JP3687428B2 - ディジタル信号の再生装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数のチャンネルで記録されたディジタル信号に対し、ノントラキング再生と修整を行うディジタル信号の再生装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、画像データの処理装置は急速にディジタル化が進んでいる。例えば、業務用VTRでは、アナログ記録方式VTRから、非圧縮のデジタル信号を記録するVTR(例えば、D1,D2,D3,D5)、そして映像信号を高能率符号化により圧縮して記録するVTR(例えば、DVCPRO)のように、アナログからディジタルへ、またディジタルの非圧縮から圧縮へと変遷している。また、民生用VTRでは、アナログ方式のVHSから、画像データをDCT、ハフマン符号により高能率符号化して記録する圧縮方式のDV−VTRに変遷している。
【0003】
これらのディジタルVTRで広く採用されているのがエラー訂正という技術である。ディジタルVTRでは、記録時にエラー訂正符号を付加して記録し、再生時には、記録時に付加したエラー訂正符号を復号することにより、テープ・ヘッド系で発生したエラーを除去している。
【0004】
一般にディジタルVTRのエラー訂正符号は、外符号と内符号によって構成される積符号が用いられている。例えば、DVCPROでは、1トラック単位に積符号が構成されている。図11は、DVCPROの積符号の模式図である。同図に示すように、シンクブロック単位にメモリの行方向に138シンクブロックのデータを書きこみ、全てのシンクブロックの書きこみが終了した時点で、1ワード毎にメモリの行方向に読み出して11ワードの外符号訂正符号を付加して、再度メモリに書き戻している。DVCPROでは、1シンクブロックが77ワードで構成されているので77回、前述の動作を行い、77個の外符号を構成している。外符号訂正符号を付加した後、メモリの列方向に77ワード読み出し、内訂正符号を8ワード付加している。この動作を(138+11)シンクブロック分行い積符号を生成して、磁気テープに記録している。
【0005】
また、再生時は、上記の記録時とは逆の処理が行われる。すなわち、磁気テープから再生されたデータをシンクブロック単位に内符号訂正を行う。内符号訂正されたデータは、メモリの所定位置に書き込まれる。再生時においても、記録時と同様にメモリの1行分が1シンクブロックに対応している。1トラックあたり149シンクブロックのデータが書き終わると、1ワード毎にメモリの行方向に読み出され外符号訂正をされる。外符号訂正されたデータは、再度メモリの同一アドレスに格納される。これらの動作を77回繰り返しておこない、1トラック分の外符号訂正が終了する。外符号訂正されたデータは、再度シンクブロック単位で行方向に読み出され、圧縮データバスとして出力される。
【0006】
ところで、業務用VTRにおいては、1倍速再生のほかにスロー再生が強く要望されている。1倍速再生の場合は、再生ヘッドが磁気テープの再生トラックにオントラックして再生しているので、再生ヘッドの1スキャンで内符号訂正、外符号訂正を完結することができる。しかし、スロー再生の場合について考察すると、例えば、トラック幅と同一幅の再生ヘッドで再生する場合は、全体の50%はオフトラックになるので、1/2倍速再生以上のスロー再生は困難であった。
【0007】
上記の課題を解決する手法として、1トラックを2個以上の再生ヘッドで再生するノントラッキング再生が考えられる。例えば、2個のヘッドによるノントラッキング再生では、第1のヘッドを1倍速再生でオントラックするドラムシリンダの位置に取りつけ、もう一方の再生ヘッドを、スロー再生時に第1のヘッドで取得されないデータを補間することが可能なドラムシリンダ位置に取り付けている。そして、2個のヘッドより再生されたデータを内符号訂正して、同一内符号ブロックで良い方の内符号ブロックを選択して外符号訂正をすることによりノントラッキング再生を実現している。
【0008】
特開平9−139019号公報では、2個の再生ヘッドによって再生されたデータをそれぞれ、内符号訂正して第1のバッファーメモリに格納することによって2個のヘッドからの再生データの時間差を削除した後に、エラー状態の良い方の再生データを選択する。そして、良いほうの再生データを第2のバッファーメモリの行方行に書きこみ、列方向に読み出して外符号訂正をしている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の構成では、2個の再生ヘッドより、エラーレートの良い方の再生データを選択するために時間をあわせるバッファーメモリと、さらに内符号訂正したデータを書きこみ外符号訂正するためのインターリーブメモリが必要であり、例えば、エラー訂正回路とメモリ制御回路をLSI化した場合、周辺部品として比較的大容量の2個のメモリが必要であった。
【0010】
本発明は、上記従来課題を解決するものであり、ノントラック回路をLSI1個とメモリ1個で実現可能にすることを目的とする。
【0011】
また、1倍速以上でのノントラッキング再生も、同様にLSI1個とメモリ1個で実現可能な回路構成を提供する。
【0012】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために本発明は、記録された同一トラックを再生可能なKチャンネル(Kは2以上の自然数)の再生ヘッドと、Kチャンネルの再生ヘッドより再生されたデータを復調し、再生データのシンクブロック毎に挿入されているシンクブロック番号とトラック番号を検出する復調手段と、復調手段により復調された再生データをシンクブロック毎にエラー訂正する内符号訂正手段と、各再生チャンネルに対応したK個の領域を有し、かつN(Nは2以上の整数)個のメモリ面を有するバッファーメモリと、内符号訂正手段より出力された再生データの書き込むべきバッファーメモリのメモリ面の番号と内符号訂正手段より出力される内符号訂正の結果をシンクブロック毎かつチャンネル毎に記憶しておく第1の情報メモリと、内符号訂正手段により出力された各チャンネルの再生データを、夫々シンクブロック番号とトラック番号と該当する領域の第1の情報メモリに格納されているメモリ面番号に従って、バッファーメモリに書きこむ制御するメモリ書き込み手段と、バッファーメモリから再生データを読み出し、第1の情報メモリを参照にしながらKチャンネルの再生データから状態の良いチャンネルの再生データを選択して外符号訂正をし、読み出されたメモリアドレスに外符号訂正されたデータを書き戻す外符号訂正手段と、外符号訂正手段の結果、外符号訂正可能であったシンクブロックのみ、そのシンクブロックが書き込まれていた面番号を次の面番号になるように、第1の情報メモリを書き換える書きこみ面番号制御手段と、外符号訂正がバッファーメモリの1面分終わる毎にバッファーメモリのN個の出力面を順番に切り替えて行く出力面の制御手段と、エラーが無いシンクブロックは外符号訂正手段により選択されたシンクブロックの選択チャンネル番号とメモリ面番号を記憶し、エラーと検出されたシンクブロックは1個前の出力面で選択された当該シンクブロックの選択チャンネル番号とメモリ面番号を記憶しておく第2の情報メモリと、第2の情報メモリに格納されている該当する出力面の各シンクブロック毎に格納されている選択チャンネル番号とメモリ面番号の示すアドレス位置のデータをバッファーメモリより読み出すメモリ読み出し手段とを具備している。
【0013】
これにより、内符号訂正後バッファーメモリの所定アドレスに格納したデータは、外符号訂正後も同一アドレスに格納されるので1個のバッファーメモリでノントラック処理をすることができる。また、前の面の同一アドレスには、外符号訂正できた最新のデータが格納されているので、外符号訂正により訂正できなかったデータについては、前の面のデータを出力することにより修整動作が実現可能である。
【0014】
また、記録されたトラックを再生可能なKチャンネル(Kは2以上の自然数)の再生ヘッドと、Kチャンネルの再生ヘッドより再生されたデータを復調し、再生データのシンクブロック毎に挿入されているシンクブロック番号とトラック番号を検出する復調手段と、復調手段により復調された再生データをシンクブロック毎にエラー訂正する内符号訂正手段と、各再生チャンネルに対応したK個の領域を有し、かつ(N×M)(Nは2以上の整数)個のメモリ面を有するバッファーメモリと、内符号訂正手段より出力された再生データの書き込むべきバッファーメモリのメモリ面の番号と内符号訂正手段より出力される内符号訂正の結果をシンクブロック毎かつチャンネル毎に記憶しておく第1の情報メモリと、内符号訂正手段により出力された各チャンネルの再生データを、夫々シンクブロック番号とトラック番号と該当する領域の第1の情報メモリに格納されているメモリ面番号に従って、バッファーメモリに書き込む制御するメモリ書き込み手段と、バッファーメモリから再生データを読み出し、第1の情報メモリを参照にしながら、Kチャンネルの分割された再生データから状態の良いチャンネルの再生データを選択して外符号訂正をし、読み出されたメモリアドレスに外符号訂正されたデータを書き戻す外符号訂正手段と、外符号訂正手段の結果、外符号訂正可能であったシンクブロックのみ、そのシンクブロックが書きこまれていた面番号を次の面番号になるように、第1の情報メモリを書き換える書きこみ面番号制御手段と、N個の面番号を有し、バッファーメモリのM個の面に対応した数の外符号訂正が終わる毎にバッファーメモリの出力面を切り替えて行く出力面の制御手段と、エラーが無いシンクブロックは外符号訂正手段により選択されたシンクブロックの選択チャンネル番号とメモリ面番号を記憶し、エラーと検出されたシンクブロックは1個前の出力面で選択された当該シンクブロックの選択チャンネル番号とメモリ面番号を記憶しておく第2の情報メモリと、第2の情報メモリに格納されている該当する出力面の各シンクブロック毎に格納されている選択チャンネル番号とメモリ面番号の示すアドレス位置のデータをバッファーメモリよりM面分読み出すメモリ読み出し手段とを具備している。
【0015】
これにより、内符号訂正、外符号訂正は1面毎にバッファーメモリのメモリ面を更新していき、出力面がM面毎に更新していくので、ノントラッキングによるM倍速再生時に、M面のデータを出力することが可能になり、M倍速再生を実現できる。
【0016】
また、出力面はM面毎に更新していくが、第1及び第2の情報メモリに格納されている面番号は外符号訂正の結果に従って1面毎に更新していき、外符号訂正によって訂正できなかった場合は1面前のデータを読み出しているので、修整動作も実現することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
本発明の第1の発明は、同一トラックを少なくとも2チャンネルのヘッドで再生し、各々のヘッドから再生されたデータを集めて1トラックを構成するようなノントラッキング再生を行う装置であって、記録された同一トラックを再生可能なKチャンネル(Kは2以上の自然数)の再生ヘッドと、前記Kチャンネルの再生ヘッドより再生されたデータを復調し、再生データのシンクブロック毎に挿入されているシンクブロック番号とトラック番号を検出する復調手段と、前記復調手段により復調された再生データを前記シンクブロック毎にエラー訂正する内符号訂正手段と、各再生チャンネルに対応したK個の領域を有し、かつN(Nは2以上の整数)個のメモリ面を有するバッファーメモリと、前記内符号訂正手段より出力された再生データの書きこむべき前記バッファーメモリのメモリ面の番号と前記内符号訂正手段より出力される内符号訂正の結果をシンクブロック毎かつチャンネル毎に記憶しておく第1の情報メモリと、前記内符号訂正手段により出力された各チャンネルの再生データを、夫々前記シンクブロック番号とトラック番号と該当する領域の前記第1の情報メモリに格納されているメモリ面番号に従って、前記バッファーメモリに書きこむ制御するメモリ書きこみ手段と、前記バッファーメモリから再生データを読み出し、前記第1の情報メモリを参照にしながら、Kチャンネルの再生データから状態の良いチャンネルの再生データを選択して外符号訂正をし、読み出されたメモリアドレスに外符号訂正されたデータを書き戻す外符号訂正手段と、前記外符号訂正手段の結果、外符号訂正可能であったシンクブロックのみ、そのシンクブロックが書きこまれていた面番号を次の面番号になるように、第1の情報メモリを書きかえる書きこみ面番号制御手段と、外符号訂正が前記バッファーメモリの1面分終わる毎に前記バッファーメモリのN個の出力面を順番に切り替えて行く出力面の制御手段と、エラーが無いシンクブロックは前記外符号訂正手段により選択されたシンクブロックの選択チャンネル番号とメモリ面番号を記憶し、エラーと検出されたシンクブロックは1個前の出力面で選択された当該シンクブロックの選択チャンネル番号とメモリ面番号を記憶しておく第2の情報メモリと、前記第2の情報メモリに格納されている該当する出力面の各シンクブロック毎に格納されている前記選択チャンネル番号と前記メモリ面番号の示すアドレス位置のデータを前記バッファーメモリより読み出すメモリ読み出し手段とを具備する。
【0018】
これにより、内符号訂正後バッファーメモリの所定アドレスに格納したデータは、外符号訂正後も同一アドレスに格納されるので1個のバッファーメモリでノントラック処理をすることができる。また前の面の同一アドレスには、外符号訂正できた最新のデータが格納されているので、外符号訂正により訂正できなかったデータについては、前の面のデータを出力することにより修整動作が実現可能である。
【0019】
また、本発明の第2の発明は、磁気テープを1倍速再生のスピードのM倍(Mは2以上の整数)で走行させ、同一トラックを少なくとも2チャンネルのヘッドで再生し、各々のヘッドが再生されたデータを集めて1トラックを構成するようなノントラッキング再生を行うM倍速の再生装置であって、記録されたトラックを再生可能なKチャンネル(Kは2以上の自然数)の再生ヘッドと、前記Kチャンネルの再生ヘッドより再生されたデータを復調し、再生データのシンクブロック毎に挿入されているシンクブロック番号とトラック番号を検出する復調手段と、前記復調手段により復調された再生データを前記シンクブロック毎にエラー訂正する内符号訂正手段と、各再生チャンネルに対応したK個の領域を有し、かつ(N×M)(Nは2以上の整数)個のメモリ面を有するバッファーメモリと、前記内符号訂正手段より出力された再生データの書きこむべき前記バッファーメモリのメモリ面の番号と前記内符号訂正手段より出力される内符号訂正の結果をシンクブロック毎かつチャンネル毎に記憶しておく第1の情報メモリと、前記内符号訂正手段により出力された各チャンネルの再生データを、夫々前記シンクブロック番号とトラック番号と該当する領域の前記第1の情報メモリに格納されているメモリ面番号に従って、前記バッファーメモリに書きこむ制御するメモリ書きこみ手段と、前記バッファーメモリから再生データを読み出し、前記第1の情報メモリを参照にしながら、Kチャンネルの分割された再生データから状態の良いチャンネルの再生データを選択して外符号訂正をし、読み出されたメモリアドレスに外符号訂正されたデータを書き戻す外符号訂正手段と、前記外符号訂正手段の結果、外符号訂正可能であったシンクブロックのみ、そのシンクブロックが書きこまれていた面番号を次の面番号になるように、第1の情報メモリを書きかえる書きこみ面番号制御手段と、前記N個の面番号を有し、前記バッファーメモリのM個の面に対応した数の外符号訂正が終わる毎に前記バッファーメモリの出力面を切り替えて行く出力面の制御手段と、エラーが無いシンクブロックは前記外符号訂正手段により選択されたシンクブロックの選択チャンネル番号とメモリ面番号を記憶し、エラーと検出されたシンクブロックは1個前の出力面で選択され当該シンクブロックの選択チャンネル番号とメモリ面番号を記憶しておく第2の情報メモリと、前記第2の情報メモリに格納されている該当する出力面の各シンクブロック毎に格納されている前記選択チャンネル番号と前記メモリ面番号の示すアドレス位置のデータを前記バッファーメモリよりM面分読み出すメモリ読み出し手段とを具備する。
【0020】
これにより、内符号訂正、外符号訂正は1面毎にバッファーメモリのメモリ面を更新していき、出力面がM面毎に更新していくので、ノントラッキングによるM倍速再生時にM面分のデータを出力することが可能になりM倍速再生を実現できる。
【0021】
また、出力面はM面毎に更新していくが、第1及び第2の情報メモリに格納されている面番号は外符号訂正の結果に従って1面毎に更新していき、外符号訂正によって訂正できなかった場合は1面前のデータを読み出しているので修整動作も実現することができる。
【0022】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。
【0023】
(実施の形態1)
本発明の実施の形態1によるディジタル信号の再生装置は、ドラムシリンダに180度対向で配置された8個の再生ヘッドを用いて、マイナス1倍からプラス1倍速までのノントラッキング再生を実現している。
【0024】
図1は、本実施の形態による再生装置の構成を示すブロック図である。同図において、1は磁気テープ、2は180度対向で配置された8個の再生ヘッドを持つドラムシリンダ、3はドラムシリンダ2より再生された再生データの復調手段、4は復調手段3により復調されたデータの内符号訂正を行う内符号訂正手段、5は内符号訂正手段4により内符号訂正されたデータをバッファーメモリ7に書きこむ制御を行う内符号書きこみ制御手段、6は内符号ブロック毎に内符号訂正手段4による内符号訂正結果とバッファーメモリ7に書きこむべき面番号を格納しておく第1の情報メモリ、7はバッファーメモリ、8は第1の情報メモリ6に格納されている内符号訂正結果を参照にして、内符号訂正結果が良好なデータを選択してバッファーメモリ7から読み出し外符号訂正をして、バッファーメモリ7の読み出したアドレス位置に書き戻す外符号訂正手段、9は外符号訂正手段8の訂正結果、内符号ブロックのデータにエラーがない場合に、第1の情報メモリ6に格納されている面番号を1面進める書きこみ面番号の制御手段、10はバッファーメモリ7の出力面に対応して、シンクブロック毎に外符号訂正手段8により選択された選択チャンネル番号と外符号訂正の対象とされた第1の情報メモリ6に格納されているメモリ面番号を記憶しておく第2の情報メモリ、11はバッファーメモリ7の1面に対応した数の外符号訂正が終わる毎にバッファーメモリ7の出力面を切り替えて行く出力面の制御手段、12は第2の情報メモリ10の出力面に書かれている選択チャンネルと面番号のアドレスの示す位置のデータをバッファーメモリ7より読み出すメモリ読み出し手段、13は出力データである。上記のように構成された再生装置の動作について詳細に説明する。
【0025】
まず、本実施の形態での記録フォーマットについて説明する。図2は、テープフォーマットの模式図である。同図に示すように1フレーム分の映像信号が10本のトラックに分かれて記録されている。
【0026】
また、各トラックは、従来例で説明したように149個のシンクブロックから構成されている。149個のシンクブロックの内138個はデータ、11ブロックは外符号訂正用パリティであり、各シンクブロックには内符号訂正用のパリティが付加されている。また、各シンクブロックには、トラック番号とシンクブロック番号を示すブロックIDが挿入されて記録されている。以上のように記録された磁気テープを180度対向にヘッド配置された4個の再生チャンネルでノントラッキング再生を行っている。4個の再生チャンネルの2チャンネルはプラスアジマス用の再生チャンネル、残りの2チャンネルはマイナスアジマス用の再生チャンネルである。ノントラック動作は同一アジマスチャンネル間で行う。
【0027】
4個の再生チャンネルにより再生されたデータは復調手段3に入力され、再生データを復調するとともに、各シンクブロックに挿入されているトラック番号とシンクブロック番号を抽出している。復調手段3により復調されたデータは内符号訂正手段4に入力され、各再生チャンネル毎に内符号訂正される。
【0028】
図3はバッファーメモリ7のメモリマップである。本バッファーメモリは各再生チャンネルに対応した4個の領域に分割される。即ち、プラスアジマスチャンネルはチャンネルL1とチャンネルL2、マイナスアジマスチャンネルはチャンネルR1とチャンネルR2である。さらに各再生チャンネル毎に4個の書きこみ面(面1〜面4)を有した構成している。
【0029】
内符号訂正手段4により内符号訂正された各再生チャンネルのデータは、内符号書きこみ制御手段5に入力される。内符号書きこみ制御手段5では、各再生チャンネルの内符号訂正結果を第1の情報メモリ6に書きこむ。また、第1の情報メモリ6に格納されている書きこみ面番号に従って、各再生チャンネルに対応したバッファーメモリ7のメモリ領域に内符号訂正されたデータを書きこんでいる。
【0030】
図4に第1の情報メモリ6のメモリマップを示す。図4では簡単のために1本のトラックのメモリマップを示しているが、実際は各トラック毎に図4に示した構造のメモリマップが存在している。同図に示すように、各再生チャンネルの各シンクブロック毎に内符号訂正結果と、後述する書きこみ面番号制御手段9で発生するバッファーメモリ7の書きこみ面の面番号が格納されている。
【0031】
内符号書きこみ制御手段5によりバッファーメモリ7に書きこまれたデータは、外符号訂正手段8によって読み出される。図5に外符号訂正手段8がバッファーメモリ7からデータを読み出すタイミングを示す。図5に示すように、例えばトラック1を外符号訂正するタイミングは、後行するL2チャンネルのトラック4のシンクブロックが取れ初めてから外符号訂正を行っている。このように各トラックの外符号訂正は、該当トラックのシンクブロックが取得されないようになってから行うようにしている。また外符号訂正手段8では、バッファーメモリ7より読み出されたデータから、第1の情報メモリ6に格納されている内符号訂正結果を参照にしながら2個の再生チャンネルで内符号訂正結果の良い方のシンクブロックデータを選択して外符号訂正している。外符号訂正されたデータは再度読み出されたバッファーメモリ7の格納位置に書き戻される。
【0032】
書きこみ面番号制御手段9では、外符号訂正手段8の結果に対応して第1の情報メモリ6に格納されているバッファーメモリ7の書きこみ面番号を制御している。つまり、外符号訂正が可能であった場合は、外符号訂正手段8によって選択されたシンクブロックの面番号のみを次の面番号に進めている。また、外符号訂正できなかった場合は、外符号訂正手段8によって選択されたシンクブロックで、内符号訂正結果が良好であったシンクブロックの面番号のみを次の面番号に進めている。このように外符号訂正処理が終了する毎に内符号訂正したデータを書きこむバッファーメモリ7の面を1面進めるように制御することによって、エラーのないシンクブロックのデータは順次更新された当該チャンネルのバッファーメモリ面に書きこまれて行く。これに対して、エラーと判定されたシンクブロックのデータはバッファーメモリ7の面が更新されないので同一面に上書きされていく。例えば、オントラック再生のように片側のチャンネルの再生データのみが選択されると片側のチャンネルのバッファーメモリ面番号のみが更新され、もう一方のチャンネルは初期状態のままになる。
【0033】
さらに、外符号訂正手段8では、外符号訂正の結果によりエラーのないと判定されたシンクブロックは外符号訂正の対象となった選択された再生チャンネルとそのメモリ面番号を、第2の情報メモリ10に書きこみ、エラーと判断されたシンクブロックは第2の情報メモリ10の1面前に格納されている再生チャンネルとそのメモリ面番号をコピーして書きこんでいる。
【0034】
出力面制御手段11は外符号訂正手段8が1フレームを構成している10トラック分の外符号訂正を行う毎に出力面を次の面に進める動作をしている。よって、再生速度に対応したスピードで出力面が更新していくことになる。例えば1/2倍速再生では、同一の出力面が2回繰り返される。
【0035】
図6は第2の情報メモリ10のメモリマップである。同図に示すように、第2の情報メモリ10では、各出力面の各シンクブロック毎に再生チャンネルとバッファーメモリ7のメモリ面番号を格納している。メモリ読み出し手段12では、第2の情報メモリ10に格納されている再生チャンネルとメモリ面番号情報を参照にしながらバッファーメモリ7よりデータを読み出している。
【0036】
よって本実施の形態では、第1の情報メモリ6を参照にして、エラーのないシンクブロックのデータを選択して外符号訂正を行って元のバッファーメモリ7のアドレス位置に書き戻す。エラーが無いと判定されたシンクブロックは当該再生チャンネルのバッファーメモリ7の書きこみ面を1面進めると共に、選択された再生チャンネル番号とバッファーメモリ7の面番号を第2の情報メモリ10に書きこみ、エラーと判定されたシンクブロックは1個前の出力面に格納されている第2の情報メモリ10のデータを当該出力面にコピーして書きこみ、第2の情報メモリ10に従ってバッファーメモリ7からデータをよみだすので、ノントラッキング再生動作と修整動作を兼用して行うことが可能になる。
【0037】
(実施の形態2)
本発明の実施の形態2は、ドラムシリンダに180度対向で配置された16個の再生ヘッドを用いて、プラス2倍速のノントラッキング再生を実現している。
【0038】
図7は、本実施の形態によるディジタル信号の再生装置の構成を示すブロック図である。同図において、20は180度対向で配置された16個の再生ヘッドを持つドラムシリンダ、21はバッファーメモリ、22は内符号ブロック毎に内符号訂正手段4による内符号訂正結果とバッファーメモリ21に書きこむべき面番号を格納しておく第1の情報メモリ、23はバッファーメモリ21の出力面に対応して、シンクブロック毎に外符号訂正手段8により選択された選択チャンネル番号と外符号訂正の対象とされた第1の情報メモリ22に格納されているメモリ面番号を記憶しておく第2の情報メモリである。24は出力面制御手段で、2面分外符号訂正が終了すると出力面を更新して行く。図1と同じ符号を付した構成要件は、実施の形態1と同一であるので、その説明を省略する。上記のように構成された再生装置の動作について詳細に説明する。
【0039】
本実施の形態の記録フォーマットは、実施の形態1と同一であり、1フレームが10本のトラックに分かれて記録されている。各トラックは従来例で説明したように149個のシンクブロックから構成されている。149個のシンクブロックの内138個はデータ、11ブロックは外符号訂正用パリティであり、各シンクブロックには内符号訂正用のパリティが付加されている。また、各シンクブロックには、トラック番号とシンクブロック番号を示すブロックIDが挿入されて記録されている。以上のように記録された磁気テープを180度対向にヘッド配置された8個の再生チャンネルでノントラッキング再生を行っている。8個の再生チャンネルの4チャンネルはプラスアジマス用の再生チャンネル、残りの4チャンネルはマイナスアジマス用の再生チャンネルである。ノントラック動作は同一アジマスチャンネル間で行う。再生ヘッド数が実施の形態1と比べると2倍に増えているのは2倍速再生を行うためである。要するに、所定時間に2倍の再生データを取得する必要があり、その実現手段として再生ヘッド数を2倍にしている。
【0040】
8個の再生チャンネルにより再生されたデータは復調手段3に入力され、再生データを復調するとともに、各シンクブロックに挿入されているトラック番号とシンクブロック番号を抽出している。復調手段3により復調されたデータは内符号訂正手段4に入力され、各再生チャンネル毎に内符号訂正される。復調手段3と内符号訂正手段4の数も、再生チャンネル数に比例して実施の形態1の2倍になっている。
【0041】
図8はバッファーメモリ21のプラスアジマスチャンネル側のメモリマップである。実際にはマイナスアジマス側で同一の構造を持ったメモリが存在している。本バッファーメモリは各再生チャンネルに対応した8個の領域に分割される。さらに各チャンネル毎に8個の書きこみ面を有した構成している。実施の形態1と比較すると再生チャンネルに対応して領域が倍になり、2倍速再生に対応して面も倍になっている。
【0042】
内符号訂正手段4により内符号訂正された各再生チャンネルのデータは内符号書きこみ制御手段5に入力される。内符号書きこみ制御手段5では、各再生チャンネルの内符号訂正結果を第1の情報メモリ22に書きこむ。また、第1の情報メモリ22に格納されている書きこみ面番号に従って、各再生チャンネルに対応したバッファーメモリ21のメモリ領域に内符号訂正されたデータを書きこんでいる。
【0043】
図9に第1の情報メモリ22のメモリマップを示す。図9では簡単のためにトラック1のメモリマップを示しているか、実際は各トラック毎に図9に示した構造のメモリマップが存在している。同図に示すように、各再生チャンネルの各シンクブロック毎に内符号訂正結果と、後述する書きこみ面番号制御手段9で発生するバッファーメモリ21の書きこみ面の面番号が格納されている。実施の形態1と異なる点は、再生チャンネルに対応して本メモリの領域が倍になった点と、面番号が実施の形態1では4面だったのが8面に増加した点である。
【0044】
内符号書きこみ制御手段5と外符号制御手段8と書きこみ面番号制御手段9の動作は実施の形態1とほぼ同一の動作を行うので詳細な説明は省略するが、書きこみ面番号制御手段は8面制御であることが実施の形態1と違っている点である。
【0045】
出力面制御手段24は外符号訂正手段8が10トラック分の外符号訂正を2回合計20トラック行う毎に出力面を次の面に進める動作をしている。つまりメモリの書きこみ面を2面分集めて1個の出力面を構成しているので、メモリ書き込み面が8面あるのに対して出力面は4面の構成になっている。すなわち、2面分外符号訂正をおこなってから出力面を更新し、2面分のデータを出力することによって2倍速再生に対応している。
【0046】
図10は第2の情報メモリ23のメモリマップである。同図に示すように各出力面の各シンクブロック毎に再生チャンネルとバッファーメモリのメモリ面番号を格納している。
【0047】
第2の情報メモリ23に格納されているデータは実施の形態1と同じで、エラーが無いシンクブロックは外符号訂正手段8によって選択された再生チャンネル番号とバッファーメモリの面番号が格納されており、エラーと判定されたシンクブロックは1個前の出力面に格納されている第2の情報メモリのデータがコピーして格納されている。
【0048】
メモリ読み出し制御手段25では、第2の情報メモリ23に格納されている再生チャンネルとメモリ面番号情報を参照にしながらバッファーメモリ21より2面分のデータを読み出している。
【0049】
よって本実施の形態2では、バッファーメモリ21の書き込み面を8面で制御し、出力面を前記書きこみ面2面分を1面とした4面で制御して、1出力面毎に2面分のデータを出力するので、実施の形態1とほぼ同一の構成でノントラッキングの2倍速再生が実現できる。また、第1の情報メモリ22と第2の情報メモリ23のメモリ面番号は8面の構成で更新されていくので、修整動作は1面精度で行われ1倍速再生と同一の性能が保たれる。
【0050】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の第1の発明では、複数の再生チャンネルより再生されたデータを内符号訂正してバッファーメモリに全て書きこみ、内符号訂正の結果を格納した第1の情報メモリを参照にして、エラーのないシンクブロックのデータを選択して外符号訂正を行ってバッファーメモリの元のアドレス位置に書き戻す。エラーが無いと判定されたシンクブロックは選択された再生チャンネル番号とバッファーメモリの面番号を第2の情報メモリに書きこみ、エラーと判定されたシンクブロックは1面前の出力面に格納されている第2の情報メモリのデータを当該出力面にコピーして書きこみ、第2の情報メモリに従ってバッファーメモリからデータを読み出すので、ノントラッキング再生動作と修整動作を兼用して行うことが可能である。
【0051】
また、本発明の第2の発明では、書きこみ面番号制御手段でバッファーメモリの書きこみ面を8面で制御し、出力面制御手段で出力面を前記書きこみ面2面分を1面とした4面で制御して、1出力面毎に2面分のデータを出力するので、第1の発明とほぼ同一の構成でノントラッキングの2倍速再生が実現できる。さらに、第1の情報メモリと第2の情報メモリのメモリ面番号は8面の構成で更新されていくので、修整動作は1面精度で行われ1倍速再生と同一の性能が保たれる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1によるディジタル信号の再生装置の構成を示すブロック図
【図2】同再生装置の磁気テープに記録されたトラックの模式図
【図3】同再生装置のバーファーメモリのメモリマップを示す図
【図4】同再生装置の第1の情報メモリのメモリマップを示す図
【図5】同再生装置の内符号訂正と外符号訂正のタイミング図
【図6】同再生装置の第2の情報メモリのメモリマップを示す図
【図7】本発明の実施の形態2によるディジタル信号の再生装置の構成を示すブロック図
【図8】同再生装置のバッファーメモリのメモリマップを示す図
【図9】同再生装置の第1の情報メモリのメモリマップを示す図
【図10】同再生装置の第2の情報メモリのメモリマップを示す図
【図11】積符号を説明するための概念図
【符号の説明】
1 磁気テープ
2 ドラムシリンダ
3 復調手段
4 内符号訂正手段
5 内符号書きこみ手段
6 第1の情報メモリ
7 バッファーメモリ
8 外符号訂正手段
9 書きこみ面の制御手段
10 第2の情報メモリ
11 出力面の制御手段
12 メモリ読み出し手段
Claims (2)
- 同一トラックを少なくとも2チャンネルのヘッドで再生し、各々のヘッドから再生されたデータを集めて1トラックを構成するようなノントラッキング再生装置において、
記録された同一トラックを再生可能なKチャンネル(Kは2以上の自然数)の再生ヘッドと、
前記Kチャンネルの再生ヘッドより再生されたデータを復調し、再生データのシンクブロック毎に挿入されているシンクブロック番号とトラック番号を検出する復調手段と、
前記復調手段により復調された再生データを前記シンクブロック毎にエラー訂正する内符号訂正手段と、
各再生チャンネルに対応したK個の領域を有し、かつN(Nは2以上の整数)個のメモリ面を有するバッファーメモリと、
前記内符号訂正手段より出力された再生データを書きこむべき前記バッファーメモリのメモリ面の番号と前記内符号訂正手段より出力される内符号訂正の結果をシンクブロック毎かつチャンネル毎に記憶しておく第1の情報メモリと、
前記内符号訂正手段により出力された各チャンネルの再生データを、夫々前記シンクブロック番号とトラック番号と該当する領域の前記第1の情報メモリに格納されているメモリ面番号に従って、前記バッファーメモリに書きこむメモリ書きこみ手段と、
前記バッファーメモリから再生データを読み出し、前記第1の情報メモリを参照しながら、Kチャンネルの再生データから状態の良いチャンネルの再生データを選択して外符号訂正をし、読み出されたメモリアドレスに外符号訂正されたデータを書き戻す外符号訂正手段と、
前記外符号訂正手段の結果、エラー検出されなかったシンクブロックのみ、そのシンクブロックが書きこまれていた面番号を次の面番号になるように、第1の情報メモリを書きかえる書きこみ面番号制御手段と、
外符号訂正が前記バッファーメモリの1面分終わる毎に前記バッファーメモリのN個の出力面を順番に切り替えて行く出力面の制御手段と、
エラーが無いシンクブロックは前記外符号訂正手段により選択されたシンクブロックの選択チャンネル番号とメモリ面番号を記憶し、エラーと検出されたシンクブロックは1個前の出力面で選択された当該シンクブロックの選択チャンネル番号とメモリ面番号を記憶しておく第2の情報メモリと、
前記第2の情報メモリに格納されている該当する出力面の各シンクブロック毎に格納されている前記選択チャンネル番号と前記メモリ面番号の示すアドレス位置のデータを前記バッファーメモリより読み出すメモリ読み出し手段とを具備することを特徴とした再生装置。 - 磁気テープを1倍速再生のスピードのM倍(Mは2以上の整数)で走行させ、同一トラックを少なくとも2チャンネルのヘッドで再生し、各々のヘッドが再生されたデータを集めて1トラックを構成するようなノントラッキング再生を行うM倍速再生装置において、
記録されたトラックを再生可能なKチャンネル(Kは2以上の自然数)の再生ヘッドと、
前記Kチャンネルの再生ヘッドより再生されたデータを復調し、再生データのシンクブロック毎に挿入されているシンクブロック番号とトラック番号を検出する復調手段と、
前記復調手段により復調された再生データを前記シンクブロック毎にエラー訂正する内符号訂正手段と、
各再生チャンネルに対応したK個の領域を有し、かつ(N*M)(Nは2以上の整数)個のメモリ面を有するバッファーメモリと、
前記内符号訂正手段より出力された再生データを書きこむべき前記バッファーメモリのメモリ面の番号と前記内符号訂正手段より出力される内符号訂正の結果をシンクブロック毎かつチャンネル毎に記憶しておく第1の情報メモリと、
前記内符号訂正手段により出力された各チャンネルの再生データを、夫々前記シンクブロック番号とトラック番号と該当する領域の前記第1の情報メモリに格納されているメモリ面番号に従って、前記バッファーメモリに書きこむメモリ書きこみ手段と、
前記バッファーメモリから再生データを読み出し、前記第1の情報メモリを参照しながら、Kチャンネルの分割された再生データから状態の良いチャンネルの再生データを選択して外符号訂正をし、読み出されたメモリアドレスに外符号訂正されたデータを書き戻す外符号訂正手段と、
前記外符号訂正手段の結果、外符号訂正可能であったシンクブロックのみ、そのシンクブロックが書きこまれていた面番号を次の面番号になるように、第1の情報メモリを書きかえる書きこみ面番号制御手段と、
前記N個の面番号を有し、前記バッファーメモリのM個の面に対応した数の外符号訂正が終わる毎に前記バッファーメモリの出力面を切り替えて行く出力面の制御手段と、
エラーが無いシンクブロックは前記外符号訂正手段により選択されたシンクブロックの選択チャンネル番号とメモリ面番号を記憶し、エラーと検出されたシンクブロックは1個前の出力面で選択された当該シンクブロックの選択チャンネル番号とメモリ面番号を記憶しておく第2の情報メモリと、
前記第2の情報メモリに格納されている該当する出力面の各シンクブロック毎に格納されている前記選択チャンネル番号と前記メモリ面番号の示すアドレス位置のデータを前記バッファーメモリよりM面分読み出すメモリ読み出し手段とを具備することを特徴とした再生装置。
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