JP3539055B2 - 電子写真感光体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真において
使用されるデジタル電子写真に適した電子写真感光体に
関するものである。詳しくは、光減衰曲線において閾値
を有し、高表面電位から低表面電位へ遷移させる露光エ
ネルギー変化が小さい電子写真感光体（高γ値感光体）
に関するものである。なお、本発明において、「光減衰
曲線において閾値を有する」と言うことは以下のことを
意味するものとする。即ち光減衰曲線において、帯電直
後の初期電位をＶ₀ （Ｖ）、残留電位として５０μＪ／
ｃｍ ² の光を照射したときの表面電位をＶｒ（Ｖ）とし
た時の両者の差をΔＶ（Ｖ₀−Ｖ_r ）とする。この時、
「９５％表面電位」Ｖ₉₅として、残留電位にΔＶの９５
％の値を加えた表面電位（Ｖ₉₅＝ΔＶ×０．９５＋Ｖ
ｒ）をとり、「５％表面電位」Ｖ₅ として、残留電位に
ΔＶの５％の値を加えた表面電位（Ｖ₅ ＝ΔＶ×０．０
５＋Ｖ_r ）をとり、Ｖ₉₅、Ｖ₅ を与える露光エネルギー
を、各々「９５％露光エネルギー」Ｅ₉₅、「５％露光エ
ネルギー」Ｅ₅ として求め、Ｅ₅ ／Ｅ₉₅の値が５以下で
あることを意味するものとする。

【０００２】

【従来の技術】カールソン法をはじめとする電子写真法
は、原稿像をアナログ的に描写することを主眼点におい
て開発されてきた。従って、入力光の明暗を忠実にトナ
ー像の明暗として再現するために、そこで用いられる感
光体としては、入力光量（の対数値）に対して線形に相
似する光電流が流れる特性を有することが求められてき
た。そのため、このような特性（低γ特性）を有する感
光剤を感光体の材料として選択することが原則的であっ
た。そのため、電子写真法の初期段階における単純な光
導電体に近いものからはじまり、セレン（Ｓｅ）系のア
モルファス状態の感光層や、シリコン（Ｓｉ）のアモル
ファス層や、Ｓｅのアモルファス層と類似すべく作られ
たＺｎＯの結着層等が、感光体として使用されてきた。
さらに近年では、特に有機半導体を使用したいわゆる機
能分離型の感光層が感光体として使用されるまでに展開
してきている。ところが、近年、電子写真技術とコンピ
ュータ・通信が結合し、プリンターやファクシミリの方
式が電子写真記録方式に急激に移行し、また、通常のコ
ピーマシーンであっても、反転、切りとり、白抜き等の
画像処理を可能とする方式になりつつある。そのため、
電子写真の記録方式も、従来のＰＰＣ用アナログ記録形
式からデジタル記録形式への変更が望まれている。

【０００３】また、デジタル記録方式で使用される入力
光源としてＡｒレーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザー等の気体
レーザーや半導体レーザー、液晶等のシャッターアレ
イ、ＬＥＤ、ＥＬアレイ等がある。なかでも半導体レー
ザーは小型化、低コスト化が可能であることから現在の
主流となっており、半導体レーザーの発振波長である近
赤外域に高い感度を有する感光剤が必要となる。

【０００４】さらに、前記したように、アナログ概念に
基づく伝統的な電子写真法に用いられている感光体は、
低γ特性を有しており、その特性上、コンピューターの
データ出力用のプリンター、または画像をデジタル処理
するデジタルコピー等、入力されたデジタル光信号をデ
ジタル像として描写する必要がある電子写真には不向き
である。即ち、コンピューターや画像処理装置から当該
電子写真装置に達するまでの信号路におけるデジタル信
号の劣化や、書き込み用の光ビームを集光させ、また
は、原稿像を結像させるための光学系による収差までを
も、これらの感光剤を用いた感光体は忠実に描写してし
まい、本来のデジタル画像を再現し得ないからである。
従って、この分野に利用できる高感度でかつ高γ特性を
有するデジタル感光体の提供が強く渇望されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】こうした中、特開平１
−１６９４５４号公報には、デジタル感光体の概念が開
示されている。しかしながら、このデジタル感光体に使
用できる材料に関しては、具体的に述べられていない。
本発明は、この現状に鑑みなされたもので、デジタル光
入力に対して優れた性能（高γ特性）を有すると共に、
繰り返し特性の優れた高寿命、高安定な感光体を提供す
ることを目的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意研究を重ねた結果、フタロシアニ
ンとポリカーボネート樹脂を分散させた感光体中にカル
ボキシル基を有する化合物を含有させた感光体が、デジ
タル光入力に対して優れた性能（高γ特性）を有すると
共に、繰り返し特性の優れた高寿命、高安定なデジタル
感光体であることを見出し、本発明を完成させた。

【０００７】すなわち本発明は、チタニルフタロシアニ
ンを結着樹脂中に分散してなる感光層を導電性基体上に
設けた電子写真感光体において、結着樹脂としてポリカ
ーボネート樹脂を用い、感光層中にカルボキシル基を有
する化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体
である。特には光減衰曲線において閾値を有し、高表面
電位から低表面電位へ遷移させる露光エネルギー変化が
小さい電子写真感光体（高γ値感光体）である。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。 （１）チタニルフタロシアニン チタニルフタロシアニンはこれまで様々な結晶形が知ら
れているが、本発明で用いられるチタニルフタロシアニ
ンとしては特に限られず、例えば、アモルファス形、通
常、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいてブ
ラッグ角（２θ±０．２°）７．６°、２５．３°、２
８．６°に主たるピークを有するα形、通常、ブラッグ
角（２θ±０．２°）９．３°、１３．３°、２６．３
°に主たるピークを有するβ形、通常、ブラッグ角（２
θ±０．２°）７．０°、１５．６°、２３．４°、２
５．５°に主たるピークを有するｃ形、通常、ブラッグ
角（２θ±０．２°）９．５°、２４．１°、２７．３
°にピークを示し、このうち２７．３°の回折ピークの
強度が最も強い結晶形等が挙げられる。その中でもアモ
ルファス形、β形及びブラッグ角（２θ±０．２°）
９．５°、２４．１°、２７．３°にピークを示し、こ
のうち２７．３°の回折ピークの強度が最も強い結晶形
が好ましく、更にＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ
角（２θ±０．２°）９．５°、２４．１°、２７．３
°に通常、ピークを示し、このうち２７．３°の回折ピ
ークの強度が最も強い結晶形のチタニルフタロシアニン
が最も好ましい。

【０００９】チタニルフタロシアニンの合成方法は、モ
ーザー及びトーマスの「フタロシアニン化合物」（ＭＯ
ＳＥＲ ａｎｄ ＴＨＯＭＡＳ，“Ｐｈｔｈａｌｏｃｙ
ａｎｉｎｅ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ”）の公知方法等、い
ずれの方法によっても良い。例えば、ｏ−フタロニトリ
ルと四塩化チタンを加熱融解またはα−クロロナフタレ
ンなどの有機溶媒の存在下で加熱する方法、１，３−ジ
イミノイソインドリンとテトラブトキシチタンをＮ−メ
チルピロリドンなどの有機溶媒で加熱する方法により収
率良く得られる。このように合成したチタニルフタロシ
アニンには塩素置換体フタロシアニンが含有されていて
も良い。また、上記記載の２７．３°の回折ピークの強
度が最も強いチタニルフタロシアニンの製造法として
は、例えば、チタニルフタロシアニンを機械的に摩砕
し、水と有機溶剤を加えて処理する、特開平２−２８９
６５８号記載の方法等により製造できるが、この方法に
限定されるものではなく、例えば他の製造方法により製
造可能であっても、結晶学的に同じ結晶形に属するもの
であれば包含するものである。

【００１０】（２）ポリカーボネート樹脂 本発明で用いられるポリカーボネート樹脂は、下記一般
式に示される構造を持つものなら特に制限はない。

【００１１】

【化１】

【００１２】なお、上記一般式においてＲは２価の有機
残基を表わし、ｎは自然数を表わす。本発明で用いられ
るポリカーボネート樹脂の製造法としては、芳香族ジヒ
ドロキシ化合物と炭酸誘導体とのエステル交換により重
合する方法（エステル交換法、溶融重合法）と芳香族ジ
ヒドロキシ化合物とホスゲンとを脱酸剤の存在下溶液中
あるいは界面にて重合する方法（ホスゲン法）、環状オ
リゴカーボネートの開環重合による方法等がある。

【００１３】本発明で使用されるポリカーボネート樹脂
をホスゲン法（界面重合法）により製造する方法は、有
機溶剤として、塩化メチレン、トルエン、キシレンが使
用され、脱酸剤としてアルカリ水溶液が用いられ、ジヒ
ドロキシ化合物のアルカリ水溶液に有機溶剤を共存さ
せ、その中にホスゲンを吹き込むことによって重合を行
う。ホスゲンは通常２０％程度過剰に吹き込む。また、
重合反応を促進させるために第三級アミンや第四級アン
モニウム、ホスホニウム塩等を加えても良い。反応温度
は、０〜５０℃であり、好ましくは１０〜３０℃であ
る。反応時間は温度、触媒等の条件によって変化する
が、３０分〜５時間である。

【００１４】本発明で使用されるポリカーボネート樹脂
をエステル交換法により製造する方法は、芳香族ジヒド
ロキシ化合物と炭酸の芳香族エステルとを塩基触媒存在
下溶融重合する。エステル交換の触媒としては、アルカ
リ金属、アルカリ土類金属、酸化亜鉛等の塩基性金属酸
化物、各種金属の炭酸塩、酢酸塩、水素化物、第四級ア
ンモニウム塩、ホスホニウム塩等の塩基性金属塩が用い
られる。重合温度は、２００〜３５０℃の間で徐々に減
圧にすることによって重合させる。最終的には１ｍｍＨ
ｇ以下の高減圧とし反応を終了させる。反応時間は温
度、触媒等の条件によって変化するが、２〜５時間であ
る。また、重合中は、分解、架橋等の異常反応を抑制す
るため窒素、アルゴン等の不活性雰囲気下で行うべきで
ある。

【００１５】本発明に結着樹脂として使用されるポリカ
ーボネート樹脂は、数平均分子量は３０００〜５０００
００が好ましく、更に１００００〜２０００００のもの
が好ましい。また、ガラス転移温度については２０〜３
００℃、更に好ましくは５０〜２５０℃である。この様
なポリカーボネート樹脂は、上記各単量体を上記の方法
で重合させても良いが、市販品を用いることもできる。
市販品の例としては、三菱ガス化学（株）製の「ユーピ
ロン」（特にＺ−２００）、バイエルジャパン（株）製
の「ＡＰＥＣ」等が挙げられる。なお、本発明において
結着樹脂は実質ポリカーボネート樹脂のみ用いることが
好ましいが、場合によっては、他の樹脂を混合してもよ
い。

【００１６】（３）カルボキシル基を有する化合物 本発明のカルボキシル基を有する化合物は、カルボキシ
ル基を含有していれば特に制限はないが、炭素数６〜３
０の芳香族カルボン酸化合物、又は、炭素数６〜２０の
脂肪族カルボン酸化合物が好ましい。更に炭素数６〜２
５の芳香族カルボン酸化合物、炭素数６〜１５の脂肪族
カルボン酸化合物が好ましい。上記、カルボン酸化合物
のなかでも、ハロゲン原子またはニトロ基、エステル基
等の電子吸引基が置換基として含有されていることが更
に好ましい。これらカルボン酸化合物は例えば、芳香族
系では、安息香酸、フッ化安息香酸、塩化安息香酸、臭
化安息香酸（これらハロゲン原子数は１〜５）、トリフ
ルオロメチル安息香酸、トリクロロメチル安息香酸、ニ
トロ安息香酸（ニトロ基数１〜５）、アミノ安息香酸
（アミノ基数１〜５）、メチル安息香酸（メチル基数１
〜５）、ｔ−ブチル安息香酸（ｔ−ブチル基数１〜
３）、メトキシ安息香酸（メトキシ基数１〜３）、ソデ
ィウム−ハイドロキシ−クロロフタレート、テレフタル
酸、イソフタル酸、フタル酸、ナフタレンカルボン酸、
ナフタレンジカルボン酸、ビフェニルカルボン酸、ビフ
ェニルジカルボン酸、アントラセンカルボン酸、アント
ラセンジカルボン酸、フェニル酢酸、フルオロフェニル
酢酸、クロロフェニル酢酸、メチルフェニル酢酸、メト
キシフェニル酢酸、ケイヒ酸、ヒドロキシケイヒ酸等が
挙げられる。

【００１７】脂肪族系では、ヘプタン酸、２−エチルヘ
キサン酸、オクタン酸、シクロヘキサンピロピオン酸、
ノナン酸、トリメチルヘキサン酸、デカン酸、エイコサ
ン酸、ヘプタンジカルボン酸、２−エチルヘキサン酸、
オクタンジカルボン酸、シクロヘキサンピロピオン酸、
ノナンジカルボン酸、トリメチルヘキサン酸、デカンジ
カルボン酸、エイコサンジカルボン酸等が挙げられる。
上記カルボキシル基を有する化合物の添加率は、チタニ
ルフタロシアニンと結着樹脂であるポリカーボネートの
総重量に対して０．００１〜２０ｗｔ％、好ましくは
０．００１〜１０ｗｔ％、更に好ましくは０．００１〜
５ｗｔ％である。

【００１８】（４）電子写真感光体 本発明の電子写真感光体は、上述のチタニルフタロシア
ニンと上述のカルボキシル基を有する化合物を上述のポ
リカーボネート樹脂中に分散させた感光層を導電性基体
上に設けることにより得られる。すなわち、チタニルフ
タロシアニンとカルボキシル基を有する化合物とポリカ
ーボネート樹脂を溶剤等とともに、ボールミル、アトラ
イター等の混練分散機で均一に分散させ、導電性基体上
に塗布して、単層の感光層を形成させればよい。

【００１９】すなわち、チタニルフタロシアニンとポリ
カーボネート樹脂とを、ポリカーボネート樹脂のフタロ
シアニンに対する重量比を１〜１０程度にし、それらの
重量に対しカルボン酸化合物を０．００１〜２０ｗｔ％
を加え、溶剤とともに混合する。そして、混合された分
散液を通常電子写真感光体に用いられるアルミニウム等
の金属、もしくは、導電処理した紙、プラスティックな
どの導電性基体上に塗布し、感光層を形成させる。

【００２０】塗布液に使用する溶剤は、上記をポリカー
ボネート樹脂を溶解し、かつ性能を阻害するチタニルフ
タロシアニンの結晶が成長しないものから選択すること
が好ましく、この様な性質を有する溶剤として、例え
ば、トルエン、キシレン、ミネラルスピリット等の炭化
水素類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルブチル
ケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、ジクロロメタ
ン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼ
ン等のハロゲン化炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジ
オキサン、モノグライム、ジグライム、アニソール等の
エーテル類、メタノール、エタノール、プロパノール、
ブタノール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、ブ
チルセルソルブ、シクロヘキサノール等のアルコール
類、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等のエステ
ル類、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等
のアミド類等を挙げることができる。これらの溶剤につ
いては、１種を単独であるいは２種以上を混合して用い
ることができる。塗布方法としては、必要ならば上記混
合物にトルエン、シクロヘキサノン等の溶剤を加えて粘
度を調整し、エアードクターコーター、プレートコータ
ー、ディップコーター、リングコーター、ロッドコータ
ー、リバースコーター、スプレーコーター、ホットコー
ター、スクイーズコーター、グラビアコーター等の塗布
方式で被膜形成を行う。塗布後、光導電性層として十分
な帯電電位が付与されるようになるまで乾燥を行う。乾
燥は室温における予備乾燥後、３０〜３００℃の温度で
１分〜２４時間の範囲で行う。

【００２１】本発明による上記のような手段に従って製
造された電子写真感光体（以下、本発明の感光体とす
る）は、通常、樹脂／光導電性材料が重量比で１以上で
ある。従って、例えば、樹脂／光導電材料の重量比が
０．２である酸化亜鉛を用いた従来の感光体の場合に比
べ、樹脂量が多い。よって、被膜の物理的強度があり、
可撓性に富む感光体を実現することができる。

【００２２】さらに、感光体の諸特性を改善する目的
で、導電性基体と感光層との間に下引き層、感光層上に
オーバーコート層を設けることも可能である。また、安
定性等を改善する目的で酸化防止剤等の添加剤を加える
こともできる。この様にして得られる感光層の膜厚は５
〜５０μｍの範囲が好ましく、１０〜３０μｍの範囲が
更に好ましい。

【００２３】以上のようにして製造された本発明の感光
体は、導電性基体との接着性が大きく、耐湿性が良好で
あり、経時変化が少なく、毒性上の問題が少なく、製造
が容易であり、安価である等の実用上優れた特徴を有す
るものである。上記のようにして得た本発明の感光体
は、通常、正帯電で用いられ、従来の感光体の場合に比
し、特異的な光電流の流れ方をするためデジタル光入力
用感光体として用いることができる。

【００２４】すなわち、従来の感光体は、上述したよう
に、入力光量（の対数値）に対して線形に対応した量の
光電流が流れるのに対して、本発明の感光体は、ある入
力光量までは光電流が流れず、或いはごく小量であり、
その光量を越えた直後から急激に光電流が流れ出すとい
う光減衰曲線において閾値を有するものである（図４参
照）。

【００２５】デジタル記録は、画像階調をドット面積に
よって表現するため、この記録方式に使用される感光体
の光感度特性は上記のものが好ましい。なぜなら、レー
ザースポットを光学系で正確に変調したとしても、スポ
ットそのものの光量の分布やハローは原理的に避けられ
ない。従って、光エネルギー（入力光量）の変化を段階
的にひろう従来の感光体では光量変化によってドットパ
ターンが変化し、ノイズとしてカブリの原因になる。従
って、本発明の感光体は、デジタル光入力用感光体に有
利な感光体である。

【００２６】

【実施例】以下、実施例により本発明を説明する。 〈チタニルフタロシアニンの製造例〉 製造例１ １，３−ジイミノイソインドリン５８ｇ、テトラブトキ
シチタン５１ｇをα−クロロナフタレン３００ｍｌ中で
２１０℃にて５時間反応後、１５０℃で熱濾過し、α−
クロロナフタレン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）の
順で洗浄した。その後、熱ＤＭＦ、熱水、メタノールで
洗浄、乾燥して５１ｇのチタニルフタロシアニンを得
た。このチタニルフタロシアニンのＸ線図を図１に示
す。ブラッグ角（２θ±０．２°）９．３°、１３．２
°、２６．２°にピークを有するβ形チタニルフタロシ
アニンである。

【００２７】製造例２ 製造例１で製造したチタニルフタロシアニン４ｇを硫酸
４００ｇに０℃で溶解し、この酸溶液を０℃に冷却した
水４Ｌに滴下した。滴下終了後１時間攪拌し、濾過した
後、水で濾液が中性となるまで洗浄してチタニルフタロ
シアニン３．１ｇを得た。このチタニルフタロシアニン
のＸ線図を図２に示す。特に鋭いピークを有さないアモ
ルファス形である。

【００２８】製造例３ 製造例１で製造したチタニルフタロシアニン６ｇとガラ
スビーズ５０ｇを１００ｍｌのポリビンに入れ、ペイン
トシェーカー（レッドデビル社製）で４０時間摩砕し
た。その後、メタノールでチタニルフタロシアニンをガ
ラスビーズから分離し、得られたチタニルフタロシアニ
ンを水１００ｍｌで洗浄した。このチタニルフタロシア
ニンウエットケーキを水１００ｍｌとジクロロベンゼン
１０ｍｌの混合溶液に加え１時間攪拌し、濾過後、メタ
ノールで洗浄し、チタニルフタロシアニン４．３ｇを得
た。このチタニルフタロシアニンのＸ線図を図３に示
す。ブラッグ角（２θ±０．２°）９．５°、２４．１
°、２７．３°にピークを有し、このうち２７．３°の
回折ピークの強度が最も強い。

【００２９】〈ポリカーボネート樹脂の製造例〉 製造例４ 攪拌装置、還流冷却器、温度計、ガス導入管、ｐＨ電
極、滴下ロートを備えた２Ｌフラスコを窒素置換した
後、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−シクロ
ヘキサン（１４７．４ｇ、０．５５モル）、亜硫酸水素
ナトリウム（０．１１ｇ）、水酸化ナトリウム水溶液
（ＮａＯＨ：５５ｇ、１．３８モル、水：６００ｍ
ｌ）、塩化メチレン（４００ｍｌ）を入れた。反応温度
を２３〜２７℃に保ち、激しく攪拌しながらホスゲンを
反応溶液のｐＨが７に下がるまで吹き込んだ。反応に要
する時間は約２時間であった。約７０ｇのホスゲンが使
用された。次に水酸化ナトリウム水溶液（ＮａＯＨ：３
０ｇ、水：３０ｍｌ）、塩化ベンジルトリエチルアンモ
ニウム（４．８ｇ）を加え、２５〜３５℃で１時間激し
く攪拌した。反応終了後、水相から有機相を分離し、有
機相を水（５００ｍｌ）で３回洗浄した。更に２％ＨＣ
ｌ水溶液（５００ｍｌ）、水（５００ｍｌ）で洗浄し
た。洗浄後、メタノール中に投入し、濾別後、減圧下１
００℃で１０時間乾燥させた。

【００３０】製造例５ 製造例４の１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
シクロヘキサン（１４７．４ｇ、０．５５モル）を１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−シクロヘキサン
（７３．７ｇ、０．２７５モル）とビスフェノールＡ
（６２．５ｇ、０．２７５モル）に変え、製造例４と同
様に重合した。

【００３１】製造例６ 製造例４の１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
シクロヘキサン（１４７．４ｇ、０．５５モル）を１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−シクロヘキサン
（７３．７ｇ、０．２７５モル）とビスフェノールＦ
（５５ｇ、０．２７５モル）に変え、製造例４と同様に
重合した。

【００３２】製造例７ 製造例４の１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
シクロヘキサン（１４７．４ｇ、０．５５モル）を１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−ト
リメチルシクロヘキサン（１７０．５ｇ、０．２７５モ
ル）とビスフェノールＡ（６２．５ｇ、０．２７５モ
ル）に変え、製造例４と同様に重合した。

【００３３】製造例８ 製造例４の１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
シクロヘキサン（１４７．４ｇ、０．５５モル）を１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−シクロヘキサン
（７３．７ｇ、０．２７５モル）、１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）−フェニル−エタン（７９．８
ｇ、０．２７５モル）に変え、製造例４と同様に重合し
た。次に、各製造例で得られたチタニルフタロシアニン
及びポリカーボネート樹脂並びにカルボキシル基を含有
する化合物を用いた本発明の電子写真感光体の実施例を
説明する。

【００３４】実施例１ 製造例１で得られたチタニルフタロシアニン０．２５ｇ
と安息香酸０．０１２５ｇ（１ｗｔ％）を、製造例４で
得られたポリカーボネート樹脂１．０ｇ、トルエン６．
５ｇ、ガラスビーズ（直径２ｍｍ）１２ｇとともにガラ
ス容器中に密閉し、ペイントシェーカー（レッドデビル
社製）により４時間分散させ、分散後ガラスビーズを分
離し感光体塗布液を得た。この感光体塗布液を厚さ９０
μｍの脱脂したアルミニウムシート上にワイヤーバー法
により塗布し、室温で予備乾燥後、オーブン中で１００
℃、１時間の乾燥処理を行い、感光層膜厚が１８μｍの
感光体を得た。

【００３５】実施例２〜４７ 下記第１表に示されるチタニルフタロシアニン（ＴｉＯ
Ｐｃ）０．２５ｇ、カルボン酸化合物、ポリカーボネー
ト樹脂（ＰＣＲ）１．０ｇを用い、実施例１と同様な方
法で感光体を得た。

【００３６】

【表１】

【００３７】

【表２】

【００３８】

【表３】

【００３９】以下、本発明の各実施例によるカルボキシ
ル基含有化合物を評価するために用いる比較例を説明す
る。 比較例１ 製造例１で得られたチタニルフタロシアニン０．２５ｇ
を、製造例４で得られたポリカーボネート樹脂１．０
ｇ、トルエン６．５ｇ、ガラスビーズ（直径２ｍｍ）１
２ｇとともにガラス容器中に密閉し、ペイントシェーカ
ー（レッドデビル社製）により４時間分散させ、分散後
ガラスビーズを分離し感光体塗布液を得た。この感光体
塗布液を厚さ９０μｍの脱脂したアルミシート上にワイ
ヤーバー法により塗布し、室温で予備乾燥後、オーブン
中で１００℃、１時間の乾燥処理を行い、感光層膜厚１
８μｍの感光体を得た。

【００４０】比較例２〜９ 下記第２表に示されるチタニルフタロシアニン（ＴｉＯ
Ｐｃ）０．２５ｇ、ポリカーボネート樹脂（ＰＣＲ）
１．０ｇを用い、カルボキシル基含有化合物を用いず、
比較例１と同様な方法で感光体を得た。なお、比較例９
ではカルボキシル基を有する化合物の代りにエステル化
合物を用いた。

【００４１】

【表４】

【００４２】〈電子写真感光体の評価〉上記で得られた
各実施例及び各比較例の感光体について、光感度特性を
感光体評価装置（シンシア−５５、ジェンテック社製）
を用いて評価した。まず、＋６．０ＫＶの電圧でコロナ
帯電させ、光強度が異なった７８０ｎｍの単色光をコロ
ナ帯電させた感光体に各々照射し、各光強度に対する光
減衰時間曲線（照射時間に対する表面電位の特性曲線）
を各々測定した。そして、その曲線から得られた一定時
間照射（ここでは０．０７５秒）後における表面電位
を、各々光エネルギーに対してプロットした。これを光
減衰曲線と称し、一例を図４に示す。

【００４３】表面電位を帯電直後の初期電位Ｖ₀ とほぼ
同じ程度（９５％表面電位）に維持できる光エネルギー
をＥ₉₅（光減衰曲線における立ち下がり点の光エネルギ
ー）、表面電位を５０μＪ／ｃｍ² 照射後の残留電位Ｖ
_r 程度（５％表面電位）までに低下させることのできる
光エネルギーをＥ₅ （光減衰曲線における立ち上がり点
の光エネルギー）とし、Ｅ₅ ／Ｅ₉₅の値を以下の評価基
準でデジタル記録可能の目途とした。

【００４４】 ０ ＜ Ｅ₅ ／Ｅ₉₅ ≦ ５ ： デジタル記録可能 ５ ＜ Ｅ₉₅／Ｅ₅ ： アナログ記録 また、０＜Ｅ₅ ／Ｅ₉₅≦５であるもののうち、Ｅ₉₅が小
さいほど光感度がよく、電子写真感光体として優れてい
るといえる。評価結果を第３表に示す。

【００４５】

【表５】

【００４６】

【表６】

【００４７】

【表７】

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のチタニル
フタロシアニン、カルボキシル基を有する化合物をポリ
カーボネート樹脂に分散させてなる感光体は、光入力に
対し特異な光電力の流れ方、すなわち、アナログ光であ
ってもデジタル光であってもデジタル信号として出力で
きるものである。従って、デジタル記録形式の電子写真
に使用できると共に、従来のＰＰＣ（アナログ光入力）
用感光体に使用してもエッジのシャープな高画質画像を
実現できるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】製造例１で得たチタニルフタロシアニンのＸ線
図

【図２】製造例２で得たチタニルフタロシアニンのＸ線
図

【図３】製造例３で得たチタニルフタロシアニンのＸ線
図

【図４】光減衰曲線の一例を示す図

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−42162（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−217050（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−5714（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−313973（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−273948（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−130704（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−118676（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−118675（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−313387（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−289379（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−113671（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−100453（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−100452（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−296369（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−250458（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−217462（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−78753（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−169454（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03G 5/00

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 チタニルフタロシアニンを結着樹脂中に
   分散してなる感光層を導電性基体上に設けた電子写真感
   光体において、前記感光体はその光減衰曲線において閾
   値を有するデジタル光入力用であり、かつ結着樹脂とし
   てポリカーボネート樹脂を用い、感光層中にカルボキシ
   ル基を有する化合物を含有することを特徴とする電子写
   真感光体。
2. 【請求項２】 上記カルボキシル基を有する化合物が、
   炭素数６〜３０の芳香族カルボン酸化合物、又は、炭素
   数６〜２０の脂肪族カルボン酸化合物であることを特徴
   とする請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 【請求項３】 上記カルボキシル基を有する化合物の含
   有量が、感光体中全固形分に対して０．００１〜２０ｗ
   ｔ％であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電
   子写真感光体。
4. 【請求項４】 上記チタニルフタロシアニンが、Ｘ線回
   折スペクトルにおいて、ブラッグ角（２θ±０．２°）
   ９．５°、２４．１°及び２７．３°にピークを示し、
   このうち２７．３°の回折ピークの強度が最も強い結晶
   形のチタニルフタロシアニンであることを特徴とする請
   求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。