JPH0992627A - 半導体製造装置の回転軸シールのパージ方法 - Google Patents

半導体製造装置の回転軸シールのパージ方法

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JPH0992627A
JPH0992627A JP7247846A JP24784695A JPH0992627A JP H0992627 A JPH0992627 A JP H0992627A JP 7247846 A JP7247846 A JP 7247846A JP 24784695 A JP24784695 A JP 24784695A JP H0992627 A JPH0992627 A JP H0992627A
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rotary shaft
gas
boat
shaft seal
semiconductor manufacturing
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JP7247846A
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Shuji Shinkawa
修司 新川
Akihito Yoshino
昭仁 吉野
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Kokusai Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 回転軸シールを腐食させずにＣｌＦ3 等のク
リーニングガスによる反応管及びボート等のセルフクリ
ーニングを実施する。 【解決手段】 反応管内に挿設され、ウェーハが載置さ
れるボート３を回転機構１４により回転して、ウェーハ
を均一に処理する半導体製造装置において、前記回転機
構１４の回転軸８を回転軸シール４を介して取付ける回
転軸取付けフランジ５にパージ用ポート６を設け、前記
反応管及びボート３等のセルフクリーニング時にこのポ
ート６からパージガスを供給してクリーニング用ガスを
パージすることにより回転軸シール４をクリーニング用
ガスから保護することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置の
回転軸シールのパージ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の半導体製造装置の１例の要
部を示す断面図である。図２において１は外側反応管、
２は内側反応管、３は内側反応管２内に挿設され，多数
枚のウェーハを載置するボートで、設置台７上に取付け
られる。８は設置台７を回転するための回転機構１４の
回転軸で、シールキャップ１２に貫通している。回転機
構１４は、シールキャップ１２の下部に設けられてお
り、気密を保持しつつ、その回転軸８を内側反応管２内
のボート３の設置台７に連結している。４は回転軸シー
ル（磁性流体シール）、５は回転軸取付けフランジ、９
は炉口部フランジ、１０，１１はそれぞれガス導入口及
びガス排気口、１３は炉口部フランジ９とシールキャッ
プ１２の間に設けられたＯリングである。
【０００３】この従来例は、内側反応管２内のボート３
に載置されたウェーハをヒータ１５により加熱すると共
に、ガス導入口１０より反応ガスを導入して内側反応管
２内を流通させ、外，内側反応管１，２間を経てガス排
気口１１より排気し、ボート３の設置台７を回転機構１
４により回転することによりウェーハを均一に熱処理す
るものである。このように回転機構１４は、ボート３に
支持されたウェーハを回転させながら熱処理加工に供す
るものである。ウェーハを例えばＣＶＤ法により成膜処
理した時はその膜厚均一性が向上し、又、ウェーハを拡
散処理法により不純物拡散処理した時はその拡散の均一
性が向上することになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例にあって
は、ＣｌＦ3 ガスを用いて外，内側反応管１，２及びボ
ート３等のセルフクリーニングを行う場合、ＣｌＦ3 ガ
スが腐食性ガスであるため、トータル処理時間が長くな
ると回転軸シール４を腐食するという課題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明方法は、上記の課
題を解決するため、図１に示すように反応管内に挿設さ
れ、ウェーハが載置されるボート３を回転機構１４によ
り回転して、ウェーハを均一に処理する半導体製造装置
において、前記回転機構１４の回転軸８を回転軸シール
４を介して取付ける回転軸取付けフランジ５にパージ用
ポート６を設け、前記反応管及びボート３等のセルフク
リーニング時にこのポート６からパージガスを供給して
クリーニング用ガスをパージすることにより回転軸シー
ル４をクリーニング用ガスから保護することを特徴とす
る。
【０００６】このように反応管及びボート３等のセルフ
クリーニング時に、回転軸取付けフランジ５に設けたパ
ージ用ポート６からパージガスを供給することによりク
リーニング用ガスをパージして、該クリーニング用ガス
が回転軸シール４に流入せず、回転軸シール４が腐食さ
れることはない。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１は本発明方法が実施される半
導体製造装置の要部を示す断面図である。本発明方法
は、内側反応管２内のボート３に載置されたウェーハを
ヒータ１５により加熱すると共に、ガス導入口１０より
反応ガスを導入して内側反応管２内を流通させ、外，内
側反応管１，２間を経てガス排気口１１より排気し、ボ
ート３の設置台７を回転機構１４により回転することに
よりウェーハを均一に熱処理する半導体製造装置におい
て、回転機構１４の回転軸８を回転軸シール４を介して
取付ける回転軸取付けフランジ５にパージ用ポート６を
設け、外，内側反応管１，２及びボート３等のセルフク
リーニング時に、このポート６からパージガスとしてＮ
2 ガスを供給してクリーニング用ガス、例えばＣｌＦ3
ガスをパージするようにする方法である。
【０００８】このような方法であるから、外，内側反応
管１，２及びボート３等を、ＣｌＦ 3 ガスをガス導入口
１０より導入して流通させ、ガス排気口１１より排気す
ることによりセルフクリーニングする時に、パージ用ポ
ート６からＮ2 ガスを供給することによりＣｌＦ3 ガス
がＮ2 ガスによりパージされて、回転軸シール４に流入
せず、回転軸シール４が腐食されることはない。ＣｌＦ
3 ガスの代りにＮＦ3 等の弗素系ガスやＨＣｌ，Ｃｌ2
等の塩素性系ガスを用いることができる。
【０００９】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、回転軸シ
ールを腐食させずにＣｌＦ3 等のクリーニングガスによ
る反応管及びボート等のセルフクリーニングを実施する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法が実施される半導体製造装置の要部
を示す断面図である。
【図２】従来の半導体製造装置の１例の要部を示す断面
図である。
【符号の説明】
１ 外側反応管 ２ 内側反応管 ３ ボート ４ 回転軸シール ５ 回転軸取付けフランジ ６ パージ用ポート ７ 設置台 ８ 回転軸 ９ 炉口部フランジ １０ ガス導入口 １１ ガス排気口 １２ シールキャップ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 反応管内に挿設され、ウェーハが載置さ
    れるボートを回転機構により回転して、ウェーハを均一
    に処理する半導体製造装置において、前記回転機構の回
    転軸を回転軸シールを介して取付ける回転軸取付けフラ
    ンジにパージ用ポートを設け、前記反応管及びボート等
    のセルフクリーニング時にこのポートからパージガスを
    供給してクリーニング用ガスをパージすることにより回
    転軸シールをクリーニング用ガスから保護することを特
    徴とする半導体製造装置の回転軸シールのパージ方法。
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