JP3638564B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路に関し、特に、発振器を内蔵し、発振器の発するElectro-Magnetic interferrence(以下、EMIと略記する)ノイズを軽減する半導体集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、自動車電装分野において進められているモジュール統合の流れにより、セットの小型化及び、セット内に搭載される個々の半導体集積回路(半導体デバイス)に対しても、FM帯/キーレス帯(Rf帯)へのEMIノイズ低減要求が高まってきていることは、周知の事実である。
【0003】
このような半導体集積回路のEMIノイズ発生要因は、種々存在することも一般的よく知られている。
【0004】
上述した半導体集積回路における発振器に起因するEMIノイズは、発振器を停止させるスタンバイモード時を除き、ほとんどの動作モードで常に放射される。したがって、同ノイズの低減が、半導体集積回路におけるEMIノイズ低減の課題の1つとなっている。
【0005】
このような従来の発振器を内蔵した半導体集積回路は、例えば、特開平02−228106号公報に開示されている。
【0006】
図9は、従来の発振器を内蔵した半導体集積回路のブロック図である。従来の発振器を内蔵した半導体集積回路900は、発振部910からの出力A1が、シュミット回路S8を含む波形整形部920に入力され、出力バッファBUF5を介して出力信号925が出力される。
【0007】
シュミット回路S8は、発振部910の出力に重畳したノイズを遮断する目的で挿入され、Electro-Magnetic susceptibility(以下、EMSと略記する)特性を向上させるとともに、特に、発振開始から成長時、基幹発振部910からの出力A1が、中間電位に有る場合のシュミット回路S8の状態変化を無くし、貫通電流によるEMIノイズを低減させるという働きを有する。
【0008】
図10は、図9で示した従来の発振器を内蔵した半導体集積回路が、安定発振中の発振回路に流れる発振電源電流Ivddoscと、シュミット回路を含む波形整形部に流れる波形整形部電源電流IvddとをFast Fourier transform(以下、FFTと略記する)解析したものである。
【0009】
また、図11はこの時の電流波形である。従来の発振器が、安定発振中の発振回路に流れる発振電源電流Ivddoscは、発振周波数P点にピークを持ち、高域に移るにしたがってスペクトラムが下方に納まっていく。
【0010】
これは、基幹発振部の出力A1が、正弦波に近い波形を示す事により、発振部内部の帰還インバータの、貫通電流と内外の寄生容量を含む容量の充電で流れるの電流が図11のIvddoscに示す通り、なだらかに変化するためである。これに対し、IvddはP点近傍のスペクトラムは低いものの、高域までその強度は納まらず、ほぼ白色に近いスペクトラム分布を示す。
【0011】
シュミット回路は、フィードバック信号によりでトランジスタ素子P13、N13が絶えずスイッチングされ、トランジスタ素子のgmの変化に伴ない、貫通電流も複雑に変化する。また後段に繋がる出力バッファにはシュミット回路で矩形化された信号が入力されるため、貫通電流は急峻なものとなる。従って、波形整形部に流れる波形整形部電源電流Ivddは、図11のIvddで示す通り、急峻で複雑な波形となり、スペクトラムは高域まで広がる。
【0012】
また、上述したような従来の発振器を内蔵した半導体集積回路は、さらに、特開平02−174248号公報または特開平11−145727号公報にも開示されている。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来技術では、次の様な理由でシュミット回路の挿入は、逆にEMIノイズを増大させるという問題を持つ。
【0014】
つまり、シュミット回路の挿入はトランジスタ素子の追加自体による貫通電流の増大及び、シュミット回路の持つ複雑な電流特性のため、高域のEMI特性を悪化させるという問題があった。
【0015】
また、EMI対策としてはノイズ源近くにパスコンを挿入する方法が一般的であるが、発振器の場合、近傍にパスコンを挿入しても、図11のIvddoscに示すとおり発振部内の帰還インバータによる充放電にその大半を消費することとなり、シュミット回路を含む波形整形部の発するノイズ低減には効果的に作用しないという問題がある。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体集積回路は、所定の電位が供給されて発振する発振部と、前記発振部の出力を受ける波形整形部とを備える半導体集積回路であって、前記発振部と前記波形整形部との電源供給は別系統とし、前記波形整形部への電源供給は、前記所定の電位をフィルタ動作させるローパスフィルターを介して行う構成である。
【0017】
また、本発明の半導体集積回路の前記波形整形部は、前記発振部の発振開始から成長時の非安定期間中は、ヒステリシス特性を持ち、前記発振部が、安定発振状態となったときは、バッファ回路として動作するシュミット回路を具備する構成である。
【0018】
また、本発明の半導体集積回路の前記シュミット回路は、第1のトランジスタ素子と、第2のトランジスタ素子を有し、前記第1のトランジスタ素子と前記第2のトランジスタ素子が、前記発振開始から成長時の前記非安定期間中は、フィードバック信号を正相で受け、前記シュミット回路は、ヒステリシス特性を持ち、前記発振部が、安定発振状態となったときは、前記第1のトランジスタ素子および前記第2のトランジスタ素子が、それぞれOFF状態となり、前記シュミット回路は、バッファ回路となる構成である。
【0019】
また、本発明の半導体集積回路の前記波形整形部は、前記発振部の発振開始から成長時の非安定期間中は、ヒステリシス特性を持ち、前記発振部が、安定発振状態となったときは、前記非安定期間中のヒステリシス幅より狭いヒステリシス特性をもつシュミット回路を具備する構成である。
【0020】
【発明の実施の形態】
図面を参照しながら、本発明の実施の形態の半導体集積回路について、詳細に説明する。
【0021】
本発明は、従来技術で問題となっていた発振器の発するEMIノイズを、発振器を発振部と波形整形部とに分け、電源供給を分離し、波形整形部への電源供給を専用ローパスフィルターを介して行う事と、発振安定状態信号を用い、発振安定後の波形整形部内の高周波ノイズ源を制御することを特徴としている。
【0022】
図1は、本発明の第1の実施の形態の半導体集積回路の構成を示すブロック図で、図1(a)は、詳細に構成を示し、図1(b)は、電源供給の構成を示す。
【0023】
図1(a)を参照すると、本発明の第1の実施の形態の半導体集積回路100は、内蔵の発振回路を、帰還インバータINV1とフィードバック抵抗R2により構成する発振部110と、波形整形部120とで構成される。
【0024】
さらにに、発振部110および波形整形部120への電源の供給は、それぞれ個別に供給する。すなわち、図1(b)を参照すると、このうち、波形整形部120への電源供給は、抵抗R1と容量C1で構成されるローパスフィルター111を介して行われ、高電位電源VDDを高電位電源VDDXとして供給する。
【0025】
また、波形整形部120のシュミット回路S1のトランジスタ素子P3、N3は、発振安定信号A1及び論理素子AND1、OR1、INV3のそれぞれにより生成された信号Gp3、Gn3がそれぞれゲート制御信号として接続される。発振安定信号A1としては、発振安定タイマ等の出力を使用する。
【0026】
次に、本発明の第1の実施の形態の半導体集積回路100の動作について説明する。
【0027】
図1を参照すると、本発明の第1の実施の形態の半導体集積回路100の波形整形部120の電源は、ローパスフィルター111を介して行われる。電源供給を発振部110と分離し、その間に、抵抗R1を配置した事により、容量C1は、大電流を消費する発振部110への放電を制限するため、波形整形部110に対して効果的に作用する。
【0028】
また、発振部110に対し、波形整形部120の消費する電流は、一般的に少ないため、容量C1が必要とする容量値は小規模なもので済む。つまり、電源の分離と抵抗の設置により、小規模な容量で波形整形部の発する高周波ノイズの電源ラインへの回り込みを低減する事が可能となる。
【0029】
シュミット回路S1は、発振安定信号A1が、ロウレベルの発振開始から成長時の非安定期間中は、トランジスタ素子P3、N3にフィードバック信号F1が正相で伝わり、ヒステリシス特性を持つ通常のシュミット回路として動作する。発振器110が、安定発振状態となり発振安定信号A1がハイとなった場合、トランジスタ素子P3のゲート信号Gp3はハイ、トランジスタ素子N3のゲート信号Gn3はロウとなり、トランジスタ素子P3、N3は、それぞれOFF状態となる。
【0030】
つまり、発振安定後、シュミット回路S1は、ヒステリシス特性を持たない通常のバッファとして動作する。トランジスタ素子P3、N3がOFFする事により、シュミット回路S1に流れる貫通電流の波形は、ピーク値が下がるとともに単純な波形となり、シュミット回路に起因していた高周波電源ノイズを低減する事ができる。
【0031】
次に、本発明の第2の実施の形態の半導体集積回路について説明する。図4は、本発明の第2の実施の形態の半導体集積回路のブロック図である。
【0032】
本発明の第1の実施の形態の半導体集積回路に対して、本発明の第2の実施の形態の半導体集積回路は、発振安定信号A2にて発振安定以後シュミット回路自体をバイパスする点が異なる。それ以外の構成要素は、本発明の第1の実施の形態の半導体集積回路と同じなので、詳細な説明は、省略する。
【0033】
本発明の第2の実施の形態の半導体集積回路は、発信安定信号A2がハイとなった場合、シュミット回路S1の入力はGNDに固定され、シュミット回路S1の貫通電流を無くすように動作する。この際、インバータINV4の構成素子をあらかじめ電流駆動能力の小さいものしておけば、波形整形部全体に流れる貫通電流は、さらに低減し、高周波ノイズの発生を大幅に抑制する事が可能である。
【0034】
次に、本発明の第3の実施の形態の半導体集積回路について説明する。図5は、本発明の第3の実施の形態の半導体集積回路のブロック図である。
【0035】
本発明の第1の実施の形態の半導体集積回路が発振安定後、シュミット回路のヒステリシス特性を排除していたのに対して、本発明の第3の実施の形態の半導体集積回路は、ヒステリシス特性を最適化する点が異なる。
【0036】
本発明の第3の実施の形態の半導体集積回路500は、発振安定後信号A3がハイとなった後、トランジスタ素子P7、N7は、それぞれOFF状態となるが、トランジスタ素子P6、N6は、INV6の出力が入力し続けるため、ヒステリシス特性自体は保持する。但し、トランジスタ素子P7、N7がOFF状態となるため、発振安定信号A3がロウの状態に較べヒステリシス幅は狭くなるが、その分高周波ノイズの発生は抑制される。
【0037】
一般的に、発振安定後は、帰還インバータ出力がインダクタンス成分を持つため、発振部110を介した外来ノイズの影響は減少する。よって、発振安定後のヒステリシス幅を必要最小限に抑える事で、高周波ノイズの発生を抑えつつ、EMS特性も保持する事が可能となる。
【0038】
本発明の第3の実施の形態の半導体集積回路500は、EMS特性を重視する半導体集積回路において有用である。
【0039】
次に、本発明の第4の実施の形態の半導体集積回路について説明する。図6は、本発明の第4の実施の形態の半導体集積回路のブロック図である。
【0040】
本発明の第4の実施の形態の半導体集積回路600は、その動作の発振開始から成長時の際、発振安定信号A4がロウのため、トランジスタ素子N9はOFF状態である。この時のBUF3の閾値は、図7のBUF3の閾値711で示すように発振部110の出力X21(621)の中心電圧からずれる様にあらかじめトランジスタ素子P8、N8を設計する。
【0041】
閾値がずれるため、未成長のX21信号及びX21に乗る外来ノイズは、BUF4の出力に伝搬しない。発振安定信号がハイとなった以降、トランジスタ素子N9はON状態となる。この時のBUF3の閾値は、図7のBUF3の閾値7122で示す様に、発振部110の出力X21の中心電圧に合わせる事で、BUF4の出力のデューティー比を1:1とする事が可能である。
【0042】
本発明の第4の実施の形態の半導体集積回路は、発振器の出力を分周せず、原発振のまま使用する半導体集積回路に有用である。
【0043】
次に、本発明の第5の実施の形態の半導体集積回路について説明する。図8は、本発明の第5の実施の形態の半導体集積回路のブロック図である。
【0044】
本発明の第5の実施の形態の半導体集積回路801は、本発明の第1の実施の形態の半導体集積回路が、電源に対するローパスフィルター111の挿入であったのに対し、GNDに対しても波形整形部120へのGND配線を個別化し、抵抗R4を介してローパスフィルター811を挿入して、電位供給をする事で波形整形部120で発生する高周波ノイズの半導体内外のGNDラインへの回り込みを阻止するものである。
【0045】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明によれば、発振器波形整形部に起因していた高周波電源ノイズの半導体内外への回り込みを、小規模な制御回路と電源配線の分離とローパスフィルターの追加のみで効果的に低減可能である。
【0046】
また、本発明は波形整形部に対してのみノイズ低減対策を施すため、内蔵発振部と外部発振子で決定される発振器の基幹特性には、一切影響を与えないという特徴を持つ。
【0047】
図2は、第1の実施の形態のシュミット回路S1に流れる電流を発振安定信号1がロウの場合とハイの場合との比較を示すFFT結果である。発振安定信号1がハイとなった場合、高域のスペクトラムが低減している事がわかる。
【0048】
図3は、発振部電源電流Ivddoscと波形整形部電源電流Ivddの合計を、第1の実施の形態で説明したように、電源分離し、波形整形部にローパスフィルターを挿入した場合と、同処置を施さなかった場合との比較を示すFFT結果である。図1の容量C1は、発振部1に消費される事無く波形整形部に効果的に作用するため、高域のスペクトラムが低減していく効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態の半導体集積回路の構成を示すブロック図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態の半導体集積回路のシュミット回路のFFT解析結果を示す図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態の半導体集積回路の発振部のFFT解析結果を示す図である。
【図4】本発明の第2の実施の形態の半導体集積回路の構成を示すブロック図である。
【図5】本発明の第3の実施の形態の半導体集積回路の構成を示すブロック図である。
【図6】本発明の第4の実施の形態の半導体集積回路の構成を示すブロック図である。
【図7】本発明の第4の実施の形態の半導体集積回路の動作の発振開始から成長時の際の発振安定信号を説明するタイムチャートである。
【図8】本発明の第5の実施の形態の半導体集積回路のブロック図である。
【図9】従来の半導体集積回路の構成を示すブロック図である。
【図10】従来の半導体集積回路の発振部のFFT解析結果を示す図である。
【図11】従来の半導体集積回路の発振部の電源電流の波形を示す図である。
【符号の説明】
100 半導体集積回路
110 発振部
111 ローパスフィルター
120,520 波形整形部
811 ローパスフィルター
910 発振部
920 波形整形部
S1,S8 シュミット回路
Claims (7)
- 所定の電位が供給されて発振する発振部と、前記発振部の出力を受ける波形整形部とを備える半導体集積回路であって、前記発振部と前記波形整形部との電源供給は別系統とし、前記波形整形部への電源供給は、前記所定の電位をフィルタ動作させるローパスフィルターを介して行うことを特徴とする半導体集積回路。
- 前記波形整形部は、前記発振部の発振開始から成長時の非安定期間中は、ヒステリシス特性を持ち、前記発振部が、安定発振状態となったときは、バッファ回路として動作するシュミット回路を具備する請求項1記載の半導体集積回路。
- 前記シュミット回路は、第1のトランジスタ素子と、第2のトランジスタ素子を有し、前記第1のトランジスタ素子と前記第2のトランジスタ素子が、前記発振開始から成長時の前記非安定期間中は、フィードバック信号を正相で受け、前記シュミット回路は、ヒステリシス特性を持ち、前記発振部が、安定発振状態となったときは、前記第1のトランジスタ素子および前記第2のトランジスタ素子が、それぞれOFF状態となり、前記シュミット回路は、バッファ回路となる請求項2記載の半導体集積回路。
- 前記発振部が安定発振状態なったとき、前記シュミット回路の入力がGNDに固定される請求項2または3記載の半導体集積回路。
- 前記波形整形部は、前記発振部の発振開始から成長時の非安定期間中は、ヒステリシス特性を持ち、前記発振部が、安定発振状態となったときは、前記非安定期間中のヒステリシス幅より狭いヒステリシス特性をもつシュミット回路を具備する請求項1記載の半導体集積回路。
- 前記波形整形部は、第1のトランジスタ素子と第2のトランジスタ素子とでBUFを構成し、前記発振部の発振開始から成長時の非安定期間中は、前記BUFの閾値が、前記発振部の出力の中心電圧からずれる様に設定された請求項1記載の半導体集積回路。
- 前記波形整形部へのGND供給は、前記GNDをフィルタ動作させるローパスフィルターを介して行う請求項1、2、3、4または5記載の半導体集積回路。
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