JP3526527B2 - セラミック基板 - Google Patents
セラミック基板Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ抵抗器や高
周波デバイス，厚膜混成集積回路，アイソレータ，チッ
プコンデンサ等の電子部品を“多数個取り”によって製
造する際に用いる分割溝付きのセラミック基板に関する
ものである。
周波デバイス，厚膜混成集積回路，アイソレータ，チッ
プコンデンサ等の電子部品を“多数個取り”によって製
造する際に用いる分割溝付きのセラミック基板に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、チップ抵抗器等の電子部品を
“多数個取り”によって製造するのに分割溝付きのセラ
ミック基板が用いられている。
“多数個取り”によって製造するのに分割溝付きのセラ
ミック基板が用いられている。
【０００３】かかるセラミック基板は、その分割によっ
て得られる個々の単体チップが電子部品の母材として機
能するものであり、例えば、セラミックグリーンシート
の一主面に、縦横方向に一定深さの分割溝を複数ずつ設
けたものを高温で焼成することにより製作される。
て得られる個々の単体チップが電子部品の母材として機
能するものであり、例えば、セラミックグリーンシート
の一主面に、縦横方向に一定深さの分割溝を複数ずつ設
けたものを高温で焼成することにより製作される。
【０００４】そして、このようなセラミック基板を用い
た電子部品の“多数個取り”は、まずセラミック基板の
一主面又は両面に導電ペースト等を所定パターンに塗布
するとともにこれを高温で焼き付けて導体パターン等を
形成し、しかる後、前記セラミック基板を外力の印加に
より分割溝に沿って縦方向、横方向に順次、分割し、複
数の単体チップとなすことにより行われる。
た電子部品の“多数個取り”は、まずセラミック基板の
一主面又は両面に導電ペースト等を所定パターンに塗布
するとともにこれを高温で焼き付けて導体パターン等を
形成し、しかる後、前記セラミック基板を外力の印加に
より分割溝に沿って縦方向、横方向に順次、分割し、複
数の単体チップとなすことにより行われる。
【０００５】尚、前記セラミック基板の分割溝は、複数
の刃が植設されている金型をセラミックグリーンシート
の一主面に所定の押圧力で押し当てることにより形成さ
れ、このような分割溝は、前述した分割の際にセラミッ
ク基板を比較的容易に分割することができるように、所
定の深さで、例えば、セラミック基板が厚み０．６０ｍ
ｍのＭｇ・Ｃａ・Ｔｉ系誘電体から成る場合、０．２０
ｍｍの深さでもって全て等しく形成される。
の刃が植設されている金型をセラミックグリーンシート
の一主面に所定の押圧力で押し当てることにより形成さ
れ、このような分割溝は、前述した分割の際にセラミッ
ク基板を比較的容易に分割することができるように、所
定の深さで、例えば、セラミック基板が厚み０．６０ｍ
ｍのＭｇ・Ｃａ・Ｔｉ系誘電体から成る場合、０．２０
ｍｍの深さでもって全て等しく形成される。
【０００６】また最近では、電子部品の製作にあたり必
要な箇所にのみ端面印刷を行ったりするため、図７に示
す如く、セラミック基板の分割によって得られる単体チ
ップ１１の端面に半円柱状の切り欠き１２を設けたもの
がある。このような単体チップ１１を得るためのセラミ
ック基板には、一部の分割溝上に円形のスルーホールが
形成されており、かかるセラミック基板を分割溝に沿っ
て分割することで単体チップ１１の端面に前述のような
半円柱状の切り欠き１２を設けるようにしている。
要な箇所にのみ端面印刷を行ったりするため、図７に示
す如く、セラミック基板の分割によって得られる単体チ
ップ１１の端面に半円柱状の切り欠き１２を設けたもの
がある。このような単体チップ１１を得るためのセラミ
ック基板には、一部の分割溝上に円形のスルーホールが
形成されており、かかるセラミック基板を分割溝に沿っ
て分割することで単体チップ１１の端面に前述のような
半円柱状の切り欠き１２を設けるようにしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来のセラミック基板においては、全ての分割溝が等しい
深さで形成されているため、これらの分割溝のうち、ス
ルーホールを配置させたものと、そうでないものとでは
その部分の機械的強度が大きく異なっている。即ち、セ
ラミック基板の分割溝は、通常、分割の際にあまり大き
な外力を印加しなくても良いようにある程度深く形成さ
れており、このような分割溝上にスルーホールを配置さ
せると、その部分のセラミック基板の機械的強度が極端
に低くなってしまう。このため、セラミック基板の搬送
時等にセラミック基板に大きな振動や衝撃等が印加され
ると、スルーホール上を通過する分割溝のところでセラ
ミック基板に割れが生じ、セラミック基板の信頼性を大
きく低下させる欠点を有していた。
来のセラミック基板においては、全ての分割溝が等しい
深さで形成されているため、これらの分割溝のうち、ス
ルーホールを配置させたものと、そうでないものとでは
その部分の機械的強度が大きく異なっている。即ち、セ
ラミック基板の分割溝は、通常、分割の際にあまり大き
な外力を印加しなくても良いようにある程度深く形成さ
れており、このような分割溝上にスルーホールを配置さ
せると、その部分のセラミック基板の機械的強度が極端
に低くなってしまう。このため、セラミック基板の搬送
時等にセラミック基板に大きな振動や衝撃等が印加され
ると、スルーホール上を通過する分割溝のところでセラ
ミック基板に割れが生じ、セラミック基板の信頼性を大
きく低下させる欠点を有していた。
【０００８】
【課題を解決しようとする課題】本発明は上記欠点に鑑
み案出されたもので、本発明のセラミック基板は、スル
ーホールを有し、且つ一主面に前記スルーホールに通じ
る複数の第１分割溝とスルーホールに通じない複数の第
２分割溝とが設けられているセラミック基板であって、
前記第１分割溝は、少なくとも前記スルーホールに近接
した領域の深さが前記第２分割溝に比し浅く形成されて
いることを特徴とするものである。
み案出されたもので、本発明のセラミック基板は、スル
ーホールを有し、且つ一主面に前記スルーホールに通じ
る複数の第１分割溝とスルーホールに通じない複数の第
２分割溝とが設けられているセラミック基板であって、
前記第１分割溝は、少なくとも前記スルーホールに近接
した領域の深さが前記第２分割溝に比し浅く形成されて
いることを特徴とするものである。
【０００９】また本発明のセラミック基板は、前記第１
分割溝の深さが、前記第２分割溝の深さの７０％〜９０
％であることを特徴とするものである。
分割溝の深さが、前記第２分割溝の深さの７０％〜９０
％であることを特徴とするものである。
【００１０】即ち、本発明によれば、スルーホール上を
通過する第１分割溝の深さを、スルーホール上を通過し
ない第２分割溝の深さよりも浅くなしておくことによ
り、セラミック基板の第１分割溝が設けられている箇所
に適度な機械的強度を与えることができ、従って、搬送
時等の振動や衝撃によるセラミック基板の割れが有効に
防止され、セラミック基板の信頼性を向上させることが
可能となる。
通過する第１分割溝の深さを、スルーホール上を通過し
ない第２分割溝の深さよりも浅くなしておくことによ
り、セラミック基板の第１分割溝が設けられている箇所
に適度な機械的強度を与えることができ、従って、搬送
時等の振動や衝撃によるセラミック基板の割れが有効に
防止され、セラミック基板の信頼性を向上させることが
可能となる。
【００１１】また前述の第１分割溝はスルーホールに通
じるように形成されているため、セラミック基板を分割
溝に沿って正確に分割することができる。これにより、
セラミック基板の分割によって得られる各単体チップの
エッジにはチッピングが生じにくく、電子部品の歩留り
も向上される利点がある。
じるように形成されているため、セラミック基板を分割
溝に沿って正確に分割することができる。これにより、
セラミック基板の分割によって得られる各単体チップの
エッジにはチッピングが生じにくく、電子部品の歩留り
も向上される利点がある。
【００１２】更に本発明によれば、前記第１分割溝の深
さを第２分割溝の深さの７０％〜９０％とすることで、
セラミック基板が比較的脆い誘電体から成っている場合
であっても、セラミック基板の分割性を極めて良好とし
た上、搬送時等におけるセラミック基板の割れをより確
実に防止することができる。
さを第２分割溝の深さの７０％〜９０％とすることで、
セラミック基板が比較的脆い誘電体から成っている場合
であっても、セラミック基板の分割性を極めて良好とし
た上、搬送時等におけるセラミック基板の割れをより確
実に防止することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基づい
て詳細に説明する。図１は本発明のセラミック基板の一
形態を示す斜視図であり、１はセラミック基板、２はス
ルーホール、３は第１分割溝、４は第２分割溝である。
て詳細に説明する。図１は本発明のセラミック基板の一
形態を示す斜視図であり、１はセラミック基板、２はス
ルーホール、３は第１分割溝、４は第２分割溝である。
【００１４】前記セラミック基板１は、アルミナセラミ
ックスやジルコニア，ムライト，フォルステライト，Ｍ
ｇ・Ｃａ・Ｔｉ系誘電体，Ｂａ・Ｍｇ・Ｗ系誘電体，Ｂ
ａ・Ｔｉ系誘電体，Ｂａ・Ｎｄ・Ｔｉ系誘電体等のセラ
ミックス材料から成り、その厚みは用途に応じて適宜設
定され、四角形状をなすように形成される。
ックスやジルコニア，ムライト，フォルステライト，Ｍ
ｇ・Ｃａ・Ｔｉ系誘電体，Ｂａ・Ｍｇ・Ｗ系誘電体，Ｂ
ａ・Ｔｉ系誘電体，Ｂａ・Ｎｄ・Ｔｉ系誘電体等のセラ
ミックス材料から成り、その厚みは用途に応じて適宜設
定され、四角形状をなすように形成される。
【００１５】また前記セラミック基板１は複数のスルー
ホール２を有し、その一主面には縦横方向に複数ずつ分
割溝３，４が設けられる。
ホール２を有し、その一主面には縦横方向に複数ずつ分
割溝３，４が設けられる。
【００１６】前記スルーホール２は、例えば、縦横方向
に３列ずつ、計９個がマトリクス状に配列しており、こ
れらのスルーホール２は、セラミック基板１を分割溝
３，４に沿って分割した際、得られる単体チップの端面
に半円柱状もしくは矩形柱状の切り欠きが形成されるよ
うにする作用を為す。
に３列ずつ、計９個がマトリクス状に配列しており、こ
れらのスルーホール２は、セラミック基板１を分割溝
３，４に沿って分割した際、得られる単体チップの端面
に半円柱状もしくは矩形柱状の切り欠きが形成されるよ
うにする作用を為す。
【００１７】また一方、セラミック基板１の一主面に設
けられる複数の分割溝３，４は、スルーホール２に通じ
る第１分割溝３と、スルーホール２には通じない複数の
第２分割溝４とで構成される。
けられる複数の分割溝３，４は、スルーホール２に通じ
る第１分割溝３と、スルーホール２には通じない複数の
第２分割溝４とで構成される。
【００１８】前記分割溝３，４は、セラミック基板１に
外力を印加してこれを複数の単体チップに分割したり、
或いは、セラミック基板１の周縁部分に設けられるダミ
ー部１ａを切り離したりする際、その作業を容易かつ正
確に行うためのものであり、各々が断面Ｖ字状をなすよ
うに所定の深さでもって形成される。
外力を印加してこれを複数の単体チップに分割したり、
或いは、セラミック基板１の周縁部分に設けられるダミ
ー部１ａを切り離したりする際、その作業を容易かつ正
確に行うためのものであり、各々が断面Ｖ字状をなすよ
うに所定の深さでもって形成される。
【００１９】そして、これらの分割溝３，４は、第１分
割溝３と第２分割溝４で、その深さが異なるように形成
される。具体的には、図２（ａ）（ｂ）に示す如く、第
１分割溝３の深さＤ1 が第２分割溝４の深さＤ2 の７０
％〜９０％の深さとなるように形成され、例えば、セラ
ミック基板１の厚みが０．６０ｍｍ、第２分割溝４の深
さが０．２０ｍｍの場合、第１分割溝３の深さは０．１
４〜０．１８ｍｍの範囲内に設定される。
割溝３と第２分割溝４で、その深さが異なるように形成
される。具体的には、図２（ａ）（ｂ）に示す如く、第
１分割溝３の深さＤ1 が第２分割溝４の深さＤ2 の７０
％〜９０％の深さとなるように形成され、例えば、セラ
ミック基板１の厚みが０．６０ｍｍ、第２分割溝４の深
さが０．２０ｍｍの場合、第１分割溝３の深さは０．１
４〜０．１８ｍｍの範囲内に設定される。
【００２０】このように、スルーホール２上を通過する
第１分割溝３の深さＤ1 をスルーホール２上を通過しな
い第２分割溝４の深さＤ2 よりも浅くなしておくことに
より、セラミック基板１の第１分割溝３が設けられてい
る箇所に適度な機械的強度を与えることができる。従っ
て、搬送時等の振動や衝撃によるセラミック基板１の割
れが有効に防止され、セラミック基板１の信頼性を向上
させることが可能となる。
第１分割溝３の深さＤ1 をスルーホール２上を通過しな
い第２分割溝４の深さＤ2 よりも浅くなしておくことに
より、セラミック基板１の第１分割溝３が設けられてい
る箇所に適度な機械的強度を与えることができる。従っ
て、搬送時等の振動や衝撃によるセラミック基板１の割
れが有効に防止され、セラミック基板１の信頼性を向上
させることが可能となる。
【００２１】しかも、前記第１分割溝３はセラミック基
板１の一主面においてスルーホール２に通じているた
め、セラミック基板１を分割溝３に沿って正確に分割す
ることができ、各単体チップのエッジにチッピングが生
じるのを有効に防止することができる。これにより、セ
ラミック基板１の分割によって得られる電子部品の歩留
りも大幅に向上する。
板１の一主面においてスルーホール２に通じているた
め、セラミック基板１を分割溝３に沿って正確に分割す
ることができ、各単体チップのエッジにチッピングが生
じるのを有効に防止することができる。これにより、セ
ラミック基板１の分割によって得られる電子部品の歩留
りも大幅に向上する。
【００２２】また前記第１分割溝３は、その深さＤ1 を
第２分割溝４の深さＤ2 の７０％以上とすることで、セ
ラミック基板１がＭｇ・Ｃａ・Ｔｉ系誘電体，Ｂａ・Ｍ
ｇ・Ｗ系誘電体，Ｂａ・Ｔｉ系誘電体，Ｂａ・Ｎｄ・Ｔ
ｉ系誘電体等の比較的脆い誘電体材料から成っている場
合であっても、セラミック基板１の機械的強度を上げて
セラミック基板１の割れを確実に防止することができ、
また前記深さＤ1 を深さＤ2 の９０％以下とすること
で、セラミック基板１の分割性を極めて良好になし、チ
ッピングの発生を有効に防止できる利点がある。従って
第１分割溝３の深さＤ1 は第２分割溝４の深さＤ2 の７
０％〜９０％の範囲内に設定することが好ましい。
第２分割溝４の深さＤ2 の７０％以上とすることで、セ
ラミック基板１がＭｇ・Ｃａ・Ｔｉ系誘電体，Ｂａ・Ｍ
ｇ・Ｗ系誘電体，Ｂａ・Ｔｉ系誘電体，Ｂａ・Ｎｄ・Ｔ
ｉ系誘電体等の比較的脆い誘電体材料から成っている場
合であっても、セラミック基板１の機械的強度を上げて
セラミック基板１の割れを確実に防止することができ、
また前記深さＤ1 を深さＤ2 の９０％以下とすること
で、セラミック基板１の分割性を極めて良好になし、チ
ッピングの発生を有効に防止できる利点がある。従って
第１分割溝３の深さＤ1 は第２分割溝４の深さＤ2 の７
０％〜９０％の範囲内に設定することが好ましい。
【００２３】更に前記分割溝３，４は、その角度θ1 ，
θ2 を４０°以上になしておくことで、セラミック基板
１の搬送時の振動等による割れの発生をより有効に防止
することができ、また分割溝３，４の角度θ1 ，θ2 を
７０°以下になしておくことで、セラミック基板１の分
割の際にセラミック基板１が分割溝３，４に沿って割れ
るようになすことができる。従って分割溝３，４の角度
θ1 ，θ2 は４０°〜７０°の範囲内に設定するのが好
ましい。
θ2 を４０°以上になしておくことで、セラミック基板
１の搬送時の振動等による割れの発生をより有効に防止
することができ、また分割溝３，４の角度θ1 ，θ2 を
７０°以下になしておくことで、セラミック基板１の分
割の際にセラミック基板１が分割溝３，４に沿って割れ
るようになすことができる。従って分割溝３，４の角度
θ1 ，θ2 は４０°〜７０°の範囲内に設定するのが好
ましい。
【００２４】このようなセラミック基板１を製造するに
は、例えば、セラミック基板１がアルミナセラミックス
から成る場合、まず、アルミナ、シリカ、マグネシア等
のセラミックス原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加
混合して泥漿状と成すとともにこれを従来周知のドクタ
ーブレード法やカレンダーロール法等を採用することに
よってセラミックグリーンシートを形成し、次に前記セ
ラミックグリーンシートを所定形状に打ち抜き加工した
上、その一主面に、複数のパンチや複数の刃が一体的に
植設されている金型を所定の押圧力で押し当てることに
よってセラミックグリーンシートに複数のスルーホール
２と複数の第１分割溝３と複数の第２分割溝４とを同時
に形成する。このとき、金型に植設される複数の刃は、
第１分割溝３の深さＤ1 が第２分割溝４の深さＤ2 の深
さよりも所定の深さだけ浅くなるように、第１分割溝３
を形成するための刃の位置を第２分割溝４を形成するた
めの刃の位置よりも例えば、０．０２〜０．０６ｍｍだ
け低く配置しておく。そして最後に前記セラミックグリ
ーンシートを所定条件で焼成することにより製品として
のセラミック基板１が完成する。尚、セラミック基板１
は、上述の製法以外に、粉末プレス成形法等によっても
製作することができ、この場合、セラミックス原料粉末
に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合し、しかる後、これ
を乾燥・造粒したものを粉体のまま所定の金型内に充填
し、更に加圧及び加熱することによって製作される。ま
たスルーホール２や第１分割溝３，第２分割溝４は金型
の内面をこれらに応じて所定形状に加工しておくことに
より同時に形成される。
は、例えば、セラミック基板１がアルミナセラミックス
から成る場合、まず、アルミナ、シリカ、マグネシア等
のセラミックス原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加
混合して泥漿状と成すとともにこれを従来周知のドクタ
ーブレード法やカレンダーロール法等を採用することに
よってセラミックグリーンシートを形成し、次に前記セ
ラミックグリーンシートを所定形状に打ち抜き加工した
上、その一主面に、複数のパンチや複数の刃が一体的に
植設されている金型を所定の押圧力で押し当てることに
よってセラミックグリーンシートに複数のスルーホール
２と複数の第１分割溝３と複数の第２分割溝４とを同時
に形成する。このとき、金型に植設される複数の刃は、
第１分割溝３の深さＤ1 が第２分割溝４の深さＤ2 の深
さよりも所定の深さだけ浅くなるように、第１分割溝３
を形成するための刃の位置を第２分割溝４を形成するた
めの刃の位置よりも例えば、０．０２〜０．０６ｍｍだ
け低く配置しておく。そして最後に前記セラミックグリ
ーンシートを所定条件で焼成することにより製品として
のセラミック基板１が完成する。尚、セラミック基板１
は、上述の製法以外に、粉末プレス成形法等によっても
製作することができ、この場合、セラミックス原料粉末
に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合し、しかる後、これ
を乾燥・造粒したものを粉体のまま所定の金型内に充填
し、更に加圧及び加熱することによって製作される。ま
たスルーホール２や第１分割溝３，第２分割溝４は金型
の内面をこれらに応じて所定形状に加工しておくことに
より同時に形成される。
【００２５】そして上述のセラミック基板１を電子部品
の“多数個取り”に使用する場合は、まず、セラミック
基板１の一主面又は両面に導電ペースト等を所定パター
ンに塗布するとともにこれを高温で焼き付けることによ
って導体パターンを形成し、しかる後、前記セラミック
基板１に所定の治具を用いて外力を印加し、セラミック
基板１を第１分割溝３及び第２分割溝４に沿って縦方
向、横方向に順次、分割することによって行われ、これ
によって図３のような単体チップが同時に複数個、製作
される。
の“多数個取り”に使用する場合は、まず、セラミック
基板１の一主面又は両面に導電ペースト等を所定パター
ンに塗布するとともにこれを高温で焼き付けることによ
って導体パターンを形成し、しかる後、前記セラミック
基板１に所定の治具を用いて外力を印加し、セラミック
基板１を第１分割溝３及び第２分割溝４に沿って縦方
向、横方向に順次、分割することによって行われ、これ
によって図３のような単体チップが同時に複数個、製作
される。
【００２６】このとき、セラミック基板１のダミー部１
ａに設けられる第１分割溝３の先端をダミー部１ａの途
中、具体的には、第１分割溝３の形成方向に１／４〜３
／４のところで止めるようにしておけば、その部分の機
械的強度が向上するため、搬送時等の振動や衝撃による
セラミック基板１の割れがより確実に防止されるように
なり、セラミック基板１の信頼性が更に向上される。従
ってセラミック基板１のダミー部１ａに設けられる第１
分割溝３をダミー部１ａの途中１／４〜３／４のところ
で止めるようにしておくことが好ましい。
ａに設けられる第１分割溝３の先端をダミー部１ａの途
中、具体的には、第１分割溝３の形成方向に１／４〜３
／４のところで止めるようにしておけば、その部分の機
械的強度が向上するため、搬送時等の振動や衝撃による
セラミック基板１の割れがより確実に防止されるように
なり、セラミック基板１の信頼性が更に向上される。従
ってセラミック基板１のダミー部１ａに設けられる第１
分割溝３をダミー部１ａの途中１／４〜３／４のところ
で止めるようにしておくことが好ましい。
【００２７】尚、本発明は上述の形態に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々
の変更、改良等が可能である。
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々
の変更、改良等が可能である。
【００２８】例えば、上述の形態においては第１分割溝
３の深さＤ1 をその全体にわたって第２分割溝４の深さ
Ｄ2 よりも浅くしたが、これに代えて、図４に示す如
く、第１分割溝３の深さＤ1 をスルーホール２に近接す
る領域のみ第２分割溝４の深さＤ2 よりも浅く形成し、
それ以外の部位は第２分割溝４と同じ深さで形成するよ
うにしても構わない。この場合、第１分割溝３を形成す
るための刃は第１分割溝３の形状に応じた形になしてお
く。
３の深さＤ1 をその全体にわたって第２分割溝４の深さ
Ｄ2 よりも浅くしたが、これに代えて、図４に示す如
く、第１分割溝３の深さＤ1 をスルーホール２に近接す
る領域のみ第２分割溝４の深さＤ2 よりも浅く形成し、
それ以外の部位は第２分割溝４と同じ深さで形成するよ
うにしても構わない。この場合、第１分割溝３を形成す
るための刃は第１分割溝３の形状に応じた形になしてお
く。
【００２９】また上述の形態においては１個のスルーホ
ール２を第１分割溝３によって２つに分割されるように
なしたが、図５に示す如く、１個のスルーホール２を縦
横方向の第１分割溝３によって４つに分割するような実
施形態にも本発明は適用可能である。
ール２を第１分割溝３によって２つに分割されるように
なしたが、図５に示す如く、１個のスルーホール２を縦
横方向の第１分割溝３によって４つに分割するような実
施形態にも本発明は適用可能である。
【００３０】更に図６（ａ）に示す如く、セラミック基
板１の一主面に設けられる分割溝３’の稜線部に曲率半
径０．０１〜０．５ｍｍのＲ面を設けたり、図６（ｂ）
に示す如く、分割溝３”の稜線部にＣ面を設けるように
すれば、グリーンシートの成形時に、分割溝３”の周囲
にクラックが発生するのを有効に防止できる利点もあ
る。
板１の一主面に設けられる分割溝３’の稜線部に曲率半
径０．０１〜０．５ｍｍのＲ面を設けたり、図６（ｂ）
に示す如く、分割溝３”の稜線部にＣ面を設けるように
すれば、グリーンシートの成形時に、分割溝３”の周囲
にクラックが発生するのを有効に防止できる利点もあ
る。
【００３１】（実験例）図１のセラミック基板１と同様
に、径５．５ｍｍのスルーホールを９個有した厚み０．
６０ｍｍ、３５ｍｍ×３５ｍｍのＢａ・Ｎｄ・Ｔｉ系誘
電体基板をサンプルとして用い、スルーホールに通じる
第１分割溝の深さＤ1 をスルーホールに通じない第２分
割溝の深さＤ2 に対して種々変化させ、それぞれに関
し、工程中の割れ発生率と、実際に分割を行ったときの
分割性について調べた。その結果を表１に示す。尚、第
２分割溝の深さＤ2 の深さは全て０．２０ｍｍに固定
し、サンプルの数は１００個ずつとし、これらを総合評
価して○△×の３段階に分けた。
に、径５．５ｍｍのスルーホールを９個有した厚み０．
６０ｍｍ、３５ｍｍ×３５ｍｍのＢａ・Ｎｄ・Ｔｉ系誘
電体基板をサンプルとして用い、スルーホールに通じる
第１分割溝の深さＤ1 をスルーホールに通じない第２分
割溝の深さＤ2 に対して種々変化させ、それぞれに関
し、工程中の割れ発生率と、実際に分割を行ったときの
分割性について調べた。その結果を表１に示す。尚、第
２分割溝の深さＤ2 の深さは全て０．２０ｍｍに固定
し、サンプルの数は１００個ずつとし、これらを総合評
価して○△×の３段階に分けた。
【００３２】
【表１】
【００３３】以上の結果より明らかなように、第１分割
溝の深さＤ1 は割れ発生率の観点からは、第２分割溝の
深さＤ2 の９０％以下とするのが好ましく、また分割性
の観点からは、第２分割溝の深さＤ2 の７０％以上とす
るのが好ましい。
溝の深さＤ1 は割れ発生率の観点からは、第２分割溝の
深さＤ2 の９０％以下とするのが好ましく、また分割性
の観点からは、第２分割溝の深さＤ2 の７０％以上とす
るのが好ましい。
【００３４】従って、第１分割溝の深さＤ1 を、工程中
の割れ発生率の低減、分割性等の観点から総合的に勘案
すると、第２分割溝の深さＤ2 の７０％〜９０％の範囲
に設定することが最適であることが判る。
の割れ発生率の低減、分割性等の観点から総合的に勘案
すると、第２分割溝の深さＤ2 の７０％〜９０％の範囲
に設定することが最適であることが判る。
【００３５】
【発明の効果】本発明のセラミック基板によれば、スル
ーホール上を通過する第１分割溝の深さを、スルーホー
ル上を通過しない第２分割溝の深さよりも浅くなしてお
くことにより、セラミック基板の第１分割溝が設けられ
ている箇所に適度な機械的強度を与えることができ、従
って、搬送時等の振動や衝撃によるセラミック基板の割
れが有効に防止され、セラミック基板の信頼性を向上さ
せることが可能となる。また本発明のセラミック基板に
よれば、前記第１分割溝がスルーホールに通じるように
形成されているため、セラミック基板の分割時に各単体
チップのエッジ等にはチッピングが生じにくく、セラミ
ック基板の分割によって得られる電子部品の歩留りも向
上される利点がある。
ーホール上を通過する第１分割溝の深さを、スルーホー
ル上を通過しない第２分割溝の深さよりも浅くなしてお
くことにより、セラミック基板の第１分割溝が設けられ
ている箇所に適度な機械的強度を与えることができ、従
って、搬送時等の振動や衝撃によるセラミック基板の割
れが有効に防止され、セラミック基板の信頼性を向上さ
せることが可能となる。また本発明のセラミック基板に
よれば、前記第１分割溝がスルーホールに通じるように
形成されているため、セラミック基板の分割時に各単体
チップのエッジ等にはチッピングが生じにくく、セラミ
ック基板の分割によって得られる電子部品の歩留りも向
上される利点がある。
【００３６】更に本発明のセラミック基板によれば、前
記第１分割溝の深さを第２分割溝の深さの７０％〜９０
％とすることで、セラミック基板が比較的脆い誘電体材
料から成っている場合であっても、セラミック基板を複
数の単体チップに分割する際の分割性を極めて良好とし
た上、搬送時等におけるセラミック基板の割れをより確
実に防止することができる。
記第１分割溝の深さを第２分割溝の深さの７０％〜９０
％とすることで、セラミック基板が比較的脆い誘電体材
料から成っている場合であっても、セラミック基板を複
数の単体チップに分割する際の分割性を極めて良好とし
た上、搬送時等におけるセラミック基板の割れをより確
実に防止することができる。
【図１】本発明のセラミック基板の一形態を示す斜視図
である。
である。
【図２】（ａ）は第１分割溝の部分断面図、（ｂ）は第
２分割溝の部分断面図である。
２分割溝の部分断面図である。
【図３】図１のセラミック基板を分割して得られる単体
チップの斜視図である。
チップの斜視図である。
【図４】本発明のセラミック基板の他の実施形態を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明のセラミック基板の他の実施形態を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は本発明のセラミック基板の
変形例を示す部分断面図である。
変形例を示す部分断面図である。
【図７】従来のセラミック基板を分割して得られる単体
チップの斜視図である。
チップの斜視図である。
１・・・セラミック基板
２・・・スルーホール
３・・・第１分割溝
４・・・第２分割溝
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−206802（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−160704（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01C 17/06
H01G 4/12 346
H01G 13/00 391
Claims (2)
- 【請求項１】スルーホールを有し、且つ一主面に前記ス
ルーホールに通じる複数の第１分割溝とスルーホールに
通じない複数の第２分割溝とが設けられているセラミッ
ク基板であって、前記第１分割溝は、少なくとも前記ス
ルーホールに近接した領域の深さが前記第２分割溝に比
し浅く形成されていることを特徴とするセラミック基
板。 - 【請求項２】前記第１分割溝の深さが、前記第２分割溝
の深さの７０％〜９０％であることを特徴とする請求項
１に記載のセラミック基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35528997A JP3526527B2 (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | セラミック基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35528997A JP3526527B2 (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | セラミック基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186011A JPH11186011A (ja) | 1999-07-09 |
| JP3526527B2 true JP3526527B2 (ja) | 2004-05-17 |
Family
ID=18443059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35528997A Expired - Fee Related JP3526527B2 (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | セラミック基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3526527B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5535765B2 (ja) * | 2009-06-01 | 2014-07-02 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP5830864B2 (ja) * | 2011-01-20 | 2015-12-09 | 大日本印刷株式会社 | キャパシタ内蔵配線板、キャパシタ内蔵配線板の製造方法 |
-
1997
- 1997-12-24 JP JP35528997A patent/JP3526527B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11186011A (ja) | 1999-07-09 |
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