JP3492792B2 - 半導体試験装置の波形整形回路 - Google Patents

半導体試験装置の波形整形回路

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、パターン発生周期より
速い周期のNRZ(Non Return to Zero)波形を整形す
る半導体試験装置の波形整形回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図4(a)及び図4(b)に示すよう
に、従来のNRZ波形は、パターン発生周期1サイクル
に1つの変化点しか持たないので、パターン発生周期1
サイクルで1つのNRZ波形しかでない。また、パター
ン発生器11は、半導体試験装置の最小周期に1つのパ
ターンしか発生できない。このため、NRZ波形を使用
したデバイス試験周期は、パターン発生器11のパター
ン発生周期と同じになる。
【0003】具体的には、NRZ波形を出力する場合、
タイミング発生器10で発生させたクロック、ACLK
及びBCLKと、パターン発生器11より発生し、プロ
グラマブル・データ・セレクタ12で選択されたパター
ン、PATAを、波形整形部13に入力する。例えば図
4(b)のようにパターン、PATAが“1”→“0”
となる場合、パターン、PATA1が“1”のとき、A
NDゲート、AND1がイネーブル状態になり、クロッ
ク、ACLK1がセット信号、STとして波形整形部1
3から出力される。また、パターン、PATA2が
“0”のとき、ANDゲート、AND2がイネーブル状
態になり、クロック、ACLK2がリセット信号、RS
Tとして波形整形部13から出力される。
【0004】波形整形部13より出力された信号、ST
及びRSTは、図5に示すように、反転させた信号AL
INと、遅延素子の遅延量Tpdだけ遅延させた信号B
LINをANDゲートに入力し、ST及びRST信号の
後縁を前縁としたパルス幅TpdのパルスST1及びR
ST1を出力する。図5に示す後縁微分回路14の出力
ST1及びRST1は、図4に示すSRフリップフロッ
プ15に入力し、パターン発生周期Traと同じ周期の
NRZ波形が出力される。NRZ波形を整形する場合、
クロックは1つあればよいので波形整形部13内の制御
部によりBCLKは使用しないように制御する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来のNRZ波形を使用したデバイス試験周期は、パタ
ーン発生器11のパターン発生周期と同じであり、パタ
ーン発生周期より速い周期でデバイスを試験できない。
本発明は、パターン発生周期より速い周期のNRZ波形
を整形する回路を実現することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の波形整形回路においては、タイミング信号
であるACLK及びBCLKを発生するタイミング発生
器10を設け、パターン発生器11の出力を入力とし、
ACLK及びBCLKに対応したパターンであるPAT
A及びPATBを出力とするプログロマブル・データ・
セレクタ22を設けている。また、ACLK及びBCL
Kの波形整形部23への入力を制御するENBA及びE
NBBを出力する禁止回路26を設けている。そして、
ACLK及びBCLK、ENBA及びENBB、PAT
A及びPATBを入力として、ST及びRSTを出力す
る波形整形部23を設け、ST及びRSTをそれぞれ入
力とした2個の後縁微分回路14の出力ST1及びRS
T1によってセット及びリセットし、NRZ波形を出力
するSRフリップフロップ15を設けている。また、禁
止回路26は、PATBをパターン発生周期1サイクル
遅らせるDELAY回路を設け、PATAと1サイクル
前のPATBであるBDが同じときENBAに“0”を
出力する論理回路を設け、PATAとPATBが同じと
きENBBに“0”を出力する論理回路を設けている。
【0007】
【作用】上記のように構成された波形整形回路におい
て、禁止回路26がないとき、NRZ波形を正常に発生
するためには、ACLK及びBCLKの最小パルス幅を
Tpwとすると、パルスのつながりを避けるため、パタ
ーン発生周期として少なくとも2×Tpwの周期にする
必要がある。禁止回路26があると、波形整形部23の
出力ST及びRSTが、必ず交互に出力されるため、パ
ターン発生周期がTpw以上であればパルスがつながる
ことがなく、禁止回路26がないときに比べて、NRZ
波形の周期の制限が1/2になり、より速いデバイス試
験周期で動作させることが可能となる。
【0008】
【実施例】図1は本発明の実施例を示すブロック図であ
る。本ブロックは、タイミング信号であるACLK及び
BCLKを発生するタイミング発生器10と、パターン
発生器11の出力を入力とし、ACLK及びBCLKに
対応したパターンであるPATA及びPATBを出力と
するプログロマブル・データ・セレクタ22と、ACL
K及びBCLKの波形整形部23への入力を制御するE
NBA及びENBB信号を出力する禁止回路26と、A
CLK及びBCLK、ENBA及びENBB、PATA
及びPATBを入力として、ST及びRSTを出力する
波形整形部23と、ST及びRSTをそれぞれ入力とし
た2個の後縁微分回路14の出力ST1及びRST1に
よってセット及びリセットし、NRZ波形を出力するS
Rフリップフロップ15とで構成される。
【0009】図2に、禁止回路26がなく、ENBA及
びENBBが常に“1”で、PATAが“1”→“1”
でありPATBが“0”→“0”の場合のタイミング波
形を示す。まず、パターン発生器11からのパターンを
プログラマブル・データ・セレクタ22で選択した2つ
のパターン、PATA及びPATBと、タイミング発生
器10で発生したクロック、ACLK及びBCLKを波
形整形部23に入力する。波形整形部23では、パター
ンPATAを、クロックACLKをSET信号とするか
RESET信号とするかの選択信号として用い、同様に
PATBを、クロックBCLKをSET信号とするかR
ESET信号とするかの選択信号として用い、セット信
号ST及びリセット信号RSTを出力する。
【0010】図2に示すタイミング図の場合、PATA
1及びPATA2が“1”であるので、ANDゲート、
AND1及びAND2により、ACLK1及びACLK
2がセット側ST信号として出力される。また、PAT
B1及びPATB2が“0”であるので、ANDゲー
ト、AND3及びAND4により、BCLK1及びBC
LK2がリセット側RST信号として出力される。ST
信号及びRST信号を後縁微分回路14に入力し、出力
としてST1信号及びRST1信号を得る。ST1信号
及びRST1信号は、SRフリップフロップ15に入力
し、パターン発生周期1サイクルに2つのNRZ波形が
出力される。つまり、従来より1/2の周期のNRZ波
形が得られ、デバイス試験周期をパターン発生周期の1
/2にすることができる。
【0011】図3(a)に、禁止回路26がなく、EN
BA及びENBBが常に“1”で、PATAが“1”→
“1”でありPATBが“1”→“0”の場合のタイミ
ング波形を破線で示す。まず、パターン発生器11から
のパターンをプログラマブル・データ・セレクタ22で
選択した2つのパターン、PATA及びPATBと、タ
イミング発生器10で発生したクロック、ACLK及び
BCLKを波形整形部23に入力する。波形整形部23
では、パターンPATAを、クロックACLKをSET
信号とするかRESET信号とするかの選択信号として
用い、同様にPATBを、クロックBCLKをSET信
号とするかRESET信号とするかの選択信号として用
い、セット信号ST及びリセット信号RSTを出力す
る。
【0012】図3(a)に破線で示すタイミング図の場
合、PATA1及びPATA2が“1”であるので、A
NDゲート、AND1及びAND2により、ACLK1
及びACLK2がセット側ST信号として出力される。
また、PATB1が“1”、PATB2が“0”である
ので、ANDゲート、AND3及びAND4により、B
CLK1がセット側ST信号として、BCLK2がリセ
ット側RST信号として出力される。この結果、ST信
号は、破線で示すようにACLK1、BCLK1、AC
LK2の間出力し、RST信号は、BCLK2の間出力
する。ST信号及びRST信号を後縁微分回路14に入
力し、出力として破線で示すST1信号及びRST1信
号を得る。ここで、ST1信号は、本来出力すべき実線
で示すエッジ1に出力せず、誤った破線で示すエッジ2
に出力する。ST1信号及びRST1信号は、SRフリ
ップフロップ15に入力し、破線で示すNRZ波形が出
力される。
【0013】以上のように、PATA1からPATB
1、PATB1からPATA2のように、同じパターン
が2つ連続したとき、2つ目のパターンに対するクロッ
ク、BCLK1及びACLK2の禁止を行わないと、A
CLK1、BCLK1、ACLK2によるST信号がつ
ながってしまい、得ようとしたNRZ波形を出力できな
い。そこで、図1に示す禁止回路26を付加すること
で、得ようとしたNRZ波形を発生している。禁止回路
26は、PATBをパターン発生周期1サイクル遅らせ
るDELAY回路を持ち、PATAと1サイクル前のP
ATBであるBDが同じとき、ENBAに“0”を出力
し、ANDゲート、AND1及びAND2によりACL
Kを禁止する。また、PATAとPATBが同じとき、
ENBBに“0”を出力し、ANDゲート、AND3及
びAND4によりBCLKを禁止するように動作する。
ENBA及びENBBの発生タイミングを図3(b)に
示し、その結果として発生するNRZ波形のタイミング
を図3(a)の実線で示す。
【0014】禁止回路26がないとき、NRZ波形を正
常に発生するためには、ACLK及びBCLKの最小パ
ルス幅をTpwとすると、パルスのつながりを避けるた
め、パターン発生周期として少なくとも2×Tpwの周
期にする必要がある。禁止回路26があると、波形整形
部23の出力ST及びRSTが、必ず交互に出力される
ため、パターン発生周期がTpw以上であればパルスが
つながることがなく、禁止回路26がないときに比べ
て、NRZ波形の周期の制限が1/2になり、より速い
デバイス試験周期で動作させることが可能となる。
【0015】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。つ
まり、禁止回路26がないとき、NRZ波形を正常に発
生するためには、ACLK及びBCLKの最小パルス幅
をTpwとすると、パルスのつながりを避けるため、パ
ターン発生周期として少なくとも2×Tpwの周期にす
る必要がある。禁止回路26があると、波形整形部23
の出力ST及びRSTが、必ず交互に出力されるため、
パターン発生周期がTpw以上であればパルスがつなが
ることがなく、禁止回路26がないときに比べて、NR
Z波形の周期の制限が1/2になり、より速いデバイス
試験周期で動作させることが可能となる。結局、以上の
構成により、パターン発生周期より速い周期のNRZ波
形を整形でき、デバイス試験周期を速くできる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の回路ブロック図である。
【図2】禁止回路が無く、PATAが“1”、PATB
が“0”の場合のタイミング図である。
【図3】PATBに“1”を1サイクル加えた場合の、
NRZ波形及び禁止回路のタイミング図である。
【図4】従来の回路ブロック図と、タイミング図であ
る。
【図5】後縁微分回路の回路ブロック図と、タイミング
図である。
【符号の説明】
10 タイミング発生器 11 パターン発生器 12、22 プログラマブル・データ・セレクタ 13、23 波形整形部 14 後縁微分回路 15 SRフリップフロップ 26 禁止回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−167683(JP,A) 特開 平2−67977(JP,A) 特開 平5−196696(JP,A) 特開 平3−4185(JP,A) 特開 平6−18625(JP,A) 特開 平5−87883(JP,A) 特開 平6−130128(JP,A) 特開 平2−22577(JP,A) 特開 平1−233377(JP,A) 特開 昭60−185425(JP,A) 特開 平2−13863(JP,A) 特開 平8−122408(JP,A) 特開 平5−119121(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 31/28 - 31/3193 H03K 19/00

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 タイミング信号であるACLK及びBC
    LKを発生するタイミング発生器(10)を設け、 パターン発生器(11)の出力を入力とし、ACLK及
    びBCLKに対応したパターンであるPATA及びPA
    TBを出力とするプログロマブル・データ・セレクタ
    (22)を設け、 ACLK及びBCLKの波形整形部(23)への入力を
    制御するENBA及びENBBを出力する禁止回路(2
    6)を設け、 ACLK及びBCLK、ENBA及びENBB、PAT
    A及びPATBを入力として、ST及びRSTを出力す
    る波形整形部(23)を設け、 ST及びRSTをそれぞれ入力とした2個の後縁微分回
    路(14)の出力ST1及びRST1によってセット及
    びリセットし、NRZ波形を出力するSRフリップフロ
    ップ(15)を設け、 以上を具備することを特徴とする半導体試験装置の波形
    整形回路。
  2. 【請求項2】 禁止回路(26)は、PATBをパター
    ン発生周期1サイクル遅らせるDELAY回路を設け、
    PATAと1サイクル前のPATBであるBDが同じと
    きENBAに“0”を出力する論理回路を設け、PAT
    AとPATBが同じときENBBに“0”を出力する論
    理回路を設けた、請求項1記載の半導体試験装置の波形
    整形回路。
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