JP3661792B2

JP3661792B2 - 超低電圧論理回路にバイアスをかけるための装置

Info

Publication number: JP3661792B2
Application number: JP2002116448A
Authority: JP
Inventors: アンドレス・ブライアント; ピーター・エドウィン・コットレル; ジョン・ジョーゼフ・エリス＝モナガン; マーク・ビー・ケチン; エドワード・ジョーゼフ・ノワク
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 2001-04-26
Filing date: 2002-04-18
Publication date: 2005-06-22
Anticipated expiration: 2022-04-18
Also published as: US20020171468A1; TW550792B; US6605981B2; JP2003008428A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般に集積回路デバイスに関し、詳細には集積回路デバイス内の論理回路をバイアスするための装置に関する。さらに詳細には、集積回路デバイス内の超低電圧論理回路をバイアスするための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）は集積回路デバイスで普通に見られる。ＭＯＳＦＥＴはゲート、ソースおよびドレインを含む。ソースとドレインの間のチャネルを通るチャージ・キャリアの流れは、ＭＯＳＦＥＴのゲートに電圧を印加することによって制御できる。デプレション・モードのＭＯＳＦＥＴは、電圧がゲートに印加されていないときでもゲートの下のドープされたチャネルまたは導通チャネルを含む。エンハンスメント・モードのＭＯＳＦＥＴは、対照的に、導通チャネルとして働く反転層を発生するためにゲートからソースへのバイアス電圧を印加することを必要とする。このようなバイアス電圧は閾値電圧Ｖｔとして知られている。ゲートとソースの間の正の電圧が、Ｎチャネル・エンハンスメント・モードＭＯＳＦＥＴに対する強力なチャネルを誘導するために必要である。Ｐチャネル・エンハンスメント・モードＭＯＳＦＥＴについては、ゲート−ソース電圧がＰチャネル・エンハンスメント・モードＭＯＳＦＥＴの負の閾値電圧以下のマイナスであるとき、電流が流れる。
【０００３】
しかし、ゲート電圧が閾値電圧より低くても、一般に閾値下電流（subthreshold current）と呼ばれる電流が依然としてチャネル内に存在し、その値はＩ_DS（Ｖ_GS）＝（Ｗ／Ｌ）Ｉ₀１０^-(Vg-Vt)/Sで与えられる。ただし、Ｖ_GSはソースに対するゲート電圧であり、Ｉ₀はＮチャネルＭＯＳＦＥＴでは約３００ｎＡ、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴでは７０ｎＡであり、ｓは閾値下電圧スイング（subthreshold swing）で約８０ｍＶ／ディケード（decade）であり、Ｖ_tは閾値電圧であり、ＷおよびＬはそれぞれＭＯＳＦＥＴの電気的な幅および長さである。
【０００４】
エンハンスメント・モードＭＯＳＦＥＴの閾値電圧は、チャネル長さ、チャネル幅、ドープ、ゲート酸化物厚さなど幾つかの固有ファクタによって決まる。環境温度などの外部ファクタも閾値電圧に強く影響することがある。さらに、閾値電圧は、バイアスが低い正の閾値電圧をもたらすという点でＭＯＳＦＥＴの基板またはウェル（あるいは一般に本体として知られる）に印加される電圧によって強く影響される。トランジスタの閾値電圧が低過ぎる場合、実際の供給電圧が所望の供給電圧より大きいとき、トランジスタは許容できない量の漏れ電流を生じることがある。逆に、トランジスタの閾値電圧が高すぎると、トランジスタが完全にオンになる可能性が低くなる。半導体製造プロセスの多くの側面が制御できるものの、依然として集積回路デバイス内の多数のトランジスタすべての間で閾値電圧値の大きな変動がある。
【０００５】
相補形金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）回路によって放出されるスイッチング電力は、Ｐ_active＝Ｃ×Ｖ_dd２×ｆで与えられる。ただし、Ｃはスイッチング・ノードのキャパシタンスであり、Ｖ_ddは電源電圧であり、ｆはノード・スイッチング周波数である。多くの応用例では、電力供給上の制限により電力を保持するために、あるいは様々な冷却上の制約から加熱を減らすために、スイッチング電力を減らすことが望ましい。そのために、キャパシタンス、周波数、あるいは動作電圧のいずれかを減らすことによってスイッチング電力を減らすことができる。キャパシタンスの減少は、リソグラフの解像度や許容幅などプロセスおよび製造上の制約によってしばしば制限される。周波数はしばしば回路の所望の出力を表し、したがって、それが減少すると論理回路の所望の目的が著しく損なわれることになりかねない。したがって、電源電圧が、依然として活動電力の減少を可能にする重要な変数である。
【０００６】
ＣＭＯＳ回路がＶ_dd＜Ｖ_tで動作する閾値下論理は、速度が重要でない超低電力ＣＭＯＳ回路に使用された手法であり、Ｖ_ddは約１ボルトまで減らすことができる。原則として、ＣＭＯＳ論理回路はＶ_dd＝４ηｋＴ／Ｑ_eという低い電圧で安定した動作を維持できる。ただし、ｈは理想値で、一般に約１．４であり、関係するＭＯＳＦＥＴのプロセスの詳細部の影響を受け、ｋはボルツマン定数であり、Ｑ_eは電子の素電荷であり、Ｔはケルビン単位による周囲温度である。しかし、原則として、ＣＭＯＳ論理回路はＮチャネルＭＯＳＦＥＴのＯＦＦ電流Ｉ_off−ＮおよびＰチャネルＭＯＳＦＥＴのＯＦＦ電流Ｉ_off−Ｐがそれぞれ互いにほぼ等しいときにだけ、上記の限度またはその付近で動作できる。
【０００７】
ＣＭＯＳの加工には、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴおよびＰ型ＭＯＳＦＥＴに独立のドープ・ステップ、ならびに互いに独立なＮ型ＭＯＳＦＥＴおよびＰ型ＭＯＳＦＥＴのＶ_tおよびＩ_offの変動をもたらす他のプロセス変数の使用が必要である。したがって、プロセスが名目上Ｉ_off−Ｎ＝Ｉ_off−Ｐを提供するように考案されているとしても、ウェハごとに大幅な変動があり、このようなプロセスで製造されるこのような論理回路が機能する最低Ｖ_ddが制限される。したがって、室温で約４ηｋＴ／Ｑ_eまたは約１００ｍＶの理論限界に近づくまたはそれに等しいＶ_ddの値までＣＭＯＳ論理回路の動作を可能にするために、適切なＮウェルおよび基板バイアスを提供することにより、Ｉ_off−Ｎ＝Ｉ_off−Ｐを確実にする実用的な手段を提供することが望ましい。これに照らして、本開示では、幾つかの閾値下論理回路の間で正確な閾値の一致をもたらすための装置を記述する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の一目的は、このような条件から利益を得ることができる論理回路についてＮチャネル・トランジスタとＰチャネル・トランジスタの間のＩ_off比を予測可能に変動させる装置を提供することである。本発明の他の目的は、何らかの明示的な配線または何らかの従来の相互接続層を使用せずに必要なＮウェル・バイアスおよび基板バイアスを分配する装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の好ましい実施形態によれば、集積回路デバイスは、複数のトランジスタと１つのグローバル・ボディ・バイアス回路（global body bias circuit）を含む。グローバル・ボディ・バイアス回路は、電源と第２電源またはグラウンドとの間に直列に接続された第１トランジスタと第２トランジスタを含む。第１トランジスタのゲートおよびソースは第１電源に接続されている。第２トランジスタのゲートおよびソースは第２電源に接続されている。第１トランジスタと第２トランジスタのドレインおよび本体は互いに接続されて、集積回路デバイス内の他のトランジスタの本体に接続された出力を形成する。
【００１０】
本発明のすべての目的、特徴、および利点は以下に詳細に示す説明から明らかになるであろう。
【００１１】
本発明自体、ならびに好ましい使用モード、その他の目的、ならびにその利点は、例示的実施形態についての以下の詳細な説明を添付の図面と併せて読めば最も良く理解されよう。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の好ましい実施形態によれば、グローバル・ボディ・バイアス回路は、グローバルＮウェル（またはグローバルＰウェル）および基板のバイアスを調整することによって論理回路内でＮチャネル・トランジスタとＰチャネル・トランジスタのＩ_offを互いに一致させるために利用される。Ｉ_offは、ゲートがソースに結合されたときトランジスタがそのドレインから引き出せる電流量である。
【００１３】
ここで図面、特に図１を参照すると、本発明の好ましい実施形態による一出力を有するグローバル・ボディ・バイアス回路の概略図が示されている。図示のように、グローバル・ボディ・バイアス回路１０はＰチャネル・トランジスタ１１と、それと直列に接続されたＮチャネル・トランジスタ１２を含む。Ｐチャネル・トランジスタ１１のゲートおよびソースは、０．２Ｖ〜０．３Ｖの間の電圧を提供する電源Ｖ_ddに接続されている。Ｎチャネル・トランジスタ１２のゲートおよびソースはグラウンド（または電源Ｖ_ss）に接続されている。Ｐチャネル・トランジスタ１１およびＮチャネル・トランジスタ１２の本体（body）およびドレインは、図５に示した例でさらに説明するように、集積回路デバイス内の他のトランジスタに対して本体バイアスを提供するための出力１５を形成するように互いに接続されている。
【００１４】
Ｐチャネル・トランジスタ１１とＮチャネル・トランジスタ１２の幅は、様々な比にすることができるが、等しいことが好ましい。通常、電力を最小限に抑えるため、トランジスタ１１および１２の幅はキャパシタンスを最小限に抑えるためにプロセス技術によって許容される最小幅に設定される。Ｐチャネル・トランジスタ１１およびＮチャネル・トランジスタ１２は共にゲート・オフされ、ドレイン電流が等しくなければならないので、出力１５における出力電圧は他の論理回路のトランジスタに等しい量のＩ_offを与えるのに必要な本体バイアスを見出すことができる。
【００１５】
トランジスタのウェルへのソース／ドレイン接合部漏れが時にはＩ_offの量より高いプロセスでは、その代わりに電流（すなわち、Ｖ_GS＝Ｖ_dd−Ｖ_ssにおけるＩ_DS）における閾値下電圧を一致させるのが必要なことがあるが、そうするとグローバル・ウェル電圧ジェネレータの待機漏れが増大するが、論理回路についてはそうはならない。これは、図１のＮチャネル・トランジスタ１２のゲートをＶ_ssの代わりにＶ_ddに接続し、図１のＰチャネル・トランジスタ１１のゲートをＶ_ddの代わりにＶ_ssに接続することによって行われる。結果を図２に示す。
【００１６】
ここで図２を参照すると、本発明の別の実施形態による一出力を有するグローバル・ボディ・バイアス回路の概略図が示されている。図示のように、グローバル・ボディ・バイアス回路２０は、直列に接続されたＰチャネル・トランジスタ２１とＮチャネル・トランジスタ２２を含む。Ｐチャネル・トランジスタ２１のソースとＮチャネル・トランジスタ２２のゲートは、０．２Ｖ〜０．３Ｖの範囲の電圧を提供する電源Ｖ_ddに接続されている。Ｎチャネル・トランジスタ２２のソースとＰチャネル・トランジスタ２１のゲートは、グラウンド（または電源Ｖ_ss）に接続されている。Ｐチャネル・トランジスタ２１およびＮチャネル・トランジスタ２２の本体およびドレインは、集積回路デバイス内の他のトランジスタに本体バイアスを与えるために出力２５を形成するように互いに接続される。
【００１７】
ジェネレータ待機電流を最小限に抑えるために、分圧ネットワークを使用し、ウェル電圧ジェネレータ・トランジスタ・ゲートを、デバイス電流を接合部漏れレベルより高いが、最大閾値下電圧Ｉ_onより低く維持する中間電圧に結合することが可能である。Ｉ_onは、ゲートが全電圧で駆動されたときトランジスタがそのドレインから引き出す電流量である。
【００１８】
ここで図３を参照すると、本発明の好ましい実施形態によるＰ型基板上に実装されたグローバル・ボディ・バイアス回路１０の図が示されている。図示のように、ＮウェルであるＰチャネル・トランジスタ１１の本体は、出力１５を形成するため、シリサイド層１４を介して、Ｐ型基板であるＮチャネル・トランジスタ１２の本体に接続されている。接点を使用する代わりに、シリサイド層１４からＮウェルおよびＰ−基板への接続はそれぞれＮ⁺拡散およびＰ⁺拡散によって行うことが好ましい。このような本体接続の方法は、Ｐチャネル・トランジスタ１１およびＮチャネル・トランジスタ１２がすべて突合せ式接合部によってＰ−基板へ局所的に結合できるので殊に魅力的である。
【００１９】
同様に、図１のグローバル・ボディ・バイアス回路１０など、グローバル・ボディ・バイアス回路から本体バイアスを受け取るすべての論理回路は、図３に示すものと同様の構造を使用できる。ここで図４を参照すると、本発明の好ましい実施形態による基板上に実装されたグローバル・ボディ・バイアス回路を受け取る様々な論理回路の図が示されている。図示のように、シリサイド層２４からＮウェルおよびＰ基板への接続はそれぞれＮ⁺拡散およびＰ⁺拡散によって行うことが好ましい。図３および図４に示す集積回路全体に利用できる共通基板接続を利用すると、相互接続または配線レベルでウェル・バイアスを分散させる必要はなくなる。その結果、高密度で安価な集積回路が得られる。
【００２０】
ここで図５を参照すると、本発明の好ましい実施形態による、図１および図２のグローバル・ボディ・バイアス回路１０の実装例が示されている。この例で、２入力ＮＡＮＤゲート３０はバイアスする必要がある回路である。図示のように、２入力ＮＡＮＤゲート３０は、当分野の技術者に周知の方式で接続された２個のＰチャネル・トランジスタ３１、３２および２個のＮチャネル・トランジスタ３３、３４を含む。ＮＡＮＤゲート３０に本体バイアスを提供するために、図１および図２のグローバル・ボディ・バイアス回路１０の出力１５はトランジスタ３１〜３４の本体に接続されている。
【００２１】
トランジスタを図１および図２の本体バイアス回路１０で可能なよりも高いＩ_offの量に設定する際の融通性を高めるためには、２出力を有するグローバル・ボディ・バイアス回路が必要である。ここで図６を参照すると、本発明の好ましい実施形態による２出力を有するグローバル・ボディ・バイアス回路の概略図が示されている。図示のように、グローバル・ボディ・バイアス回路４０はＰチャネル・トランジスタ４１〜４３およびＮチャネル・トランジスタ４４〜４６を含む。Ｐチャネル・トランジスタ４１〜４３の各ゲートおよびソースは０．２Ｖ〜０．３Ｖの範囲の電圧を提供する電源Ｖ_ddに接続されている。Ｎチャネル・トランジスタ４４〜４６の各ゲートおよびソースはグラウンド（または電源Ｖ_ss）に接続される。トランジスタ４１および４４の本体およびドレインはトランジスタ４３および４５の本体に接続されている。さらに、トランジスタ４２の本体およびドレインは、集積回路デバイス内の他のＰチャネル・トランジスタに本体バイアスを提供するために出力４７を形成するように互いに接続される。同様に、トランジスタ４６の本体およびドレインは、図９に示す例でさらに説明するように、同じ集積回路デバイス内の他のＮチャネル・トランジスタに本体バイアスを提供するために出力４８を形成するように互いに接続される。
【００２２】
グローバル・ボディ・バイアス回路４０により、論理回路内のＰチャネル・トランジスタおよびＮチャネル・トランジスタの本体に独立にバイアスをかけることが可能になる。グローバル・ボディ・バイアス回路４０により、Ｉ_off−Ｎ／Ｉ_off−Ｐをｍ／ｎなどの設定比にプログラムすることも可能となる。Ｉ_off−ＮはＮチャネル・トランジスタのＩ_offであり、Ｉ_off−ＰはＰチャネル・トランジスタのＩ_offである。したがって、ｍおよびｎを望むだけ大きく選択することによりＩ_off−Ｎ／Ｉ_off−Ｐを増加させることができる。グローバル・ボディ・バイアス回路４０のこの配置により、適切なときに待機電力がより高くつくという犠牲を払って、より高パフォーマンスの回路をプログラムすることが可能になる。グローバル・ボディ・バイアス回路４０には、分離ＰウェルならびにＮウェルが必要である。必要なＰウェルおよび必要なＮウェルは、本体接点付きのシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）技術、またはトリプル・ウェル技術を使用して設けることができる。
【００２３】
グローバル・ボディ・バイアス回路４０は（ＮウェルとＰウェルが互いに独立しているため）少なくともＮウェルへの明示的配線を必要とするので、製品設計全体に多数分散するのに十分なほど簡単であり（したがって十分に小さく）、そのためウェル・バイアスに対する配線の負担が軽くなる。さらに、今や様々な回路ブロックが、他の回路ブロックと時間を合わせる必要に応じてパフォーマンスを調節するためにその駆動電流を局所的に上げまたは下げることができる。
【００２４】
グローバル・ボディ・バイアス回路４０の変形形態を図７および図８に別々に示す。図７のグローバル・ボディ・バイアス回路４０ａによるとＩ_offの値をＲ_adjと共に連続的に変化させることができ、一方Ｉ_off−ＮおよびＩ_off−Ｐはｎ／ｍの比が固定比に保たれる。したがって、Ｒ_adjをトランジスタで置き換えた場合、グローバル・ボディ・バイアス回路４０ａのパフォーマンスおよび待機電力は「オン・ザ・フライ（on the fly）」で変調することができる。グローバル・ボディ・バイアス回路４０ａはＮチャネル・トランジスタを
【数１】

に、Ｐチャネル・トランジスタを
【数２】

に設定する。ただし、Ｓｅ＝ηｋＴ／Ｑ_eであり、Ｉ_{off_x}はＮチャネル・トランジスタｘのドレイン電流である。
【００２５】
図８のグローバル・ボディ・バイアス回路４０ｂは、不活動期間中に閾値下漏れのエネーブル本体カットオフを有する。グローバル・ボディ・バイアス回路４０ｂはＮチャネル・トランジスタを
【数３】

に、Ｐチャネル・トランジスタを
【数４】

に設定する。ただし、Ｓｅ＝ηｋＴ／Ｑ_eであり、Ｉ_{off_y}はＮチャネル・トランジスタｙのドレイン電流であり、Ｒ_nおよびＲ_pはそれぞれＮチャネル・トランジスタＴ_nおよびＰチャネル・トランジスタＴ_pの有効ソース−ドレイン抵抗であり、Ｒ_mは図８のＮチャネル・トランジスタＴ_mの有効ソース−ドレイン抵抗である。
【００２６】
ここで図９を参照すると、本発明の好ましい実施形態による図６のグローバル・ボディ・バイアス回路４０の実装例が示されている。この例で、２入力ＮＡＮＤゲート５０はバイアスする必要がある回路である。図示のように、２入力ＮＡＮＤゲート５０は、当分野の技術者に周知の方式で接続された、２個のＰチャネル・トランジスタ５１〜５２および２個のＮチャネル・トランジスタ５３〜５４を含む。ＮＡＮＤゲート５０に本体バイアスを提供するために、図６のグローバル・ボディ・バイアス回路４０の出力４７はＰチャネル・トランジスタ５１〜５２の本体に接続され、一方グローバル・ボディ・バイアス回路４０の出力４８はＮチャネル・トランジスタ５３〜５４の本体に接続されている。
【００２７】
以上説明したように、本発明は集積回路内の超低電圧論理回路をバイアスするための装置を提供する。
【００２８】
本発明を好ましい実施形態に関して詳細に図示し説明したが、当分野の技術者には、本発明の精神および範囲を逸脱せずに形態および細部の様々な変更が行なえることが理解されよう。
【００２９】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【００３０】
（１）複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタの本体に接続された出力を有する１つのグローバル・ボディ・バイアス回路とを備え、前記グローバル・ボディ・バイアス回路が、第１電源と第２電源の間に直列に接続された第１トランジスタと第２トランジスタを含み、前記第１トランジスタのゲートおよびソースが前記第１電源に接続されており、前記第２トランジスタのゲートおよびソースが前記第２電源に接続されており、前記第１トランジスタと前記第２トランジスタのドレインおよび本体が互いに接続されて前記出力を形成する集積回路デバイス。
（２）前記第１トランジスタがＰチャネル・トランジスタであり、前記第２トランジスタがＮチャネル・トランジスタである、上記（１）に記載の集積回路デバイス。
（３）前記第１電源が約０．２Ｖ〜約０．３Ｖの範囲の電圧を提供する、上記（１）に記載の集積回路デバイス。
（４）前記第２電源が０Ｖを提供する、上記（１）に記載の集積回路デバイス。
（５）前記第１トランジスタと前記第２トランジスタの幅が同一である、上記（１）に記載の集積回路デバイス。
（６）前記第１トランジスタと前記第２トランジスタの前記ドレインがシリサイド層を介して互いに接続されている、上記（１）に記載の集積回路デバイス。
（７）複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタの本体に接続された出力を有する１つのグローバル・ボディ・バイアス回路とを備え、前記グローバル・ボディ・バイアス回路が、第１電源と第２電源の間に直列に接続された第１トランジスタと第２トランジスタを含み、前記第１トランジスタのソースと前記第２トランジスタのゲートが前記第１電源に接続されており、前記第２トランジスタのソースと前記第１トランジスタのゲートが前記第２電源に接続されており、前記第１トランジスタと前記第２トランジスタのドレインおよび本体が互いに接続されて前記出力を形成する集積回路デバイス。
（８）前記第１トランジスタがＰチャネル・トランジスタであり、前記第２トランジスタがＮチャネル・トランジスタである、上記（７）に記載の集積回路デバイス。
（９）前記電源が約０．２Ｖ〜約０．３Ｖの範囲の電圧を提供する、上記（７）に記載の集積回路デバイス。
（１０）前記第２電源が０Ｖを提供する、上記（７）に記載の集積回路デバイス。
（１１）前記第１トランジスタと前記第２トランジスタの幅が同一である、上記（７）に記載の集積回路デバイス。
（１２）前記第１トランジスタと前記第２トランジスタの前記ドレインがシリサイド層を介して互いに接続されている、上記（７）に記載の集積回路デバイス。
（１３）複数のトランジスタと、
第１出力と第２出力を有する１つのグローバル・ボディ・バイアス回路とを備え、前記グローバル・ボディ・バイアス回路が、第１電源と第２電源の間に直列に接続された第１トランジスタと第２トランジスタを含み、前記第１トランジスタのゲートおよびソースが前記第１電源に接続されており、前記第２トランジスタのゲートおよびソースが前記第２電源に接続されており、前記第１トランジスタと前記第２トランジスタのドレインおよび本体が、グローバル・ボディ・バイアス回路の第３トランジスタと第４トランジスタの本体をバイアスするように互いに接続されており、前記第３トランジスタおよび前記第４トランジスタのゲートがそれぞれ前記第１電源および前記第２電源に接続されている集積回路デバイス。
（１４）前記第１トランジスタがＰチャネル・トランジスタであり、前記第２トランジスタがＮチャネル・トランジスタである、上記（１３）に記載の集積回路デバイス。
（１５）前記第３トランジスタがＰチャネル・トランジスタであり、前記第４トランジスタがＮチャネル・トランジスタである、上記（１３）に記載の集積回路デバイス。
（１６）前記第３トランジスタが第２の幅である、上記（１３）に記載の集積回路デバイス。
（１７）前記第１電源が約０．２Ｖ〜約０．３Ｖの範囲の電圧を提供する、上記（１３）に記載の集積回路デバイス。
（１８）前記第２電源が０Ｖを提供する、上記（１３）に記載の集積回路デバイス。
（１９）前記第１トランジスタと前記第２トランジスタの幅が同一である、上記（１３）に記載の集積回路デバイス。
（２０）前記第１トランジスタと前記第２トランジスタの前記ドレインがシリサイド層を介して互いに接続されている、上記（１３）に記載の集積回路デバイス。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好ましい実施形態による一出力を有するグローバル・ボディ・バイアス回路の略図である。
【図２】本発明の別の実施形態による一出力を有するグローバル・ボディ・バイアス回路の略図である。
【図３】本発明の好ましい実施形態による基板上に実装された図１のグローバル・ボディ・バイアス回路の断面図である。
【図４】本発明の好ましい実施形態による基板上に実装された図１のグローバル・ボディ・バイアス・論理回路を受け取る様々な論理回路の断面図である。
【図５】図１からのグローバル・ボディ・バイアス回路の実装例を示す図である。
【図６】本発明の好ましい実施形態による２出力を有するグローバル・ボディ・バイアス回路の略図である。
【図７】追加の入力制御を有する図６のグローバル・ボディ・バイアス回路の略図である。
【図８】追加の入力制御を有する図６のグローバル・ボディ・バイアス回路の略図である。
【図９】図６のグローバル・ボディ・バイアス回路の実装例を示す図である。
【符号の説明】
１０、２０、４０、４０ａ、４０ｂグローバル・ボディ・バイアス回路
１１、２１、３１、３２、４１、４２、４３、５１、５２Ｐチャネル・トランジスタ
１２、２２、３３、３４、４４、４５、４６、５３、５４Ｎチャネル・トランジスタ
１４、２４シリサイド層
１５、２５、４７、４８出力
３０、５０２入力ＮＡＮＤゲート

Claims

複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタの本体に接続された出力を有する１つのグローバル・ボディ・バイアス回路とを備え、前記グローバル・ボディ・バイアス回路が、第１電源と第２電源の間に直列に接続された第１トランジスタと第２トランジスタを含み、前記第１トランジスタのゲートおよびソースが前記第１電源に接続されており、前記第２トランジスタのゲートおよびソースが前記第２電源に接続されており、前記第１トランジスタと前記第２トランジスタのドレインおよび本体が互いに接続されて前記出力を形成する集積回路デバイス。
前記第１トランジスタがＰチャネル・トランジスタであり、前記第２トランジスタがＮチャネル・トランジスタである、請求項１に記載の集積回路デバイス。
前記第１電源が約０．２Ｖ〜約０．３Ｖの範囲の電圧を提供する、請求項１に記載の集積回路デバイス。
前記第２電源が０Ｖを提供する、請求項１に記載の集積回路デバイス。
前記第１トランジスタと前記第２トランジスタの幅が同一である、請求項１に記載の集積回路デバイス。
前記第１トランジスタと前記第２トランジスタの前記ドレインがシリサイド層を介して互いに接続されている、請求項１に記載の集積回路デバイス。
複数のトランジスタと、
第１出力と第２出力を有する１つのグローバル・ボディ・バイアス回路とを備え、前記グローバル・ボディ・バイアス回路が、第１電源と第２電源の間に直列に接続された第１トランジスタと第２トランジスタを含み、前記第１トランジスタのゲートおよびソースが前記第１電源に接続されており、前記第２トランジスタのゲートおよびソースが前記第２電源に接続されており、前記第１トランジスタと前記第２トランジスタのドレインおよび本体が、グローバル・ボディ・バイアス回路の第３トランジスタと第４トランジスタの本体をバイアスするように互いに接続されており、前記第３トランジスタおよび前記第４トランジスタのゲートがそれぞれ前記第１電源および前記第２電源に接続されている集積回路デバイス。
前記第１トランジスタがＰチャネル・トランジスタであり、前記第２トランジスタがＮチャネル・トランジスタである、請求項７に記載の集積回路デバイス。
前記第３トランジスタがＰチャネル・トランジスタであり、前記第４トランジスタがＮチャネル・トランジスタである、請求項７に記載の集積回路デバイス。
前記第３トランジスタが第２の幅である、請求項７に記載の集積回路デバイス。
前記第１電源が約０．２Ｖ〜約０．３Ｖの範囲の電圧を提供する、請求項７に記載の集積回路デバイス。
前記第２電源が０Ｖを提供する、請求項７に記載の集積回路デバイス。
前記第１トランジスタと前記第２トランジスタの幅が同一である、請求項７に記載の集積回路デバイス。
前記第１トランジスタと前記第２トランジスタの前記ドレインがシリサイド層を介して互いに接続されている、請求項７に記載の集積回路デバイス。