JPS61156730A - 半導体物品の縦型熱処理装置 - Google Patents
半導体物品の縦型熱処理装置Info
- Publication number
- JPS61156730A JPS61156730A JP28162884A JP28162884A JPS61156730A JP S61156730 A JPS61156730 A JP S61156730A JP 28162884 A JP28162884 A JP 28162884A JP 28162884 A JP28162884 A JP 28162884A JP S61156730 A JPS61156730 A JP S61156730A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- treating
- rotating shaft
- shaft
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 title 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 84
- 238000011084 recovery Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 208000037998 chronic venous disease Diseases 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体物品の縦型熱処理装置に関し、例えば、
半導体ウェハを拡散処理するための縦型拡散炉に適用し
て特に好適なものである。
半導体ウェハを拡散処理するための縦型拡散炉に適用し
て特に好適なものである。
従来の技術
最近、トランジスタ、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の製
造過程の１つである拡散工程に用いるための縦型拡散炉
が開発されている。この縦型拡散炉は、従来広く用いら
れている横型拡散炉と違って、加熱処理管の長手軸が実
質的に垂直方向に延在するように配されている。拡散処
理される半導体ウェハは、所定のウェハボートに収納さ
れて上記処理管の内部に吊持される。
造過程の１つである拡散工程に用いるための縦型拡散炉
が開発されている。この縦型拡散炉は、従来広く用いら
れている横型拡散炉と違って、加熱処理管の長手軸が実
質的に垂直方向に延在するように配されている。拡散処
理される半導体ウェハは、所定のウェハボートに収納さ
れて上記処理管の内部に吊持される。
このような縦型拡散炉を用いると、通常石英からなる処
理管と石英ボートとが互いに接触しないように構成でき
るので、石英の摺動による石英パーティクルの発生を無
くすことができる。又、拡散工程の自動化が容易且つ安
価に達成できる。更に、省スペース化、省エネルギー化
、被処理ウェハの大口径化が図れる等、縦型拡散炉を用
いる意義は大きい。
理管と石英ボートとが互いに接触しないように構成でき
るので、石英の摺動による石英パーティクルの発生を無
くすことができる。又、拡散工程の自動化が容易且つ安
価に達成できる。更に、省スペース化、省エネルギー化
、被処理ウェハの大口径化が図れる等、縦型拡散炉を用
いる意義は大きい。
このような縦型拡散炉の構成例を第３図に示す。
図示の例はシリコンウェハを拡散処理するための拡散炉
であって、石英ガラスからなる処理管１は、その長手軸
が略垂直方向に延在するように配されている。処理管ｌ
の上部は図示のように開放されており、その底部に処理
ガスの導入口２が設けられている。処理管１は電気炉の
ハウジング３に包囲されている。電気炉のハウジング３
には、処理管ｌの周囲で且つこの処理管１の周側面に近
接した位置にヒータ４が設けられている。
であって、石英ガラスからなる処理管１は、その長手軸
が略垂直方向に延在するように配されている。処理管ｌ
の上部は図示のように開放されており、その底部に処理
ガスの導入口２が設けられている。処理管１は電気炉の
ハウジング３に包囲されている。電気炉のハウジング３
には、処理管ｌの周囲で且つこの処理管１の周側面に近
接した位置にヒータ４が設けられている。
処理されるシリコンウェハ５はウェハボート６に収納さ
れて処理管１内に吊持される。この時、各シリコンウェ
ハ５は水平面に対して所定角度（例えば約１０″）傾斜
した状態で支持される。
れて処理管１内に吊持される。この時、各シリコンウェ
ハ５は水平面に対して所定角度（例えば約１０″）傾斜
した状態で支持される。
ウェハボート６はその全体が石英ガラスで構成されてお
り、その上部に鉤部１０が設けられている。この鉤部１
０は、回転軸１１の下端に設けられた保合部に着脱自在
に係合されるように構成されている。回転軸１１は横梁
１２に回転可能に支承されており、この横梁１２内に配
されたヘルド伝達機構を介して図外のモータにより回転
駆動されるようになっている。そして、シリコンウェハ
５の熱処理中にウェハボート６を回転させることにより
、シリコンウェハ５に対するヒータ４による加熱及び処
理ガス流の接触ができるだけ均等に行われるように図ら
れている。
り、その上部に鉤部１０が設けられている。この鉤部１
０は、回転軸１１の下端に設けられた保合部に着脱自在
に係合されるように構成されている。回転軸１１は横梁
１２に回転可能に支承されており、この横梁１２内に配
されたヘルド伝達機構を介して図外のモータにより回転
駆動されるようになっている。そして、シリコンウェハ
５の熱処理中にウェハボート６を回転させることにより
、シリコンウェハ５に対するヒータ４による加熱及び処
理ガス流の接触ができるだけ均等に行われるように図ら
れている。
横梁Ｉ２は図外の上下駆動機構によって上下駆動される
ように構成されている。そして、この横梁１２の上下移
動によって、回転軸１１に吊持されたウェハボート６が
処理管ｌから出し入れされる。
ように構成されている。そして、この横梁１２の上下移
動によって、回転軸１１に吊持されたウェハボート６が
処理管ｌから出し入れされる。
処理管１の上部開口には上蓋２０が配されている。上蓋
２０はその全体が石英ガラスで構成されており、その中
心部に回転軸１１を挿通するための軸孔２５が設けられ
ている。軸孔２５は、その内径が回転軸１１の径よりも
太き（構成されており、軸孔２５と回転軸１１との間に
隙間が形成されるようになっている。処理管１の底部に
設けられた導入口２から導入された処理ガスは、処理管
ｌの内部を上昇した後、この上蓋２０の軸孔２５と回転
軸１１との間に形成された隙間を通って排出される。こ
のようにして処理管１から排出された処理ガスは、装置
全体を覆うようにして配された排気ダクト（図示せず）
により吸引されて収集される。
２０はその全体が石英ガラスで構成されており、その中
心部に回転軸１１を挿通するための軸孔２５が設けられ
ている。軸孔２５は、その内径が回転軸１１の径よりも
太き（構成されており、軸孔２５と回転軸１１との間に
隙間が形成されるようになっている。処理管１の底部に
設けられた導入口２から導入された処理ガスは、処理管
ｌの内部を上昇した後、この上蓋２０の軸孔２５と回転
軸１１との間に形成された隙間を通って排出される。こ
のようにして処理管１から排出された処理ガスは、装置
全体を覆うようにして配された排気ダクト（図示せず）
により吸引されて収集される。
回転軸１１には、上蓋２０の下側に係止板２６が固着さ
れている。そして、ウェハボート６を処理管Ｉから取り
出すべく、回転軸１１を上昇させると、この回転軸１１
に固着された係止板２６が上蓋２０の下端面に当接する
。そして、回転軸１１の上昇にともなって上蓋２０が持
ち上げられ、処理管ｌの上部が開放されてウェハボート
６が取り出される。
れている。そして、ウェハボート６を処理管Ｉから取り
出すべく、回転軸１１を上昇させると、この回転軸１１
に固着された係止板２６が上蓋２０の下端面に当接する
。そして、回転軸１１の上昇にともなって上蓋２０が持
ち上げられ、処理管ｌの上部が開放されてウェハボート
６が取り出される。
発明が解決しようとする問題点
上述したように従来の縦型拡散炉においては、ウェハボ
ートを昇降させるスペースを確保する必要上、排気ダク
トは処理管のかなり上方に設けられていた。このため処
理ガスの回収率が悪く、又多くの機械部品がこのガスに
さらされるため、腐食性のガスを用いた場合にはこのガ
スによる腐食が問題であった。
ートを昇降させるスペースを確保する必要上、排気ダク
トは処理管のかなり上方に設けられていた。このため処
理ガスの回収率が悪く、又多くの機械部品がこのガスに
さらされるため、腐食性のガスを用いた場合にはこのガ
スによる腐食が問題であった。
問題点を解決するための手段
本発明は上述の問題点に鑑みてなされたものであって、
長手軸が実質的に垂直方向に延在するように配された処
理管と、半導体物品を積載するホードと、このボートを
上記処理管の内部の所定位置に吊持する回転軸とを夫々
具備した半導体物品の縦型熱処理装置において、上記処
理管の上部にガス室を設け、このガス室の壁部で且つ上
記回転軸の周囲にガス噴出口を配して、このガス噴出口
からガスを上記回転軸に吹き付けることにより、上記ガ
ス室の壁部と上記回転軸との間から処理ガスが外部へ漏
れ出すことを防止するようにしたものである。
長手軸が実質的に垂直方向に延在するように配された処
理管と、半導体物品を積載するホードと、このボートを
上記処理管の内部の所定位置に吊持する回転軸とを夫々
具備した半導体物品の縦型熱処理装置において、上記処
理管の上部にガス室を設け、このガス室の壁部で且つ上
記回転軸の周囲にガス噴出口を配して、このガス噴出口
からガスを上記回転軸に吹き付けることにより、上記ガ
ス室の壁部と上記回転軸との間から処理ガスが外部へ漏
れ出すことを防止するようにしたものである。
実施例
以下、本発明をシリコンウェハの縦型拡散炉に適用した
一実施例につき第１図及び第２図を参照して説明する。
一実施例につき第１図及び第２図を参照して説明する。
尚以下の実施例において、第３図に示した例と同一の部
分には同一の符号を附してその説明を省略する。
分には同一の符号を附してその説明を省略する。
第１図に示すように、処理管ｌの上部には、上下にフラ
ンジ３，２．３３を有する管状体３１が配されている。
ンジ３，２．３３を有する管状体３１が配されている。
この管状体３１はその全体が石英ガラスで構成されてい
る。管状体３１の外周部にはガス導入室３４が設けられ
ており、このガス導入室３４にガス導管３５が接続され
ている。一方、管状体３１の外周部の別の部分には排気
用のポート３６が設けられており、このポート３６にガ
ス排出管３７が接続されている。
る。管状体３１の外周部にはガス導入室３４が設けられ
ており、このガス導入室３４にガス導管３５が接続され
ている。一方、管状体３１の外周部の別の部分には排気
用のポート３６が設けられており、このポート３６にガ
ス排出管３７が接続されている。
管状体３１の上部には上蓋部材３８が載置されている。
上蓋部材３８はやはりその全体が石英ガラスで構成され
ており、リング状部３９とこのリング状部３９の上面に
接合された円板状の上壁部４０とからなっている。リン
グ状部３９の内部にはその全周に亘ってガス通路４１が
設けられている。
ており、リング状部３９とこのリング状部３９の上面に
接合された円板状の上壁部４０とからなっている。リン
グ状部３９の内部にはその全周に亘ってガス通路４１が
設けられている。
第２図に拡大図示するように、上壁部４０の中心部には
回転軸４２を挿通するための円形開口４３が形成されて
いる。そしてこの円形開口４３の周囲には、その全周に
亘って土壁部４０の下面にガス噴出部４４が設けられて
いる。ガス噴出部４４は′、リング状部３９のガス通路
４１と導管４５によって連通されている。ガス噴出部４
４の前端面４６は少し傾斜されており、この前端面４６
に多数のガス噴出口４７が設げられている。
回転軸４２を挿通するための円形開口４３が形成されて
いる。そしてこの円形開口４３の周囲には、その全周に
亘って土壁部４０の下面にガス噴出部４４が設けられて
いる。ガス噴出部４４は′、リング状部３９のガス通路
４１と導管４５によって連通されている。ガス噴出部４
４の前端面４６は少し傾斜されており、この前端面４６
に多数のガス噴出口４７が設げられている。
本例においては、ガス噴出部４４の前端面４６を下方に
傾斜させることによってガス噴出口４７の軸線が少し下
方に向くように構成している。そしてガスをやや下方に
向かって噴出さ−け、開０．１３と回転軸４２との間か
ら処理ガスが外部に漏れ出すのを防止している。尚ガス
噴出部４４の前端面４６を垂直に配し、ガス噴出口４７
の軸線のみを傾斜させても勿論良い。又前端面４６をく
の字状に屈曲させ、ガスの一部を下方に、一部を上方に
向かって噴出させるように構成することもできる。
傾斜させることによってガス噴出口４７の軸線が少し下
方に向くように構成している。そしてガスをやや下方に
向かって噴出さ−け、開０．１３と回転軸４２との間か
ら処理ガスが外部に漏れ出すのを防止している。尚ガス
噴出部４４の前端面４６を垂直に配し、ガス噴出口４７
の軸線のみを傾斜させても勿論良い。又前端面４６をく
の字状に屈曲させ、ガスの一部を下方に、一部を上方に
向かって噴出させるように構成することもできる。
噴出させるガスとしては、窒素、アルゴン等の不活性ガ
スが用いられる。又非還元性の処理ガスを使用した場合
には、噴出ガスとして酸素を用いることもできる。
スが用いられる。又非還元性の処理ガスを使用した場合
には、噴出ガスとして酸素を用いることもできる。
第１図に示すように、噴出ガスは、所定のボンベからガ
ス導管３５を通じて管状体３１のガス導入室３４に圧入
され、フランジ３２に設けられた開口４８を通じて上蓋
部材３８のリング状部３つのガス通路４１に供給される
。そしてこのリング状部３９のガス通路４１から導管４
５を経てガス噴出部４４に送られる。
ス導管３５を通じて管状体３１のガス導入室３４に圧入
され、フランジ３２に設けられた開口４８を通じて上蓋
部材３８のリング状部３つのガス通路４１に供給される
。そしてこのリング状部３９のガス通路４１から導管４
５を経てガス噴出部４４に送られる。
この時、フランジ３２の開口４８は図示のように少し大
きめに形成されており、上蓋部材３８が多少位置ずれし
ても、この開口４８と上蓋部材３８のガス通路４１とが
確実に連通ずるようになされている。
きめに形成されており、上蓋部材３８が多少位置ずれし
ても、この開口４８と上蓋部材３８のガス通路４１とが
確実に連通ずるようになされている。
本例においては、石英ガラス製の回転軸４２を介してウ
ェハポートが回転駆動軸１１に吊持されるようになって
いる。石英ガラス製の回転軸４２゛はジヨイント４９に
よって回転駆動軸１１に連結されている。
ェハポートが回転駆動軸１１に吊持されるようになって
いる。石英ガラス製の回転軸４２゛はジヨイント４９に
よって回転駆動軸１１に連結されている。
回転軸４２には図示のように上下２段にテーパ部５０．
５１が夫々設けられている。上方のテーパ部５０は上蓋
部材３８を回転軸４２に対して心合わせするためのもの
で、上蓋部材３８が回転軸４２に対して位置ずれしてい
る場合には回転軸４２が上昇した時にこのテーパ部５０
が上蓋部材３８の開口４３０周りの上壁部４０に当接す
る。そして回転軸４２の上昇に伴って上蓋部材３８の土
壁部４０がテーパ部５０のテーパに案内され、上蓋部材
３８が回転軸４２に対して自動的に心合わせされた状態
になる。下方のテーパ部５１は上蓋２０に対して同様の
機能を果たすものである。そして上蓋部材３８と上蓋２
０とは共に係止板２６によって回転軸４２と共に持ち上
げられる。
５１が夫々設けられている。上方のテーパ部５０は上蓋
部材３８を回転軸４２に対して心合わせするためのもの
で、上蓋部材３８が回転軸４２に対して位置ずれしてい
る場合には回転軸４２が上昇した時にこのテーパ部５０
が上蓋部材３８の開口４３０周りの上壁部４０に当接す
る。そして回転軸４２の上昇に伴って上蓋部材３８の土
壁部４０がテーパ部５０のテーパに案内され、上蓋部材
３８が回転軸４２に対して自動的に心合わせされた状態
になる。下方のテーパ部５１は上蓋２０に対して同様の
機能を果たすものである。そして上蓋部材３８と上蓋２
０とは共に係止板２６によって回転軸４２と共に持ち上
げられる。
半導体物品の処理ガスは処理管ｌの底部から専大され、
処理管Ｉの内部を上昇した後、上Ｍ２０と回転軸４２と
の間の隙間から、管状体３１と一ヒ蓋部材３８とによっ
て形成されるガス室５２に導入される。ガス室５２は、
上蓋部材３８の開口４３の周囲に配されたガス噴出口４
７から噴出されるガスによって、この間口４３と回転軸
４２との間をシールされている。そしてガス室５２に導
入された処理ガスは噴出ガスと共にポート３６からガス
排出管３７を経て回収される。
処理管Ｉの内部を上昇した後、上Ｍ２０と回転軸４２と
の間の隙間から、管状体３１と一ヒ蓋部材３８とによっ
て形成されるガス室５２に導入される。ガス室５２は、
上蓋部材３８の開口４３の周囲に配されたガス噴出口４
７から噴出されるガスによって、この間口４３と回転軸
４２との間をシールされている。そしてガス室５２に導
入された処理ガスは噴出ガスと共にポート３６からガス
排出管３７を経て回収される。
以上、シリコンウェハの拡散炉に本発明を適用した実施
例について説明したが、本発明は拡散炉に限られず、半
導体物品の酸化処理、ＣＶＤ処理等を行うための種々の
縦型熱処理装置に通用か可能である。
例について説明したが、本発明は拡散炉に限られず、半
導体物品の酸化処理、ＣＶＤ処理等を行うための種々の
縦型熱処理装置に通用か可能である。
発明の詳細
な説明したように、本発明においては、処理管の上部に
ガス室を設け、このガス室の壁部で且つ回転軸の周囲に
ガス噴出口を配して、このガス噴出口からガスを上記回
転軸に吹き付けることにより、上記ガス室の壁部と上記
回転軸との間から処理ガスが外部へ漏れ出すことを防止
している。
ガス室を設け、このガス室の壁部で且つ回転軸の周囲に
ガス噴出口を配して、このガス噴出口からガスを上記回
転軸に吹き付けることにより、上記ガス室の壁部と上記
回転軸との間から処理ガスが外部へ漏れ出すことを防止
している。
従って、処理ガスが広い空間に拡散してしまうことを防
止できて処理ガスの回収率が良くなる。
止できて処理ガスの回収率が良くなる。
又腐食性の処理ガスを用いた場合でも、この処理ガスに
さらされる部分が少なくて済むので、従来のよう、に多
くの機械部品が腐食されることがない。
さらされる部分が少なくて済むので、従来のよう、に多
くの機械部品が腐食されることがない。
更に、ガス室と回転軸との間のシールをガスによって行
っているので、回転軸の回転動作に及ぼす影響が殆ど無
い。このため回転軸の駆動トルクが小さくて良い。
っているので、回転軸の回転動作に及ぼす影響が殆ど無
い。このため回転軸の駆動トルクが小さくて良い。
第１図は本発明の一実施例による縦型拡散炉の要部縦断
面図、第２図は同上のガス噴出口の部分の拡大縦断面図
である。 第３図は従来の縦型拡散炉の概略縦断面図である。 なお図面に用いられた符号において、 １−−−−−−−−−−−−一処理管 ５−−−−−−−−−−−− シリコンウェハ６・−・
−・・・−−−一−・−ウェハボート４２−−−−−−
一・−・−−−一−−回転軸４７・−一−−−・・−一
−−−−−−−ガス噴出口５２−−−−−−−−ガス室 である。
面図、第２図は同上のガス噴出口の部分の拡大縦断面図
である。 第３図は従来の縦型拡散炉の概略縦断面図である。 なお図面に用いられた符号において、 １−−−−−−−−−−−−一処理管 ５−−−−−−−−−−−− シリコンウェハ６・−・
−・・・−−−一−・−ウェハボート４２−−−−−−
一・−・−−−一−−回転軸４７・−一−−−・・−一
−−−−−−−ガス噴出口５２−−−−−−−−ガス室 である。
Claims (1)
- 長手軸が実質的に垂直方向に延在するように配された処
理管と、半導体物品を積載するボートと、このボートを
上記処理管の内部の所定位置に吊持する回転軸と、上記
処理管の上部に設けられたガス室と、このガス室の壁部
で且つ上記回転軸の周囲に配されたガス噴出口とを夫々
具備し、上記ガス噴出口からガスを上記回転軸に吹き付
けることにより、上記ガス室の壁部と上記回転軸との間
から処理ガスが外部へ漏れ出すことを防止するようにし
た半導体物品の縦型熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28162884A JPS61156730A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体物品の縦型熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28162884A JPS61156730A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体物品の縦型熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61156730A true JPS61156730A (ja) | 1986-07-16 |
Family
ID=17641763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28162884A Pending JPS61156730A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体物品の縦型熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61156730A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62235729A (ja) * | 1986-04-07 | 1987-10-15 | Nec Corp | 気相エピタキシヤル成長装置 |
| JPH031530U (ja) * | 1989-05-24 | 1991-01-09 | ||
| JPH0367425U (ja) * | 1989-11-06 | 1991-07-01 | ||
| JPH0377436U (ja) * | 1989-11-28 | 1991-08-05 | ||
| JPH0992627A (ja) * | 1995-09-26 | 1997-04-04 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造装置の回転軸シールのパージ方法 |
| JP2006310857A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Asm Internatl Nv | 炉のドアプレート |
| JP2009103157A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Akebono Brake Ind Co Ltd | パーキング機構付ディスクブレーキの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58110034A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-06-30 | Fujitsu Ltd | 縦型気相エピタキシヤル装置 |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP28162884A patent/JPS61156730A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58110034A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-06-30 | Fujitsu Ltd | 縦型気相エピタキシヤル装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62235729A (ja) * | 1986-04-07 | 1987-10-15 | Nec Corp | 気相エピタキシヤル成長装置 |
| JPH031530U (ja) * | 1989-05-24 | 1991-01-09 | ||
| JPH0367425U (ja) * | 1989-11-06 | 1991-07-01 | ||
| JPH0377436U (ja) * | 1989-11-28 | 1991-08-05 | ||
| JPH0992627A (ja) * | 1995-09-26 | 1997-04-04 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造装置の回転軸シールのパージ方法 |
| JP2006310857A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Asm Internatl Nv | 炉のドアプレート |
| JP2009103157A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Akebono Brake Ind Co Ltd | パーキング機構付ディスクブレーキの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100230502B1 (ko) | 회전식 약액 처리장치 | |
| KR0155151B1 (ko) | 반응처리 장치 및 방법 | |
| JP3230836B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| KR20060106690A (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
| JPH1154472A (ja) | ウエハ状の物品、特にシリコンウエハを処理する装置 | |
| JPS61156730A (ja) | 半導体物品の縦型熱処理装置 | |
| JP3644880B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| US10699895B2 (en) | Substrate processing method | |
| JPH021116A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2002305189A (ja) | 縦型熱処理装置およびその強制空冷方法 | |
| US20170236728A1 (en) | Substrate processing apparatus and gap washing method | |
| JPH04157162A (ja) | 表面処理装置 | |
| JP2002280373A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3619667B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2004056006A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| WO2023093799A1 (zh) | 晶圆清洗装置 | |
| JP2002170805A (ja) | ウエハー洗浄装置 | |
| JPH0547974B2 (ja) | ||
| JP2010093069A (ja) | 基板の熱処理装置 | |
| JPH0787185B2 (ja) | 半導体の熱処理方法 | |
| JP3001374B2 (ja) | ウェーハ熱処理用反応容器及びその製法 | |
| JP2010093067A (ja) | 基板の熱処理装置 | |
| JP2005302746A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2000243739A (ja) | ウエーハの化学研磨処理方法及び装置 | |
| JPH0380537A (ja) | 基板回転式表面処理装置 |