JP3544358B2 - 下地段差平坦化方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体等の製造工程における下地段差平坦化方法、およびその方法を用いて製造する半導体装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
昨今、半導体素子の微細化に伴い、その下地段差の平坦化が益々重要になってきている。その平坦化方法としては、L. K. White, J. Electrochem. Soc. 130 (1983) 1543 に開示されているように、半導体基板上に有機樹脂材料を回転塗布した後、熱流動温度以上の高温で熱処理する方法が広く知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の方法では高温熱処理が要求されるため、高温熱処理装置が必要であると共に、高温熱処理が不可能な半導体の製造工程には適用できないという問題があった。
【0004】
そこで、この発明は、前記従来技術の問題点に鑑み、高温熱処理が不要な下地段差平坦化方法を提供することを課題とする。
また、その方法を用いて製造する半導体装置の製造方法を提供することも、この発明の課題としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、この発明は次のような特徴を備えている。
【0006】
この発明の下地段差平坦化方法は、請求項1に記載のように、段差を有する下地層の上にシリル化レジストを塗布し、このシリル化レジストにシリル化処理を施すことによりその熱流動温度を低下せしめ、低温で前記シリル化レジストを熱流動させて前記段差を平坦化するものである。
【0007】
この発明の下地段差平坦化方法は、請求項2に記載のように、段差を有する下地層の上にシリル化レジストを塗布し、このシリル化レジストにシリル化処理を施すことによりその熱流動温度を低下せしめ、低温で前記シリル化レジストを熱流動させ、シリル化反応を生じた前記シリル化レジストを露光することによって架橋させて前記段差を平坦化するものである。
【0008】
この発明の下地段差平坦化方法は、請求項3に記載のように、段差を有するSi酸化膜からなる下地層の上にシリル化レジストを塗布し、このシリル化レジストにシリル化処理を施すことによりその熱流動温度を低下せしめ、低温で前記シリル化レジストを熱流動させ、シリル化反応を生じた前記シリル化レジストを前記段差と共にCF系ガスプラズマ処理を施すことによりエッチバックし、前記下地層を平坦化するものである。
【0010】
この発明の半導体装置の製造方法は、請求項4に記載のように、請求項1ないし3の何れかに記載の下地段差平坦化方法を用いて製造するものである。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、図を用いてこの発明の実施の形態を説明する。
【0012】
実施の形態1.
図1(a)〜(c)は実施の形態1にかかる半導体の下地段差平坦化方法の工程を説明するための模式図である。
【0013】
まず、図1(a)に示すように、半導体製造工程において基板1の上に形成された下地層2には往々にして段差2aが発生する。そこで、図1(b)に示すように、段差2a上にシリル化反応を生じ易い高分子樹脂材料であるシリル化レジスト3を回転塗布法により0.5 〜1.0um 程度の薄膜に塗布形成する(第1の工程)。シリル化レジスト3には、例えば、ポリビニル系ポリマをPGMEA 等の溶媒に溶解させ酸発生剤(Triphenylsulfonium triflate等)を添加して調合したものが好適である。また、この工程で塗布するシリル化レジスト3の塗布膜厚は、段差2の高さに応じて適切な厚さにすることが必要である。
【0014】
次いで、図1(c)に示すように、Si元素を含む有機ガス雰囲気<Si>(図では簡便のためシリル化剤をSiと示している)中で、シリル化レジスト3を熱処理することによりシリル化反応を促す(第2の工程)。ここで、Si元素を含む有機ガスには、例えばジメチルシリルジメチルアミン(DMSDMA)が好適である。また、この工程でのシリル化処理の条件としては、シリル化剤圧力50torr、処理時間60秒、処理温度80℃が好適であるが、必ずしもその条件に限定されるものではない。
【0015】
第2の工程におけるシリル化処理によりシリル化レジスト3はその材質中に含まれるフェノール性水酸基とジメチルシリルジメチルアミンが反応するためTgが50℃近傍に低下する。このため、シリル化処理中(あるいは処理後)にシリル化レジスト3が熱流動し、80℃という低温で十分に熱フローさせることが可能となる。この結果、図2に示すように、段差2aが平坦なシリル化レジスト3に覆われる、すなわち下地段差の平坦化が達成される。
このように、実施の形態1の方法は、高温熱処理を必要としないので、高温熱処理が不可能な半導体の製造工程にも適用できる。
【0016】
実施の形態2.
図3は、実施の形態2にかかる、半導体製造工程における下地段差平坦化方法の工程を説明するための模式図である。この実施の形態では、実施の形態1に示した第1、第2の工程を経て段差2aの平坦化を達成した後、図3に矢印で示すように、さらにシリル化レジスト3の全面に対して露光4を行い、シリル化レジスト3を架橋させる。ここで行う露光には、周知の紫外線、X線、電子線等の高エネルギー照射が可能な露光方法が適用可能であるが、仮にアルゴンフロライド(ArF) エキシマレーザにより露光を行う場合は、その照射量は、30〜50mJ/cm2程度が好適である。
【0017】
シリル化レジスト3は、架橋することにより、溶剤に不溶となると共にそのTgも大きくなる。この不溶のシリル化レジストは誘電率が小さいので、そのままで配線工程の層間絶縁材として適用できる。
したがって、この実施の形態の方法によれば、半導体の下地段差の平坦化が達成できると同時に、絶縁材質を備えることができる。
【0018】
実施の形態3.
図4(a)、(b)は、実施の形態3にかかる、半導体製造工程における下地段差平坦化方法の工程を説明するための模式図である。この実施の形態では、下地層がSi酸化膜で、このシリコン酸化膜に段差がある場合の平坦化について説明する。
【0019】
この実施の形態では、まず図4(a)に示すように、基板1の上に下地層2として段差2aを有するSi酸化膜が形成されており、この上に実施の形態1に示した第1、第2の工程の手順により、シリル化レジスト3を熱流動させて平坦化する。
次に、図4(b)に示すように、シリル化レジスト3の全面を、CF系プラズマ5中でエッチング処理を施してエッチバックを行なう。このエッチング処理に関しては、ラムリサーチ社製エッチング装置TCP−9400、C2 F6 / O2 混合ガス、トップパワー200 W、ボトムパワー5W で120秒程の処理を行えば十分である。
【0020】
シリル化処理後のシリル化レジスト3はSi元素を元素比率で10%程度含んでおり、エッチング速度はSi酸化膜とほぼ同等である。したがって、CF系ガスプラズマ処理によるエッチバックによってシリル化レジスト3と段差2aとが同様にエッチングされて、段差2aが除去されると、図5に示すように平坦なSi酸化膜6が形成される。
【0021】
以上の実施の形態1ないし3の下地段差平坦化方法は、半導体製造工程のうちの一工程であって、この工程に続いてその上にさらに他の絶縁膜あるいは導電膜が形成され、またエッチングされるなどして多くの工程が積み上げられて半導体装置が製造される。
なお、この下地段差の平坦化方法は、半導体製造に限られず、他の電子デバイスの製造工程などにも適用可能である。
【0022】
以上実施の形態1ないし3に示したように、この発明によれば、下地段差の平坦化が80℃という低温で十分可能になる。したがって、この発明によれば、高温熱処理を必要としないことから、半導体製造工程の低コスト化が図れる。
また、高温熱処理装置も不要となり、半導体製造工程における装置の簡略化もできる。
さらに、この発明の方法は、高温熱処理できない工程にも適用可能であることから、多くの種類の半導体製造工程に適用できる。
【0023】
【発明の効果】
上述したように、この発明によれば、高温熱処理が不要な下地段差平坦化方法を提供できる。したがって、半導体製造工程の簡略化がなされ、この方法により製造される半導体装置の低価格化が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1にかかる半導体の下地段差平坦化方法の工程を説明するための模式図である。
【図2】実施の形態1の方法により製造される半導体装置の構成を示す模式図である。
【図3】実施の形態2にかかる半導体の下地段差平坦化方法の工程を説明するための模式図である。
【図4】実施の形態3にかかる半導体の下地段差平坦化方法の工程を説明するための模式図である。
【図5】実施の形態3の方法により製造される半導体装置の構成を示す模式図である。
【符号の説明】
1 基板
2 下地層
2a 段差
3 シリル化レジスト
4 露光
5 CF系プラズマ
6 Si酸化膜
Claims (4)
- 段差を有する下地層の上にシリル化レジストを塗布し、このシリル化レジストにシリル化処理を施すことによりその熱流動温度を低下せしめ、低温で前記シリル化レジストを熱流動させて前記段差を平坦化するようにしたことを特徴とする下地段差平坦化方法。
- 段差を有する下地層の上にシリル化レジストを塗布し、このシリル化レジストにシリル化処理を施すことによりその熱流動温度を低下せしめ、低温で前記シリル化レジストを熱流動させ、シリル化反応を生じた前記シリル化レジストを露光することによって架橋させて前記段差を平坦化するようにしたことを特徴とする下地段差平坦化方法。
- 段差を有するSi酸化膜からなる下地層の上にシリル化レジストを塗布し、このシリル化レジストにシリル化処理を施すことによりその熱流動温度を低下せしめ、低温で前記シリル化レジストを熱流動させ、シリル化反応を生じた前記シリル化レジストを前記段差と共にCF系ガスプラズマ処理を施すことによりエッチバックし、前記下地層を平坦化するようにしたことを特徴とする下地段差平坦化方法。
- 請求項1ないし3の何れかに記載の方法を用いて下地段差を平坦化する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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