図3】本発明の実施形態1の薄膜製造工程を示す断面図である。
【図4】本発明の実施形態1の圧力発生室及び凹部の製造工程を示す断面図である。
【図5】本発明の実施形態1の圧力発生室及び凹部の製造工程を示す断面図である。
【図6】本発明の実施形態1に係るインクジェット式記録ヘッドの要部を示す断面図である。
【図7】本発明の実施形態1に係るインクジェット式記録ヘッドの変形例を示す断面図である。
【図8】本発明の実施形態2に係る圧力発生室及び凹部の製造工程を示す断面図である。
【図9】本発明の他の実施形態に係るインクジェット式記録ヘッドの要部を示す断面図である。
【図10】本発明の他の実施形態に係るインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図である。
【図11】本発明の他の実施形態に係るインクジェット式記録ヘッドを示す断面図である。
【符号の説明】
10 流路形成基板
11 ノズル開口
12 圧力発生室
50 弾性膜
51,51A 凹部
55 保護膜
55a 貫通部
55b 薄膜部
60 下電極膜
70 圧電体膜
80 上電極膜
90 絶縁体層
100 リード電極
300 圧電素子
320 圧電体能動部

Claims (13)

  1. 流路形成基板の一方面に設けられた圧力発生室の一部を構成する弾性膜上に圧電素子を形成し、前記流路形成基板を他方面側からエッチングして前記圧力発生室を形成すると共に前記弾性膜の前記圧力発生室内の面の一部に凹部を形成するインクジェット式記録ヘッドの製造方法において、
    前記流路形成基板の他方面に設けられたマスク層の前記凹部と対向する領域に貫通部を有すると共に前記圧力発生室に対応して前記凹部以外の部分に薄膜部を有するマスクパターンを形成する第1のステップと、前記マスク層を利用してエッチングすることにより前記圧力発生室及び前記凹部を形成する第2のステップとを有することを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
  2. 請求項1において、第1のステップは、前記マスク層の前記凹部に対向する領域をエッチングして前記貫通部を形成するステップと、前記マスク層の前記圧力発生室に対応して前記凹部以外の部分をエッチングして前記薄膜部を形成するステップとを有することを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
  3. 請求項1又は2において、前記第2のステップは、前記貫通部に対応する部分の前記流路形成基板をエッチングして前記弾性膜が露出した露出部を形成するステップと、前記マスク層の前記薄膜部及び前記弾性膜の露出部をエッチングして前記凹部を形成するステップと、前記薄膜部に対応する部分の前記流路形成基板をエッチングして前記圧力発生室を形成するステップとを有することを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
  4. 請求項3において、前記露出部を形成するステップでは、前記貫通部に対応する部分の前記流路形成基板をエッチングすると共に前記薄膜部の厚さ方向の一部をさらにエッチングして除去することにより、次のステップでエッチングされる前記凹部の深さを調整することを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
  5. 請求項1又は2において、前記第2のステップでは、前記薄膜部、前記流路形成基板及び前記弾性膜を一括してエッチングして前記圧力発生室及び前記凹部を形成することを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
  6. 請求項1〜5の何れかにおいて、前記圧力発生室がシリコン単結晶基板に異方性エッチングにより形成され、前記圧電素子の各層が成膜及びリソグラフィ法により形成されたものであることを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
  7. 請求項1〜6の何れかにおいて、前記マスク層は、前記弾性膜と同一材料からなることを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
  8. 請求項7において、前記弾性膜及び前記マスク層が、酸化シリコン又は窒化シリコンからなることを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
  9. 請求項1〜8の何れかにおいて、前記圧力発生室及び前記凹部がウェットエッチング法によって形成されることを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
  10. 請求項1〜9の何れかにおいて、前記流路形成基板には前記圧力発生室に連通されるリザーバが画成され、前記ノズル開口を有するノズルプレートが接合されていることを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
  11. 請求項1〜10の何れかにおいて、前記流路形成基板には、前記圧力発生室にインクを供給する共通インク室と、前記圧力発生室と前記ノズル開口とを連通する流路とを形成する流路ユニットが接合されていることを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
  12. 請求項11において、前記流路ユニットが前記流路形成基板の前記圧力発生室開口側に接合されていることを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
  13. 請求項11において、前記流路ユニットが前記流路形成基板の前記圧電素子形成側に接合されていることを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
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