JP3533648B2 - 活性酸素種包接カルシア・アルミナ系酸化物単結晶およびその製造方法 - Google Patents

活性酸素種包接カルシア・アルミナ系酸化物単結晶およびその製造方法

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【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、活性酸素種包接カ
ルシア・アルミナ系酸化物単結晶およびその製造方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】活性酸素種の一種であるO イオンラ
ジカルを構成陰イオンとする無機化合物には、化学式R
(R=アルカリ金属)で表されるアルカリ金属過酸
化物が知られているが、これらの化合物はいずれも不安
定で300℃以下の温度で容易に分解するため、酸化触
媒やイオン伝導体などの用途には使用できない。
【0003】また、活性酸素種の一種であるOイオン
ラジカルは、アルカリハライド、カルシウム・アルミガ
ラス中などに少量含まれた例が報告されている(J.R.Bra
lsford 他,J. Chem. Physics, Vol. 49, pp. 2237 (196
8)、H.Hosono 他, J. Am. Ceramic Soc., Vol.70, pp.
867 (1987))が、Oイオンラジカルを構成イオンとす
る化合物はこれまで知られていない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】Ca12Al14
33結晶体中では、O2−イオンは、ケージ内に存在
し、カチオンと結合できず、フリーな状態になってい
る。このような状態を「包接」という。本発明者の一人
である細野らは、固相反応法により合成したCa12
1433+x多結晶体中に4×1018cm−3
度のO が包接されていることを発見し、フリー酸素
の一部がO の形でゲージ内に存在するというモデル
を提案している(H.Hosono and Y.Abe, Inorg. Chem., V
ol. 26, pp.1193(1987))。
【0005】さらに、活性酸素種であるO イオンラ
ジカルおよび/またはOイオンラジカルを1020
−3以上の高濃度に包接するCa12Al14
33+x多結晶の作製に成功している(細野秀雄他,特
願2001-049524)。しかし、その単結晶は未だ得られて
いなかった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ca−Al−
O骨格構造中にO2−のほかにO やOの活性酸素
種を1×10 19 cm −3 以上の高濃度に包接した構造
を有する化学式Ca12Al1433+x(ただし、
0.0≦x≦3.0)で表されるカルシア・アルミナ系
酸化物単結晶である。
【0007】また、本発明は、原料酸化物の組成をカル
シア・アルミナ系酸化物の化学量論組成近傍の34〜3
8mol%Alとした焼結原料棒を、赤外線集光
加熱炉内の上方に配置し、下部に種結晶を配置し、酸素
を含むガス雰囲気中で焼結原料棒の下端と種結晶の上端
を融解させて種結晶に接触させて溶融帯を形成した状態
で種結晶と加熱源との相対位置を移動させて結晶を育成
した後に0.1MPa以上の酸素分圧雰囲気中、120
0〜1450℃でアニールすることを特徴とする上記の
カルシア・アルミナ系酸化物単結晶の製造方法である。
【0008】また、本発明は、円筒状耐火材を加熱領域
内に挿入して円筒状耐火材を加熱して育成結晶を保温す
ることにより結晶の成長界面の形状を横方向からみて平
坦形状か、あるいは上方に凸形状にすることにより気泡
のない単結晶を育成することを特徴とする上記のカルシ
ア・アルミナ系酸化物単結晶の製造方法である。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明に係る活性酸素種包接カル
シア・アルミナ系酸化物(Ca12Al1433+x)
単結晶は、カルシア・アルミナ系酸化物の化学量論組成
近傍の焼結原料棒を、赤外線集光加熱炉を用いて酸素を
含むガス雰囲気中で融解し、種結晶上に析出育成して得
られる方法であり、ルツボを使わず酸素ガスを含む育成
雰囲気で行う点に特徴がある。
【0010】Ca12Al1433+x結晶の密度は
その液体の密度より小さいので結晶化する際に膨張する
ため、ブリッジマン法や引き上げ法のように容器を用い
る結晶育成法ではCa12Al1433+x結晶やル
ツボに応力がかかり、それらが割れてしまう問題があ
り、また、Ca12Al1433+x結晶は酸化力が
強いので白金などの金属がCa12Al1433+x
の固体あるいは液体と接触すると酸化されて脆くなって
しまうために白金などの金属製のルツボは使えない。
【0011】さらに、活性酸素種包接カルシア・アルミ
ナ系酸化物(Ca12Al14 3+x)単結晶は、酸
素を含む雰囲気中でのみ生成するので、結晶育成雰囲気
には、空気または酸素ガスなどの酸素を含むガスを用い
る必要がある。したがって、上記の方法はCa12Al
1433+x結晶の育成に特に有用な方法であるとい
える。
【0012】原料酸化物の組成は、カルシア・アルミナ
系酸化物(Ca12Al1433)の化学量論組成近傍
の34〜38mol%Al組成とし、ガス雰囲気
は空気あるいは酸素ガスなどの酸素を含むガスを用い
る。34mol%Al未満では、CaAl
やCaOなどのAl含有量の少ない化合物が不
純物として析出し、38mol%Al超では、C
aAlなどAl含有量の多い化合物が析出
する。酸素を含まないガスを用いると、CaAl
とCaAlの混合物が生成する。空気の酸素分
圧は約0.02MPaであり、この程度以上の酸素分圧
であれば十分である。
【0013】赤外線集光加熱炉は、従来、純粋な酸素や
種々の酸素分圧のガス雰囲気中でフローティングゾーン
法により酸化物超伝導体(Nd2-xCexCuO4,La2-xSrxCuO4)
やタンタライト(FeTa2O6)など複合酸化物の単結晶を育
成する方法として用いられる(特開平2−275800
号公報、特開2000−191396号公報、特開20
01−139390号公報)。例えば、図1に示すよう
な、四楕円面鏡型赤外線集光加熱炉にハロゲンランプ
(1.5kW)4個を装着しているものである。
【0014】回転楕円面鏡1は、赤外線を効率よく反射
させると共に耐久性を持たせるためにアルミニウムコー
ティングを施してあり、その回転楕円面鏡1の外側焦点
の加熱光源として、1.5kWのハロゲンランプ2が配
置され、これから発した赤外線は中心部の他の焦点に集
光する。この焦点には溶融帯9が配置されている。
【0015】溶融帯9の温度調整はランプの電圧の昇降
により0℃〜2000℃に調整可能である。溶融帯9の
上部には原料棒8が上回転軸4に吊り下げられている。
また、溶融帯9の下部には種結晶10が下回転軸5に支
えられ、上回転軸4及び下回転軸5は同時に移動させる
ことができ、さらに、上回転軸4を移動させて上下回転
軸の間隔を自由に調整でき、各回転軸は夫々回転できる
ようになっている。
【0016】透明石英管3により、これら溶融帯9の周
辺は外気から遮断されているので雰囲気及びその圧力を
変えることができる。ガス導入口7より例えば酸素を封
入せしめて、酸素圧を印加させることができる。封入し
たガスは上部のガス排出口6から排出できる。また、赤
外線集光加熱炉の外部にはCCDカメラを配置し、育成結
晶の形状や溶融帯の状態を観察できるようになってい
る。その他、回転楕円面鏡1内に圧縮空気を吹込み楕円
面鏡や加熱源のランプを冷却したり、回転軸の保持部は
溶融帯域の伝導熱、対流熱を防止するために水冷するよ
うになっている。
【0017】上記の赤外線集光加熱炉を用い、酸素分圧
を0.02MPa以上に制御されたガス雰囲気下におい
て酸化物原料棒の一部を融解させて種結晶に接触させて
溶融帯を形成した状態で種結晶と加熱源との相対位置を
移動させて種結晶上にカルシア・アルミナ系酸化物(C
12Al1433+x)単結晶を析出させる。この
方法により直径2mm以上、長さ40mm以上の単結晶
を製造することができる。
【0018】カルシア・アルミナ系酸化物の結晶育成に
おいて結晶育成時の育成速度を大きくすると過冷却度が
大きくなるために溶融帯中の気泡が結晶中に取り込まれ
てしまうという問題がある。カルシア・アルミナ系酸化
物結晶のような無色透明な結晶は赤外線を吸収しないた
めに、結晶育成中に育成結晶の表面温度が極端に下がっ
てしまうために固液界面の形状が横方向から見て上方に
凹の形状をしている。
【0019】そこで、図5に示すように、アルミナ製管
11などの円筒状耐火材を加熱集光領域内に挿入して円
筒状耐火材を加熱して育成結晶12を保温して結晶表面
の過冷を防ぐと、育成結晶12の成長界面Xの形状がア
ルミナ製管11などを用いない場合の横方向から見て上
方に凹(図5のa)形状から平坦形状か、あるいは上方
に凸(図5のb)形状に反転し、溶融帯中の気泡が抜け
やすくなり育成結晶12中への気泡の混入を防いだり、
育成結晶12中の歪みを緩和してクラックの除去に効果
的であり、育成速度3mm/hでも気泡のない単結晶が
得られる。
【0020】純酸素(酸素分圧0.1MPa以上)での
結晶育成が困難な場合などにドライ空気中で結晶育成し
た場合は、さらに、育成結晶に酸素アニール処理、すな
わち純酸素雰囲気中でアニール処理を施す。これによ
り、単結晶中のO2−イオンが酸素と反応して1×10
19cm−3以上のOイオンラジカルやO イオン
ラジカルが形成される。酸素アニール処理条件は、酸素
分圧0.1MPa以上、処理温度1200〜1450℃
が好ましい。
【0021】カルシア・アルミナ系酸化物(Ca12
1433+x)単結晶中の活性酸素種は単結晶中を
移動できるので、本発明のカルシア・アルミナ系酸化物
(Ca12Al1433+x)単結晶は、イオン伝導
体として使用することができ、固体電解質燃料電池用の
電極材料として用いることができる。
【0022】また、それらの活性酸素種は強い酸化作用
があるので、カルシア・アルミナ系酸化物(Ca12
1433+x)単結晶は、酸化触媒としての機能も
組み合わせると、酸素フィルターやメタンのメタノール
酸化剤として用いることができる。
【0023】さらに、本発明の製造方法によれば、カル
シア・アルミナ系酸化物(Ca12Al1433+x)
の光学的、電気的および磁気的性質などのバルク特性お
よび活性酸素種の挙動を精密にかつ詳細に調べることが
できる十分な大きさの良質な結晶が得られる。
【0024】
【実施例】実施例1 出発原料として純度99.90%以上の炭酸カルシウム
(CaCO)と酸化アルミニウム(Al)を用い、
各原料を酸化物のモル比に換算してCaO:Al
=12:7となるように秤量し、エタノールで湿式混合
した。
【0025】この混合原料を空気中で乾燥した後、酸素
気流中1100℃で24時間焼成してCa12Al14
33原料粉末を得た。この原料粉末をラバープレス法
により300MPaの静水圧下で直径5mm、長さ60
mmの丸棒状に成型した。丸棒状成型体を酸素気流中1
250〜1300℃で12時間焼結して原料棒を得た。
【0026】結晶育成に用いた装置は、図1に示すよう
な、四楕円面鏡型赤外線集中加熱炉にハロゲンランプ
(1.5kW)4個を装着しているものである。育成雰囲
気として酸素ガスをガス圧0.1MPaで200ml/
min流した。回転軸は上,下それぞれ逆方向に30r
pmで回転させ、ランプ電圧を上げて原料棒の下端と種
結晶の上端を融解させて溶融帯を形成した。溶融帯を
0.3mm/hの速度で下方に移動させ、直径の最小部
2mm、最大部5mm、長さ50mm大の無色透明な結
晶を得た。図2には、その育成結晶の光学写真を示す。
【0027】育成速度0.5mm/hの場合、結晶中に
無数の気泡が混入していることが観察された。育成速度
0.3mm/hで育成すると、気泡のない結晶を得た。
得られた結晶をX線背面ラウエ写真法により調べたとこ
ろ、図3に示すように、明確な回折斑点が観測され、(1
11)面の回折反射パターンに一致することから、得られ
た結晶は単結晶であることが確認された。
【0028】得られた単結晶を酸素気流中1350℃で
6時間アニールを施し、8Kにおける光吸収スペクトル
と、比較のため水蒸気を含む空気中1200℃で24時
間アニールし、O およびO濃度を検出限界以下に
低減した場合の光吸収スペクトルを測定した。光子エネ
ルギー(eV)と吸収係数の関係をそれぞれ、図4の
(A)および(B)に示す。図4の(A)に示すよう
に、OイオンラジカルとO イオンラジカルに対応
する4.2eVと4.9eVに吸収が観測され、O
オンラジカルとO イオンラジカルの活性酸素種がC
12Al14 3+x単結晶の表面だけでなく単結
晶内に存在していることを確認した。
【0029】実施例2 実施例1と同様な条件で単結晶を育成した。ただし、結
晶育成時に図5に示すように、加熱溶融部分の集光領域
に外径17mm、内径13mm、長さ50mmのアルミ
ナ製管を挿入し、育成速度を3mm/hとした。アルミ
ナ製管を用いることにより、結晶の成長界面Xの形状が
図5に示すように、横方向から見て上方に凹から凸に反
転した形状となり、気泡やクラックの除去に有効であ
り、育成速度3mm/hでも気泡のない単結晶が得られ
た。
【0030】
【発明の効果】Ca−Al−O骨格構造中に包接してい
るOイオンラジカルとO イオンラジカルの活性酸
素種がCa12Al1433+x単結晶の表面だけで
なく単結晶内に存在していることから、結晶表面での強
い酸化触媒作用と結晶内でのイオン伝導を組み合わせ
て、酸素フィルター作用やメタンガスのメタノール酸化
作用をもたらす単結晶を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明のカルシア・アルミナ系酸化物
(Ca12Al1433+x)単結晶の製造に用いる回
転楕円面鏡型赤外線集光加熱炉の概略側面図である。
【図2】図2は、実施例1によって得られたカルシア・
アルミナ系酸化物(Ca12Al1433+x)単結晶
の形態を示す図面代用光学写真である。
【図3】図3は、カルシア・アルミナ系酸化物(Ca
12Al1433+x)単結晶の育成断面構造を示す
図面代用のX線背面ラウエ写真である。
【図4】図4は、実施例1によって得られたカルシア・
アルミナ系酸化物(Ca12Al1433+x)単結晶
を酸素気流中1350℃で6時間アニールを施した場合
の温度8Kにおける光吸収スペクトル(A)と比較例の
光吸収スペクトル(B)を示す図である。
【図5】図5は、集光領域にアルミナ製管を使わない場
合(a)と用いた場合(b)の結晶の成長界面の形状を
横方向から見た説明図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 功 山梨県甲府市大手1−2−9大学第6宿 舎RA−12 (72)発明者 綿打 敏司 山梨県甲府市古府中町4954クボタマンシ ョン201 (56)参考文献 特開2002−3218(JP,A) 特開2002−316867(JP,A) 特開2002−167296(JP,A) 特開2002−247790(JP,A) 特公 昭50−8197(JP,B1) 特公 昭50−8196(JP,B1) 国際公開01/79115(WO,A1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C30B 29/22 B01J 23/02 CA(STN)

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 Ca−Al−O骨格構造中にO2−のほ
    かにO やOの活性酸素種を1×10 19 cm −3
    以上の高濃度に包接した構造を有する化学式Ca12
    1433+x(ただし、0.0≦x≦3.0)で表
    されるカルシア・アルミナ系酸化物単結晶。
  2. 【請求項2】 原料酸化物の組成をカルシア・アルミナ
    系酸化物の化学量論組成近傍の34〜38mol%Al
    とした焼結原料棒を、赤外線集光加熱炉内の上方
    に配置し、下部に種結晶を配置し、酸素を含むガス雰囲
    気中で焼結原料棒の下端と種結晶の上端を融解させて種
    結晶に接触させて溶融帯を形成した状態で種結晶と加熱
    源との相対位置を移動させて結晶を育成した後に0.1
    MPa以上の酸素分圧雰囲気中、1200〜1450℃
    でアニールすることを特徴とする請求項1記載のカルシ
    ア・アルミナ系酸化物単結晶の製造方法。
  3. 【請求項3】 円筒状耐火材を加熱領域内に挿入して円
    筒状耐火材を加熱して育成結晶を保温することにより結
    晶の成長界面の形状を横方向からみて平坦形状か、ある
    いは上方に凸形状にすることにより気泡のない単結晶を
    育成することを特徴とする請求項2記載のカルシア・ア
    ルミナ系酸化物単結晶の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7662357B2 (en) 2002-04-19 2010-02-16 Japan Science And Technology Agency Hydrogen-containing electrically conductive inorganic compound
US7507289B2 (en) 2003-06-26 2009-03-24 Japan Science And Technology Agency Electroconductive 12CaO—7Al2O3 and compound of same type, and method for preparation thereof
TWI283234B (en) 2004-02-13 2007-07-01 Asahi Glass Co Ltd Method for preparing electroconductive Mayenite type compound
JP2006083009A (ja) * 2004-09-15 2006-03-30 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 活性酸素を包含あるいは吸蔵した無機化合物材料及びその製造方法
JP4806251B2 (ja) * 2005-11-14 2011-11-02 日立化成工業株式会社 酸化触媒及びイオン伝導体並びにその製造方法
JP4833221B2 (ja) 2005-11-24 2011-12-07 独立行政法人科学技術振興機構 金属的電気伝導性12CaO・7Al2O3化合物の製造方法
JP4885001B2 (ja) * 2007-02-14 2012-02-29 独立行政法人科学技術振興機構 化合物超伝導体及びその製造方法
KR101055434B1 (ko) 2008-12-09 2011-08-08 성균관대학교산학협력단 PDP보호막용 CaAlO계 나노분말의 제조방법
JP6070563B2 (ja) * 2011-10-07 2017-02-01 旭硝子株式会社 導電性マイエナイト化合物焼結体、スパッタリング用ターゲット、および導電性マイエナイト化合物焼結体の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101410636B1 (ko) * 2007-01-18 2014-06-20 고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 항산화제

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