JP3621977B2 - 有機el素子 - Google Patents

有機el素子 Download PDF

Info

Publication number
JP3621977B2
JP3621977B2 JP22057193A JP22057193A JP3621977B2 JP 3621977 B2 JP3621977 B2 JP 3621977B2 JP 22057193 A JP22057193 A JP 22057193A JP 22057193 A JP22057193 A JP 22057193A JP 3621977 B2 JP3621977 B2 JP 3621977B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
compound
organic
layer
chemical formula
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP22057193A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0753956A (ja
Inventor
鉄司 井上
貴樹 神原
隆一 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP22057193A priority Critical patent/JP3621977B2/ja
Publication of JPH0753956A publication Critical patent/JPH0753956A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3621977B2 publication Critical patent/JP3621977B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、有機EL(電界発光)素子に関し、詳しくは、有機化合物からなる単層もしくは積層構造薄膜に電界を印加して光を放出する素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
有機EL素子は、蛍光性有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔を注入して再結合させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出(蛍光、燐光)を利用して発光する素子である。
【0003】
有機EL素子の特徴は、10V 程度の低電圧で100〜10000cd/m 程度の高輝度の面発光が可能であり、また、蛍光物質の種類を選択することにより青色から赤色までの発光が可能なことである。
【0004】
一方、有機EL素子に関する問題は、発光寿命が短く、保存耐久性、信頼性が低いことであり、この原因としては、
▲1▼ 有機化合物の物理的変化ないし光化学的変化・電気化学的変化が起こること、
▲2▼ 陰極の酸化・剥離が起こること、
▲3▼ 発光効率が低く、発熱量が多いこと、
などが挙げられる。
【0005】
上記について詳述すると、▲1▼に関しては、結晶ドメインの成長などにより界面の不均一化が生じ、素子における電荷注入能の劣化・短絡・絶縁破壊の原因となる。特に低分子化合物を用いると顕著な結晶粒の出現・成長が起こる。
【0006】
また、▲2▼に関しては、電子の注入を容易にするために仕事関数の小さな金属としてNa・Mg・Alなどを用いているが、これらの金属は大気中の水分や酸素と反応したり、有機層と陰極の剥離が起こり、電荷注入ができなくなる。
【0007】
さらに、▲3▼に関しては、有機化合物中に電流を流し、かつ高い電界強度下に有機化合物を置かねばならないため、発熱からは逃れられない。その熱のため、有機化合物の溶融・結晶化・熱分解などにより素子の劣化・破壊が起こる。
【0008】
従って、上記の問題は有機EL素子に用いられる有機化合物に起因するところも多く、より良好な特性が得られる有機化合物を用いることが望まれている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、特に物理的変化や光化学的変化、電気化学的変化の少ない光・電子機能材料としての有機EL素子用化合物を提供することにあり、さらに、この化合物を用い、信頼性の高い種々の発光色を持った有機EL素子を実現することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記(1)〜(4)の本発明により達成される。
(1) 下記化2で示されるポリ(キノキサリン−5,8−ジイル)化合物である有機EL素子用化合物を少なくとも1種以上含有する層を少なくとも1層以上有する有機EL素子。
【0011】
【化2】
Figure 0003621977
【0012】
[化2において、R およびR は、それぞれビフェニル、p−メトキシフェニル、m−メトキシフェニル、o−メトキシフェニル、4−ピリジル、3−ピリジル、2−ピリジル、2−チェニル、3−チェニルおよび3−フリルのいずれかを表わし、これらは同一であっても異なるものであってもよい。R とR とは互いに結合してベンゼン環またはフェナトレン環を形成してもよい。X およびX は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わし、これらは同一であっても異なるものであってもよい。nは4以上の数である。]
(2) 前記有機EL素子用化合物を含有する層が電子注入輸送機能を有する層である上記(1)の有機EL素子。
(3) 前記有機EL素子用化合物を含有する層がさらに少なくとも1種以上の蛍光性物質を含有する上記(1)または(2)の有機EL素子。
(4) さらに、正孔注入輸送層を有する上記(2)または(3)の有機EL素子。
【0013】
【作用】
本発明の有機EL素子は、上記化2に示されるポリ(キノキサリン−5,8−ジイル)化合物を、有機EL素子の構成層のうちの少なくとも1層、好ましくは発光層や電子注入輸送層に用いるため、10〜10000cd/m 程度、あるいはそれ以上の高輝度の発光が安定して得られる。また、耐熱性・耐久性が高く、素子電流密度が1000mA/cm程度でも安定した駆動が可能である。
【0014】
また、上記化2のポリ(キノキサリン−5,8−ジイル)化合物の薄膜はほぼアモルファス状態となり膜質が良好なので、ムラのない均一な発光が可能である。
【0015】
また、本発明の有機EL素子は、定電圧で効率よく発光する。
【0016】
なお、本発明の有機EL素子の発光極大波長は、350〜700nm程度である。
【0017】
【具体的構成】
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
【0018】
本発明の有機EL素子用化合物は、化2で示されるポリ(キノキサリン−5,8−ジイル)化合物(以下、「化2の化合物」と略すこともある。)である。化2について記す。
【0019】
化2において、R およびR は、それぞれビフェニル、p−メトキシフェニル、m−メトキシフェニル、o−メトキシフェニル、4−ピリジル、3−ピリジル、2−ピリジル、2−チェニル、3−チェニルおよび3−フリルのいずれかを表わし、R 、R は同一であっても異なるものであってもよい。R とR とは互いに結合してベンゼン環またはフェナントレン環を形成してもよい。
【0022】
、R で表わされる芳香族炭化水素基としては、無置換であっても置換基を有するものであってもよく、炭素数6〜12のものが好ましい。置換基を有するときの置換基としては、メチル基等のアルキル基、メトキシ基等のアルコキシ基、フェニル基等が挙げられる。また、これらの置換基は互いに結合してベンゼン環等の炭素環を形成してもよい。芳香族炭化水素基の具体例としては、(o−,m−,p−)メトキシフェニル基、ビフェニル(4−ビフェニル基)などが挙げられる。
【0023】
、R で表わされる芳香族複素環基としては、ヘテロ原子としてN、S、Oを含有する5または6員のものが好ましく、具体的には4−ピリジル基、3−ピリジル基、2−ピリジル基、2−チエニル基、3−チエニル基、3−フリル基、2−フリル基等が挙げられる。
【0024】
とR とが互いに結合して環を形成するときの環としては炭素環が好ましく、このような炭素環としてはベンゼン環、フェナントレン環等が挙げられる。
【0025】
およびX は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わし、これらは同一であっても異なるものであってもよい。
【0026】
、X で表わされるハロゲン原子は、塩素、臭素、ヨウ素等であり、X 、X で表わされる脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基はR 、R のところで挙げたものと同様のものを挙げることができる。
【0027】
なお、X およびX は、化2の化合物を合成する際の出発化合物に依存して導入されるものであり、また重合反応を停止したのち、目的や用途等に応じて上記の基を適宜導入してもよい。
【0028】
nは平均重合度を表わし、4以上の数であり、好ましくは10〜500である。
【0029】
化2の化合物の具体例を表1に示す。表中には、化2におけるR およびR の組み合わせで示している。なお、X 、X およびnは、目的や用途等に応じて適宜選択すればよい。
【0030】
【表1】
Figure 0003621977
【0031】
なお、化2の化合物の重量平均分子量は500〜150000程度である。この重量平均分子量は、光散乱法またはゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によって求めたものである。
【0032】
また、融点は200℃以上、さらには200〜300℃、または300℃以上もしくは融点を持たないものであり、後述のように、真空蒸着等によりアモルファス状態あるいは微結晶質状態の良質な膜が得られる。
【0033】
化2の化合物はギ酸、CF COOH等の有機酸に可溶であり、2位および/または3位に置換基を導入したものでは、ほとんどのものがCHCl 等の有機溶媒に可溶である。従って、塗布による層形成が可能になる。
【0034】
このような化2の化合物は、T.Yamamotoら、Macromolecules,25,1214(1992)、T.Kanbara ら、Chem.Lett.,583(1992)等に準じた方法で合成できる。より具体的には、5,8−ジブロモキノキサリンないしその誘導体をNiゼロ価錯体で重合するか、もしくはNiゼロ価錯体でグリニャール試薬とクロスカップリングすることで得られる。このような合成法をとることで、上記のように、種々の重合度(n)のオリゴマーないしポリマーが容易に得られる。
【0035】
このなかで、Niゼロ価錯体で重合させる方法により合成するときは、Niゼロ価錯体としてビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル等を用い、2,2’−ビピリジンや1,5−シクロオクタジエンなどとともに、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)等の非水溶媒中で30℃〜70℃程度の温度で12時間〜60時間程度反応させればよく、90%以上の高収率で目的物が得られる。また、重合度は合成の際Niゼロ価錯体のモル比を調整したりモノハロゲン化芳香族化合物を存在させることにより自由に調整することができる。特に、より低重合度のものの合成にはモノハロゲン化芳香族化合物の添加は有効である。
【0036】
化2の化合物の生成は、元素分析、IR、NMR等によって確認することができる。赤外吸収スペクトル(IR)、可視紫外吸収スペクトル(UV)、 H核磁気共鳴スペクトル(NMR)等の測定結果から、モノマー単位の結合は5,8位で制御されていることがわかる。
【0037】
本発明の有機EL素子(以下、「EL素子」ともいう。)は化2の化合物を少なくとも1種以上含有する層を少なくとも1層以上有するものである。
【0038】
化2の化合物は、蛍光特性を示すことから有機EL素子の発光層に用いることができる。特に、キノキサリン環の2,3位に芳香族置換基を導入したものは蛍光特性が強く、発光層に用いることが好ましい。
【0039】
また、化2の化合物は蛍光特性を示し、しかも電子受容性のイミン窒素の影響によりn型半導体特性を有することもあって、電子注入輸送機能が高いことから電子注入輸送層に用いることが好ましい。
【0040】
さらに、化2の化合物は電子注入輸送層を兼ねた形の発光層に用いることが好ましい。
【0041】
また、場合によって、化2の化合物は、正孔注入輸送層および電子注入輸送層を兼ねた発光層に用いることもできる。
【0042】
化2の化合物は、上記のように、電子注入輸送機能を有する層として、発光層、電子注入輸送層のいずれにも適用可能である。また、置換基を選択することにより350から700nmまでの任意の発光が可能である。特にこの化合物を用いた素子は高輝度の青色や青緑色の発光を得ることが可能である。
【0043】
本発明の有機EL素子は、例えば図1に示される構成のものであってよい。図1に示すように、有機EL素子1は基板2上に、陽極3、正孔注入輸送層4、発光層5、電子注入輸送層6、陰極7を順次有する。
【0044】
一般に、図1に示すように、正孔注入輸送層4および電子注入輸送層6は設けることが好ましい。ただし、化2の化合物のように、発光層5に用いる化合物の電子注入輸送機能が高い場合には、前記したように、電子注入輸送層6を設けることなく、発光層5が電子注入輸送層6を兼ねる構成とすることができる。
【0045】
また、本発明の有機EL素子では、正孔注入輸送層4を別途設けることが好ましく、これにより発光効率が向上する。
【0046】
有機EL素子における発光層は、正孔と電子の再結合により励起子を生成させ、その励起子を光に変換する機能を有する。正孔注入輸送層(「ホール注入輸送層」ともいう。)は、陽極からの正孔の注入を容易にする機能、正孔を輸送する機能および電子を妨げる機能を有し、電子注入輸送層は、陰極からの電子の注入を容易にする機能、電子を輸送する機能および正孔を妨げる機能を有するものであり、これらの層は、発光層へ注入される正孔や電子をバランス良く増大させ、再結合領域を最適化させ、電極へのエネルギー移動を防止し、発光効率を改善する。電子注入輸送層および正孔注入輸送層は、発光層に用いる化合物の電子注入、電子輸送、正孔注入、正孔輸送の各機能の高さを考慮し、必要に応じて設けられる。一部、前記したが、例えば、発光層に用いる化合物の正孔注入輸送機能または電子注入輸送機能が高い場合には、正孔注入輸送層または電子注入輸送層を設けずに、発光層が正孔注入輸送層または電子注入輸送層を兼ねる構成とすることができる。また、場合によっては正孔注入輸送層および電子注入輸送層のいずれも設けなくてよい。
【0047】
化2の化合物を発光層に用いる場合について説明する。この場合、発光層中には、他の蛍光性物質が含まれていてもよい。このときの他の蛍光性物質としては、例えば、特開昭63−264692号公報に開示されているような化合物、例えば金属錯体色素、クマリン、キナクリドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択される少なくとも1種以上が挙げられる。このような蛍光性物質の含有量は、化2の化合物の5モル%以下とすることが好ましい。このような化合物を適宜選択して添加することにより、発光光を長波長側にシフトすることができる。
【0048】
また、発光層には、一重項酸素クエンチャーが含有されていてもよい。このようなクエンチャーとしては、ニッケル錯体やルブレン、ジフェニルイソベンゾフラン、三級アミン等が挙げられる。このようなクエンチャーの含有量は、化2の化合物の10モル%以下とすることが好ましい。
【0049】
化2の化合物を電子注入輸送層に用いる場合、発光層に用いる蛍光性物質は、上記したように化2の化合物より長波長もしくは同程度の波長の蛍光をもつものから選択すればよく、例えば、上記した、発光層において化2の化合物と併用される蛍光性物質の1種以上から適宜選択すればよい。なお、このような場合、発光層にも化2の化合物を用いることができる。
【0050】
化2の化合物を電子注入輸送層に用い、さらに発光層にも用いる場合、発光効率を向上させるために、発光層にさらに他の蛍光性物質を併用してもよい。このときの蛍光性物質は、化2の化合物より長波長もしくは同程度の波長のものであって、かつ電子注入輸送層の化2の化合物より長波長もしくは同程度の蛍光をもつものを選択して用いればよい。このような蛍光性物質の含有量は、前記と同様に、化2の化合物の5モル%以下とすることが好ましい。また、このような蛍光性物質は電子注入輸送層に含有させてもよく、さらに正孔注入輸送層を設ける場合は正孔注入輸送層に含有させてもよい。
【0051】
また、化2の化合物を電子注入輸送層を兼ねた発光層に用いる場合にも、他の蛍光性物質を併用することができる。具体的には、前記の発光層と同様の用い方をすればよい。
【0052】
なお、電子注入輸送層(発光層を兼ねる場合も含む。)には、上記のほか、通常の有機EL素子に電子注入輸送材料として用いられている各種有機化合物、特開昭63−295695号公報、特開平2−191694号公報、特開平3−792号公報等に記載されているオキサジアゾール誘導体等を用いることができる。
【0053】
本発明の有機EL素子では、前記したように、発光層、電子注入輸送層に加えて正孔注入輸送層を設けることが好ましい。正孔注入輸送層には、通常の有機EL素子に正孔注入輸送材料として用いられている各種有機化合物、例えば、特開昭63−295695号公報、特開平2−191694号公報、特開平3−792号公報等に記載されている芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体等を用いることができる。
【0054】
特に、正孔注入輸送層に用いることが好ましい化合物は以下に示すとおりである。
【0055】
【化3】
Figure 0003621977
【0056】
【化4】
Figure 0003621977
【0057】
【化5】
Figure 0003621977
【0058】
発光層の厚さ、電子注入輸送層の厚さ、正孔注入輸送層の厚さは特に限定されず、形成方法によっても異なるが、通常、8〜1000nm程度、特に8〜200nmとすることが好ましい。正孔注入輸送層の厚さおよび電子注入輸送層の厚さは、通常、発光層の厚さと同程度とすればよい。
【0059】
陰極には、仕事関数の小さい材料、例えば、Li、Na、Mg、Al、Ag、Inあるいはこれらの1種以上を含む合金を用いることが好ましい。また、陰極は結晶粒が細かいことが好ましく、特に、アモルファス状態であることが好ましい。陰極の厚さは10〜1000nm程度とすることが好ましい。
【0060】
EL素子を面発光させるためには、少なくとも一方の電極が透明ないし半透明である必要があり、上記したように陰極の材料には制限があるので、好ましくは発光光の透過率が80%以上となるように陽極の材料および厚さを決定することが好ましい。具体的には、例えば、ITO、SnO 、Ni、Au、Pt、Pd、ポリチオフェン、ポリピロールなどを陽極に用いることが好ましい。また、陽極の厚さは10〜500nm程度とすることが好ましい。
【0061】
基板材料に特に制限はないが、図示例では基板側から発光光を取り出すため、ガラスや樹脂等の透明ないし半透明材料を用いる。また、基板に色フィルター膜や誘電体反射膜を用いて発光色をコントロールしてもよい。
【0062】
なお、基板に不透明な材料を用いる場合には、図1に示される積層順序を逆にしてもよい。
【0063】
次に、本発明の有機EL素子の製造方法を説明する。
【0064】
陰極および陽極は、蒸着法やスパッタ法等の気相成長法により形成することが好ましい。
【0065】
発光層、設けることが好ましい正孔注入輸送層、および必要に応じて設けられる電子注入輸送層の形成方法には特に制限はないが、真空蒸着法、スピンコート法などによることが好ましい。
【0066】
真空蒸着法は薄膜を形成する場合に有利であり、均質な薄膜が得られる。化2の化合物を用いて蒸着するとき、化2の化合物として、重合度(n)の比較的低いオリゴマーを用いることが好ましいが、ポリマーも用いることができる。ただし、ポリマーを用いて蒸着した場合4から20のモノマー単位となって蒸着される。蒸着された化合物が上記化合物であることは、薄膜状態において、赤外吸収スペクトル、可視紫外吸収スペクトル、蛍光スペクトル等で確認できる。
【0067】
また、生成した薄膜は、アモルファス状態または結晶粒径が0.1μm 以下の均質な状態のものとなる。結晶粒径が大きくなると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を高くしなければならなくなり、電荷の注入効率も著しく低下する。なお、上記の結晶粒径の下限には特に制限はないが、通常0.01μm 程度である。
【0068】
真空蒸着の条件は特に限定されないが、10−5Torr以下の真空度とし、蒸着速度は0.1〜1nm/sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続して各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げるため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低くすることができる。
【0069】
これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場合において、所定の1層に複数の化合物を含有させる場合、化合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着することが好ましい。
【0070】
スピンコート法による場合、用いる化2の化合物はポリマーの方が好ましい。スピンコートの条件は特に限定されず、公知の方法によればよい。用いる塗布溶媒としては溶解性の優れるハロゲン系溶媒が好ましいが、トルエン、ケトン系溶媒、セロソルブ系溶媒などを用いてもよい。
【0071】
また、スピンコート法のほか、他の溶液塗布法(ディップ、キャスト等)によってもよく、さらにはラングミュア・ブロジェット(LB)法などを用いることもできる。スピンコート法も含め溶液塗布法では、蛍光性物質ないし化合物や正孔注入輸送材料等のキャリア輸送性化合物等のゲスト物質を化2の化合物に分散させる構成としてもよい。
【0072】
本発明の有機EL素子は、通常、直流駆動型のEL素子として用いられるが、交流駆動またはパルス駆動することもできる。印加電圧は、通常、2〜20V 程度とされる。
【0073】
【実施例】
以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
【0074】
実験例1
有機EL素子用化合物として、表1、2に示すもののなかから例示化合物(1)[n=50]、(3)[n=240]、(6)[n=220]、(7)[n=80]、(11)[n=380]について、以下に合成例を示す。
【0075】
(i)ポリ(キノキサリン−5,8−ジイル)[化合物(1):X =X =HまたはBr]の合成
ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(Ni(cod) )0.53g (1.9mmol)、2,2’−ビピリジン0.30g (1.91mmol)と、1,5−シクロオクタジエン0.35mlを、N,N−ジメチルホルムアミド25mlに窒素雰囲気中で混合し、さらに5,8−ジブロモノキサリン0.46g (1.60mmol)を加え、40℃で24時間攪拌した。その結果薄い黄色のポリマーを沈澱として得た。得られたポリマーからニッケル化合物などを除去するため、アンモニア水、エチレンジアミン水溶液、メタノールで洗浄し、目的物を得た。収率は95%であった。
【0076】
Figure 0003621977
【0077】
ii )ポリ(2,3−ジエチルキノキサリン−5,8−ジイル)[化合物(3):X =X =H]の合成
ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(Ni(cod) 0.53g (1.9mmol)、2,2’−ビピリジン0.30g (1.91mmol)と、1,5−シクロオクタジエン0.35mlを、N,N−ジメチルホルムアミド25mlに窒素雰囲気中で混合し、さらに5,8−ジブロモ−2,3−ジエチルキノキサリン0.54g (1.59mmol)を加え、40℃で24時間攪拌した。その結果薄い黄色のポリマーを沈澱として得た。得られたポリマーからニッケル化合物などを除去するため、アンモニア水、エチレンジアミン水溶液、メタノールで洗浄し、目的物を得た。収率は98%であった。
【0078】
Figure 0003621977
【0079】
iii )ポリ(2,3−ジフェニル−キノキサリン−5,8−ジイル)[化合物(6):X =X =H]の合成
ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(Ni(cod) )0.53g (1.9mmol)、2,2’−ビピリジン0.30g (1.91mmol)と、1,5−シクロオクタジエン0.35mlを、N,N−ジメチルホルムアミド25mlに窒素雰囲気中で混合し、さらに5,8−ジブロモ−2,3−ジフェニルキノキサリン0.70g (1.59mmol)を加え、40℃で24時間攪拌した。その結果薄い黄色のポリマー沈澱として得た。得られたポリマーからニッケル化合物などを除去するため、アンモニア水、エチレンジアミン水溶液、メタノールで洗浄し、目的物を得た。収率は95%であった。
【0080】
Figure 0003621977
【0081】
iv )ポリ(2,3−ジ(p−トリル)−キノキサリン−5,8−ジイル)[化合物(4):X =X =HまたはBr]の合成
合成例3において、5,8−ジブロモ−2,3−ジフェニルキノキサリンのかわりに、5,8−ジブロモ−2,3−ジ(p−トリル)−キノキサリンを同モル量加えるほかは同様にして目的物を得た。収率は99%であった。
【0082】
Figure 0003621977
【0083】
(v)ポリ(2,3−ジ(p−メトキシフェニル)−キノキサリン−5,8−ジイル)[化合物(11):X =X =H]の合成
合成例3において、5,8−ジブロモ−2,3−ジフェニルキノキサリンのかわりに、5,8−ジブロモ−2,3−ジ(p−メトキシフェニル)−キノキサリンを同モル量加えるほかは同様にして目的物を得た。収率は95%であった。
【0084】
Figure 0003621977
【0085】
実験例2
化2の化合物の特性を調べ、EL素子への適用が可能であることを確認した。
【0086】
(1)サイクリックボルタングラム、エレクトロクロミズムおよび電気伝導度
表1の例示化合物(6)[n=220]についてサイクリックボルタンメトリーを測定した。測定は、電解質として(C NClO を用い、(C NClO の0.1MCH CN中で行い、掃引速度は10mVs−1 とした。この結果を図2に示す。
【0087】
図2から明らかなように、例示化合物(6)は−2.0V (対Ag/Ag )付近で可逆な電気化学的n型ドーピング/脱ドーピングピークと色の変化が観測された。色の変化は化6の式に基づくものと考えられ、ライトイエローからダークパープルへの変化を示した。
【0088】
【化6】
Figure 0003621977
【0089】
また、上記と同じ溶媒を用い、0.0V、−1.8V、−2.0V(いずれもVS.Ag/Ag )におけるUVスペクトルを測定した。この結果を図3に示す。
【0090】
図3から明らかなように、エレクトロミズムが観測された。
【0091】
表1の例示化合物(1)[n=50]、(3)[n=240]、(7)[n=80]、(11)[n=380]についても、上記と同様のサイクリックボルタンメトリーの測定を行ったところ、同様のピークが観測され、色の変化も観測された。このピーク電位を例示化合物(6)の結果とともに表3に示す。
【0092】
さらに、例示化合物(1)、(3)、(6)、(7)、(11)のそれぞれに、NaC10 を用いてNaをドープし、電気伝導導度を測定した。この結果も表2に併記する。
【0093】
【表2】
Figure 0003621977
【0094】
サイクリックボルタングラムの結果およびエレクトロミズムの観測、さらには、Naドープにより電気伝導度の向上がみられることから、化2の化合物は電気受容性のイミン窒素の影響によってn型半導体特性を有することがわかる。
【0095】
(2)蛍光スペクトル
表1の例示化合物(6)、(7)、(11)について蛍光スペクトルを測定した。クロロホルム(CHCl )溶液とキャストフィルムについて図4、図5に測定結果を示す。なお、励起光の波長(Ex)は図中に示すとおりである。測定は、クロロホルム溶液の場合は0.1wt% 溶液として、キャストフィルムの場合は0.1μm 厚として行った。
【0096】
図4、図5の結果から明らかなように、いずれの化合物も強い蛍光特性を示すことがわかる。
【0097】
以上(1)、(2)の結果から、化2の化合物はEL素子の電子注入輸送層、発光層に用いることができることがわかる。
【0098】
実験例3
表1の例示化合物(6)を用いて、図1に示すようなEL素子を作製した。ただし、発光層のみとし、発光層が正孔注入輸送層と電子注入輸送層とを兼ねる形とした。
【0099】
まず、例示化合物(6)0.1g をCHCl 10mlに溶解し、可溶部を用いて、厚さ100nmのITO透明電極(陽極)を有するガラス基板上に、100nmの厚さにスピンコートし、発光層とした。ただし、上記のガラス基板は、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥して用いた。
【0100】
次いで、この塗布基板を蒸着装置の基板ホルダーに固定して、1×100−6Torrまで減圧し、MgAg(重量比10:1)を蒸着速度0.2nm/secで200nmの厚さに蒸着して陰極とし、有機EL素子を得た。
【0101】
このEL素子に電圧を印加して、電圧と電流密度の関係を調べたところ、図6に示すような電流−電圧特性が得られた。
【0102】
次に、11Vの電圧を印加してエレクトロルミネッセンスを調べた。結果を図7に示す。図7には実施例2のフォトルミネッセンスの結果も併記する。
【0103】
図7より、フォトルミネッセンスとほぼ同様に、490nm付近にエレクトロルミネッセンスを示すことがわかる。
【0104】
さらに、電流密度と輝度との関係を調べた。結果を図8に示す。
【0105】
図8より、電流密度と輝度とは良好な直線関係を示すことがわかる。従って、化2の化合物はEL素子に用いて素子機能を発現することが確認された。
【0106】
実験例4
厚さ100nmのITO透明電極(陽極)を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥した。
【0107】
次いで、表1の例示化合物(6)を1wt% クロロホルム溶液とし、50nmの厚さにスピンコートし、発光層とした。
【0108】
次いで、この塗布基板を蒸着装置の基板ホルダーに固定して、1×10−6Torrまで減圧し、MgAg(重量比10:1)を蒸着速度0.2nm/sec で200nmの厚さに蒸着して陰極とし、EL素子を得た。
【0109】
このEL素子に電圧を印加して電流を流したところ、11V 、1000mA/cmで10cd/m の緑色(発光極大波長λmax =490nm)の発光が確認され、この発光は100時間以上安定していた。
【0110】
実験例5
厚さ100nmのITO透明電極(陽極)を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥した。
【0111】
ポリ(N−ビニルカルバゾール)[化4の例示化合物(H−4)]を1wt% クロロホルム溶液として、50nmの厚さにスピンコートし、ホール注入輸送層とした。
【0112】
次いで、表1の例示化合物(6)を1wt% クロロホルム溶液とし、50nmの厚さにスピンコートし、発光および電子注入層とした。
【0113】
次いで、この塗布基板を蒸着装置の基板ホルダーに固定して、1×10−6Torrまで減圧し、MgAg(重量比10:1)を蒸着速度0.2nm/sec で200nmの厚さに蒸着して陰極とし、EL素子を得た。
【0114】
このEL素子に電圧を印加して電流を流したところ、14V 、100mA/cmで10cd/m の青緑色(発光極大波長λmax =480nm)の発光が確認され、この発光は100時間以上安定していた。
【0115】
実験例6
厚さ100nmのITO透明電極(陽極)を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥した。
【0116】
ポリ(N−ビニルカルバゾール)[化4の例示化合物(H−4)]を1wt% クロロホルム溶液として、50nmの厚さにスピンコートし、ホール注入輸送層とした。
【0117】
次いで、表1の例示化合物(6)と他の蛍光性物質としてクマリン6を重量比100:1で1wt% クロロホルム溶液とし、50nmの厚さにスピンコートし、発光および電子注入輸送層とした。
【0118】
次いで、この塗布基板を蒸着装置の基板ホルダーに固定して、1×10−6Torrまで減圧し、MgAg(重量比10:1)を蒸着速度0.2nm/sec で200nmの厚さに蒸着して陰極とし、EL素子を得た。
【0119】
このEL素子に電圧を印加して電流を流したところ、14V 、100mA/cmで100cd/m の緑色(発光極大波長λmax =500nm)の発光が確認され、この発光は100時間以上安定していた。
【0120】
実験例7
厚さ100nmのITO透明電極(陽極)を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥し、蒸着装置の基板ホルダーに固定して、1×10−6Torrまで減圧した。
【0121】
ポリ−p−フェニレン[化5の例示化合物(H−10)]を50nmの厚さに蒸着し、ホール注入輸送層とした。
【0122】
次いで、表1の例示化合物(6)と1wt% クロロホルム溶液とし、50nmの厚さにスピンコートし、発光および電子注入層とした。
【0123】
次いで、この塗布基板を蒸着装置の基板ホルダーに固定して、1×10−6Torrまで減圧し、MgAg(重量比10:1)を蒸着速度0.2nm/sec で200nmの厚さに蒸着して陰極とし、EL素子を得た。
【0124】
このEL素子に電圧を印加して電流を流したところ、12V 、100mA/cmで20cd/m の青緑色(発光極大波長λmax =485nm)の発光が確認され、この発光は100時間以上安定していた。
【0125】
実験例8
厚さ100nmのITO透明電極(陽極)を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥し、蒸着装置の基板ホルダーに固定して、1×10−6Torrまで減圧した。
【0126】
次いで、N,N’−(3−ジメチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン[化4の例示化合物(H−2)]を50nmの厚さに蒸着し、ホール注入輸送層とした。
【0127】
次いで、減圧状態を保ったまま、表1の例示化合物(6)を10nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送および発光層とした。
【0128】
さらに、減圧状態を保ったまま、MgAg(重量比10:1)を蒸着速度0.2nm/secで200nmの厚さに蒸着して陰極とし、EL素子を得た。
【0129】
このEL素子に電圧を印加して電流を流したところ、12V 、1000mA/cmで100cd/m の黄橙色(発光極大波長λmax =560nm)の発光が確認され、この発光は100時間以上安定していた。
【0130】
実施例
上記実験例4〜8において、例示化合物(6)に代えて、表1、2の化合物(10)〜(19)および(23)、(24)のなかから1種以上の化合物を種々選択して発光層、発光および電子注入輸送層に用いたところ、上記と同等の結果が得られた。
【0131】
【発明の効果】
本発明によれば、高輝度が安定して得られる有機EL素子が実現する。また、耐熱性、耐久性が高く、安定した駆動が可能である。さらにはムラがなく均一な発光が可能であり、定電圧で効率よく発光する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の有機EL素子の構成例を示す側面図である。
【図2】本発明の化合物のサイクリックボルタングラムを示すグラフである。
【図3】本発明の化合物のエレクトロクロミズムを示すグラフである。
【図4】本発明の化合物の蛍光特性を示すグラフである。
【図5】本発明の化合物の蛍光特性を示すグラフである。
【図6】本発明のEL素子における電圧と電流密度の関係を示すグラフである。
【図7】本発明の化合物のエレクトロルミネッセンスおよびフォトルミネッセンスを示すグラフである。
【図8】本発明のEL素子の電流密度と輝度との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1 有機EL素子
2 基板
3 陽極
4 正孔注入輸送層
5 発光層
6 電子注入輸送層
7 陰極

Claims (4)

  1. 下記化1で示されるポリ(キノキサリン−5,8−ジイル)化合物である有機EL素子用化合物を少なくとも1種以上含有する層を少なくとも1層以上有する有機EL素子。
    Figure 0003621977
    [化1において、R およびR は、それぞれビフェニル、p−メトキシフェニル、m−メトキシフェニル、o−メトキシフェニル、4−ピリジル、3−ピリジル、2−ピリジル、2−チェニル、3−チェニルおよび3−フリルのいずれかを表わし、これらは同一であっても異なるものであってもよい。R とR とは互いに結合してベンゼン環またはフェナトレン環を形成してもよい。X およびX は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わし、これらは同一であっても異なるものであってもよい。nは4以上の数である。]
  2. 前記有機EL素子用化合物を含有する層が電子注入輸送機能を有する層である請求項1の有機EL素子。
  3. 前記有機EL素子用化合物を含有する層がさらに少なくとも1種以上の蛍光性物質を含有する請求項1または2の有機EL素子。
  4. さらに、正孔注入輸送層を有する請求項2または3の有機EL素子。
JP22057193A 1993-08-12 1993-08-12 有機el素子 Expired - Lifetime JP3621977B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22057193A JP3621977B2 (ja) 1993-08-12 1993-08-12 有機el素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22057193A JP3621977B2 (ja) 1993-08-12 1993-08-12 有機el素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0753956A JPH0753956A (ja) 1995-02-28
JP3621977B2 true JP3621977B2 (ja) 2005-02-23

Family

ID=16753078

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22057193A Expired - Lifetime JP3621977B2 (ja) 1993-08-12 1993-08-12 有機el素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3621977B2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3796787B2 (ja) * 1996-01-09 2006-07-12 東レ株式会社 発光素子
JP4956862B2 (ja) * 2001-03-23 2012-06-20 Tdk株式会社 高分子化合物およびその製造方法と使用法
JPWO2004050641A1 (ja) * 2002-11-29 2006-03-30 関西ティー・エル・オー株式会社 アニリン系オリゴマーないしポリマー、その製造方法、有機el素子及びその製造方法、並びに、光電変換有機デバイス
JP5241183B2 (ja) * 2006-09-29 2013-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 キノキサリン誘導体、発光素子、発光装置及び電子機器
US8314101B2 (en) * 2007-11-30 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Quinoxaline derivative, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic device using quinoxaline derivative
WO2011138885A1 (ja) * 2010-05-06 2011-11-10 住友化学株式会社 高分子化合物及びそれを用いた有機光電変換素子
JP5138733B2 (ja) * 2010-06-14 2013-02-06 双葉電子工業株式会社 高分子化合物およびその製造方法と使用法
JP2014060182A (ja) * 2011-01-13 2014-04-03 Lintec Corp 共重合ポリマー、及び有機光電変換素子

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0753956A (ja) 1995-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3534445B2 (ja) ポリチオフェンを用いたel素子
JP3816969B2 (ja) 有機el素子
US5142343A (en) Organic electroluminescence device with oligomers
JP3419534B2 (ja) トリスアリールアミノベンゼン誘導体、有機el素子用化合物および有機el素子
US6942931B2 (en) White electroluminescent polymer and organic electroluminescent device using the same
JP4847327B2 (ja) 共役ポリマー、その調製と使用
JP2008277853A (ja) 有機el素子
Gong et al. End‐capping as a method for improving carrier injection in electrophosphorescent light‐emitting diodes
JP3621977B2 (ja) 有機el素子
JP4508516B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
Vellis et al. Carbazolevinylene‐based polymers and model compounds with oxadiazole and triphenylamine segments: Synthesis, photophysics, and electroluminescence
JP2003007470A (ja) 有機電界発光素子
JP2007194338A (ja) 有機電界発光素子およびその製造方法
JP2007194338A5 (ja)
JP3471910B2 (ja) 有機el素子
JP3927221B2 (ja) ポリチオフェンを用いたel素子
JP4134535B2 (ja) 有機電界発光素子
JPH06342690A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2005259442A (ja) 有機電界発光素子
JP4190542B2 (ja) フェニルアントラセン誘導体
JP3999781B2 (ja) 有機el素子
JP2004111134A (ja) 有機電界発光素子
JP3829848B2 (ja) ポリチオフェンを用いたel素子
JP2005235646A (ja) 有機電界発光素子
JP4267670B2 (ja) 有機el素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20020910

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20040611

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20041026

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081203

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091203

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091203

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101203

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101203

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111203

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111203

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121203

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121203

Year of fee payment: 8

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121203

Year of fee payment: 8

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121203

Year of fee payment: 8

R370 Written measure of declining of transfer procedure

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203

Year of fee payment: 9

R370 Written measure of declining of transfer procedure

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203

Year of fee payment: 9

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203

Year of fee payment: 9

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term