JP3670360B2 - 半導体製造方法及び半導体製造装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造方法及び半導体製造装置に関し、特に半導体製造装置の回転軸シールをパージする方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図２は従来の半導体製造装置の１例の要部を示す断面図である。
図２において１は外側反応管、２は内側反応管、３は内側反応管２内に挿設され，多数枚のウェーハを載置するボートで、設置台７上に取付けられる。８は設置台７を回転するための回転機構１４の回転軸で、シールキャップ１２に貫通している。回転機構１４は、シールキャップ１２の下部に設けられており、気密を保持しつつ、その回転軸８を内側反応管２内のボート３の設置台７に連結している。４は回転軸シール（磁性流体シール）、５は回転軸取付けフランジ、９は炉口部フランジ、１０，１１はそれぞれガス導入口及びガス排気口、１３は炉口部フランジ９とシールキャップ１２の間に設けられたＯリングである。
【０００３】
この従来例は、内側反応管２内のボート３に載置されたウェーハをヒータ１５により加熱すると共に、ガス導入口１０より反応ガスを導入して内側反応管２内を流通させ、外，内側反応管１，２間を経てガス排気口１１より排気し、ボート３の設置台７を回転機構１４により回転することによりウェーハを均一に熱処理するものである。
このように回転機構１４は、ボート３に支持されたウェーハを回転させながら熱処理加工に供するものである。ウェーハを例えばＣＶＤ法により成膜処理した時はその膜厚均一性が向上し、又、ウェーハを拡散処理法により不純物拡散処理した時はその拡散の均一性が向上することになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来例にあっては、ＣｌＦ3 ガスを用いて外，内側反応管１，２及びボート３等のセルフクリーニングを行う場合、ＣｌＦ3 ガスが腐食性ガスであるため、トータル処理時間が長くなると回転軸シール４を腐食するという課題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明方法は、上記の課題を解決するため、反応管内で、ウェーハが載置されるボートを回転機構の回転軸により回転して、ウェーハを処理する半導体製造方法において、前記回転軸を磁性流体シールと反応管下端に設けられるシールキャップとを貫通させて前記ボートの設置台に連結し、前記磁性流体シールと前記シールキャップの間の回転軸を囲繞する回転軸取付けフランジを設け、前記磁性流体シールと前記シールキャップと前記回転軸取付けフランジとで回転軸囲繞空間を形成して、該回転軸囲繞空間にパージ用ポートを接続し、前記反応管のクリーニング時に、前記ポートから前記回転軸囲繞空間にパージガスを供給することを特徴とする。
また、本発明装置は、反応管と、反応管下端に設けられるシールキャップと、該反応管内に挿設されウェーハが載置されるボートと、該ボートを回転させる回転軸を有する回転機構であって、前記回転軸の先端側が前記シールキャップを貫通して前記ボートの設置台に連結される回転機構と、前記回転軸の軸方向に前記シールキャップから離間されて設けられ前記回転軸が貫通する磁性流体シールと、前記磁性流体シールと前記シールキャップとの間における前記回転軸を囲繞し、前記磁性流体シールと前記シールキャップと共に回転軸囲繞空間を形成する回転軸取付けフランジと、前記回転軸取付けフランジに取り付けられて前記回転軸囲繞空間にパージガスを供給するパージ用ポートとを備えてなるものである。
【０００６】
このように反応管及びボート３等のセルフクリーニング時に、回転軸取付けフランジ５に設けたパージ用ポート６からパージガスを供給することによりクリーニング用ガスをパージして、該クリーニング用ガスが回転軸シール４に流入せず、回転軸シール４が腐食されることはない。
【０００７】
【発明の実施の形態】
図１は本発明が実施される半導体製造装置の要部を示す断面図である。
本発明は、内側反応管２内のボート３に載置されたウェーハをヒータ１５により加熱すると共に、ガス導入口１０より反応ガスを導入して内側反応管２内を流通させ、外，内側反応管１，２間を経てガス排気口１１より排気し、ボート３の設置台７を回転機構１４により回転することによりウェーハを均一に熱処理する半導体製造装置において、回転機構１４の回転軸８を回転軸シール４を介して取付ける回転軸取付けフランジ（管状部材）５にパージ用ポート６を設け、外，内側反応管１，２及びボート３等のセルフクリーニング時に、このポート６からパージガスとしてＮ2 ガスを供給してクリーニング用ガス、例えばＣｌＦ3 ガスをパージするようにする方法及び装置である。
【０００８】
このような方法及び装置であるから、外，内側反応管１，２及びボート３等を、ＣｌＦ3 ガスをガス導入口１０より導入して流通させ、ガス排気口１１より排気することによりセルフクリーニングする時に、パージ用ポート６からＮ2 ガスを供給することによりＣｌＦ3 ガスがＮ2 ガスによりパージされて、回転軸シール４に流入せず、回転軸シール４が腐食されることはない。
ＣｌＦ3 ガスの代りにＮＦ3 等の弗素系ガスやＨＣｌ，Ｃｌ2 等の塩素性系ガスを用いることができる。
【０００９】
【発明の効果】
上述のように本発明によれば、回転軸シールを腐食させずにＣｌＦ3 等のクリーニングガスによる反応管及びボート等のセルフクリーニングを実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法が実施される半導体製造装置の要部を示す断面図である。
【図２】従来の半導体製造装置の１例の要部を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 外側反応管
２ 内側反応管
３ ボート
４ 回転軸シール
５ 回転軸取付けフランジ
６ パージ用ポート
７ 設置台
８ 回転軸
９ 炉口部フランジ
１０ ガス導入口
１１ ガス排気口
１２ シールキャップ
Claims (2)
- 反応管内で、ウェーハが載置されるボートを回転機構の回転軸により回転して、ウェーハを処理する半導体製造方法において、
前記回転軸を磁性流体シールと反応管下端に設けられるシールキャップとを貫通させて前記ボートの設置台に連結し、前記磁性流体シールと前記シールキャップの間の回転軸を囲繞する回転軸取付けフランジを設け、前記磁性流体シールと前記シールキャップと前記回転軸取付けフランジとで回転軸囲繞空間を形成して、該回転軸囲繞空間にパージ用ポートを接続し、前記反応管のクリーニング時に、前記ポートから前記回転軸囲繞空間にパージガスを供給することを特徴とする半導体製造方法。 - 反応管と、反応管下端に設けられるシールキャップと、該反応管内に挿設されウェーハが載置されるボートと、該ボートを回転させる回転軸を有する回転機構であって、前記回転軸の先端側が前記シールキャップを貫通して前記ボートの設置台に連結される回転機構と、前記回転軸の軸方向に前記シールキャップから離間されて設けられ前記回転軸が貫通する磁性流体シールと、前記磁性流体シールと前記シールキャップとの間における前記回転軸を囲繞し、前記磁性流体シールと前記シールキャップと共に回転軸囲繞空間を形成する回転軸取付けフランジと、前記回転軸取付けフランジに取り付けられて前記回転軸囲繞空間にパージガスを供給するパージ用ポートとを備えてなる半導体製造装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP24784695A JP3670360B2 (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 半導体製造方法及び半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24784695A JP3670360B2 (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 半導体製造方法及び半導体製造装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992627A JPH0992627A (ja) | 1997-04-04 |
| JP3670360B2 true JP3670360B2 (ja) | 2005-07-13 |
Family
ID=17169540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24784695A Expired - Lifetime JP3670360B2 (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 半導体製造方法及び半導体製造装置 |
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