JP3497841B2 - 現像廃液再生装置及び現像廃液再生方法 - Google Patents
現像廃液再生装置及び現像廃液再生方法Info
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D61/00—Processes of separation using semi-permeable membranes, e.g. dialysis, osmosis or ultrafiltration; Apparatus, accessories or auxiliary operations specially adapted therefor
- B01D61/02—Reverse osmosis; Hyperfiltration ; Nanofiltration
- B01D61/027—Nanofiltration
- B01D61/0271—Nanofiltration comprising multiple nanofiltration steps
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- B01D63/00—Apparatus in general for separation processes using semi-permeable membranes
- B01D63/06—Tubular membrane modules
- B01D63/062—Tubular membrane modules with membranes on a surface of a support tube
- B01D63/063—Tubular membrane modules with membranes on a surface of a support tube on the inner surface thereof
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
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- B01D61/00—Processes of separation using semi-permeable membranes, e.g. dialysis, osmosis or ultrafiltration; Apparatus, accessories or auxiliary operations specially adapted therefor
- B01D61/14—Ultrafiltration; Microfiltration
- B01D61/145—Ultrafiltration
- B01D61/146—Ultrafiltration comprising multiple ultrafiltration steps
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体、液晶、プ
リント基板等の電子部品製造過程で発生するテトラアル
キルアンモニウムハイドロオキサイド（以下、「ＴＡＡ
Ｈ」という。）を含む現像廃液を再生する現像廃液再生
装置及び現像廃液再生方法に関する。
リント基板等の電子部品製造過程で発生するテトラアル
キルアンモニウムハイドロオキサイド（以下、「ＴＡＡ
Ｈ」という。）を含む現像廃液を再生する現像廃液再生
装置及び現像廃液再生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体、液晶、プリント基板等の
電子部品を製造する際、被膜形成工程としてＳｉウエハ
ー等の基板上にネガ型又はポジ型のフォトレジストの被
膜を形成し、照射工程としてパターンマスクを通して光
等を照射し、次に現像工程として現像液を用いて不要の
フォトレジストを溶解し、さらにエッチング工程として
エッチング等の処理を行った後、剥離工程として基板上
の不溶性のフォトレジスト膜を剥離する製造工程が採ら
れている。上記の現像工程で用いられる現像液は、通常
ＴＡＡＨが用いられている。従って、現像工程で排出さ
れる現像廃液には、溶解したフォトレジストとＴＡＡＨ
が含まれている。
電子部品を製造する際、被膜形成工程としてＳｉウエハ
ー等の基板上にネガ型又はポジ型のフォトレジストの被
膜を形成し、照射工程としてパターンマスクを通して光
等を照射し、次に現像工程として現像液を用いて不要の
フォトレジストを溶解し、さらにエッチング工程として
エッチング等の処理を行った後、剥離工程として基板上
の不溶性のフォトレジスト膜を剥離する製造工程が採ら
れている。上記の現像工程で用いられる現像液は、通常
ＴＡＡＨが用いられている。従って、現像工程で排出さ
れる現像廃液には、溶解したフォトレジストとＴＡＡＨ
が含まれている。
【０００３】この現像廃液を処理する方法の一つとし
て、ＴＡＡＨ含有廃液の前処理方法及び再生方法が特開
平１１−２６２７６５号公報に開示されている。同公報
に記載されているＴＡＡＨ含有廃液の前処理方法及び再
生方法では、ＴＡＡＨ含有廃液を適切な酸で中和し、廃
液中のフォトレジストを析出させる。次に、そのＴＡＡ
Ｈ含有廃液を膜分離装置に導入して固形分（主としてフ
ォトレジスト）を分離・除去する。膜分離装置で固形分
を除去されたＴＡＡＨ含有液を、蒸発器を用いて濃縮す
ることにより、ＴＡＡＨ含有液を濃縮・減容化する。
て、ＴＡＡＨ含有廃液の前処理方法及び再生方法が特開
平１１−２６２７６５号公報に開示されている。同公報
に記載されているＴＡＡＨ含有廃液の前処理方法及び再
生方法では、ＴＡＡＨ含有廃液を適切な酸で中和し、廃
液中のフォトレジストを析出させる。次に、そのＴＡＡ
Ｈ含有廃液を膜分離装置に導入して固形分（主としてフ
ォトレジスト）を分離・除去する。膜分離装置で固形分
を除去されたＴＡＡＨ含有液を、蒸発器を用いて濃縮す
ることにより、ＴＡＡＨ含有液を濃縮・減容化する。
【０００４】さらに、このようにして固形分を含まず、
中和されたＴＡＡＨ含有液を電気透析法により再生す
る。その結果得られたＴＡＡＨ濃縮液に純水あるいは新
たなＴＡＡＨを加えて濃度を調整し、電子部品用現像液
として再利用する。
中和されたＴＡＡＨ含有液を電気透析法により再生す
る。その結果得られたＴＡＡＨ濃縮液に純水あるいは新
たなＴＡＡＨを加えて濃度を調整し、電子部品用現像液
として再利用する。
【０００５】また、特開平１１−１９２４８１号公報に
は、ナノフィルトレーション膜を用いてフォトレジスト
現像廃液を膜分離処理し、フォトレジスト等の不純物を
主として含む濃縮液とテトラアルキルアンモニウムイオ
ンを主として含む透過液とを得る技術が開示されてい
る。
は、ナノフィルトレーション膜を用いてフォトレジスト
現像廃液を膜分離処理し、フォトレジスト等の不純物を
主として含む濃縮液とテトラアルキルアンモニウムイオ
ンを主として含む透過液とを得る技術が開示されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
１１−２６２７６５号公報に開示されているＴＡＡＨ含
有廃液の前処理方法及び再生方法では、膜分離装置で使
用される透過性膜は、アルカリに対して脆く、ｐＨが１
０以下でないと使用できないため、強アルカリ性である
ＴＡＡＨ含有廃液を適切な酸で中和しなければならなか
った。また、ＴＡＡＨは中和されると塩となるため、Ｔ
ＡＡＨ含有液を再生するためには、電気透析等の処理を
行う必要があった。しかし、通常、電気透析を行うため
の設備は、半導体製造工場等から離れた場所に設置され
ているため、中和されたＴＡＡＨ含有液を半導体製造工
場等から電気透析を行う設備がある場所まで輸送しなけ
ればならなかった。この輸送の際にはトラック等の各種
交通機関が使用されるため、運搬エネルギー及び処理コ
ストの観点から望ましくない。さらに、廃棄物処理は社
会的な問題であるため、廃棄物を極力減少させるシステ
ムの構築が望まれている。
１１−２６２７６５号公報に開示されているＴＡＡＨ含
有廃液の前処理方法及び再生方法では、膜分離装置で使
用される透過性膜は、アルカリに対して脆く、ｐＨが１
０以下でないと使用できないため、強アルカリ性である
ＴＡＡＨ含有廃液を適切な酸で中和しなければならなか
った。また、ＴＡＡＨは中和されると塩となるため、Ｔ
ＡＡＨ含有液を再生するためには、電気透析等の処理を
行う必要があった。しかし、通常、電気透析を行うため
の設備は、半導体製造工場等から離れた場所に設置され
ているため、中和されたＴＡＡＨ含有液を半導体製造工
場等から電気透析を行う設備がある場所まで輸送しなけ
ればならなかった。この輸送の際にはトラック等の各種
交通機関が使用されるため、運搬エネルギー及び処理コ
ストの観点から望ましくない。さらに、廃棄物処理は社
会的な問題であるため、廃棄物を極力減少させるシステ
ムの構築が望まれている。
【０００７】また、特開平１１−１９２４８１号公報で
は、ナノフィルトレーション膜がｐＨの高いアルカリ性
の液に対しては比較的弱いため、ｐＨを１２以下に中和
（調整）する必要性が示されている。ＴＡＡＨは中和さ
れると塩となるため、上記と同様に電気透析が必要とな
ってしまう。また、同公報では、現像廃液に対する前処
理工程や、後処理工程を行うことが示されているが、現
像廃液の再生処理としては工程数が増加する傾向があ
り、好ましくない。さらに、同公報では、膜分離処理を
多段に行うことが記載されているものの、循環濾過によ
りＴＡＡＨ含有液を濃縮することは全く開示も示唆もさ
れていない。さらに、同公報では、分画分子量が１００
〜１０００の範囲内のナノフィルトレーション膜を用い
ることが記載されているものの、その範囲内で異なる分
画分子量を有する複数のナノフィルトレーション膜を使
い分けることは全く開示も示唆もされていない。
は、ナノフィルトレーション膜がｐＨの高いアルカリ性
の液に対しては比較的弱いため、ｐＨを１２以下に中和
（調整）する必要性が示されている。ＴＡＡＨは中和さ
れると塩となるため、上記と同様に電気透析が必要とな
ってしまう。また、同公報では、現像廃液に対する前処
理工程や、後処理工程を行うことが示されているが、現
像廃液の再生処理としては工程数が増加する傾向があ
り、好ましくない。さらに、同公報では、膜分離処理を
多段に行うことが記載されているものの、循環濾過によ
りＴＡＡＨ含有液を濃縮することは全く開示も示唆もさ
れていない。さらに、同公報では、分画分子量が１００
〜１０００の範囲内のナノフィルトレーション膜を用い
ることが記載されているものの、その範囲内で異なる分
画分子量を有する複数のナノフィルトレーション膜を使
い分けることは全く開示も示唆もされていない。
【０００８】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、半導体製造工場等のオンサイトにおい
て、現像廃液からＴＡＡＨ含有液を簡易な手法で再生す
ることができる現像廃液再生装置及び現像廃液再生方法
を提供することを目的とする。
たものであり、半導体製造工場等のオンサイトにおい
て、現像廃液からＴＡＡＨ含有液を簡易な手法で再生す
ることができる現像廃液再生装置及び現像廃液再生方法
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の現像廃液
再生装置の発明は、テトラアルキルアンモニウムハイド
ロオキサイドおよびフォトレジストを含有する現像廃液
を移送する現像廃液移送部と、移送された現像廃液を貯
蔵する第１の貯槽と、分画分子量が７００〜１３００で
ある第１のナノフィルトレーション膜を備え、第１の貯
槽に貯蔵されている現像廃液を、テトラアルキルアンモ
ニウムハイドロオキサイドを含有する第１の透過液と第
１の非透過成分とに分離する第１の分離手段と、第１の
透過液を貯蔵する第２の貯槽と、分画分子量が１００〜
３００である第２のナノフィルトレーション膜を備え、
第２の貯槽に貯蔵されている第１の透過液を第２の透過
液とテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドを
含有する第２の非透過成分とに分離する第２の分離手段
とを備える構成を採る。
再生装置の発明は、テトラアルキルアンモニウムハイド
ロオキサイドおよびフォトレジストを含有する現像廃液
を移送する現像廃液移送部と、移送された現像廃液を貯
蔵する第１の貯槽と、分画分子量が７００〜１３００で
ある第１のナノフィルトレーション膜を備え、第１の貯
槽に貯蔵されている現像廃液を、テトラアルキルアンモ
ニウムハイドロオキサイドを含有する第１の透過液と第
１の非透過成分とに分離する第１の分離手段と、第１の
透過液を貯蔵する第２の貯槽と、分画分子量が１００〜
３００である第２のナノフィルトレーション膜を備え、
第２の貯槽に貯蔵されている第１の透過液を第２の透過
液とテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドを
含有する第２の非透過成分とに分離する第２の分離手段
とを備える構成を採る。
【００１０】 本発明においては、強アルカリに対して
高度の耐性を有するナノフィルトレーション膜が使用さ
れ得る。これにより、現像廃液を中和することなく、現
像廃液を、ＴＡＡＨを含有する第１の透過液と第１の非
透過成分とに分離することができる。さらに、分画分子
量が１００〜３００である第２のナノフィルトレーショ
ン膜を用いて、第２の貯槽に貯蔵されている第１の透過
液を第２の透過液とＴＡＡＨを含有する第２の非透過成
分とに分離するので、精度の高い膜分離処理が行われ、
濃縮・減容化されたＴＡＡＨ含有液を得ることが可能と
なる。その結果、後工程で電気透析を行う必要性が解消
され、中和されたＴＡＡＨ含有液を輸送する際に必要な
運搬エネルギー及び処理コストを削減することができ
る。また、分離されたＴＡＡＨ含有液を再利用すること
ができるため、半導体製造工場等では、資源の有効利用
を図ることができると共に、廃液量を大幅に削減するこ
とが可能となる。従って、薬品購入費用及び廃液処理費
用を低減させることが可能となる。さらに、現像廃液を
本発明の装置に直接移送することができるため、半導体
製造工場等でのオンサイトで現像廃液の再生を行うこと
が可能となる。例えば、半導体の製造過程等で、現像液
を用いて不要のフォトレジストを溶解する際、ＴＡＡＨ
およびフォトレジストを含有した現像廃液が生成される
と、この現像廃液を第１の貯槽へ直接移送することがで
きる。これにより、いわゆるオンサイトで現像廃液の再
生を行うことが可能となる。さらに、第２の貯槽に貯え
られたＴＡＡＨを含有する第１の透過液を、第２の透過
液とＴＡＡＨを含有する第２の非透過成分とに分離する
ことができるので、ＴＡＡＨを多く含んだＴＡＡＨ含有
液を得ることが可能となる。
高度の耐性を有するナノフィルトレーション膜が使用さ
れ得る。これにより、現像廃液を中和することなく、現
像廃液を、ＴＡＡＨを含有する第１の透過液と第１の非
透過成分とに分離することができる。さらに、分画分子
量が１００〜３００である第２のナノフィルトレーショ
ン膜を用いて、第２の貯槽に貯蔵されている第１の透過
液を第２の透過液とＴＡＡＨを含有する第２の非透過成
分とに分離するので、精度の高い膜分離処理が行われ、
濃縮・減容化されたＴＡＡＨ含有液を得ることが可能と
なる。その結果、後工程で電気透析を行う必要性が解消
され、中和されたＴＡＡＨ含有液を輸送する際に必要な
運搬エネルギー及び処理コストを削減することができ
る。また、分離されたＴＡＡＨ含有液を再利用すること
ができるため、半導体製造工場等では、資源の有効利用
を図ることができると共に、廃液量を大幅に削減するこ
とが可能となる。従って、薬品購入費用及び廃液処理費
用を低減させることが可能となる。さらに、現像廃液を
本発明の装置に直接移送することができるため、半導体
製造工場等でのオンサイトで現像廃液の再生を行うこと
が可能となる。例えば、半導体の製造過程等で、現像液
を用いて不要のフォトレジストを溶解する際、ＴＡＡＨ
およびフォトレジストを含有した現像廃液が生成される
と、この現像廃液を第１の貯槽へ直接移送することがで
きる。これにより、いわゆるオンサイトで現像廃液の再
生を行うことが可能となる。さらに、第２の貯槽に貯え
られたＴＡＡＨを含有する第１の透過液を、第２の透過
液とＴＡＡＨを含有する第２の非透過成分とに分離する
ことができるので、ＴＡＡＨを多く含んだＴＡＡＨ含有
液を得ることが可能となる。
【００１１】請求項２記載の発明は、請求項１記載の現
像廃液再生装置において、第１の非透過成分を第１の貯
槽へ移送する第１の移送部を備える構成を採る。
像廃液再生装置において、第１の非透過成分を第１の貯
槽へ移送する第１の移送部を備える構成を採る。
【００１２】この構成により、第１の分離手段で分離さ
れた第１の非透過成分を第１の貯槽へ移送するので、現
像廃液の循環濾過を行うことが可能となる。その結果、
第１の非透過成分を高濃度化及び減容化させることがで
き、外部への廃棄物の量を減少することが可能となる。
れた第１の非透過成分を第１の貯槽へ移送するので、現
像廃液の循環濾過を行うことが可能となる。その結果、
第１の非透過成分を高濃度化及び減容化させることがで
き、外部への廃棄物の量を減少することが可能となる。
【００１３】請求項３記載の発明は、請求項１又は請求
項２記載の現像廃液再生装置において、第２の非透過成
分を第２の貯槽へ移送する第２の移送部を備える構成を
採る。
項２記載の現像廃液再生装置において、第２の非透過成
分を第２の貯槽へ移送する第２の移送部を備える構成を
採る。
【００１４】この構成により、第２の分離手段で分離さ
れた第２の非透過成分を第２の貯槽へ移送するので、Ｔ
ＡＡＨ含有液の循環濾過を行うことが可能となる。その
結果、ＴＡＡＨ含有液中のＴＡＡＨをより一層高濃度化
及び減容化させることができる。
れた第２の非透過成分を第２の貯槽へ移送するので、Ｔ
ＡＡＨ含有液の循環濾過を行うことが可能となる。その
結果、ＴＡＡＨ含有液中のＴＡＡＨをより一層高濃度化
及び減容化させることができる。
【００１５】請求項４記載の発明は、請求項１から請求
項３のいずれかに記載の現像廃液再生装置において、第
２の貯槽に貯蔵されているテトラアルキルアンモニウム
ハイドロオキサイド濃縮液を送給する送給部を備える構
成を採る。
項３のいずれかに記載の現像廃液再生装置において、第
２の貯槽に貯蔵されているテトラアルキルアンモニウム
ハイドロオキサイド濃縮液を送給する送給部を備える構
成を採る。
【００１６】この構成により、高濃度化及び減容化され
たＴＡＡＨ濃縮液を管路を介して接続された設備に直接
送給することができるため、半導体製造工場等でのオン
サイトで現像廃液の再生および再利用を行うことが可能
となる。例えば、高濃度化されたＴＡＡＨ濃縮液が生成
されると、このＴＡＡＨ濃縮液を送給部によって、例え
ば、特開平５−４０３４５号公報に開示されている現像
液管理供給装置へ送給することができるので、いわゆる
オンサイトで現像廃液の再生および再利用を行うことが
可能となる。
たＴＡＡＨ濃縮液を管路を介して接続された設備に直接
送給することができるため、半導体製造工場等でのオン
サイトで現像廃液の再生および再利用を行うことが可能
となる。例えば、高濃度化されたＴＡＡＨ濃縮液が生成
されると、このＴＡＡＨ濃縮液を送給部によって、例え
ば、特開平５−４０３４５号公報に開示されている現像
液管理供給装置へ送給することができるので、いわゆる
オンサイトで現像廃液の再生および再利用を行うことが
可能となる。
【００１７】 請求項５記載の現像廃液再生方法の発明
は、テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドお
よびフォトレジストを含有する現像廃液を移送する現像
廃液移送工程と、移送された現像廃液を第１の貯槽に貯
蔵する第１の貯蔵工程と、貯蔵されている現像廃液を、
分画分子量が７００〜１３００である第１のナノフィル
トレーション膜を用いてテトラアルキルアンモニウムハ
イドロオキサイドを含有する第１の透過液と第１の非透
過成分とに分離する第１の分離工程と、第１の非透過成
分を第１の貯槽に移送する第１の移送工程と、第１の透
過液を第２の貯槽に貯蔵する第２の貯蔵工程と、第２の
貯槽に貯蔵されている第１の透過液を、分画分子量が１
００〜３００である第２のナノフィルトレーション膜を
用いて第２の透過液とテトラアルキルアンモニウムハイ
ドロオキサイドを含有する第２の非透過成分とに分離す
る第２の分離工程と、第２の非透過成分を第２の貯槽に
移送する第２の移送工程とを含む構成を採る。
は、テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドお
よびフォトレジストを含有する現像廃液を移送する現像
廃液移送工程と、移送された現像廃液を第１の貯槽に貯
蔵する第１の貯蔵工程と、貯蔵されている現像廃液を、
分画分子量が７００〜１３００である第１のナノフィル
トレーション膜を用いてテトラアルキルアンモニウムハ
イドロオキサイドを含有する第１の透過液と第１の非透
過成分とに分離する第１の分離工程と、第１の非透過成
分を第１の貯槽に移送する第１の移送工程と、第１の透
過液を第２の貯槽に貯蔵する第２の貯蔵工程と、第２の
貯槽に貯蔵されている第１の透過液を、分画分子量が１
００〜３００である第２のナノフィルトレーション膜を
用いて第２の透過液とテトラアルキルアンモニウムハイ
ドロオキサイドを含有する第２の非透過成分とに分離す
る第２の分離工程と、第２の非透過成分を第２の貯槽に
移送する第２の移送工程とを含む構成を採る。
【００１８】 これにより、現像廃液を中和することな
く、現像廃液を、ＴＡＡＨを含有する第１の透過液と第
１の非透過成分とに分離することができる。さらに、分
画分子量が１００〜３００である第２のナノフィルトレ
ーション膜を用いて、第２の貯槽に貯蔵されている第１
の透過液を第２の透過液とＴＡＡＨを含有する第２の非
透過成分とに分離するので、精度の高い膜分離処理が行
われ、濃縮・減容化されたＴＡＡＨ含有液を得ることが
可能となる。その結果、電気透析を行う必要性が解消さ
れ、中性・減容化されたＴＡＡＨ含有液を輸送する際に
必要としていた運搬エネルギー及び処理コストを削減す
ることができる。また、分離されたＴＡＡＨ含有液を再
利用することができるため、半導体製造工場等では、資
源の有効利用を図ることができると共に、廃液量を大幅
に削減することが可能となる。その結果、薬品購入費用
及び廃液処理費用を低減させることが可能となる。さら
に、現像廃液を本発明の装置に直接移送することができ
るため、半導体製造工場等でのオンサイトで現像廃液の
再生を行うことが可能となる。例えば、半導体の製造過
程等で、現像液を用いて不要のフォトレジストを溶解す
る際、ＴＡＡＨおよびフォトレジストを含有した現像廃
液が生成されると、この現像廃液を第１の貯槽へ直接移
送することができる。これにより、いわゆるオンサイト
で現像廃液の再生を行うことが可能となる。さらに、第
２の貯槽に貯えられたＴＡＡＨを含有する第１の透過液
を、第２の透過液とＴＡＡＨを含有する第２の非透過成
分とに分離することができるので、ＴＡＡＨを多く含ん
だＴＡＡＨ含有液を得ることが可能となる。また、第１
の非透過成分を第１の貯槽に移送するので、現像廃液の
循環濾過を行うことが可能となる。その結果、第１の非
透過成分を高濃度化及び減容化させることができ、外部
への廃棄物の量を減少することが可能となる。また、第
２の非透過成分を第２の貯槽に移送するので、ＴＡＡＨ
含有液の循環濾過を行うことが可能となる。その結果、
ＴＡＡＨ含有液中のＴＡＡＨをより一層高濃度化及び減
容化させることができる。
く、現像廃液を、ＴＡＡＨを含有する第１の透過液と第
１の非透過成分とに分離することができる。さらに、分
画分子量が１００〜３００である第２のナノフィルトレ
ーション膜を用いて、第２の貯槽に貯蔵されている第１
の透過液を第２の透過液とＴＡＡＨを含有する第２の非
透過成分とに分離するので、精度の高い膜分離処理が行
われ、濃縮・減容化されたＴＡＡＨ含有液を得ることが
可能となる。その結果、電気透析を行う必要性が解消さ
れ、中性・減容化されたＴＡＡＨ含有液を輸送する際に
必要としていた運搬エネルギー及び処理コストを削減す
ることができる。また、分離されたＴＡＡＨ含有液を再
利用することができるため、半導体製造工場等では、資
源の有効利用を図ることができると共に、廃液量を大幅
に削減することが可能となる。その結果、薬品購入費用
及び廃液処理費用を低減させることが可能となる。さら
に、現像廃液を本発明の装置に直接移送することができ
るため、半導体製造工場等でのオンサイトで現像廃液の
再生を行うことが可能となる。例えば、半導体の製造過
程等で、現像液を用いて不要のフォトレジストを溶解す
る際、ＴＡＡＨおよびフォトレジストを含有した現像廃
液が生成されると、この現像廃液を第１の貯槽へ直接移
送することができる。これにより、いわゆるオンサイト
で現像廃液の再生を行うことが可能となる。さらに、第
２の貯槽に貯えられたＴＡＡＨを含有する第１の透過液
を、第２の透過液とＴＡＡＨを含有する第２の非透過成
分とに分離することができるので、ＴＡＡＨを多く含ん
だＴＡＡＨ含有液を得ることが可能となる。また、第１
の非透過成分を第１の貯槽に移送するので、現像廃液の
循環濾過を行うことが可能となる。その結果、第１の非
透過成分を高濃度化及び減容化させることができ、外部
への廃棄物の量を減少することが可能となる。また、第
２の非透過成分を第２の貯槽に移送するので、ＴＡＡＨ
含有液の循環濾過を行うことが可能となる。その結果、
ＴＡＡＨ含有液中のＴＡＡＨをより一層高濃度化及び減
容化させることができる。
【００１９】請求項６記載の発明は、請求項５記載の現
像廃液再生方法において、第２の貯槽に貯蔵されている
テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド濃縮液
を送給する送給工程を含む構成を採る。
像廃液再生方法において、第２の貯槽に貯蔵されている
テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド濃縮液
を送給する送給工程を含む構成を採る。
【００２０】この構成により、高濃度化及び減容化され
たＴＡＡＨ濃縮液を管路を介して接続された設備に直接
送給することができるため、半導体製造工場等でのオン
サイトで現像廃液の再生および再利用を行うことが可能
となる。例えば、高濃度化されたＴＡＡＨ濃縮液が生成
されると、このＴＡＡＨ濃縮液を送給部によって、例え
ば、特開平５−４０３４５号公報に開示されている現像
液管理供給装置へ送給することができるので、いわゆる
オンサイトで現像廃液の再生および再利用を行うことが
可能となる。
たＴＡＡＨ濃縮液を管路を介して接続された設備に直接
送給することができるため、半導体製造工場等でのオン
サイトで現像廃液の再生および再利用を行うことが可能
となる。例えば、高濃度化されたＴＡＡＨ濃縮液が生成
されると、このＴＡＡＨ濃縮液を送給部によって、例え
ば、特開平５−４０３４５号公報に開示されている現像
液管理供給装置へ送給することができるので、いわゆる
オンサイトで現像廃液の再生および再利用を行うことが
可能となる。
【００２１】
【発明の実施の形態】本実施の形態においては、強アル
カリに対して高度の耐性を有するナノフィルトレーショ
ン膜を用いる。このナノフィルトレーション膜として
は、例えば、Ｋｏｃｈ社製のＮＦ（Ｎａｎｏｆｉｌｔｒ
ａｔｉｏｎ）膜が知られている。このＮＦ膜は、ポリス
ルホン（ＰＳ）、又はポリアクリルニトリル（ＰＡＮ）
を基材とした複合膜であり、ｐＨ全域（ｐＨ＝０〜１
４）で使用可能である。このため、強アルカリ性のＴＡ
ＡＨ含有廃液を中和すること無く直接導入することがで
きる。本発明の装置の第１の分離手段に用いられるＮＦ
膜は、分画分子量が７００〜１３００である。また、第
２の分離手段に用いられるＮＦ膜は、分画分子量が１０
０〜３００である。本実施の形態では、現像廃液をＴＡ
ＡＨ（以下、「ＴＡＡＨ」という。）含有液とフォトレ
ジストとに分離するため、例えば、分画分子量が１００
０あるＳｅｌＲＯTMＭＰＳ／Ｔ−３６を第１の分離手段
に用いる。また、ＴＡＡＨ含有液を水とＴＡＡＨを多く
含むＴＡＡＨ含有液とに分離し、高濃度のＴＡＡＨ濃縮
液を得るために、例えば、分画分子量が２００であるＳ
ｅｌＲＯ TMＭＰＳ／Ｔ−３４を第２の分離手段に用い
る。なお、本実施の形態では、アルカリ性に対して高度
の耐性を有する透過性膜を選択的に使用するのであっ
て、透過性膜は、上記のＮＦ膜に特に限定されるわけで
はない。
カリに対して高度の耐性を有するナノフィルトレーショ
ン膜を用いる。このナノフィルトレーション膜として
は、例えば、Ｋｏｃｈ社製のＮＦ（Ｎａｎｏｆｉｌｔｒ
ａｔｉｏｎ）膜が知られている。このＮＦ膜は、ポリス
ルホン（ＰＳ）、又はポリアクリルニトリル（ＰＡＮ）
を基材とした複合膜であり、ｐＨ全域（ｐＨ＝０〜１
４）で使用可能である。このため、強アルカリ性のＴＡ
ＡＨ含有廃液を中和すること無く直接導入することがで
きる。本発明の装置の第１の分離手段に用いられるＮＦ
膜は、分画分子量が７００〜１３００である。また、第
２の分離手段に用いられるＮＦ膜は、分画分子量が１０
０〜３００である。本実施の形態では、現像廃液をＴＡ
ＡＨ（以下、「ＴＡＡＨ」という。）含有液とフォトレ
ジストとに分離するため、例えば、分画分子量が１００
０あるＳｅｌＲＯTMＭＰＳ／Ｔ−３６を第１の分離手段
に用いる。また、ＴＡＡＨ含有液を水とＴＡＡＨを多く
含むＴＡＡＨ含有液とに分離し、高濃度のＴＡＡＨ濃縮
液を得るために、例えば、分画分子量が２００であるＳ
ｅｌＲＯ TMＭＰＳ／Ｔ−３４を第２の分離手段に用い
る。なお、本実施の形態では、アルカリ性に対して高度
の耐性を有する透過性膜を選択的に使用するのであっ
て、透過性膜は、上記のＮＦ膜に特に限定されるわけで
はない。
【００２２】図１は、本発明の一実施の形態に係る現像
液再生システムの概略構成を示す図である。本実施の形
態に係る現像液再生システム１は、第１の貯槽としての
貯槽２でＴＡＡＨおよびフォトレジストを含有する現像
廃液を貯蔵する。貯槽２で貯えられている現像廃液が配
管３及びポンプ４によって第１の分離手段５に供給され
る。第１の分離手段５は、第１の透過性膜として、例え
ば、分画分子量が１０００であるＫｏｃｈ社製のＳｅｌ
ＲＯTMＭＰＳ／Ｔ−３６を備えており、供給された現像
廃液をＴＡＡＨを含有する第１の透過液とフォトレジス
トを含有する第１の非透過成分とに分離する。第１の分
離手段５により分離された第１の非透過成分は、第１の
移送部としての配管６によって貯槽２に移送される。
液再生システムの概略構成を示す図である。本実施の形
態に係る現像液再生システム１は、第１の貯槽としての
貯槽２でＴＡＡＨおよびフォトレジストを含有する現像
廃液を貯蔵する。貯槽２で貯えられている現像廃液が配
管３及びポンプ４によって第１の分離手段５に供給され
る。第１の分離手段５は、第１の透過性膜として、例え
ば、分画分子量が１０００であるＫｏｃｈ社製のＳｅｌ
ＲＯTMＭＰＳ／Ｔ−３６を備えており、供給された現像
廃液をＴＡＡＨを含有する第１の透過液とフォトレジス
トを含有する第１の非透過成分とに分離する。第１の分
離手段５により分離された第１の非透過成分は、第１の
移送部としての配管６によって貯槽２に移送される。
【００２３】また、第１の分離手段により分離されたＴ
ＡＡＨを含有する第１の透過液は、配管７によって第２
の貯槽としての貯槽８に移送される。貯槽８で貯えられ
ている第１の透過液は、配管９及びポンプ１０によって
第２の分離手段１１に供給される。第２の分離手段１１
は、第２の透過性膜として、例えば、分画分子量が２０
０であるＫｏｃｈ社製のＳｅｌＲＯTMＭＰＳ／Ｔ−３４
を備えており、供給された第１の透過液を第２の透過液
としての水と第２の非透過成分としてのＴＡＡＨ含有液
とに分離する。第２の分離手段１１で分離された第２の
非透過成分は、第２の移送部としての配管１２によって
貯槽８へ移送される。
ＡＡＨを含有する第１の透過液は、配管７によって第２
の貯槽としての貯槽８に移送される。貯槽８で貯えられ
ている第１の透過液は、配管９及びポンプ１０によって
第２の分離手段１１に供給される。第２の分離手段１１
は、第２の透過性膜として、例えば、分画分子量が２０
０であるＫｏｃｈ社製のＳｅｌＲＯTMＭＰＳ／Ｔ−３４
を備えており、供給された第１の透過液を第２の透過液
としての水と第２の非透過成分としてのＴＡＡＨ含有液
とに分離する。第２の分離手段１１で分離された第２の
非透過成分は、第２の移送部としての配管１２によって
貯槽８へ移送される。
【００２４】また、本実施の形態では、現像装置１００
と貯槽２とが現像液移送部としての配管１３及びポンプ
１４とによって接続されている。これにより、現像廃液
を貯槽２へ直接移送することができるため、半導体製造
工場等でのオンサイトで現像廃液の再生を行うことが可
能となる。例えば、半導体の製造過程等で、現像液を用
いて不要のフォトレジストを溶解する際、ＴＡＡＨおよ
びフォトレジストを含有した現像廃液が生成されると、
この現像廃液を配管１３とポンプ１４とによって貯槽２
へ直接移送することができる。これにより、いわゆるオ
ンサイトで現像廃液の再生を行うことが可能となる。
と貯槽２とが現像液移送部としての配管１３及びポンプ
１４とによって接続されている。これにより、現像廃液
を貯槽２へ直接移送することができるため、半導体製造
工場等でのオンサイトで現像廃液の再生を行うことが可
能となる。例えば、半導体の製造過程等で、現像液を用
いて不要のフォトレジストを溶解する際、ＴＡＡＨおよ
びフォトレジストを含有した現像廃液が生成されると、
この現像廃液を配管１３とポンプ１４とによって貯槽２
へ直接移送することができる。これにより、いわゆるオ
ンサイトで現像廃液の再生を行うことが可能となる。
【００２５】さらに、本実施の形態では、貯槽８と現像
液管理供給装置１０１とが透過液送給部としての配管１
５及びポンプ１６によって接続されている。これによ
り、高濃度化及び減容化されたＴＡＡＨ濃縮液を現像液
管理供給装置１０１に直接送給することができるため、
半導体製造工場等のオンサイトで現像廃液の再生および
再利用を行うことが可能となる。
液管理供給装置１０１とが透過液送給部としての配管１
５及びポンプ１６によって接続されている。これによ
り、高濃度化及び減容化されたＴＡＡＨ濃縮液を現像液
管理供給装置１０１に直接送給することができるため、
半導体製造工場等のオンサイトで現像廃液の再生および
再利用を行うことが可能となる。
【００２６】次に、第１の分離手段５について説明す
る。図２は、第１の分離手段５としての膜分離モジュー
ルの一部断面図である。膜分離モジュール２０は、ステ
ンレス鋼で形成されたサポート管２１と、このサポート
管２１に内接するように設けられたチューブラー型のＮ
Ｆ膜２２とから構成される。サポート管２１には、複数
の孔２１ａが設けられている。ＮＦ膜２２は、サポート
管２１に対して着脱可能である。また、ＮＦ膜２２は、
例えば、分画分子量が１０００であるＫｏｃｈ社製のＳ
ｅｌＲＯTMＭＰＳ／Ｔ−３６が用いられる。なお、ＮＦ
膜２２は、チューブラー型に限定されるわけではなく、
例えば、スパイラル型等であってもよい。
る。図２は、第１の分離手段５としての膜分離モジュー
ルの一部断面図である。膜分離モジュール２０は、ステ
ンレス鋼で形成されたサポート管２１と、このサポート
管２１に内接するように設けられたチューブラー型のＮ
Ｆ膜２２とから構成される。サポート管２１には、複数
の孔２１ａが設けられている。ＮＦ膜２２は、サポート
管２１に対して着脱可能である。また、ＮＦ膜２２は、
例えば、分画分子量が１０００であるＫｏｃｈ社製のＳ
ｅｌＲＯTMＭＰＳ／Ｔ−３６が用いられる。なお、ＮＦ
膜２２は、チューブラー型に限定されるわけではなく、
例えば、スパイラル型等であってもよい。
【００２７】膜分離処理の際には、図２中、紙面に向か
って左側の入口側Ａから現像廃液を供給する。入口側Ａ
の内圧は出口側Ｂより高圧（約２〜４０ｋｇ／ｃｍ2、
好ましくは、３０〜４０ｋｇ／ｃｍ2）に設定されてい
るため、現像廃液中の透過成分（透過液）が、図２に示
すように、ＮＦ膜２２の微小孔を通過し、さらにサポー
ト管２１の孔２１ａを通過してサポート管２１の外側へ
達する。
って左側の入口側Ａから現像廃液を供給する。入口側Ａ
の内圧は出口側Ｂより高圧（約２〜４０ｋｇ／ｃｍ2、
好ましくは、３０〜４０ｋｇ／ｃｍ2）に設定されてい
るため、現像廃液中の透過成分（透過液）が、図２に示
すように、ＮＦ膜２２の微小孔を通過し、さらにサポー
ト管２１の孔２１ａを通過してサポート管２１の外側へ
達する。
【００２８】このようにして透過処理が行われ、得られ
た第１の透過液は配管７を経て貯槽８に移送される。ま
た、配管６内にある第１の非透過成分を含有する濃縮液
は貯槽２に戻される。このように貯槽２内の現像廃液は
第１の分離手段５により効率的に第１の透過液と非透過
成分（フォトレジストの濃縮液）に分離される。
た第１の透過液は配管７を経て貯槽８に移送される。ま
た、配管６内にある第１の非透過成分を含有する濃縮液
は貯槽２に戻される。このように貯槽２内の現像廃液は
第１の分離手段５により効率的に第１の透過液と非透過
成分（フォトレジストの濃縮液）に分離される。
【００２９】これにより、第１の分離手段５で分離され
た第１の非透過成分が貯槽２へ移送されるので、循環濾
過を行うことが可能となる。その結果、フォトレジスト
を高濃度化及び減容化させることができる。
た第１の非透過成分が貯槽２へ移送されるので、循環濾
過を行うことが可能となる。その結果、フォトレジスト
を高濃度化及び減容化させることができる。
【００３０】次に、第２の分離手段１１について説明す
る。第２の分離手段１１は、上記の第１の分離手段５と
概ね同様の構成を採る。すなわち、第１の分離手段５に
おけるＮＦ膜２２は、第２の分離手段１１では分画分子
量が２００であるＫｏｃｈ社製のＳｅｌＲＯTMＭＰＳ／
Ｔ−３４が用いられる。貯槽８に貯えられている第１の
透過液は、配管９及びポンプ１０によって第２の分離手
段１１に供給される。第２の分離手段１１では、第１の
分離手段５と同様の手法で、Ｋｏｃｈ社製のＳｅｌＲＯ
TMＭＰＳ／Ｔ−３４のＮＦ膜によって、ＴＡＡＨを含有
する第１の透過液が水とＴＡＡＨ含有液とに分離され
る。すなわち、図２中、入口側Ａから第１の透過液が供
給され、サポート管２１の外部には水が透過してくるこ
ととなる。このように、第２の分離手段１１では第１の
分離手段５とは異なる分画分子量を有するＮＦ膜が用い
られるので、高精度の膜分離処理を行うことが可能とな
る。
る。第２の分離手段１１は、上記の第１の分離手段５と
概ね同様の構成を採る。すなわち、第１の分離手段５に
おけるＮＦ膜２２は、第２の分離手段１１では分画分子
量が２００であるＫｏｃｈ社製のＳｅｌＲＯTMＭＰＳ／
Ｔ−３４が用いられる。貯槽８に貯えられている第１の
透過液は、配管９及びポンプ１０によって第２の分離手
段１１に供給される。第２の分離手段１１では、第１の
分離手段５と同様の手法で、Ｋｏｃｈ社製のＳｅｌＲＯ
TMＭＰＳ／Ｔ−３４のＮＦ膜によって、ＴＡＡＨを含有
する第１の透過液が水とＴＡＡＨ含有液とに分離され
る。すなわち、図２中、入口側Ａから第１の透過液が供
給され、サポート管２１の外部には水が透過してくるこ
ととなる。このように、第２の分離手段１１では第１の
分離手段５とは異なる分画分子量を有するＮＦ膜が用い
られるので、高精度の膜分離処理を行うことが可能とな
る。
【００３１】これにより、貯槽８に貯えられたＴＡＡＨ
を含有する第１の透過液を、水とＴＡＡＨを含有する第
２の非透過成分とに分離することができるので、高濃度
のＴＡＡＨ含有液を得ることが可能となる。
を含有する第１の透過液を、水とＴＡＡＨを含有する第
２の非透過成分とに分離することができるので、高濃度
のＴＡＡＨ含有液を得ることが可能となる。
【００３２】分離されたＴＡＡＨ含有液は配管１２によ
って再度貯槽８に貯えられ、濃縮化される。また、分離
された水は配管１７によって移送され、工業用水として
再利用されるか、又は一般廃水処理を受ける。
って再度貯槽８に貯えられ、濃縮化される。また、分離
された水は配管１７によって移送され、工業用水として
再利用されるか、又は一般廃水処理を受ける。
【００３３】これにより、第２の分離手段１１で分離さ
れた第２の非透過成分を貯槽８へ移送するので、循環濾
過を行うことが可能となる。その結果、ＴＡＡＨ含有液
をより一層高濃度化及び減容化させることができる。
れた第２の非透過成分を貯槽８へ移送するので、循環濾
過を行うことが可能となる。その結果、ＴＡＡＨ含有液
をより一層高濃度化及び減容化させることができる。
【００３４】次に、本発明の一実施の形態に係る現像廃
液再生装置を用いた現像廃液再生システムの動作につい
て説明する。まず、現像液希釈装置１０２は、例えば、
特開平８−６２８５２号公報に開示されている現像液希
釈装置を用いる。この現像液希釈装置１０２によって高
濃度の現像原液が高精度に希釈され、希釈された現像原
液が現像液管理供給装置１０１に供給される。現像液管
理供給装置１０１は、例えば、特開平５−４０３４５号
公報に開示されている現像液管理装置を用いる。この現
像液管理供給装置１０１では導電率計による高精度なＴ
ＡＡＨ濃度管理が行われ、安定した品質の現像液が現像
装置１００に供給される。ここで、現像装置１００に供
給される現像液は、例えば、概略２．３８％のテトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイド（以下、「ＴＭＡ
Ｈ」という。）を含有する。
液再生装置を用いた現像廃液再生システムの動作につい
て説明する。まず、現像液希釈装置１０２は、例えば、
特開平８−６２８５２号公報に開示されている現像液希
釈装置を用いる。この現像液希釈装置１０２によって高
濃度の現像原液が高精度に希釈され、希釈された現像原
液が現像液管理供給装置１０１に供給される。現像液管
理供給装置１０１は、例えば、特開平５−４０３４５号
公報に開示されている現像液管理装置を用いる。この現
像液管理供給装置１０１では導電率計による高精度なＴ
ＡＡＨ濃度管理が行われ、安定した品質の現像液が現像
装置１００に供給される。ここで、現像装置１００に供
給される現像液は、例えば、概略２．３８％のテトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイド（以下、「ＴＭＡ
Ｈ」という。）を含有する。
【００３５】現像装置１００では、例えば、Ｓｉウエハ
ー等の基板上にネガ型またはポジ型のフォトレジストの
被膜を形成し、パターンマスクを通して光等を照射し、
そして、ＴＭＡＨを含む現像液により不要のフォトレジ
ストを溶解する。この現像装置１００で排出される現像
廃液は、配管１３及びポンプ１４によって貯槽２に直接
移送される。
ー等の基板上にネガ型またはポジ型のフォトレジストの
被膜を形成し、パターンマスクを通して光等を照射し、
そして、ＴＭＡＨを含む現像液により不要のフォトレジ
ストを溶解する。この現像装置１００で排出される現像
廃液は、配管１３及びポンプ１４によって貯槽２に直接
移送される。
【００３６】貯槽２に貯えられた現像廃液は、配管３及
びポンプ４によって第１の分離手段５に移送され、ＴＭ
ＡＨを含む第１の透過液と第１の非透過成分とに分離さ
れる。第１の非透過成分は配管６によって貯槽２に戻さ
れ、循環濾過がなされる。これにより、貯槽２には水
と、若干のアルカリと、高濃度のフォトレジストとが残
される。この高濃度のフォトレジストは、廃棄物として
廃棄される。
びポンプ４によって第１の分離手段５に移送され、ＴＭ
ＡＨを含む第１の透過液と第１の非透過成分とに分離さ
れる。第１の非透過成分は配管６によって貯槽２に戻さ
れ、循環濾過がなされる。これにより、貯槽２には水
と、若干のアルカリと、高濃度のフォトレジストとが残
される。この高濃度のフォトレジストは、廃棄物として
廃棄される。
【００３７】一方、第１の分離手段５によって分離され
た第１の透過液は、概略０．５％のＴＭＡＨを含む。こ
の０．５％のＴＭＡＨを含んだ第１の透過液は、配管７
によって貯槽８に移送される。貯槽８に貯えられた第１
の透過液は、配管９及びポンプ１０によって第２の分離
手段１１に移送される。第２の分離手段１１では、第１
の透過液を水とＴＭＡＨ含有液とに分離する。分離され
た水は工業用水として再利用されるか、又は一般排水処
理を受ける。また、分離されたＴＭＡＨ含有液は貯槽８
に戻され、循環濾過がなされる。これにより、貯槽８内
のＴＭＡＨ含有液が濃縮化及び減容化される。この循環
濾過によって、貯槽８内のＴＭＡＨ濃度は、例えば、
２．３８％以上となるまで濃縮されることが好ましい。
た第１の透過液は、概略０．５％のＴＭＡＨを含む。こ
の０．５％のＴＭＡＨを含んだ第１の透過液は、配管７
によって貯槽８に移送される。貯槽８に貯えられた第１
の透過液は、配管９及びポンプ１０によって第２の分離
手段１１に移送される。第２の分離手段１１では、第１
の透過液を水とＴＭＡＨ含有液とに分離する。分離され
た水は工業用水として再利用されるか、又は一般排水処
理を受ける。また、分離されたＴＭＡＨ含有液は貯槽８
に戻され、循環濾過がなされる。これにより、貯槽８内
のＴＭＡＨ含有液が濃縮化及び減容化される。この循環
濾過によって、貯槽８内のＴＭＡＨ濃度は、例えば、
２．３８％以上となるまで濃縮されることが好ましい。
【００３８】すなわち、現像装置１００では、２．３８
％のＴＭＡＨを含有した現像液が使用されるので、ＴＭ
ＡＨ濃度が２．３８％を超えるまで第２の分離手段１１
と貯槽８との循環濾過を行い、現像液管理供給装置１０
１で濃度が２．３８％となるようにＴＭＡＨ濃縮液を希
釈する。なお、ＴＭＡＨ濃度が２．３８％に到達する以
前に、貯槽８内のＴＭＡＨ含有液を現像液管理供給装置
１０１に移送し、現像液管理供給装置１０１でＴＭＡＨ
濃度が２．３８％となるように濃度調整することも可能
である。
％のＴＭＡＨを含有した現像液が使用されるので、ＴＭ
ＡＨ濃度が２．３８％を超えるまで第２の分離手段１１
と貯槽８との循環濾過を行い、現像液管理供給装置１０
１で濃度が２．３８％となるようにＴＭＡＨ濃縮液を希
釈する。なお、ＴＭＡＨ濃度が２．３８％に到達する以
前に、貯槽８内のＴＭＡＨ含有液を現像液管理供給装置
１０１に移送し、現像液管理供給装置１０１でＴＭＡＨ
濃度が２．３８％となるように濃度調整することも可能
である。
【００３９】貯槽８内のＴＭＡＨ濃度が２．３８％を超
えると、配管１５及びポンプ１６によってＴＭＡＨ含有
液が現像液管理供給装置１０１に直接送給される。現像
液管理供給装置１０１では、現像装置１００で使用され
るＴＭＡＨ濃度が２．３８％の現像液となるように濃度
調整が高精度に行われる。濃度調整が為された現像液
は、再び現像装置１００で利用される。このようにして
例えば半導体製造工場等でのオンサイトで現像廃液のリ
サイクル利用が行われる。
えると、配管１５及びポンプ１６によってＴＭＡＨ含有
液が現像液管理供給装置１０１に直接送給される。現像
液管理供給装置１０１では、現像装置１００で使用され
るＴＭＡＨ濃度が２．３８％の現像液となるように濃度
調整が高精度に行われる。濃度調整が為された現像液
は、再び現像装置１００で利用される。このようにして
例えば半導体製造工場等でのオンサイトで現像廃液のリ
サイクル利用が行われる。
【００４０】ここで、本発明に用いられる第２の分離手
段は、比較的小さな原子量を有する、Ｌｉ+、Ｎａ+、Ｋ
ａ+のような一価の金属イオンを透過する。このことに
より半導体等の製造工程に悪影響を与えるＴＡＡＨ濃縮
液に含有される金属イオン量を減少させる。
段は、比較的小さな原子量を有する、Ｌｉ+、Ｎａ+、Ｋ
ａ+のような一価の金属イオンを透過する。このことに
より半導体等の製造工程に悪影響を与えるＴＡＡＨ濃縮
液に含有される金属イオン量を減少させる。
【００４１】このように、本発明の一実施の形態に係る
現像廃液再生システムによれば、現像廃液に対して中和
等の処理をすることなく、現像廃液を、ＴＡＡＨを含有
する第１の透過液と第１の非透過成分とに分離すること
ができる。さらに、第１のナノフィルトレーション膜と
は異なる分画分子量を有する第２のナノフィルトレーシ
ョン膜を用いて、第２の貯槽に貯蔵されている第１の透
過液を第２の透過液とＴＡＡＨを含有する第２の非透過
成分とに分離するので、精度の高い膜分離処理が行わ
れ、濃縮・減容化されたＴＡＡＨ含有液を得ることが可
能となる。その結果、後工程で電気透析を行う必要性が
解消され、中和されたＴＡＡＨ含有液を輸送する際に必
要な運搬エネルギー及び処理コストを削減することがで
きる。また、分離されたＴＡＡＨ含有液を再利用するこ
とができるため、半導体製造工場等では、資源の有効利
用を図ることができると共に、廃液量を大幅に削減する
ことが可能となる。従って、薬品購入費用及び廃液処理
費用を低減させることが可能となる。さらに、現像廃液
を本発明の装置に直接移送することができるため、半導
体製造工場等でのオンサイトで現像廃液の再生を行うこ
とが可能となる。例えば、半導体の製造過程等で、現像
液を用いて不要のフォトレジストを溶解する際、ＴＡＡ
Ｈおよびフォトレジストを含有した現像廃液が生成され
ると、この現像廃液を第１の貯槽へ直接移送することが
できる。これにより、いわゆるオンサイトで現像廃液の
再生を行うことが可能となる。さらに、第２の貯槽に貯
えられたＴＡＡＨを含有する第１の透過液を、第２の透
過液とＴＡＡＨを含有する第２の非透過成分とに分離す
ることができるので、ＴＡＡＨを多く含んだＴＡＡＨ含
有液を得ることが可能となる。
現像廃液再生システムによれば、現像廃液に対して中和
等の処理をすることなく、現像廃液を、ＴＡＡＨを含有
する第１の透過液と第１の非透過成分とに分離すること
ができる。さらに、第１のナノフィルトレーション膜と
は異なる分画分子量を有する第２のナノフィルトレーシ
ョン膜を用いて、第２の貯槽に貯蔵されている第１の透
過液を第２の透過液とＴＡＡＨを含有する第２の非透過
成分とに分離するので、精度の高い膜分離処理が行わ
れ、濃縮・減容化されたＴＡＡＨ含有液を得ることが可
能となる。その結果、後工程で電気透析を行う必要性が
解消され、中和されたＴＡＡＨ含有液を輸送する際に必
要な運搬エネルギー及び処理コストを削減することがで
きる。また、分離されたＴＡＡＨ含有液を再利用するこ
とができるため、半導体製造工場等では、資源の有効利
用を図ることができると共に、廃液量を大幅に削減する
ことが可能となる。従って、薬品購入費用及び廃液処理
費用を低減させることが可能となる。さらに、現像廃液
を本発明の装置に直接移送することができるため、半導
体製造工場等でのオンサイトで現像廃液の再生を行うこ
とが可能となる。例えば、半導体の製造過程等で、現像
液を用いて不要のフォトレジストを溶解する際、ＴＡＡ
Ｈおよびフォトレジストを含有した現像廃液が生成され
ると、この現像廃液を第１の貯槽へ直接移送することが
できる。これにより、いわゆるオンサイトで現像廃液の
再生を行うことが可能となる。さらに、第２の貯槽に貯
えられたＴＡＡＨを含有する第１の透過液を、第２の透
過液とＴＡＡＨを含有する第２の非透過成分とに分離す
ることができるので、ＴＡＡＨを多く含んだＴＡＡＨ含
有液を得ることが可能となる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る現像
廃液再生装置は、ＴＡＡＨおよびフォトレジストを含有
する現像廃液を移送する現像廃液移送部と、移送された
現像廃液を貯蔵する第１の貯槽と、分画分子量が７００
〜１３００である第１のナノフィルトレーション膜を備
え、第１の貯槽に貯蔵されている現像廃液を、ＴＡＡＨ
を含有する第１の透過液と第１の非透過成分とに分離す
る第１の分離手段と、第１の透過液を貯蔵する第２の貯
槽と、分画分子量が１００〜３００である第２のナノフ
ィルトレーション膜を備え、第２の貯槽に貯蔵されてい
る第１の透過液を第２の透過液とＴＡＡＨを含有する第
２の非透過成分とに分離する第２の分離手段とを備える
構成を採る。
廃液再生装置は、ＴＡＡＨおよびフォトレジストを含有
する現像廃液を移送する現像廃液移送部と、移送された
現像廃液を貯蔵する第１の貯槽と、分画分子量が７００
〜１３００である第１のナノフィルトレーション膜を備
え、第１の貯槽に貯蔵されている現像廃液を、ＴＡＡＨ
を含有する第１の透過液と第１の非透過成分とに分離す
る第１の分離手段と、第１の透過液を貯蔵する第２の貯
槽と、分画分子量が１００〜３００である第２のナノフ
ィルトレーション膜を備え、第２の貯槽に貯蔵されてい
る第１の透過液を第２の透過液とＴＡＡＨを含有する第
２の非透過成分とに分離する第２の分離手段とを備える
構成を採る。
【００４３】 本発明においては、強アルカリに対して
高度の耐性を有するナノフィルトレーション膜が使用さ
れ得る。これにより、現像廃液を中和することなく、現
像廃液を、ＴＡＡＨを含有する第１の透過液と第１の非
透過成分とに分離することができる。さらに、分画分子
量が１００〜３００である第２のナノフィルトレーショ
ン膜を用いて、第２の貯槽に貯蔵されている第１の透過
液を第２の透過液とＴＡＡＨを含有する第２の非透過成
分とに分離するので、精度の高い膜分離処理が行われ、
濃縮・減容化されたＴＡＡＨ含有液を得ることが可能と
なる。その結果、後工程で電気透析を行う必要性が解消
され、中和されたＴＡＡＨ含有液を輸送する際に必要な
運搬エネルギー及び処理コストを削減することができ
る。また、分離されたＴＡＡＨ含有液を再利用すること
ができるため、半導体製造工場等では、資源の有効利用
を図ることができると共に、廃液量を大幅に削減するこ
とが可能となる。従って、薬品購入費用及び廃液処理費
用を低減させることが可能となる。さらに、現像廃液を
本発明の装置に直接移送することができるため、半導体
製造工場等でのオンサイトで現像廃液の再生を行うこと
が可能となる。例えば、半導体の製造過程等で、現像液
を用いて不要のフォトレジストを溶解する際、ＴＡＡＨ
およびフォトレジストを含有した現像廃液が生成される
と、この現像廃液を第１の貯槽へ直接移送することがで
きる。これにより、いわゆるオンサイトで現像廃液の再
生を行うことが可能となる。さらに、第２の貯槽に貯え
られたＴＡＡＨを含有する第１の透過液を、第２の透過
液とＴＡＡＨを含有する第２の非透過成分とに分離する
ことができるので、ＴＡＡＨを多く含んだＴＡＡＨ含有
液を得ることが可能となる。
高度の耐性を有するナノフィルトレーション膜が使用さ
れ得る。これにより、現像廃液を中和することなく、現
像廃液を、ＴＡＡＨを含有する第１の透過液と第１の非
透過成分とに分離することができる。さらに、分画分子
量が１００〜３００である第２のナノフィルトレーショ
ン膜を用いて、第２の貯槽に貯蔵されている第１の透過
液を第２の透過液とＴＡＡＨを含有する第２の非透過成
分とに分離するので、精度の高い膜分離処理が行われ、
濃縮・減容化されたＴＡＡＨ含有液を得ることが可能と
なる。その結果、後工程で電気透析を行う必要性が解消
され、中和されたＴＡＡＨ含有液を輸送する際に必要な
運搬エネルギー及び処理コストを削減することができ
る。また、分離されたＴＡＡＨ含有液を再利用すること
ができるため、半導体製造工場等では、資源の有効利用
を図ることができると共に、廃液量を大幅に削減するこ
とが可能となる。従って、薬品購入費用及び廃液処理費
用を低減させることが可能となる。さらに、現像廃液を
本発明の装置に直接移送することができるため、半導体
製造工場等でのオンサイトで現像廃液の再生を行うこと
が可能となる。例えば、半導体の製造過程等で、現像液
を用いて不要のフォトレジストを溶解する際、ＴＡＡＨ
およびフォトレジストを含有した現像廃液が生成される
と、この現像廃液を第１の貯槽へ直接移送することがで
きる。これにより、いわゆるオンサイトで現像廃液の再
生を行うことが可能となる。さらに、第２の貯槽に貯え
られたＴＡＡＨを含有する第１の透過液を、第２の透過
液とＴＡＡＨを含有する第２の非透過成分とに分離する
ことができるので、ＴＡＡＨを多く含んだＴＡＡＨ含有
液を得ることが可能となる。
【図１】本発明の一実施の形態に係る現像液再生システ
ムの概略構成を示す図である。
ムの概略構成を示す図である。
【図２】第１の分離手段５としての膜分離モジュールの
一部断面図である。
一部断面図である。
１…現像液再生システム、２…貯槽、３…配管、４…ポ
ンプ、５…第１の分離手段、６…配管、７…配管、８…
貯槽、９…配管、１０…ポンプ、１１…第２の分離手
段、１２…配管、１３…配管、１４…ポンプ、１５…配
管、１６…ポンプ、１７…配管、２０…膜分離モジュー
ル、２１…サポート管、２１ａ…孔、２２…ＮＦ膜、１
００…現像装置、１０１…現像液管理供給装置、１０２
…現像液希釈装置。
ンプ、５…第１の分離手段、６…配管、７…配管、８…
貯槽、９…配管、１０…ポンプ、１１…第２の分離手
段、１２…配管、１３…配管、１４…ポンプ、１５…配
管、１６…ポンプ、１７…配管、２０…膜分離モジュー
ル、２１…サポート管、２１ａ…孔、２２…ＮＦ膜、１
００…現像装置、１０１…現像液管理供給装置、１０２
…現像液希釈装置。
フロントページの続き
(72)発明者 小川 修
東京都中央区日本橋小舟町５番１号 長
瀬産業株式会社内
(72)発明者 小早川 泰之
東京都中央区日本橋小舟町５番１号 長
瀬産業株式会社内
(72)発明者 北川 悌也
東京都大田区大森北３−４−４ Ｋ２ビ
ルディング８Ｆ 日本アブコー株式会社
内
(72)発明者 菊川 誠
神奈川県横浜市都筑区折本町338 ナガ
セ電子機器サービス株式会社内
(56)参考文献 特開 平11−192481（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−200811（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C02F 1/44 ZAB
B01D 61/14,61/58
Claims (6)
- 【請求項１】 テトラアルキルアンモニウムハイドロオ
キサイドおよびフォトレジストを含有する現像廃液を移
送する現像廃液移送部と、 前記移送された現像廃液を貯蔵する第１の貯槽と、分画分子量が７００〜１３００である 第１のナノフィル
トレーション膜を備え、前記第１の貯槽に貯蔵されてい
る現像廃液を、テトラアルキルアンモニウムハイドロオ
キサイドを含有する第１の透過液と第１の非透過成分と
に分離する第１の分離手段と、 前記第１の透過液を貯蔵する第２の貯槽と、分画分子量が１００〜３００である 第２のナノフィルト
レーション膜を備え、前記第２の貯槽に貯蔵されている
第１の透過液を第２の透過液とテトラアルキルアンモニ
ウムハイドロオキサイドを含有する第２の非透過成分と
に分離する第２の分離手段とを備えることを特徴とする
現像廃液再生装置。 - 【請求項２】 前記第１の非透過成分を前記第１の貯槽
へ移送する第１の移送部を備えることを特徴とする請求
項１記載の現像廃液再生装置。 - 【請求項３】 前記第２の非透過成分を前記第２の貯槽
へ移送する第２の移送部を備えることを特徴とする請求
項１又は請求項２記載の現像廃液再生装置。 - 【請求項４】 前記第２の貯槽に貯蔵されているテトラ
アルキルアンモニウムハイドロオキサイド濃縮液を送給
する送給部を備える請求項１から請求項３のいずれかに
記載の現像廃液再生装置。 - 【請求項５】 テトラアルキルアンモニウムハイドロオ
キサイドおよびフォトレジストを含有する現像廃液を移
送する現像廃液移送工程と、 前記移送された現像廃液を第１の貯槽に貯蔵する第１の
貯蔵工程と、 前記貯蔵されている現像廃液を、分画分子量が７００〜
１３００である第１のナノフィルトレーション膜を用い
てテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドを含
有する第１の透過液と第１の非透過成分とに分離する第
１の分離工程と、 前記第１の非透過成分を前記第１の貯槽に移送する第１
の移送工程と、 前記第１の透過液を第２の貯槽に貯蔵する第２の貯蔵工
程と、 前記第２の貯槽に貯蔵されている第１の透過液を、分画
分子量が１００〜３００である第２のナノフィルトレー
ション膜を用いて第２の透過液とテトラアルキルアンモ
ニウムハイドロオキサイドを含有する第２の非透過成分
とに分離する第２の分離工程と、 前記第２の非透過成分を前記第２の貯槽に移送する第２
の移送工程とを含むことを特徴とする現像廃液再生方
法。 - 【請求項６】 前記第２の貯槽に貯蔵されているテトラ
アルキルアンモニウムハイドロオキサイド濃縮液を送給
する送給工程を含む請求項５記載の現像廃液再生方法。
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| JP2001167354A JP3497841B2 (ja) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | 現像廃液再生装置及び現像廃液再生方法 |
| US10/305,796 US6875359B2 (en) | 2001-06-01 | 2002-11-27 | Developer waste liquid regenerating apparatus and method |
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|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US20080202415A1 (en) * | 2007-02-28 | 2008-08-28 | David Paul Miller | Methods and systems for addition of cellulose ether to gypsum slurry |
| US7803296B2 (en) | 2007-06-11 | 2010-09-28 | United States Gypsum Company | Methods and systems for preparing gypsum slurry containing a cellulose ether |
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| JP5927770B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2016-06-01 | 栗田工業株式会社 | 現像廃液の再生装置及び再生方法 |
| WO2013099955A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | 富士フイルム株式会社 | 半導体基板製品の製造方法及びこれに利用されるエッチング方法 |
| JP6300139B2 (ja) * | 2012-05-15 | 2018-03-28 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理システム |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2561578B2 (ja) * | 1991-08-07 | 1996-12-11 | 株式会社平間理化研究所 | 現像液管理装置 |
| FR2721227B1 (fr) * | 1994-06-17 | 1996-08-14 | Kodak Pathe | Procédé et dispositif pour la séparation de substance dissoutes dans les eaux de rinçage utilisées en aval d'un bain de traitement d'un film photographique. |
| JP2751849B2 (ja) | 1995-01-30 | 1998-05-18 | 日立プラント建設株式会社 | 現像原液の希釈装置 |
| JP3671644B2 (ja) | 1998-01-05 | 2005-07-13 | オルガノ株式会社 | フォトレジスト現像廃液の再生処理方法及び装置 |
| DE69920067D1 (de) * | 1998-01-22 | 2004-10-21 | Eastman Kodak Co | Verfahren und Vorrichtung zur Rückführung von Waschwasser in photographischen Verarbeitungen |
| JPH11262765A (ja) | 1998-03-16 | 1999-09-28 | Nagase & Co Ltd | テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド含有廃液の前処理方法及びその再生方法 |
| JP3728945B2 (ja) * | 1998-10-30 | 2005-12-21 | オルガノ株式会社 | フォトレジスト現像廃液からの現像液の回収再利用方法及び装置 |
| FR2824923B1 (fr) * | 2001-05-15 | 2003-07-25 | Eastman Kodak Co | Procede et dispositif pour le traitement d'un film photographique inversible couleur |
-
2001
- 2001-06-01 JP JP2001167354A patent/JP3497841B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-11-27 US US10/305,796 patent/US6875359B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210055162A (ko) * | 2019-11-07 | 2021-05-17 | 김재구 | 폐 에칭액의 불순물 저감 시스템 |
| KR102296540B1 (ko) * | 2019-11-07 | 2021-09-01 | 김재구 | 폐 에칭액의 불순물 저감 시스템 |
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| Publication number | Publication date |
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| US20040099602A1 (en) | 2004-05-27 |
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