JP3558228B2 - 半導体試験方法およびこれを実施する装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
この発明は、半導体試験方法およびこれを実施する装置に関し、特に、相異なるクロック周波数により動作する回路部が混在する半導体装置の試験方法およびこの方法を実施する装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
通信用半導体装置の如く、1個の半導体装置内に相異なるクロック周波数により動作する回路部が混在する半導体装置がある。これを図4を参照して説明するに、1は通信用半導体装置全体を示しており、11は送信回路部、12は受信回路部である。13は制御回路部であり、送信回路部11と受信回路部12の間の調整をする回路部である。14はBUSインターフェイス回路部である。送信回路部11および受信回路部12より成る右方の通信側回路部側には入出力端子I/O1 、入力端子I1 、出力端子O1 および送受信クロック端子CLK1 を具備する一方、左方のシステム側には入出力端子I/O2 、入力端子I2 、出力端子O2 およびシステムクロック端子CLK2 を具備する。ここで、この送受信クロックCLK1 のクロック周波数とインターフェイス回路部14のシステムクロックCLK2 のクロック周波数とは相違している。一例を示すと、通信側のフレームフォーマットは48bit/250μpsであるものと規定されているところから、192kHz/bitである。そして、通信側においては3値表現をすると共にシステム側は2値表現をするものとされているところから、システム側は256kHz/bitである。システム側および通信側の動作タイミングチャートを図4(a)に示す。システム側のクロック周波数と通信側のクロック周波数の比はここに示される如く4:3である。
【0003】
以上の通信用半導体装置1の試験は下記の如く実施することができる。
ここで、通信用半導体装置の試験を説明するに先だって、半導体試験装置の従来例の基本構成を簡単に説明しておく。図5において、1は半導体試験装置のタイミング発生器、2はパターン発生器、3は波形整形器であり、そしてDUTは被試験半導体装置を示す。4は論理比較器であり、被試験半導体装置DUTの試験結果とパターン発生器2から出力される期待値データとを比較する。パターン発生器2はタイミング発生器1が発生する基準クロックに従って被試験半導体装置DUTに供給するアドレス信号、テストデータ、制御信号を出力する。これらの信号は、波形整形器3に与えられ、ここにおいて試験に必要な波形に整形されてから被試験半導体装置DUTに印加される。被試験半導体装置DUTについて、制御信号によりテストデータの書き込み、読みだし制御が行なわれる。被試験半導体装置DUTから読み出されたテストデータは論理比較器4に与えられ、ここにおいてパターン発生器2から出力される期待値データと読みだした試験データとが比較され、その一致、不一致により被試験半導体装置DUTの良否(パス、フェイル)を判定する。
【0004】
以上の如き半導体試験装置を使用して通信用半導体装置を試験する場合、通信側の送受信クロック端子CLK1 にクロック周波数CLK1 のクロックパルスを印加して送信回路部11および受信回路部12を動作させると共に入出力端子I/O1 或は入力端子I1 にデータを供給し、入出力端子I/O1 或は出力端子O1 から出力される出力波形を試験することにより、送信回路部11および受信回路部12の動作と制御回路部13の動作の正否を判定することができる。
【0005】
通信側の試験が終了した後、同様に、システム側のシステムクロック端子CLK2 にクロック周波数CLK2 のクロックパルスを印加してBUSインターフェイス回路部14を動作させると共に入出力端子I/O2 或は入力端子I2 にデータを供給し、入出力端子I/O2 或は出力端子O2 から出力される出力波形を試験することにより、BUSインターフェイス回路部14の動作と制御回路部13の動作の正否を判定することができる。
【0006】
上述した通り、通信側の試験が終了した後、この試験とは別個に独立してシステム側の試験を実施することにより、通信用半導体装置1全体の試験が終了したものとすることができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
以上の試験は通信側の試験とシステム側の試験とを別個に独立して時間的にずらして実施している。この様に試験を別個に実施するのは、図4(a)の動作タイミングチャートから明らかな如く、システム側のクロック周波数と通信側のクロック周波数の比が4:3という様に相違しているからである。図4(a)に示される通信側の動作タイミングチャートのテストサイクルは3個のクロックパルスにより構成される一方、システム側の動作タイミングチャートのテストサイクルは4個のクロックパルスにより構成されるところから、共通するクロックパルスを使用して通信側およびシステム側の双方についてデータの供給とその応答の読みだしとを実施することはできない。この様に、相異なるクロック周波数により動作する回路部が混在する半導体装置の各回路部を別個に時間をずらして試験することは、半導体試験装置の構造を複雑過大にすると共に試験時間も長期化して試験効率上も不都合である。
【0008】
この発明は、相異なるクロック周波数により動作する回路部が混在する半導体装置に共通するクロック周波数のクロックパルスを供給し、これらの回路部を同時に試験する構成を採用して上述の問題を解消した半導体試験方法およびこれを実施する装置を提供するものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
所定テストサイクル目毎にダミーのパターンを挿入し、ダミーのパターンに応答してオープン処理データを出力し、このデータに基づいて論理比較器の動作を停止する半導体試験方法を構成した。
そして、被試験半導体装置DUTにテストデータを印加し、被試験半導体装置DUTから読み出される試験結果と期待値データとを論理比較する半導体試験装置において、所定テストサイクル目毎にダミーのパターンが記憶される期待値パターンメモリ部1012 を有するパターン発生器2を具備し、被試験半導体装置DUTにテストデータを印加するテストデータ印加部Pin nを具備し、
ダミーのパターンに応答してオープン処理データを出力して論理比較動作を停止する回路を有する試験結果入力比較部Pin (n+1)を具備する半導体試験装置を構成した。
【0010】
また、被試験半導体装置DUTにテストデータを印加し、被試験半導体装置DUTから読み出される試験結果と期待値データとを論理比較する半導体試験装置において、パターンが記憶されるパターンメモリ部1011 および所定テストサイクル目毎にダミーのパターンが記憶される期待値パターンメモリ部1012 より成るパターンメモリ部101と、タイミングセットが記憶されコントロールデータメモリ部102とを有するパターン発生器2を具備し、パターンメモリ部1011 から読みだされるパターンおよびコントロールデータメモリ部102から読みだされるタイミングセットによりアクセスされる波形メモリ200およびタイミングメモリ201を有するテストデータ印加部Pin nを具備し、期待値パターンメモリ部1012 から読みだされる期待値パターンおよびコントロールデータメモリ部102から読みだされるタイミングセットによりアクセスされる期待値波形メモリ300およびタイミングメモリ301と、ダミーのパターンに応答してオープン処理データを出力し、このデータに基づいて論理比較動作を停止する回路とを有する試験結果入力比較部を具備する半導体試験装置を構成した。
【0011】
【実施例】
この発明の実施例を図1および図2を参照して説明する。
図1において、DUTは試験されるべき被測定半導体である。Pin 1は図4(b)におけるシステム側の入力端I2 であり、Pin 2は通信側の出力端O1 であるものとする。2はパターン発生器である。101はパターンメモリ部であり、そのパターンメモリ部1011には1、0より成るパターンが記憶されると共に期待値パターンメモリ部1012 にはH、L、およびXより成るパターンが記憶されている。ここで、パターンHおよびLは半導体試験装置のユーザが装置使用に際して適宜に選択記憶するパターンであるのに対して、Xは自動的に挿入されてユーザが意識することのないダミーのパターンである。102はコントロールデータメモリ部であり、これにはT1およびT2より成るタイミングセットが記憶されている。そして、このパターン発生器2は、テストサイクル1ないし12に対応するパターン1、0、およびH、L、Xをパターンメモリ部101から読みだして出力すると共に、タイミングセットT1或はT2をコントロールデータメモリ部102から読みだして出力し、これらを順次に後で説明されるPinn側およびPin (n+1)側に印加する。
【0012】
次に、Pin n側について説明する。テストデータを被測定半導体DUTに印加する側であるテストデータ印加部Pin nは、被測定半導体DUTに対してパターン1或は0に従って波形を印加する動作を継続する。
200は波形メモリである。この波形メモリ200は、パターン発生器2から送り込まれるタイミングセットがT1、パターンが1である場合、SET側出力に1を出力し、RESET側出力に0を出力する。そして、パターン発生器2から送り込まれるタイミングセットがT1、パターンが0である場合、SET側出力に0を出力し、RESET側出力に1を出力する。同様に、タイミングセットがT2、パターンが1である場合、SET側出力に1を出力し、RESET側出力に0を出力するものである。
【0013】
202はインターリーブ回路である。このインターリーブ回路202は、波形メモリ200から出力されるSET出力およびRESET出力を取り込んで出力する。
201はタイミングメモリ、203は可変遅延回路である。このタイミングメモリ201はパターン発生器2から送り込まれるタイミングセットがT1、パターンが1である場合、ORゲート207およびANDゲート208を介して可変遅延回路203に入力されるSET出力およびRESET出力を遅延時間t1 だけ遅延せしめる制御データを出力する。パターン発生器2から送り込まれるタイミングセットがT1、パターンが0である場合、遅延時間t2 だけ遅延せしめる制御データを出力する。同様に、タイミングセットがT2、パターンが1である場合、遅延時間t1 だけ遅延せしめる制御データを出力する。
【0014】
204はその一方の入力端にインターリーブ回路202からSET出力が供給されるANDゲートであり、204’はその一方の入力端にインターリーブ回路202からRESET出力が供給されるANDゲートである。ANDゲート204およびANDゲート204’の他方の入力端には、可変遅延回路203により遅延せしめられたタイミングエッジが入力される。205はR−Sフリップフロップ、206はドライバである。ここで、例えば、タイミングセットがT1、パターンが1であるとき、タイミングメモリ201は遅延時間t1 を出力し、可変遅延回路203はこの遅延時間t1 に基づいて制御され、図2におけるt1 の遅延を付加されたタイミングエッジを出力する。従って、ANDゲート204およびANDゲート204’の一方の入力端に供給されたSET入力およびRESET入力は、この遅延せしめられたタイミングエッジに同期してR−Sフリップフロップ205のSET入力端子およびRESET入力端子に供給される。R−Sフリップフロップ205の出力はドライバ206を介して被試験半導体装置DUTを駆動する。
【0015】
Pin (n+1)側について説明する。被測定半導体DUTから試験結果を入力される側である試験結果入力比較部Pin (n+1)側は、被測定半導体DUTの出力波形を所定のタイミングによりストロービングし、この結果と期待値との間の比較を継続する。
300は波形メモリである。この波形メモリ300は、パターン発生器2から送り込まれるタイミングセットがT1、パターンがHである場合、期待値H比較側出力に1を出力し、期待値L比較側出力に0を出力する。そして、パターン発生器2から送り込まれるタイミングセットがT1、パターンがLである場合、期待値H比較側出力に0を出力し、期待値L比較側出力に1を出力する。同様にして、タイミングセットがT2、パターンがHである場合、期待値H比較側出力に1を出力し、期待値L比較側出力に0を出力する。そして、タイミングセットがT1、パターンがXである場合は、期待値H比較側出力に0を出力し、期待値L比較側出力にも0を出力する。
【0016】
302はインターリーブ回路であり、波形メモリ300から出力される期待値であるH比較側出力およびL比較側出力を取り込んで出力する。
301はタイミングメモリ、303は可変遅延回路である。このタイミングメモリ301は、パターン発生器2から送り込まれるタイミングセットがT1、パターンがHである場合、ORゲート307およびANDゲート308を介して波形メモリ300から可変遅延回路303に入力されるH比較側出力或はL比較側出力を遅延時間t3 だけ遅延せしめる制御データを出力する。パターン発生器2から送り込まれるタイミングセットがT1、パターンがLである場合、可変遅延回路303に入力されるH比較側出力或はL比較側出力を遅延時間t4 だけ遅延せしめる制御データを出力する。同様に、タイミングセットがT2、パターンがHである場合、遅延時間t5 だけ遅延せしめる制御データを出力する。そして、タイミングセットがT1、パターンがXである場合は、遅延時間t6 だけ遅延せしめる制御データを出力する。これらの制御データは可変遅延回路303に印加され、波形メモリ300から可変遅延回路303に供給されるH比較側出力或はL比較側出力を遅延せしめてこれをストローブ信号STRBとする。
【0017】
304はE・ORゲートより成るH比較回路であり、304’はE・ORゲートより成るL比較回路である。305はインターリーブ回路、306はコンパレータである。
被測定半導体DUTのPin 2から出力される試験結果の出力波形は、可変遅延回路303から出力される遅延時間tを付加された所定のタイミングによりストロービングされ、コンパレータ306を介してインターリーブ回路305に取り込まれる。インターリーブ回路305に取り込まれた被測定半導体DUTのPin 2から出力される試験結果の出力波形は、遅延回路309’を介して印加されるテストサイクルにより読みだされ、遅延回路309を介してANDゲート311に印加されるパルスに同期して、H比較回路304およびL比較回路304’の一方の入力端に印加される。これに対して、インターリーブ回路305と共通する遅延回路309’を介して印加されるテストサイクルに応答して波形メモリ300からインターリーブ回路302に読みこまれた期待値Hおよび期待値Lは、遅延回路309を介してANDゲート311に印加されるパルスに同期して、H比較回路304およびL比較回路304’の他方の入力端に印加される。ここで、H比較回路304およびL比較回路304’において、被測定半導体DUTの試験結果の出力波形と期待値の比較が行なわれ、H比較結果およびL比較結果が得られることとなる。そして、インターリーブ回路305の読みだし側Rには、遅延回路309’’およびANDゲート312を介してORゲート307の出力が接続している。
【0018】
ここで、タイミングセットがT1であってパターンがダミーのパターンのXである場合は、波形メモリ300に記憶される期待値Hおよび期待値Lは上述した通り何れも0とされている。この状態をオープン処理と称する。従って、ORゲート307を介して波形メモリ300からANDゲート308の一方の入力端に印加される入力は0であり、可変遅延回路303の出力は消失してストローブ信号STRBは停止することとなる。一方、この波形メモリ300の0出力はORゲート307を介してANDゲート311の一方の入力端にも印加される。これによりインターリーブ回路305は図2における第4、第8および第12テストサイクルにおいて停止した状態となっている。そして、インターリーブ回路302に入力される期待値であるH比較およびL比較データは第4、第8および第12テストサイクルにおいて出力されるが、波形メモリ300の0出力は更に遅延回路309を介してANDゲート310、ANDゲート310’およびANDゲート311の三者にも印加されてこれらのゲートはブロックされるので、結局E・ORゲートより成るH比較回路304およびE・ORゲートより成るL比較回路304’に対する出力はすべて0となる。即ち、H比較回路304およびL比較回路304’の比較結果は双方共に常にパスと判定されることになる。この判定を強制的パス判定と称する。
【0019】
以下、強制的パス判定について説明する。図5に示される如く、半導体試験装置全体はシステムクロックに同期して動作している。このタイミングチャートを図3に示す。図3において、波形整形器の出力とDUTの出力とは非同期となっているが、判定結果の取り込みはシステムクロックに同期させる必要がある。ここで、パス/フェイルを判定する際にソフトウエアによる処理方法を採用することができるが、これによる処理は低速度であるので、フェイルの場合にフェイルをリアルタイムにラッチする構成を採用している。詳細な説明は省略するが、この構成を採用する場合、ダミーサイクルにフェイルが存在してはならないので、この仮想のダミーサイクルは上述の通りの強制的パス判定とする必要がある。
【0020】
そして、ストローブ信号STRBを第4テストサイクルにおいて停止することについてであるが、この様にすることにより、Pin n側は4テストサイクルであるのに対して、Pin (n+1)側はこれも4テストサイクルではあるが実質上は3テストサイクルであるものとすることができる。即ち、第4テストサイクルにおいて遅延時間t6 にストローブ信号STRBが発生すると、図2においては第4テストサイクル中に遅延時間t5 のところおよび遅延時間t6 のところの2箇所にストローブ信号STRBが発生し、半導体試験装置は試験測定不可能の状態になる。ここで、図2により図示説明された通り、ストローブ信号STRBを第1テストサイクルについて遅延時間t3 だけ遅延せしめて発生させ、第2テストサイクルについて遅延時間t 4だけ遅延せしめて発生させ、そして第3テストサイクルについて遅延時間t5 だけ遅延せしめて発生させる様に設定すると共に、第4テストサイクルにおいてはストローブ信号STRBを発生させないこととすることにより、Pin n側は4テストサイクルの動作であるのに対して、Pin(n+1)側は実質上3テストサイクルの動作であるものとすることができる。
【0021】
結局、図1におけるインターリーブ回路305のR側およびW側の双方のクロックは、ANDゲート312およびANDゲート309’’がORゲート307の0出力によりブロックすることにより停止するので、図2における第4テストサイクル、第8テストサイクルおよび第12テストサイクルはインターリーブ動作において存在しないに等しい動作とすることができる。
【0022】
図1による図示説明は、半導体試験装置を半導体装置DUTの独立の入出力端子に接続して試験する例についてのものであるが、Pin n側およびPin (n+ 1)側を1組具備し、これをPin 1およびPin 2のそれぞれに接続して同様の試験をすることができる。
【0023】
【発明の効果】
以上の通りであって、この発明は、相異なるクロック周波数により動作する回路部が混在する半導体装置に共通するクロック周波数のクロックパルスを供給してこれらの回路部を同時に試験することができる。その結果、クロック周波数が異なる回路部を別個に試験する試験効率上の不都合が解消されると共に、半導体試験装置の構造を簡略化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例を説明する図。
【図2】図1の動作タイミングチャート。
【図3】半導体試験装置の動作タイミングチャート。
【図4】従来例を説明する図。
【図5】半導体試験装置を説明する図。
【符号の説明】
101 パターンメモリ部
1011 パターンメモリ部
1012 期待値パターンメモリ部
102 コントロールデータメモリ部
2 パターン発生器
200 波形メモリ
201 タイミングメモリ
300 期待値波形メモリ
301 タイミングメモリ
DUT 被試験半導体装置
Pin n テストデータ印加部
Pin (n+1) 試験結果入力比較部
Claims (2)
- 被試験半導体装置にテストデータを印加し、被試験半導体装置から読み出される試験結果と期待値データとを論理比較する半導体試験装置において、所定テストサイクル目毎にダミーのパターンが記憶される期待値パターンメモリ部を有するパターン発生器を具備し、被試験半導体装置にテストデータを印加するテストデータ印加部を具備し、ダミーのパターンに応答してオープン処理データを出力して論理比較動作を停止する回路を有する試験結果入力比較部を具備することを特徴とする半導体試験装置。
- 被試験半導体装置にテストデータを印加し、被試験半導体装置から読み出される試験結果と期待値データとを論理比較する半導体試験装置において、パターンが記憶されるパターンメモリ部および所定テストサイクル目毎にダミーのパターンが記憶される期待値パターンメモリ部より成るパターンメモリ部と、タイミングセットが記憶されコントロールデータメモリ部とを有するパターン発生器を具備し、パターンメモリ部から読みだされるパターンおよびコントロールデータメモリ部から読みだされるタイミングセットによりアクセスされる波形メモリおよびタイミングメモリを有するテストデータ印加部を具備し、期待値パターンメモリ部から読みだされる期待値パターンおよびコントロールデータメモリ部から読みだされるタイミングセットによりアクセスされる期待値波形メモリおよびタイミングメモリと、ダミーのパターンに応答してオープン処理データを出力し、このデータに基づいて論理比較動作を停止する回路とを有する試験結果入力比較部を具備することを特徴とする半導体試験装置。
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