JP3532450B2 - Ｂｇａ型半導体パッケージの実装構造およびその実装方法 - Google Patents
Ｂｇａ型半導体パッケージの実装構造およびその実装方法Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 192
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 46
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 119
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 119
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 113
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 89
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 38
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 7
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 6
- 238000013035 low temperature curing Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B03—SEPARATION OF SOLID MATERIALS USING LIQUIDS OR USING PNEUMATIC TABLES OR JIGS; MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
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- B03C1/00—Magnetic separation
- B03C1/02—Magnetic separation acting directly on the substance being separated
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B03C1/02—Magnetic separation acting directly on the substance being separated
- B03C1/16—Magnetic separation acting directly on the substance being separated with material carriers in the form of belts
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- B03C—MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
- B03C2201/00—Details of magnetic or electrostatic separation
- B03C2201/20—Magnetic separation of bulk or dry particles in mixtures
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＢＧＡ（Ba
ll Grid Array ）型半導体パッケージのような、底部に
突起電極部を有する半導体パッケージを、実装基板上に
電気的に接続するＢＧＡ型半導体パッケージの実装構造
およびその実装方法に関する。
ll Grid Array ）型半導体パッケージのような、底部に
突起電極部を有する半導体パッケージを、実装基板上に
電気的に接続するＢＧＡ型半導体パッケージの実装構造
およびその実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、小型電子機器が普及するにつれ
て、半導体パッケージの小型化が進められている。そこ
で、ほぼチップサイズにまで小型化された半導体パッケ
ージ（ＣＳＰ（Chip Size Package ））が開発されてい
る。
て、半導体パッケージの小型化が進められている。そこ
で、ほぼチップサイズにまで小型化された半導体パッケ
ージ（ＣＳＰ（Chip Size Package ））が開発されてい
る。
【０００３】ＣＳＰであるＢＧＡ型半導体パッケージ
は、その底部にエリアアレイ状に電極を配置することに
より、実装面積の縮小および軽量化を図っている。しか
し、該ＢＧＡ型半導体パッケージは、接続構造上、実装
基板との接続部の応力緩和能力が小さい。従って、底部
の電極の狭ピッチ化や高密度化に伴い、実装する際の接
続部の信頼性を向上させる必要がある。
は、その底部にエリアアレイ状に電極を配置することに
より、実装面積の縮小および軽量化を図っている。しか
し、該ＢＧＡ型半導体パッケージは、接続構造上、実装
基板との接続部の応力緩和能力が小さい。従って、底部
の電極の狭ピッチ化や高密度化に伴い、実装する際の接
続部の信頼性を向上させる必要がある。
【０００４】このため、例えば、ＢＧＡ型半導体パッケ
ージと実装基板とを半田バンプを介して接続する際、Ｂ
ＧＡ型半導体パッケージと実装基板との間の全面に補強
樹脂を介在させることにより、ＢＧＡ型半導体パッケー
ジと実装基板との接続部分の熱や変形による応力を緩和
して、接続寿命を向上させる手法が従来から知られてい
る。
ージと実装基板とを半田バンプを介して接続する際、Ｂ
ＧＡ型半導体パッケージと実装基板との間の全面に補強
樹脂を介在させることにより、ＢＧＡ型半導体パッケー
ジと実装基板との接続部分の熱や変形による応力を緩和
して、接続寿命を向上させる手法が従来から知られてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、ＢＧＡ型半導体パッケージと実装基板と
が補強樹脂により完全に固着されるため、ＢＧＡ型半導
体パッケージ内のＬＳＩ（Large Scale Integrated Cir
cuit）不良や、ＢＧＡ型半導体パッケージと実装基板と
の接続不良が発生した場合、ＢＧＡ型半導体パッケージ
を交換することが極めて困難であった。
来の構成では、ＢＧＡ型半導体パッケージと実装基板と
が補強樹脂により完全に固着されるため、ＢＧＡ型半導
体パッケージ内のＬＳＩ（Large Scale Integrated Cir
cuit）不良や、ＢＧＡ型半導体パッケージと実装基板と
の接続不良が発生した場合、ＢＧＡ型半導体パッケージ
を交換することが極めて困難であった。
【０００６】かかる問題に対する手段として、例えば、
特開平１０−２０４２５９号公報には、高温状態におい
て補強樹脂の接着強度を低下させて、ＢＧＡ型半導体パ
ッケージの交換を可能とする技術が開示されている。
特開平１０−２０４２５９号公報には、高温状態におい
て補強樹脂の接着強度を低下させて、ＢＧＡ型半導体パ
ッケージの交換を可能とする技術が開示されている。
【０００７】しかし、上記従来の構成のように、ＢＧＡ
型半導体パッケージと実装基板との間の全面に補強樹脂
を充填すると、該ＢＧＡ型半導体パッケージを実装基板
から剥がす際に、例えば該ＢＧＡ型半導体パッケージに
大気圧が作用する。これにより、該ＢＧＡ型半導体パッ
ケージを取り除くために過大な力が必要となり、実装基
板から容易に剥がすことができないという問題が生じ
る。
型半導体パッケージと実装基板との間の全面に補強樹脂
を充填すると、該ＢＧＡ型半導体パッケージを実装基板
から剥がす際に、例えば該ＢＧＡ型半導体パッケージに
大気圧が作用する。これにより、該ＢＧＡ型半導体パッ
ケージを取り除くために過大な力が必要となり、実装基
板から容易に剥がすことができないという問題が生じ
る。
【０００８】本発明は上記の問題点に鑑みてなされたも
ので、接続部分の寿命を向上させるとともに、不良が発
見されたときに容易にリペアを行うことができるＢＧＡ
型半導体パッケージの実装構造およびその実装方法を提
供することを課題とする。
ので、接続部分の寿命を向上させるとともに、不良が発
見されたときに容易にリペアを行うことができるＢＧＡ
型半導体パッケージの実装構造およびその実装方法を提
供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係るＢＧＡ型半
導体パッケージの実装構造は、上記の課題を解決するた
めに、突起電極部を有するＢＧＡ型半導体パッケージ
を、該突起電極部配設側の面が実装基板との接続面とな
るように、該実装基板に電気的に接続するＢＧＡ型半導
体パッケージの実装構造において、上記ＢＧＡ型半導体
パッケージと上記実装基板との間隙に、部分的に補強樹
脂を介在させることを特徴としている。
導体パッケージの実装構造は、上記の課題を解決するた
めに、突起電極部を有するＢＧＡ型半導体パッケージ
を、該突起電極部配設側の面が実装基板との接続面とな
るように、該実装基板に電気的に接続するＢＧＡ型半導
体パッケージの実装構造において、上記ＢＧＡ型半導体
パッケージと上記実装基板との間隙に、部分的に補強樹
脂を介在させることを特徴としている。
【００１０】上記の構成によれば、突起電極部を有する
ＢＧＡ型半導体パッケージが、該突起電極部配設側の面
を実装基板との接続面として、該実装基板上に電気的に
接続されている。この際、上記ＢＧＡ型半導体パッケー
ジと上記実装基板との間隙に、部分的に補強樹脂を介在
させて、該補強樹脂により上記ＢＧＡ型半導体パッケー
ジと実装基板との接続強度の向上を部分的に行ってい
る。従って、ＢＧＡ型半導体パッケージと実装基板との
間隙の全面に補強樹脂を介在させていた従来のＢＧＡ型
半導体パッケージの実装構造と比較して、補強樹脂の量
が少なく、かつ接着面積も小さくて済む。しかも、ＢＧ
Ａ型半導体パッケージと実装基板との間に、補強樹脂が
充填されていない空間が存在するので、例えば、該ＢＧ
Ａ型半導体パッケージを実装基板から剥がす際に、大気
圧が作用することはない。
ＢＧＡ型半導体パッケージが、該突起電極部配設側の面
を実装基板との接続面として、該実装基板上に電気的に
接続されている。この際、上記ＢＧＡ型半導体パッケー
ジと上記実装基板との間隙に、部分的に補強樹脂を介在
させて、該補強樹脂により上記ＢＧＡ型半導体パッケー
ジと実装基板との接続強度の向上を部分的に行ってい
る。従って、ＢＧＡ型半導体パッケージと実装基板との
間隙の全面に補強樹脂を介在させていた従来のＢＧＡ型
半導体パッケージの実装構造と比較して、補強樹脂の量
が少なく、かつ接着面積も小さくて済む。しかも、ＢＧ
Ａ型半導体パッケージと実装基板との間に、補強樹脂が
充填されていない空間が存在するので、例えば、該ＢＧ
Ａ型半導体パッケージを実装基板から剥がす際に、大気
圧が作用することはない。
【００１１】これにより、ＢＧＡ型半導体パッケージ内
のＬＳＩ不良や、ＢＧＡ型半導体パッケージと実装基板
との接続不良等の発生時に、ＢＧＡ型半導体パッケージ
を交換する場合、過大な力を加えることなく、容易に該
ＢＧＡ型半導体パッケージを実装基板から剥がすことが
できる。
のＬＳＩ不良や、ＢＧＡ型半導体パッケージと実装基板
との接続不良等の発生時に、ＢＧＡ型半導体パッケージ
を交換する場合、過大な力を加えることなく、容易に該
ＢＧＡ型半導体パッケージを実装基板から剥がすことが
できる。
【００１２】また、本発明に係るＢＧＡ型半導体パッケ
ージの実装構造では、さらに、上記補強樹脂は、上記Ｂ
ＧＡ型半導体パッケージと上記実装基板との間隙のう
ち、少なくとも４隅部分に充填されていることが好まし
い。
ージの実装構造では、さらに、上記補強樹脂は、上記Ｂ
ＧＡ型半導体パッケージと上記実装基板との間隙のう
ち、少なくとも４隅部分に充填されていることが好まし
い。
【００１３】上記の構成によれば、補強樹脂は、ＢＧＡ
型半導体パッケージと実装基板との間隙において、少な
くとも４隅部分に充填されている。この４隅部分とは、
上記ＢＧＡ型半導体パッケージおよび実装基板に対し
て、熱ストレスや曲げストレスの力が最も大きく作用す
る力学的中立点から最も遠い部分、つまり実装後の上記
ＢＧＡ型半導体パッケージおよび実装基板の中央部分か
ら最も遠い部分である。従って、上記補強樹脂はこのよ
うな部分を補強していることになるので、上記間隙に完
全に補強樹脂を充填した場合と同程度の補強効果を得る
ことができる。
型半導体パッケージと実装基板との間隙において、少な
くとも４隅部分に充填されている。この４隅部分とは、
上記ＢＧＡ型半導体パッケージおよび実装基板に対し
て、熱ストレスや曲げストレスの力が最も大きく作用す
る力学的中立点から最も遠い部分、つまり実装後の上記
ＢＧＡ型半導体パッケージおよび実装基板の中央部分か
ら最も遠い部分である。従って、上記補強樹脂はこのよ
うな部分を補強していることになるので、上記間隙に完
全に補強樹脂を充填した場合と同程度の補強効果を得る
ことができる。
【００１４】これにより、接続部分の寿命を保ちつつ、
かつ、ＢＧＡ型半導体パッケージ内のＬＳＩ不良や、Ｂ
ＧＡ型半導体パッケージと実装基板との接続不良等の発
生時にＢＧＡ型半導体パッケージを交換する場合、過大
な力を加えることなく、容易にＢＧＡ型半導体パッケー
ジを実装基板から剥がすことができる。
かつ、ＢＧＡ型半導体パッケージ内のＬＳＩ不良や、Ｂ
ＧＡ型半導体パッケージと実装基板との接続不良等の発
生時にＢＧＡ型半導体パッケージを交換する場合、過大
な力を加えることなく、容易にＢＧＡ型半導体パッケー
ジを実装基板から剥がすことができる。
【００１５】また、本発明に係るＢＧＡ型半導体パッケ
ージの実装構造では、さらに、上記ＢＧＡ型半導体パッ
ケージにおける上記実装基板との接続面に、凹凸部が設
けられていることが好ましい。
ージの実装構造では、さらに、上記ＢＧＡ型半導体パッ
ケージにおける上記実装基板との接続面に、凹凸部が設
けられていることが好ましい。
【００１６】上記の構成によれば、ＢＧＡ型半導体パッ
ケージにおける実装基板との接続面に凹凸部が設けられ
ており、該凹凸部により、ＢＧＡ型半導体パッケージと
補強樹脂との剪断方向に対する接合力が向上する。
ケージにおける実装基板との接続面に凹凸部が設けられ
ており、該凹凸部により、ＢＧＡ型半導体パッケージと
補強樹脂との剪断方向に対する接合力が向上する。
【００１７】これにより、補強樹脂によるＢＧＡ型半導
体パッケージと実装基板との接続部分の補強効果をより
向上させることができる。
体パッケージと実装基板との接続部分の補強効果をより
向上させることができる。
【００１８】また、本発明に係るＢＧＡ型半導体パッケ
ージの実装構造では、さらに、上記凹凸部は、上記ＢＧ
Ａ型半導体パッケージの４隅に設けられていることを特
徴としている。
ージの実装構造では、さらに、上記凹凸部は、上記ＢＧ
Ａ型半導体パッケージの４隅に設けられていることを特
徴としている。
【００１９】上記の構成によれば、ＢＧＡ型半導体パッ
ケージにおける実装基板との接続面の４隅に凹凸部が設
けられており、該凹凸部により、４隅部分のＢＧＡ型半
導体パッケージと補強樹脂との剪断方向に対する接合力
が向上する。請求項２の発明の作用で述べたように、こ
の４隅部分とは、ＢＧＡ型半導体パッケージおよび実装
基板に対して、熱ストレスや曲げストレスの力が最も大
きく作用する力学的中立点から最も遠い部分である。従
って、凹凸部が４隅部分だけに設けられていても、ＢＧ
Ａ型半導体パッケージと補強樹脂との剪断方向に対する
充分な接合力の向上を得ることができる。
ケージにおける実装基板との接続面の４隅に凹凸部が設
けられており、該凹凸部により、４隅部分のＢＧＡ型半
導体パッケージと補強樹脂との剪断方向に対する接合力
が向上する。請求項２の発明の作用で述べたように、こ
の４隅部分とは、ＢＧＡ型半導体パッケージおよび実装
基板に対して、熱ストレスや曲げストレスの力が最も大
きく作用する力学的中立点から最も遠い部分である。従
って、凹凸部が４隅部分だけに設けられていても、ＢＧ
Ａ型半導体パッケージと補強樹脂との剪断方向に対する
充分な接合力の向上を得ることができる。
【００２０】これにより、ＢＧＡ型半導体パッケージの
接合面に多くの凹凸部を形成することなく、補強樹脂に
よるＢＧＡ型半導体パッケージと実装基板との接続部分
の補強効果をより向上させることができる。
接合面に多くの凹凸部を形成することなく、補強樹脂に
よるＢＧＡ型半導体パッケージと実装基板との接続部分
の補強効果をより向上させることができる。
【００２１】本発明に係るＢＧＡ型半導体パッケージの
実装方法は、上記したＢＧＡ型半導体パッケージの実装
方法であって、（ａ）実装基板に補強樹脂を供給する工
程と、（ｂ）補強樹脂が供給された実装基板上にＢＧＡ
型半導体パッケージをマウントする工程と、（ｃ）リフ
ローを行う工程とを含むことを特徴としている。
実装方法は、上記したＢＧＡ型半導体パッケージの実装
方法であって、（ａ）実装基板に補強樹脂を供給する工
程と、（ｂ）補強樹脂が供給された実装基板上にＢＧＡ
型半導体パッケージをマウントする工程と、（ｃ）リフ
ローを行う工程とを含むことを特徴としている。
【００２２】上記の方法によれば、まず実装基板に補強
樹脂が供給されて、ＢＧＡ型半導体パッケージが該実装
基板上にマウントされてから、リフローが行われる。従
って、ＢＧＡ型半導体パッケージを実装基板に搭載する
前に補強樹脂が供給されるので、例えばＢＧＡ型半導体
パッケージの突起電極部の周囲等の、補強樹脂を供給し
たい箇所に容易に該補強樹脂を塗布できる。また、補強
樹脂として、例えば熱硬化性の樹脂を用いた場合、リフ
ローによるＢＧＡ型半導体パッケージと実装基板との接
続と同時に、補強樹脂による接続部分の補強も行われる
ことになる。従って、補強樹脂を硬化させる工程を別途
設ける必要がなくなる。
樹脂が供給されて、ＢＧＡ型半導体パッケージが該実装
基板上にマウントされてから、リフローが行われる。従
って、ＢＧＡ型半導体パッケージを実装基板に搭載する
前に補強樹脂が供給されるので、例えばＢＧＡ型半導体
パッケージの突起電極部の周囲等の、補強樹脂を供給し
たい箇所に容易に該補強樹脂を塗布できる。また、補強
樹脂として、例えば熱硬化性の樹脂を用いた場合、リフ
ローによるＢＧＡ型半導体パッケージと実装基板との接
続と同時に、補強樹脂による接続部分の補強も行われる
ことになる。従って、補強樹脂を硬化させる工程を別途
設ける必要がなくなる。
【００２３】これにより、容易に補強樹脂を供給するこ
とができ、かつ工程数を削減できるとともに、リフロー
工程後の製造工程中に、例え過大な力が接続部分に作用
した場合であっても、接続部分が剥がれる等の問題が生
じない。
とができ、かつ工程数を削減できるとともに、リフロー
工程後の製造工程中に、例え過大な力が接続部分に作用
した場合であっても、接続部分が剥がれる等の問題が生
じない。
【００２４】また、本発明に係るＢＧＡ型半導体パッケ
ージの実装方法は、上記したＢＧＡ型半導体パッケージ
の実装方法であって、（ａ）実装基板上にＢＧＡ型半導
体パッケージをマウントする工程と、（ｂ）上記ＢＧＡ
型半導体パッケージと上記実装基板との間隙に、補強樹
脂を供給する工程と、（ｃ）リフローを行う工程とを含
む方法であってもよい。
ージの実装方法は、上記したＢＧＡ型半導体パッケージ
の実装方法であって、（ａ）実装基板上にＢＧＡ型半導
体パッケージをマウントする工程と、（ｂ）上記ＢＧＡ
型半導体パッケージと上記実装基板との間隙に、補強樹
脂を供給する工程と、（ｃ）リフローを行う工程とを含
む方法であってもよい。
【００２５】上記の方法によれば、まず実装基板にＢＧ
Ａ型半導体パッケージがマウントされてから補強樹脂が
供給されるので、実装基板とＢＧＡ型半導体パッケージ
とに補強樹脂を確実に接触させることができる。また、
補強樹脂供給後にリフローが行われるので、例えば補強
樹脂として熱硬化性の樹脂を用いた場合、リフローによ
るＢＧＡ型半導体パッケージと実装基板との接続と同時
に、補強樹脂による接続部分の補強も行われることにな
る。従って、補強樹脂を硬化させる工程を別途設ける必
要がなくなる。
Ａ型半導体パッケージがマウントされてから補強樹脂が
供給されるので、実装基板とＢＧＡ型半導体パッケージ
とに補強樹脂を確実に接触させることができる。また、
補強樹脂供給後にリフローが行われるので、例えば補強
樹脂として熱硬化性の樹脂を用いた場合、リフローによ
るＢＧＡ型半導体パッケージと実装基板との接続と同時
に、補強樹脂による接続部分の補強も行われることにな
る。従って、補強樹脂を硬化させる工程を別途設ける必
要がなくなる。
【００２６】これにより、実装基板とＢＧＡ型半導体パ
ッケージとを補強樹脂に確実に接触させることができ、
かつ工程数を削減できるとともに、リフロー工程後の製
造工程中に、例え過大な力が接続部分に作用した場合で
あっても、接続部分が剥がれる等の問題が生じない。
ッケージとを補強樹脂に確実に接触させることができ、
かつ工程数を削減できるとともに、リフロー工程後の製
造工程中に、例え過大な力が接続部分に作用した場合で
あっても、接続部分が剥がれる等の問題が生じない。
【００２７】また、本発明に係るＢＧＡ型半導体パッケ
ージの実装方法は、上記したＢＧＡ型半導体パッケージ
の実装方法であって、（ａ）実装基板上にＢＧＡ型半導
体パッケージをマウントする工程と、（ｂ）リフローを
行う工程と、（ｃ）上記ＢＧＡ型半導体パッケージと上
記実装基板との間隙に、補強樹脂を供給する工程とを含
む方法であってもよい。
ージの実装方法は、上記したＢＧＡ型半導体パッケージ
の実装方法であって、（ａ）実装基板上にＢＧＡ型半導
体パッケージをマウントする工程と、（ｂ）リフローを
行う工程と、（ｃ）上記ＢＧＡ型半導体パッケージと上
記実装基板との間隙に、補強樹脂を供給する工程とを含
む方法であってもよい。
【００２８】上記の方法によれば、まず実装基板上にＢ
ＧＡ型半導体パッケージをマウントして、リフローを行
い、その後補強樹脂を供給するので、補強樹脂はリフロ
ー温度に曝されることがない。つまり、補強樹脂とし
て、リフローによるＢＧＡ型半導体パッケージと実装基
板との接続の温度、例えば接続に用いられる半田等が溶
融する温度よりも高い温度で硬化する樹脂を用いる必要
がなくなる。
ＧＡ型半導体パッケージをマウントして、リフローを行
い、その後補強樹脂を供給するので、補強樹脂はリフロ
ー温度に曝されることがない。つまり、補強樹脂とし
て、リフローによるＢＧＡ型半導体パッケージと実装基
板との接続の温度、例えば接続に用いられる半田等が溶
融する温度よりも高い温度で硬化する樹脂を用いる必要
がなくなる。
【００２９】これにより、低温硬化タイプの樹脂を補強
樹脂として用いることが可能となる。また、このように
低温硬化タイプの樹脂を用いることにより、補強樹脂を
硬化させるための熱履歴を低減でき、工程数の削減を行
うことが可能となる。
樹脂として用いることが可能となる。また、このように
低温硬化タイプの樹脂を用いることにより、補強樹脂を
硬化させるための熱履歴を低減でき、工程数の削減を行
うことが可能となる。
【００３０】
【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕本発明の第１の
実施の形態について図１ないし図７に基づいて説明すれ
ば、以下のとおりである。
実施の形態について図１ないし図７に基づいて説明すれ
ば、以下のとおりである。
【００３１】図１は、本実施の形態に係るＢＧＡ（Ball
Grid Array ）型半導体パッケージの実装構造における
側面図である。図２は、図１のＡ−Ａ矢視断面図であ
り、図３は、図１のＢ−Ｂ矢視断面図である。
Grid Array ）型半導体パッケージの実装構造における
側面図である。図２は、図１のＡ−Ａ矢視断面図であ
り、図３は、図１のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【００３２】図１ないし図３に示すように、ＢＧＡ型半
導体パッケージ１と、該ＢＧＡ型半導体パッケージ１と
電気的に接続される実装基板２との間隙の４隅部分に、
補強樹脂４が部分的に設けられている。該実装基板２
は、約１５ｐｐｍの熱膨張率を有するプリント配線基板
である。該補強樹脂４は、ＢＧＡ型半導体パッケージ１
と実装基板２とを電気的に接続しているバンプ接続部３
を補強するために用いられている。
導体パッケージ１と、該ＢＧＡ型半導体パッケージ１と
電気的に接続される実装基板２との間隙の４隅部分に、
補強樹脂４が部分的に設けられている。該実装基板２
は、約１５ｐｐｍの熱膨張率を有するプリント配線基板
である。該補強樹脂４は、ＢＧＡ型半導体パッケージ１
と実装基板２とを電気的に接続しているバンプ接続部３
を補強するために用いられている。
【００３３】なお、図２に示されている７は実装基板２
上に設けられた電極パッドであり、該電極パッド７上に
上記バンプ接続部３が配されている。また、図３に示す
ように、ＢＧＡ型半導体パッケージ１と実装基板２の間
隙における中央部分、およびその周辺における各辺の中
央部分には、補強樹脂４が配置されていない領域が存在
する。なお、補強樹脂４が配置されない領域は、ＢＧＡ
型半導体パッケージ１の４辺のうち少なくとも１辺の中
央部分、または／およびＢＧＡ型半導体パッケージ１の
中央部分であればよい。
上に設けられた電極パッドであり、該電極パッド７上に
上記バンプ接続部３が配されている。また、図３に示す
ように、ＢＧＡ型半導体パッケージ１と実装基板２の間
隙における中央部分、およびその周辺における各辺の中
央部分には、補強樹脂４が配置されていない領域が存在
する。なお、補強樹脂４が配置されない領域は、ＢＧＡ
型半導体パッケージ１の４辺のうち少なくとも１辺の中
央部分、または／およびＢＧＡ型半導体パッケージ１の
中央部分であればよい。
【００３４】また、上記バンプ接続部３の熱膨張係数
は、補強樹脂４の熱膨張係数と一致していることが好ま
しい。バンプ接続部３と補強樹脂４との熱膨張係数を一
致させることにより、温度差によりバンプ接続部３と補
強樹脂４との間に発生する応力を抑止することができ
る。これにより、バンプ接続部３において、熱サイクル
による熱疲労寿命および機械的対応力を増加させること
ができる。
は、補強樹脂４の熱膨張係数と一致していることが好ま
しい。バンプ接続部３と補強樹脂４との熱膨張係数を一
致させることにより、温度差によりバンプ接続部３と補
強樹脂４との間に発生する応力を抑止することができ
る。これにより、バンプ接続部３において、熱サイクル
による熱疲労寿命および機械的対応力を増加させること
ができる。
【００３５】以上のように、ＢＧＡ型半導体パッケージ
１と実装基板２との間隙に、補強樹脂４を部分的に介在
させることにより、ＢＧＡ型半導体パッケージ１と実装
基板２との間全面に補強樹脂４を充填させた場合と比較
して、上記間隙に介在する補強樹脂４の量が少なく、か
つＢＧＡ型半導体パッケージ１および実装基板２の接着
面積が小さく、しかも間隙に空間が存在する。従って、
ＢＧＡ型半導体パッケージ１には大気圧が作用しないの
で、不良の発見時に該ＢＧＡ型半導体パッケージ１を交
換する際に、容易にＢＧＡ型半導体パッケージ１を実装
基板２から剥離してリペアすることができる。
１と実装基板２との間隙に、補強樹脂４を部分的に介在
させることにより、ＢＧＡ型半導体パッケージ１と実装
基板２との間全面に補強樹脂４を充填させた場合と比較
して、上記間隙に介在する補強樹脂４の量が少なく、か
つＢＧＡ型半導体パッケージ１および実装基板２の接着
面積が小さく、しかも間隙に空間が存在する。従って、
ＢＧＡ型半導体パッケージ１には大気圧が作用しないの
で、不良の発見時に該ＢＧＡ型半導体パッケージ１を交
換する際に、容易にＢＧＡ型半導体パッケージ１を実装
基板２から剥離してリペアすることができる。
【００３６】また、本実施の形態では、補強樹脂４で補
強しているのはＢＧＡ型半導体パッケージ１および実装
基板２における４隅部分である。すなわち、ＢＧＡ型半
導体パッケージ１および実装基板２は、熱ストレスや曲
げストレスに対して、力の最も大きく作用する力学的中
立点から最も遠い部分、つまりＢＧＡ型半導体パッケー
ジ１および実装基板２の中央部分から最も遠い４隅部分
を補強されていることになる。
強しているのはＢＧＡ型半導体パッケージ１および実装
基板２における４隅部分である。すなわち、ＢＧＡ型半
導体パッケージ１および実装基板２は、熱ストレスや曲
げストレスに対して、力の最も大きく作用する力学的中
立点から最も遠い部分、つまりＢＧＡ型半導体パッケー
ジ１および実装基板２の中央部分から最も遠い４隅部分
を補強されていることになる。
【００３７】これにより、補強樹脂４がＢＧＡ型半導体
パッケージ１と実装基板２との間隙の全面に完全に充填
されている場合と同等の補強効果を得ることができる。
パッケージ１と実装基板２との間隙の全面に完全に充填
されている場合と同等の補強効果を得ることができる。
【００３８】次に、本実施の形態におけるＢＧＡ型半導
体パッケージ１の実装方法について、図４に基づいて説
明する。
体パッケージ１の実装方法について、図４に基づいて説
明する。
【００３９】図４は、実装基板２上にＢＧＡ型半導体パ
ッケージ１をマウントし、該ＢＧＡ型半導体パッケージ
１と実装基板２との間隙における４隅部分に、補強樹脂
４がディスペンサー６により注入されている様子を示し
ている。
ッケージ１をマウントし、該ＢＧＡ型半導体パッケージ
１と実装基板２との間隙における４隅部分に、補強樹脂
４がディスペンサー６により注入されている様子を示し
ている。
【００４０】次に、上記ＢＧＡ型半導体パッケージ１の
実装方法について説明する。上記ＢＧＡ型半導体パッケ
ージ１の第１の実装方法は、以下のとおりである。
実装方法について説明する。上記ＢＧＡ型半導体パッケ
ージ１の第１の実装方法は、以下のとおりである。
【００４１】 実装基板２の電極パッド７上に半田ペ
ースト８が印刷され、該実装基板２と対向する側の面に
半田ボール（突起電極部）５が設けられたＢＧＡ型半導
体パッケージ１を、該実装基板２の所定位置に搭載す
る。このとき、上記半田ボール５が上記半田ペースト８
上に配置されるように位置合わせが行われる。
ースト８が印刷され、該実装基板２と対向する側の面に
半田ボール（突起電極部）５が設けられたＢＧＡ型半導
体パッケージ１を、該実装基板２の所定位置に搭載す
る。このとき、上記半田ボール５が上記半田ペースト８
上に配置されるように位置合わせが行われる。
【００４２】 ＢＧＡ型半導体パッケージ１および実
装基板２の外側から、ディスペンサー６を用いて、ＢＧ
Ａ型半導体パッケージ１および実装基板２の間隙におけ
る各コーナーに、一定量の補強樹脂４を注入する。
装基板２の外側から、ディスペンサー６を用いて、ＢＧ
Ａ型半導体パッケージ１および実装基板２の間隙におけ
る各コーナーに、一定量の補強樹脂４を注入する。
【００４３】 補強樹脂４の注入後、ＢＧＡ型半導体
パッケージ１が搭載された実装基板２をリフロー装置で
加熱し、上記半田ボール５および半田ペースト８を溶融
させて一体化させることにより、バンプ接続部３が形成
される。つまり、バンプ接続部３は、製造工程中におい
て半田ボール５および半田ペースト８が溶融して一体化
したものである。
パッケージ１が搭載された実装基板２をリフロー装置で
加熱し、上記半田ボール５および半田ペースト８を溶融
させて一体化させることにより、バンプ接続部３が形成
される。つまり、バンプ接続部３は、製造工程中におい
て半田ボール５および半田ペースト８が溶融して一体化
したものである。
【００４４】なお、上記の工程において、ディスペン
サー６のニードルを実装基板２に対して約４５°傾斜さ
せて、補強樹脂４をＢＧＡ型半導体パッケージ１および
実装基板２の間隙に注入することが好ましい。このよう
に補強樹脂４を注入することにより、ＢＧＡ型半導体パ
ッケージ１および実装基板２から外への補強樹脂４のは
み出しを少なくすることができる。
サー６のニードルを実装基板２に対して約４５°傾斜さ
せて、補強樹脂４をＢＧＡ型半導体パッケージ１および
実装基板２の間隙に注入することが好ましい。このよう
に補強樹脂４を注入することにより、ＢＧＡ型半導体パ
ッケージ１および実装基板２から外への補強樹脂４のは
み出しを少なくすることができる。
【００４５】また、上記の工程において、注入される
補強樹脂４の量は、注入時間・圧力等の条件をコントロ
ールすることにより一定化される。
補強樹脂４の量は、注入時間・圧力等の条件をコントロ
ールすることにより一定化される。
【００４６】また、本実施の形態における補強樹脂４と
して用いられる樹脂は、熱硬化性樹脂であり、硬化温度
が１９０℃〜２４０℃の範囲のものが適している。この
ような硬化温度を有する樹脂は、半田が溶融する温度で
ある１８５℃では未硬化の状態であるので、溶融した半
田ボール５および半田ペースト８が、実装基板２の電極
パッド７上にセルフアライメントの効果を発揮するとい
うメリットがある。このセルフアラインメントの効果と
は、実装基板２に半田ペースト８の印刷や半田ボール５
の位置合わせを行う際、該半田ペースト８や該半田ボー
ル５が電極パッド７から多少ずれていたとしても、半田
が溶融したときの半田の表面張力によって電極パッド７
の表面に半田が動いて、該半田が電極パッド７上に正確
に配される効果のことである。その後、温度の上昇によ
り上記樹脂が硬化して、本実施の形態に係るＢＧＡ型半
導体パッケージ１の実装構造を得ることができる。
して用いられる樹脂は、熱硬化性樹脂であり、硬化温度
が１９０℃〜２４０℃の範囲のものが適している。この
ような硬化温度を有する樹脂は、半田が溶融する温度で
ある１８５℃では未硬化の状態であるので、溶融した半
田ボール５および半田ペースト８が、実装基板２の電極
パッド７上にセルフアライメントの効果を発揮するとい
うメリットがある。このセルフアラインメントの効果と
は、実装基板２に半田ペースト８の印刷や半田ボール５
の位置合わせを行う際、該半田ペースト８や該半田ボー
ル５が電極パッド７から多少ずれていたとしても、半田
が溶融したときの半田の表面張力によって電極パッド７
の表面に半田が動いて、該半田が電極パッド７上に正確
に配される効果のことである。その後、温度の上昇によ
り上記樹脂が硬化して、本実施の形態に係るＢＧＡ型半
導体パッケージ１の実装構造を得ることができる。
【００４７】さらに、ＢＧＡ型半導体パッケージ１を実
装基板２に搭載してから、補強樹脂４が供給されるの
で、ＢＧＡ型半導体パッケージ１および実装基板２に補
強樹脂４を確実に接触させることが可能である。
装基板２に搭載してから、補強樹脂４が供給されるの
で、ＢＧＡ型半導体パッケージ１および実装基板２に補
強樹脂４を確実に接触させることが可能である。
【００４８】次に、上記ＢＧＡ型半導体パッケージ１の
他の実装方法である第２の実装方法について、図５およ
び図６に基いて説明すれば、以下のとおりである。
他の実装方法である第２の実装方法について、図５およ
び図６に基いて説明すれば、以下のとおりである。
【００４９】 半田ペースト８が電極パッド７上に形
成された実装基板２の４隅に、ディスペンサー６により
補強樹脂４が塗布される。該補強樹脂４は、上記半田ペ
ースト８の高さよりも高くなるように塗布される（図５
参照）。
成された実装基板２の４隅に、ディスペンサー６により
補強樹脂４が塗布される。該補強樹脂４は、上記半田ペ
ースト８の高さよりも高くなるように塗布される（図５
参照）。
【００５０】 該ＢＧＡ型半導体パッケージ１に設け
られている半田ボール５が、上記補強樹脂４を突き破り
上記半田ペースト８と当接するように、ＢＧＡ型半導体
パッケージ１を上記実装基板２上にマウントする（図６
参照）。
られている半田ボール５が、上記補強樹脂４を突き破り
上記半田ペースト８と当接するように、ＢＧＡ型半導体
パッケージ１を上記実装基板２上にマウントする（図６
参照）。
【００５１】 上記ＢＧＡ型半導体パッケージ１およ
び実装基板２をリフロー装置で加熱することにより、上
記半田ボール５および半田ペースト８が溶融して一体化
してバンプ接続部３が形成される。このように、上記半
田ボール５および半田ペースト８が溶融して一体化する
ことにより、上記ＢＧＡ型半導体パッケージ１および実
装基板２の接続部分の厚みが小さくなる。従って、ＢＧ
Ａ型半導体パッケージ１の下面（ＢＧＡ型半導体パッケ
ージ１における実装基板２との接続面）が上記補強樹脂
４によって濡れ、その後の温度上昇による該補強樹脂４
の硬化により上記ＢＧＡ型半導体パッケージ１と上記実
装基板２との接続が補強される。
び実装基板２をリフロー装置で加熱することにより、上
記半田ボール５および半田ペースト８が溶融して一体化
してバンプ接続部３が形成される。このように、上記半
田ボール５および半田ペースト８が溶融して一体化する
ことにより、上記ＢＧＡ型半導体パッケージ１および実
装基板２の接続部分の厚みが小さくなる。従って、ＢＧ
Ａ型半導体パッケージ１の下面（ＢＧＡ型半導体パッケ
ージ１における実装基板２との接続面）が上記補強樹脂
４によって濡れ、その後の温度上昇による該補強樹脂４
の硬化により上記ＢＧＡ型半導体パッケージ１と上記実
装基板２との接続が補強される。
【００５２】さらに、ＢＧＡ型半導体パッケージ１を実
装基板２に搭載する前に補強樹脂４を供給するので、補
強樹脂４を供給したい箇所に容易に供給すること可能で
ある。
装基板２に搭載する前に補強樹脂４を供給するので、補
強樹脂４を供給したい箇所に容易に供給すること可能で
ある。
【００５３】以上のような第１または第２の実装方法を
用いると、リフロー接続（リフロー装置で加熱すること
によるＢＧＡ型半導体パッケージ１および実装基板２の
接続）が終了した時点で、補強樹脂４によるバンプ接続
部３の補強も完了している。
用いると、リフロー接続（リフロー装置で加熱すること
によるＢＧＡ型半導体パッケージ１および実装基板２の
接続）が終了した時点で、補強樹脂４によるバンプ接続
部３の補強も完了している。
【００５４】これにより、工程数を少なくできるととも
に、リフロー接続後の工程中での予期せぬ過大な力が作
用した場合でも、接続部分であるバンプ接続部３が剥が
れる等の問題が生じない。
に、リフロー接続後の工程中での予期せぬ過大な力が作
用した場合でも、接続部分であるバンプ接続部３が剥が
れる等の問題が生じない。
【００５５】また、上記第１および第２の実装方法と異
なる、上記ＢＧＡ型半導体パッケージ１の第３の実装方
法について説明すると、以下のとおりである。
なる、上記ＢＧＡ型半導体パッケージ１の第３の実装方
法について説明すると、以下のとおりである。
【００５６】 実装基板２の電極パッド７上に半田ペ
ースト８が印刷され、該実装基板２と対向する面側に半
田ボール５が設けられたＢＧＡ型半導体パッケージ１を
該実装基板２の所定位置に搭載する。このとき、このと
き、上記半田ボール５が上記半田ペースト８上に配置さ
れるように、位置合わせが行われる。その後、上記ＢＧ
Ａ型半導体パッケージ１および実装基板２をリフロー装
置で加熱し、上記半田ボール５および半田ペースト８を
溶融させて一体化させ、バンプ接続部３を形成する。
ースト８が印刷され、該実装基板２と対向する面側に半
田ボール５が設けられたＢＧＡ型半導体パッケージ１を
該実装基板２の所定位置に搭載する。このとき、このと
き、上記半田ボール５が上記半田ペースト８上に配置さ
れるように、位置合わせが行われる。その後、上記ＢＧ
Ａ型半導体パッケージ１および実装基板２をリフロー装
置で加熱し、上記半田ボール５および半田ペースト８を
溶融させて一体化させ、バンプ接続部３を形成する。
【００５７】 上記ＢＧＡ型半導体パッケージ１およ
び実装基板２の外側から、ディスペンサー６を用いて、
ＢＧＡ型半導体パッケージ１および実装基板２の間隙に
おける各コーナーに、一定量の補強樹脂４を注入し、上
記バンプ接続部３を補強する（図７参照）。
び実装基板２の外側から、ディスペンサー６を用いて、
ＢＧＡ型半導体パッケージ１および実装基板２の間隙に
おける各コーナーに、一定量の補強樹脂４を注入し、上
記バンプ接続部３を補強する（図７参照）。
【００５８】この第３の実装方法の場合、補強樹脂４は
リフロー装置において加熱されることがない、すなわち
リフロー温度に曝されることがないので、低温硬化タイ
プの樹脂を使用することも可能である。このように、補
強樹脂４に低温タイプのものを用いると、バンプ接続部
３に与える熱履歴を低減できる。
リフロー装置において加熱されることがない、すなわち
リフロー温度に曝されることがないので、低温硬化タイ
プの樹脂を使用することも可能である。このように、補
強樹脂４に低温タイプのものを用いると、バンプ接続部
３に与える熱履歴を低減できる。
【００５９】以上のように、本実施の形態に係るＢＧＡ
型半導体パッケージ１の実装構造は、ＢＧＡ型半導体パ
ッケージ１の４隅に補強樹脂４を配してバンプ接続部３
を補強している。これにより、ＢＧＡ型半導体パッケー
ジ１と実装基板２との間隙の全面を補強樹脂４で補強す
る場合と同程度の補強硬化を保ちつつ、かつ、不良の発
見によりＢＧＡ型半導体パッケージ１を交換する場合
に、容易に該ＢＧＡ型半導体パッケージ１を実装基板２
から剥離して修繕することができる。
型半導体パッケージ１の実装構造は、ＢＧＡ型半導体パ
ッケージ１の４隅に補強樹脂４を配してバンプ接続部３
を補強している。これにより、ＢＧＡ型半導体パッケー
ジ１と実装基板２との間隙の全面を補強樹脂４で補強す
る場合と同程度の補強硬化を保ちつつ、かつ、不良の発
見によりＢＧＡ型半導体パッケージ１を交換する場合
に、容易に該ＢＧＡ型半導体パッケージ１を実装基板２
から剥離して修繕することができる。
【００６０】〔実施の形態２〕本発明の第２の実施の形
態について、図８ないし図１０に基づいて説明すれば、
以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記した実
施の形態１の構成と同様の機能を有する構成には同一の
番号を付記し、その説明を省略する。
態について、図８ないし図１０に基づいて説明すれば、
以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記した実
施の形態１の構成と同様の機能を有する構成には同一の
番号を付記し、その説明を省略する。
【００６１】図８ないし図１０は、本実施の形態に係る
ＢＧＡ型半導体パッケージ１１の実装構造を示してい
る。図８は、該ＢＧＡ型半導体パッケージ１１の側面図
であり、図９は、図８のＡ−Ａ矢視断面図であり、図１
０は、図８のＢ−Ｂ矢視断面図である。
ＢＧＡ型半導体パッケージ１１の実装構造を示してい
る。図８は、該ＢＧＡ型半導体パッケージ１１の側面図
であり、図９は、図８のＡ−Ａ矢視断面図であり、図１
０は、図８のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【００６２】図に示すように、上記ＢＧＡ型半導体パッ
ケージ１１は、実施の形態１のＢＧＡ型半導体パッケー
ジ１の４隅にそれぞれ凹凸部９を設けたものであり、そ
の他の構成は実施の形態１のＢＧＡ型半導体パッケージ
１と同様である。なお、該凹凸部９は突起物であっても
よい。
ケージ１１は、実施の形態１のＢＧＡ型半導体パッケー
ジ１の４隅にそれぞれ凹凸部９を設けたものであり、そ
の他の構成は実施の形態１のＢＧＡ型半導体パッケージ
１と同様である。なお、該凹凸部９は突起物であっても
よい。
【００６３】また、補強樹脂４は、上記ＢＧＡ型半導体
パッケージ１１と実装基板２との間隙において、上記凹
凸部９が配置されている部分に注入されている。該補強
樹脂４が硬化することにより、上記凹凸部９と実装基板
２とが接着される。
パッケージ１１と実装基板２との間隙において、上記凹
凸部９が配置されている部分に注入されている。該補強
樹脂４が硬化することにより、上記凹凸部９と実装基板
２とが接着される。
【００６４】上記のように、ＢＧＡ型半導体パッケージ
１１の４隅に凹凸部９を設けることにより、ＢＧＡ型半
導体パッケージ１１と補強樹脂４との剪断方向に対する
接合力が向上するので、補強樹脂４による補強効果を高
めることができる。特に、上記凹凸部９が突起物である
場合は、補強樹脂４の量が少なくても、確実に補強樹脂
４をＢＧＡ型半導体パッケージ１１にまで至らしめるこ
とができる。
１１の４隅に凹凸部９を設けることにより、ＢＧＡ型半
導体パッケージ１１と補強樹脂４との剪断方向に対する
接合力が向上するので、補強樹脂４による補強効果を高
めることができる。特に、上記凹凸部９が突起物である
場合は、補強樹脂４の量が少なくても、確実に補強樹脂
４をＢＧＡ型半導体パッケージ１１にまで至らしめるこ
とができる。
【００６５】また、実装基板２上にＢＧＡ型半導体パッ
ケージ１１を搭載する前に補強樹脂４を塗布する場合
（実施の形態１の第２の実装方法に相当する。）に、図
５に示すように、半田ペースト８の高さよりも高く、つ
まり半田ペースト８にかぶるような厚みで補強樹脂４を
塗布することなく、本実施の形態のＢＧＡ型半導体パッ
ケージ１１の実装構造を得ることができる。
ケージ１１を搭載する前に補強樹脂４を塗布する場合
（実施の形態１の第２の実装方法に相当する。）に、図
５に示すように、半田ペースト８の高さよりも高く、つ
まり半田ペースト８にかぶるような厚みで補強樹脂４を
塗布することなく、本実施の形態のＢＧＡ型半導体パッ
ケージ１１の実装構造を得ることができる。
【００６６】また、上記補強樹脂４の熱膨張係数をバン
プ接続部３の熱膨張係数と等しくすることにより、熱サ
イクルによる熱応力を緩和してバンプ接続部３の熱疲労
寿命を向上させることができ、さらに、バンプ接続部３
と補強樹脂４との間には温度による応力が発生しないの
でバンプ接続部３の機械的強度が増す。例えば補強樹脂
４としてデクスター社製LP-U8040を用いることができ
る。
プ接続部３の熱膨張係数と等しくすることにより、熱サ
イクルによる熱応力を緩和してバンプ接続部３の熱疲労
寿命を向上させることができ、さらに、バンプ接続部３
と補強樹脂４との間には温度による応力が発生しないの
でバンプ接続部３の機械的強度が増す。例えば補強樹脂
４としてデクスター社製LP-U8040を用いることができ
る。
【００６７】以上のように、本実施の形態においては、
ＢＧＡ型半導体パッケージ１１の４隅部分に凹凸部９が
形成されているので、補強樹脂４による樹脂補強効果が
さらに増す。
ＢＧＡ型半導体パッケージ１１の４隅部分に凹凸部９が
形成されているので、補強樹脂４による樹脂補強効果が
さらに増す。
【００６８】なお、本実施の形態におけるＢＧＡ型半導
体パッケージ１１の実装方法として、前記した実施の形
態１の第１ないし第３の実装方法を利用することは当然
可能である。
体パッケージ１１の実装方法として、前記した実施の形
態１の第１ないし第３の実装方法を利用することは当然
可能である。
【００６９】
【発明の効果】以上のように、本発明に係るＢＧＡ型半
導体パッケージの実装構造は、ＢＧＡ型半導体パッケー
ジと上記実装基板との間隙に、部分的に補強樹脂を介在
させる構成である。
導体パッケージの実装構造は、ＢＧＡ型半導体パッケー
ジと上記実装基板との間隙に、部分的に補強樹脂を介在
させる構成である。
【００７０】これにより、ＢＧＡ型半導体パッケージ内
のＬＳＩ不良や、ＢＧＡ型半導体パッケージと実装基板
との接続不良等の発生時に、ＢＧＡ型半導体パッケージ
を交換する場合、過大な力を加えることなく、容易に該
ＢＧＡ型半導体パッケージを実装基板から剥がすことが
できるという効果を奏する。
のＬＳＩ不良や、ＢＧＡ型半導体パッケージと実装基板
との接続不良等の発生時に、ＢＧＡ型半導体パッケージ
を交換する場合、過大な力を加えることなく、容易に該
ＢＧＡ型半導体パッケージを実装基板から剥がすことが
できるという効果を奏する。
【００７１】また、本発明に係るＢＧＡ型半導体パッケ
ージの実装構造では、さらに、上記補強樹脂は、上記Ｂ
ＧＡ型半導体パッケージと上記実装基板との間隙のう
ち、少なくとも４隅部分に充填されている。
ージの実装構造では、さらに、上記補強樹脂は、上記Ｂ
ＧＡ型半導体パッケージと上記実装基板との間隙のう
ち、少なくとも４隅部分に充填されている。
【００７２】これにより、上記の効果に加えて、接続部
分の寿命を保ちつつ、かつ、ＢＧＡ型半導体パッケージ
内のＬＳＩ不良や、ＢＧＡ型半導体パッケージと実装基
板との接続不良等の発生時にＢＧＡ型半導体パッケージ
を交換する場合、過大な力を加えることなく、容易にＢ
ＧＡ型半導体パッケージを実装基板から剥がすことがで
きるという効果を奏する。
分の寿命を保ちつつ、かつ、ＢＧＡ型半導体パッケージ
内のＬＳＩ不良や、ＢＧＡ型半導体パッケージと実装基
板との接続不良等の発生時にＢＧＡ型半導体パッケージ
を交換する場合、過大な力を加えることなく、容易にＢ
ＧＡ型半導体パッケージを実装基板から剥がすことがで
きるという効果を奏する。
【００７３】また、本発明に係るＢＧＡ型半導体パッケ
ージの実装構造では、さらに、上記ＢＧＡ型半導体パッ
ケージにおける上記実装基板との接続面に、凹凸部が設
けられている。
ージの実装構造では、さらに、上記ＢＧＡ型半導体パッ
ケージにおける上記実装基板との接続面に、凹凸部が設
けられている。
【００７４】これにより、上記の効果に加えて、補強樹
脂によるＢＧＡ型半導体パッケージと実装基板との接続
部分の補強効果をより向上させることができるという効
果を奏する。
脂によるＢＧＡ型半導体パッケージと実装基板との接続
部分の補強効果をより向上させることができるという効
果を奏する。
【００７５】また、本発明に係るＢＧＡ型半導体パッケ
ージの実装構造では、さらに、上記凹凸部は、上記ＢＧ
Ａ型半導体パッケージの４隅に設けられている。
ージの実装構造では、さらに、上記凹凸部は、上記ＢＧ
Ａ型半導体パッケージの４隅に設けられている。
【００７６】これにより、上記の効果に加えて、ＢＧＡ
型半導体パッケージの接合面に多くの凹凸部を形成する
ことなく、補強樹脂によるＢＧＡ型半導体パッケージと
実装基板との接続部分の補強効果をより向上させること
ができるという効果を奏する。
型半導体パッケージの接合面に多くの凹凸部を形成する
ことなく、補強樹脂によるＢＧＡ型半導体パッケージと
実装基板との接続部分の補強効果をより向上させること
ができるという効果を奏する。
【００７７】本発明に係るＢＧＡ型半導体パッケージの
実装方法は、上記したＢＧＡ型半導体パッケージの実装
方法であって、（ａ）実装基板に補強樹脂を供給する工
程と、（ｂ）補強樹脂が供給された実装基板上にＢＧＡ
型半導体パッケージをマウントする工程と、（ｃ）リフ
ローを行う工程とを含む方法である。
実装方法は、上記したＢＧＡ型半導体パッケージの実装
方法であって、（ａ）実装基板に補強樹脂を供給する工
程と、（ｂ）補強樹脂が供給された実装基板上にＢＧＡ
型半導体パッケージをマウントする工程と、（ｃ）リフ
ローを行う工程とを含む方法である。
【００７８】これにより、容易に補強樹脂を供給でき、
かつ工程数を削減できるとともに、リフロー工程後の製
造工程中に、例え過大な力が接続部分に作用した場合で
あっても、接続部分が剥がれる等の問題が生じないとい
う効果を奏する。
かつ工程数を削減できるとともに、リフロー工程後の製
造工程中に、例え過大な力が接続部分に作用した場合で
あっても、接続部分が剥がれる等の問題が生じないとい
う効果を奏する。
【００７９】また、本発明に係るＢＧＡ型半導体パッケ
ージの実装方法は、上記したＢＧＡ型半導体パッケージ
の実装方法であって、（ａ）実装基板上にＢＧＡ型半導
体パッケージをマウントする工程と、（ｂ）上記ＢＧＡ
型半導体パッケージと上記実装基板との間隙に、補強樹
脂を供給する工程と、（ｃ）リフローを行う工程とを含
む方法であってもよい。
ージの実装方法は、上記したＢＧＡ型半導体パッケージ
の実装方法であって、（ａ）実装基板上にＢＧＡ型半導
体パッケージをマウントする工程と、（ｂ）上記ＢＧＡ
型半導体パッケージと上記実装基板との間隙に、補強樹
脂を供給する工程と、（ｃ）リフローを行う工程とを含
む方法であってもよい。
【００８０】これにより、実装基板とＢＧＡ型半導体パ
ッケージとを補強樹脂に確実に接触させることができ、
かつ工程数を削減できるとともに、リフロー工程後の製
造工程中に、例え過大な力が接続部分に作用した場合で
あっても、接続部分が剥がれる等の問題が生じないとい
う効果を奏する。
ッケージとを補強樹脂に確実に接触させることができ、
かつ工程数を削減できるとともに、リフロー工程後の製
造工程中に、例え過大な力が接続部分に作用した場合で
あっても、接続部分が剥がれる等の問題が生じないとい
う効果を奏する。
【００８１】また、本発明に係るＢＧＡ型半導体パッケ
ージの実装方法は、上記したＢＧＡ型半導体パッケージ
の実装方法であって、（ａ）実装基板上にＢＧＡ型半導
体パッケージをマウントする工程と、（ｂ）リフローを
行う工程と、（ｃ）上記ＢＧＡ型半導体パッケージと上
記実装基板との間隙に、補強樹脂を供給する工程とを含
む方法であってもよい。
ージの実装方法は、上記したＢＧＡ型半導体パッケージ
の実装方法であって、（ａ）実装基板上にＢＧＡ型半導
体パッケージをマウントする工程と、（ｂ）リフローを
行う工程と、（ｃ）上記ＢＧＡ型半導体パッケージと上
記実装基板との間隙に、補強樹脂を供給する工程とを含
む方法であってもよい。
【００８２】これにより、低温硬化タイプの樹脂を補強
樹脂として用いることが可能となるという効果を奏す
る。また、このように低温硬化タイプの樹脂を用いるこ
とにより、補強樹脂を硬化させるための熱履歴を低減で
き、工程数の削減を行うことが可能となるという効果も
併せて奏する。
樹脂として用いることが可能となるという効果を奏す
る。また、このように低温硬化タイプの樹脂を用いるこ
とにより、補強樹脂を硬化させるための熱履歴を低減で
き、工程数の削減を行うことが可能となるという効果も
併せて奏する。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るＢＧＡ型半導
体パッケージの実装構造を示す側面図である。
体パッケージの実装構造を示す側面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図４】上記ＢＧＡ型半導体パッケージの第１の実装方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図５】上記ＢＧＡ型半導体パッケージの第２の実装方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図６】上記ＢＧＡ型半導体パッケージの第２の実装方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図７】上記ＢＧＡ型半導体パッケージの第３の実装方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係るＢＧＡ型半導
体パッケージの実装構造を示す側面図である。
体パッケージの実装構造を示す側面図である。
【図９】図８のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図１０】図８のＢ−Ｂ矢視断面図である。
１ ＢＧＡ型半導体パッケージ
２ 実装基板
４ 補強樹脂
５ 半田ボール（突起電極部）
９ 凹凸部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平11−163049（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−121649（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−214576（ＪＰ，Ａ)
特開2000−133668（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60
H01L 21/56
H01L 23/12
H05K 1/18
H05K 3/34
Claims (4)
- 【請求項１】突起電極部を有するＢＧＡ型半導体パッケ
ージを、該突起電極部配設側の面が実装基板との接続面
となるように、該実装基板に電気的に接続するＢＧＡ型
半導体パッケージの実装構造において、 上記ＢＧＡ型半導体パッケージと上記実装基板との間隙
に、部分的に補強樹脂を介在させるとともに、 上記ＢＧＡ型半導体パッケージにおける上記実装基板と
の接続面に、凹凸部が設けられていること を特徴とする
ＢＧＡ型半導体パッケージの実装構造。 - 【請求項２】上記補強樹脂は、上記ＢＧＡ型半導体パッ
ケージと上記実装基板との間隙のうち、少なくとも４隅
部分に充填されていることを特徴とする請求項１に記載
のＢＧＡ型半導体パッケージの実装構造。 - 【請求項３】上記凹凸部は、上記ＢＧＡ型半導体パッケ
ージの４隅に設けられていることを特徴とする請求項１
または２に記載のＢＧＡ型半導体パッケージの実装構
造。 - 【請求項４】請求項１ないし３の何れかに記載のＢＧＡ
型半導体パッケージの実装方法であって、 （ａ）実装基板に補強樹脂を供給する工程と、 （ｂ）補強樹脂が供給された実装基板上にＢＧＡ型半導
体パッケージをマウントする工程と、 （ｃ）リフローを行う工程とを含むことを特徴とするＢ
ＧＡ型半導体パッケージの実装方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10847399A JP3532450B2 (ja) | 1999-04-15 | 1999-04-15 | Ｂｇａ型半導体パッケージの実装構造およびその実装方法 |
| KR1020000019809A KR20000071708A (ko) | 1999-04-15 | 2000-04-15 | Ｂｇａ형 반도체 패키지의 실장 구조 및 그 실장 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10847399A JP3532450B2 (ja) | 1999-04-15 | 1999-04-15 | Ｂｇａ型半導体パッケージの実装構造およびその実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000299356A JP2000299356A (ja) | 2000-10-24 |
| JP3532450B2 true JP3532450B2 (ja) | 2004-05-31 |
Family
ID=14485657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10847399A Expired - Fee Related JP3532450B2 (ja) | 1999-04-15 | 1999-04-15 | Ｂｇａ型半導体パッケージの実装構造およびその実装方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3532450B2 (ja) |
| KR (1) | KR20000071708A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4590783B2 (ja) * | 2001-06-13 | 2010-12-01 | パナソニック株式会社 | はんだボールの形成方法 |
| JP4765233B2 (ja) * | 2001-09-17 | 2011-09-07 | 日本電気株式会社 | 半導体パッケージの実装構造および半導体パッケージの実装方法 |
| JP3867796B2 (ja) | 2003-10-09 | 2007-01-10 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
| JP5085081B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2012-11-28 | パナソニック株式会社 | 電子部品実装構造体 |
| US8451620B2 (en) * | 2009-11-30 | 2013-05-28 | Micron Technology, Inc. | Package including an underfill material in a portion of an area between the package and a substrate or another package |
| JP2017034224A (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 京セラ株式会社 | 電子モジュール |
| CN111512422B (zh) | 2017-12-29 | 2022-05-24 | 华为技术有限公司 | 电子封装件、终端及电子封装件的加工方法 |
| WO2022249526A1 (ja) * | 2021-05-25 | 2022-12-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体パッケージおよび電子機器 |
-
1999
- 1999-04-15 JP JP10847399A patent/JP3532450B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-04-15 KR KR1020000019809A patent/KR20000071708A/ko not_active Application Discontinuation
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| JP2000299356A (ja) | 2000-10-24 |
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