JP3487283B2 - 差動ストリップ線路垂直変換器および光モジュール - Google Patents
差動ストリップ線路垂直変換器および光モジュールInfo
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/04—Fixed joints
- H01P1/047—Strip line joints
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は差動ストリップ線
路垂直変換器、およびそれを搭載した光モジュールに関
するものである。
路垂直変換器、およびそれを搭載した光モジュールに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバを通じて光信号を送信もしく
は受信し通信を行うためのデバイスである光モジュール
では、伝送速度の高速化が図られる一方、小型化も要求
されている。これらの要求を実現する一つの方法とし
て、例えば半導体レーザダイオードのような電気光変換
素子とこれを駆動する増幅器、ＭＵＸ（多重化回路）／
ＤＥＭＵＸ（多重分離回路）等の部品を一体化した光モ
ジュールが考えられている。また、上記モジュールを構
成する部品間では直流信号から高周波信号までを伝送す
る必要があるため、外部からの雑音、電源電圧変動を考
慮した信号線路形態として差動信号を伝送する差動スト
リップ線路が一般に用いられる。この様なモジュールを
構成するパッケージ構造としては、セラミック等の誘電
体を積層し、信号、電源線路等を誘電体と一体化して形
成した多層配線を設けることにより実現が可能となる。
このような多層配線が形成される多層基板にて、より実
装密度の高い光モジュールのパッケージ構造を実現する
ためには、差動ストリップ線路を誘電体間にて垂直に接
続する差動ストリップ線路垂直変換器を用いることが必
須となる。
は受信し通信を行うためのデバイスである光モジュール
では、伝送速度の高速化が図られる一方、小型化も要求
されている。これらの要求を実現する一つの方法とし
て、例えば半導体レーザダイオードのような電気光変換
素子とこれを駆動する増幅器、ＭＵＸ（多重化回路）／
ＤＥＭＵＸ（多重分離回路）等の部品を一体化した光モ
ジュールが考えられている。また、上記モジュールを構
成する部品間では直流信号から高周波信号までを伝送す
る必要があるため、外部からの雑音、電源電圧変動を考
慮した信号線路形態として差動信号を伝送する差動スト
リップ線路が一般に用いられる。この様なモジュールを
構成するパッケージ構造としては、セラミック等の誘電
体を積層し、信号、電源線路等を誘電体と一体化して形
成した多層配線を設けることにより実現が可能となる。
このような多層配線が形成される多層基板にて、より実
装密度の高い光モジュールのパッケージ構造を実現する
ためには、差動ストリップ線路を誘電体間にて垂直に接
続する差動ストリップ線路垂直変換器を用いることが必
須となる。
【０００３】図９、図１０及び図１１は従来のストリッ
プ線路垂直変換器を示したもので、図９は従来のストリ
ップ線路垂直変換器の透視斜視図、図１０は図９におけ
るI-I'断面図、図１１の（Ａ）は上面図、（Ｂ）は図９
におけるＡでの平面断面図、（Ｃ）は図９におけるＢで
の平面断面図、（Ｄ）は図９におけるＣでの平面断面図
である。１、２、３は誘電体、４はマイクロストリップ
線路、５はトリプレート線路、６は信号ビア、７、８は
地導体、９は整合ビアである。地導体７と地導体８を接
続した整合ビア９を信号ビア６の周囲に配置し、同軸状
に形成する構造となっており、信号ビア６は、それぞれ
マイクロストリップ線路４及びトリプレート線路５に接
続している。信号ビア６と整合ビア９の間隔を調整する
ことによって同軸線路としてのインピーダンスを変化さ
せることができるため、マイクロストリップ線路４、ト
リプレート線路５の特性インピーダンスに整合させるこ
とができる。そのため、整合がとれたストリップ線路垂
直変換器を形成することが可能となる。このストリップ
線路垂直変換器を用いて差動信号の垂直変換器を構成す
るには、差動線路を構成する線路のそれぞれにこのスト
リップ線路垂直変換器を設けることにより、差動線路と
してのストリップ線路垂直変換器を構成することができ
る。
プ線路垂直変換器を示したもので、図９は従来のストリ
ップ線路垂直変換器の透視斜視図、図１０は図９におけ
るI-I'断面図、図１１の（Ａ）は上面図、（Ｂ）は図９
におけるＡでの平面断面図、（Ｃ）は図９におけるＢで
の平面断面図、（Ｄ）は図９におけるＣでの平面断面図
である。１、２、３は誘電体、４はマイクロストリップ
線路、５はトリプレート線路、６は信号ビア、７、８は
地導体、９は整合ビアである。地導体７と地導体８を接
続した整合ビア９を信号ビア６の周囲に配置し、同軸状
に形成する構造となっており、信号ビア６は、それぞれ
マイクロストリップ線路４及びトリプレート線路５に接
続している。信号ビア６と整合ビア９の間隔を調整する
ことによって同軸線路としてのインピーダンスを変化さ
せることができるため、マイクロストリップ線路４、ト
リプレート線路５の特性インピーダンスに整合させるこ
とができる。そのため、整合がとれたストリップ線路垂
直変換器を形成することが可能となる。このストリップ
線路垂直変換器を用いて差動信号の垂直変換器を構成す
るには、差動線路を構成する線路のそれぞれにこのスト
リップ線路垂直変換器を設けることにより、差動線路と
してのストリップ線路垂直変換器を構成することができ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上のように従来のス
トリップ線路垂直変換器は構成されているため、次の課
題があった。図１２に差動マイクロストリップ線路の信
号伝送方向と直行する断面の模式図と、その電気力線を
示す。sは線路間の間隔であり、wは線路の幅である。差
動マイクロストリップ線路は差動マイクロストリップ線
路を構成する線路間の電界結合と地導体間の電界結合か
らなる伝送モードであり、その特徴としては外部からの
雑音に対して妨害を受け難いことが挙げられるが、この
特徴を生かすにはsを十分に狭くし、差動マイクロスト
リップ線路間に電界を集中させることが重要である。と
ころが、従来のストリップ線路垂直変換器では差動動作
であっても互いに電界が結合していない状態での垂直変
換であるため、差動動作の特徴を生かすことができず、
また、整合ビア９も必要であるため構造が複雑となりス
トリップ線路垂直変換器が大きくなるという問題点があ
った。
トリップ線路垂直変換器は構成されているため、次の課
題があった。図１２に差動マイクロストリップ線路の信
号伝送方向と直行する断面の模式図と、その電気力線を
示す。sは線路間の間隔であり、wは線路の幅である。差
動マイクロストリップ線路は差動マイクロストリップ線
路を構成する線路間の電界結合と地導体間の電界結合か
らなる伝送モードであり、その特徴としては外部からの
雑音に対して妨害を受け難いことが挙げられるが、この
特徴を生かすにはsを十分に狭くし、差動マイクロスト
リップ線路間に電界を集中させることが重要である。と
ころが、従来のストリップ線路垂直変換器では差動動作
であっても互いに電界が結合していない状態での垂直変
換であるため、差動動作の特徴を生かすことができず、
また、整合ビア９も必要であるため構造が複雑となりス
トリップ線路垂直変換器が大きくなるという問題点があ
った。
【０００５】この発明は上記の問題点を解決するために
なされたもので、差動状態のままで動作する、整合ビア
を用いないようなより簡単な構造の差動ストリップ線路
垂直変換器、およびその変換器を搭載した光モジュール
を得ることを目的としている。
なされたもので、差動状態のままで動作する、整合ビア
を用いないようなより簡単な構造の差動ストリップ線路
垂直変換器、およびその変換器を搭載した光モジュール
を得ることを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明による差動ス
トリップ線路変換器は、第一の誘電体と、第二の誘電体
と、上記第一の誘電体の一方の面と上記第二の誘電体の
一方の面の間に設けられた第一の地導体と、上記第一の
誘電体の他方の面に設けられ、上記第一の地導体と電界
結合して差動信号を伝送する、第一のマイクロストリッ
プ線路導体および第二のマイクロストリップ線路導体か
ら成り、両線路間に電界を集中させた差動マイクロスト
リップ線路と、第三の誘電体と、上記第三の誘電体の一
方の面に設けられた第二の地導体と、上記第二の誘電体
の他方の面と上記第三の誘電体の他方の面との間に設け
られ、上記第一の地導体および上記第二の地導体と電界
結合して差動信号を伝送する、第一のトリプレート線路
導体および第二のトリプレート線路導体から成り、両線
路間に電界を集中させた差動トリプレート線路とを備
え、上記第一のマイクロストリップ線路導体の端部と上
記第一のトリプレート線路導体の端部とは第一のビアで
接続され、上記第二のマイクロストリップ線路導体の端
部と上記第二のトリプレート線路導体の端部とは第二の
ビアで接続され、上記第一の地導体は、上記第一のビア
と上記第二のビアとに接触しないように形成された刳り
貫き部を有するものである。
トリップ線路変換器は、第一の誘電体と、第二の誘電体
と、上記第一の誘電体の一方の面と上記第二の誘電体の
一方の面の間に設けられた第一の地導体と、上記第一の
誘電体の他方の面に設けられ、上記第一の地導体と電界
結合して差動信号を伝送する、第一のマイクロストリッ
プ線路導体および第二のマイクロストリップ線路導体か
ら成り、両線路間に電界を集中させた差動マイクロスト
リップ線路と、第三の誘電体と、上記第三の誘電体の一
方の面に設けられた第二の地導体と、上記第二の誘電体
の他方の面と上記第三の誘電体の他方の面との間に設け
られ、上記第一の地導体および上記第二の地導体と電界
結合して差動信号を伝送する、第一のトリプレート線路
導体および第二のトリプレート線路導体から成り、両線
路間に電界を集中させた差動トリプレート線路とを備
え、上記第一のマイクロストリップ線路導体の端部と上
記第一のトリプレート線路導体の端部とは第一のビアで
接続され、上記第二のマイクロストリップ線路導体の端
部と上記第二のトリプレート線路導体の端部とは第二の
ビアで接続され、上記第一の地導体は、上記第一のビア
と上記第二のビアとに接触しないように形成された刳り
貫き部を有するものである。
【０００７】第二の発明による差動ストリップ線路変換
器は、上記第一のビアと上記第二のビアの間隔を、上記
第一、第二のマイクロストリップ線路導体間の間隔より
長くしたものである。
器は、上記第一のビアと上記第二のビアの間隔を、上記
第一、第二のマイクロストリップ線路導体間の間隔より
長くしたものである。
【０００８】第三の発明による差動ストリップ線路変換
器は、上記第一のビアと上記第二のビアの間隔を、反射
損失が所望の特性となるように設定したものである。
器は、上記第一のビアと上記第二のビアの間隔を、反射
損失が所望の特性となるように設定したものである。
【０００９】第四の発明による差動ストリップ線路変換
器は、上記第一のビアと上記第二のビアの間隔を、上記
第一、第二のマイクロストリップ線路導体間の間隔と概
略同じとし、上記第一のビアと上記第二のビアの直径
を、０．１ｍｍより小さくしたものである。
器は、上記第一のビアと上記第二のビアの間隔を、上記
第一、第二のマイクロストリップ線路導体間の間隔と概
略同じとし、上記第一のビアと上記第二のビアの直径
を、０．１ｍｍより小さくしたものである。
【００１０】第五の発明による差動ストリップ線路変換
器は、上記第一のビアと上記第二のビアの間隔を、上記
第一、第二のマイクロストリップ線路導体間の間隔と概
略同じとし、上記第一のビアと上記第二のビアの直径
を、反射損失が所望の特性となるように設定したもので
ある。
器は、上記第一のビアと上記第二のビアの間隔を、上記
第一、第二のマイクロストリップ線路導体間の間隔と概
略同じとし、上記第一のビアと上記第二のビアの直径
を、反射損失が所望の特性となるように設定したもので
ある。
【００１１】 第六の発明による差動ストリップ線路変
換器は、第一の誘電体と、第二の誘電体と、上記第一の
誘電体の一方の面に設けられた第一の地導体と、上記第
一の誘電体の他方の面と上記第二の誘電体の一方の面と
の間に設けられ、上記第一の地導体および上記第二の地
導体と電界結合して差動信号を伝送する、第一のトリプ
レート線路導体および第二のトリプレート線路導体から
成り、両線路間に電界を集中させた第一の差動トリプレ
ート線路と、第三の誘電体と、第四の誘電体と、上記第
二の誘電体の他方の面と上記第三の誘電体の一方の面と
の間に設けられた第二の地導体と、上記第四の誘電体の
一方の面に設けられた第三の地導体と、上記第三の誘電
体の他方の面と上記第四の誘電体の他方の面との間に設
けられ、上記第二の地導体および上記第三の地導体と電
界結合して差動信号を伝送する、第三のトリプレート線
路導体および第四のトリプレート線路導体から成り、両
線路間に電界を集中させた第二の差動トリプレート線路
とを備え、上記第一のトリプレート線路導体の端部と上
記第三のトリプレート線路導体の端部とは第一のビアで
接続され、上記第二のトリプレート線路導体の端部と上
記第四のトリプレート線路導体の端部とは第二のビアで
接続され、上記第二の地導体は、上記第一のビアと上記
第二のビアとに接触しないように形成された刳り貫き部
を有するものである。
換器は、第一の誘電体と、第二の誘電体と、上記第一の
誘電体の一方の面に設けられた第一の地導体と、上記第
一の誘電体の他方の面と上記第二の誘電体の一方の面と
の間に設けられ、上記第一の地導体および上記第二の地
導体と電界結合して差動信号を伝送する、第一のトリプ
レート線路導体および第二のトリプレート線路導体から
成り、両線路間に電界を集中させた第一の差動トリプレ
ート線路と、第三の誘電体と、第四の誘電体と、上記第
二の誘電体の他方の面と上記第三の誘電体の一方の面と
の間に設けられた第二の地導体と、上記第四の誘電体の
一方の面に設けられた第三の地導体と、上記第三の誘電
体の他方の面と上記第四の誘電体の他方の面との間に設
けられ、上記第二の地導体および上記第三の地導体と電
界結合して差動信号を伝送する、第三のトリプレート線
路導体および第四のトリプレート線路導体から成り、両
線路間に電界を集中させた第二の差動トリプレート線路
とを備え、上記第一のトリプレート線路導体の端部と上
記第三のトリプレート線路導体の端部とは第一のビアで
接続され、上記第二のトリプレート線路導体の端部と上
記第四のトリプレート線路導体の端部とは第二のビアで
接続され、上記第二の地導体は、上記第一のビアと上記
第二のビアとに接触しないように形成された刳り貫き部
を有するものである。
【００１２】第七の発明による差動ストリップ線路変換
器は、上記第一のビアと上記第二のビアの間隔を、上記
第一、第二のトリプレート線路導体間の間隔または上記
第三、第四のトリプレート線路導体間の間隔と概略同じ
となるようにしたものである。
器は、上記第一のビアと上記第二のビアの間隔を、上記
第一、第二のトリプレート線路導体間の間隔または上記
第三、第四のトリプレート線路導体間の間隔と概略同じ
となるようにしたものである。
【００１３】第八の発明による光モジュールは、上記第
１の発明から第７の発明のいずれかに記載の差動ストリ
ップ線路垂直変換器を具備し、光半導体素子の搭載され
たモジュール内での信号伝送を行うものである。
１の発明から第７の発明のいずれかに記載の差動ストリ
ップ線路垂直変換器を具備し、光半導体素子の搭載され
たモジュール内での信号伝送を行うものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、この発明
の実施の形態１の差動ストリップ線路垂直変換器を示す
透視斜視図であり、図２は、この発明の実施の形態１を
示す図１のII-II'断面図、図３は、この発明の実施の形
態１を示す上面図及び平面断面図であり、図中（Ａ）
は、上面図、（Ｂ）は図１のＤにおける平面断面図、
（Ｃ）は図１のＥにおける平面断面図、（Ｄ）は、図１
のＦにおける平面断面図であり、図４はこの発明の実施
の形態１を示す変換器の動作を説明する図３（Ｂ）の信
号ビア６の拡大図、図５は、この発明の実施の形態１を
示す有限要素法によるシミュレーション特性図である。
図において１０は差動マイクロストリップ線路、１１は
差動トリプレート線路である。差動マイクロストリップ
線路１０は誘電体１及び地導体７により差動マイクロス
トリップ線路として形成されており、差動トリプレート
線路１１は誘電体２，３を上下に配置し、地導体７、８
を誘電体２，３の上下に配置することにより差動トリプ
レート線路として形成されている。差動マイクロストリ
ップ線路１０と差動トリプレート線路１１は、誘電体１
から誘電体２に貫通する信号ビア６によりそれぞれ接続
されている。
の実施の形態１の差動ストリップ線路垂直変換器を示す
透視斜視図であり、図２は、この発明の実施の形態１を
示す図１のII-II'断面図、図３は、この発明の実施の形
態１を示す上面図及び平面断面図であり、図中（Ａ）
は、上面図、（Ｂ）は図１のＤにおける平面断面図、
（Ｃ）は図１のＥにおける平面断面図、（Ｄ）は、図１
のＦにおける平面断面図であり、図４はこの発明の実施
の形態１を示す変換器の動作を説明する図３（Ｂ）の信
号ビア６の拡大図、図５は、この発明の実施の形態１を
示す有限要素法によるシミュレーション特性図である。
図において１０は差動マイクロストリップ線路、１１は
差動トリプレート線路である。差動マイクロストリップ
線路１０は誘電体１及び地導体７により差動マイクロス
トリップ線路として形成されており、差動トリプレート
線路１１は誘電体２，３を上下に配置し、地導体７、８
を誘電体２，３の上下に配置することにより差動トリプ
レート線路として形成されている。差動マイクロストリ
ップ線路１０と差動トリプレート線路１１は、誘電体１
から誘電体２に貫通する信号ビア６によりそれぞれ接続
されている。
【００１５】次に動作について説明する。差動マイクロ
ストリップ線路１０及び差動トリプレート線路１１はそ
れぞれ図１２においてs及びwを適当に選ぶことにより、
所望の特性インピーダンスを持つ線路を形成することが
可能である。このとき、sをなるべく狭くした方が良い
ことは言うまでも無い。一方、信号ビア６での特性イン
ピーダンスについて考えてみると、信号ビア６は平行２
線路と見なすことができ、このときの特性インピーダン
スＺｏは、数１で表すことができる。
ストリップ線路１０及び差動トリプレート線路１１はそ
れぞれ図１２においてs及びwを適当に選ぶことにより、
所望の特性インピーダンスを持つ線路を形成することが
可能である。このとき、sをなるべく狭くした方が良い
ことは言うまでも無い。一方、信号ビア６での特性イン
ピーダンスについて考えてみると、信号ビア６は平行２
線路と見なすことができ、このときの特性インピーダン
スＺｏは、数１で表すことができる。
【００１６】
【数１】
【００１７】ここでεrは誘電体の実効誘電率、dはビア
間の距離、ｒはビアの直径である。平行２線路での差動
信号の電界分布から、仮想的に平行２線路の中心が０電
位と見なすことができるので信号ビア６の片側のインピ
ーダンスは数１の１／２の値となる。ここで、差動マイ
クロストリップ線路１０、差動トリプレート線路１１の
特性インピーダンスが５０Ωの場合を例に動作を説明す
る。誘電体１，２，３の誘電体厚を０．２ｍｍ、εr＝
８．６とすれば、差動マイクロストリップ線路１０では
ｓ＝０．４ｍｍ、ｗ＝０．１９ｍｍ、差動トリプレート
線路１１ではｓ＝０．４ｍｍ、ｗ＝０．０８ｍｍの諸元
にて特性インピーダンス５０Ωの線路を実現できる。こ
こで、信号ビア６の直径ｒをｒ＝０．２ｍｍとし、間隔
ｄをsと等しくした場合、すなわちｄ＝ｓ＝０．４ｍｍ
としたときの信号ビア６の特性インピーダンスを計算す
るとＺｏ／２＝２８Ωとなる。一方、差動マイクロスト
リップ線路１０、差動トリプレート線路１１の特性イン
ピーダンスとインピーダンス整合を取るにはＺｏ／２＝
５０Ωとなるようにする必要がある。数１より、Ｚｏ／
２＝５０Ωを満足するにはrすなわち信号ビア６の直径
を小さくするか、信号ビア６の間隔ｄを広げれば良いこ
とが分かるが、信号ビア６の製造上の制約によってはｒ
を小さくすることが不可能な場合がある。このような場
合、Ｚｏ／２＝５０Ωを満足するようにｄを求めると、
数１よりｄ＝１．２ｍｍとなる。従って信号ビア6の間
隔ｄを１．２ｍｍとすれば、整合がとれた状態を実現す
ることができる。このとき、dとsが異なるため、差動マ
イクロストリップ線路１０、差動トリプレート線路１１
の線路間隔sを信号ビア６の近傍にて徐々に広げるよう
にすれば良い。このとき、線路間隔sを広げるのに合わ
せて線路幅wを広げることによって、特性インピーダン
スを常に５０Ωに保つことが可能であるため、整合性に
は問題無い。また、線路間を結合させながら間隔を広げ
るため、その差動動作には影響が無い。図５において反
射損失は差動ストリップ線路１０、差動トリプレート線
路１１、信号ビア６それぞれの特性インピーダンスの整
合性を示しており、図の下に行く程、整合が取れている
ことを示している。図５より、ｄ＝１．２ｍｍ、ｒ＝
０．２ｍｍのとき、全ての周波数で反射損失が最も良
く、整合がとれていることを確認した。
間の距離、ｒはビアの直径である。平行２線路での差動
信号の電界分布から、仮想的に平行２線路の中心が０電
位と見なすことができるので信号ビア６の片側のインピ
ーダンスは数１の１／２の値となる。ここで、差動マイ
クロストリップ線路１０、差動トリプレート線路１１の
特性インピーダンスが５０Ωの場合を例に動作を説明す
る。誘電体１，２，３の誘電体厚を０．２ｍｍ、εr＝
８．６とすれば、差動マイクロストリップ線路１０では
ｓ＝０．４ｍｍ、ｗ＝０．１９ｍｍ、差動トリプレート
線路１１ではｓ＝０．４ｍｍ、ｗ＝０．０８ｍｍの諸元
にて特性インピーダンス５０Ωの線路を実現できる。こ
こで、信号ビア６の直径ｒをｒ＝０．２ｍｍとし、間隔
ｄをsと等しくした場合、すなわちｄ＝ｓ＝０．４ｍｍ
としたときの信号ビア６の特性インピーダンスを計算す
るとＺｏ／２＝２８Ωとなる。一方、差動マイクロスト
リップ線路１０、差動トリプレート線路１１の特性イン
ピーダンスとインピーダンス整合を取るにはＺｏ／２＝
５０Ωとなるようにする必要がある。数１より、Ｚｏ／
２＝５０Ωを満足するにはrすなわち信号ビア６の直径
を小さくするか、信号ビア６の間隔ｄを広げれば良いこ
とが分かるが、信号ビア６の製造上の制約によってはｒ
を小さくすることが不可能な場合がある。このような場
合、Ｚｏ／２＝５０Ωを満足するようにｄを求めると、
数１よりｄ＝１．２ｍｍとなる。従って信号ビア6の間
隔ｄを１．２ｍｍとすれば、整合がとれた状態を実現す
ることができる。このとき、dとsが異なるため、差動マ
イクロストリップ線路１０、差動トリプレート線路１１
の線路間隔sを信号ビア６の近傍にて徐々に広げるよう
にすれば良い。このとき、線路間隔sを広げるのに合わ
せて線路幅wを広げることによって、特性インピーダン
スを常に５０Ωに保つことが可能であるため、整合性に
は問題無い。また、線路間を結合させながら間隔を広げ
るため、その差動動作には影響が無い。図５において反
射損失は差動ストリップ線路１０、差動トリプレート線
路１１、信号ビア６それぞれの特性インピーダンスの整
合性を示しており、図の下に行く程、整合が取れている
ことを示している。図５より、ｄ＝１．２ｍｍ、ｒ＝
０．２ｍｍのとき、全ての周波数で反射損失が最も良
く、整合がとれていることを確認した。
【００１８】以上のように、この発明の実施の形態１に
よれば、製造可能な信号ビア６の直径を有しながら、イ
ンピーダンス整合をとって差動信号のままで変換を行う
ことが可能であり、また、地導体７、８間を接続する整
合ビア９も不要なため、小型化を図ることが可能であ
る。したがって、差動マイクロストリップ線路において
信号ビア６の直径が細いものを製造できなくても、垂直
に接続する信号ビア６の間隔を変えることによって、差
動動作のまま特性インピーダンスを最適の値に設定する
ことができるため、整合がとれ、かつ小型化を図った垂
直変換器を得ることができる。
よれば、製造可能な信号ビア６の直径を有しながら、イ
ンピーダンス整合をとって差動信号のままで変換を行う
ことが可能であり、また、地導体７、８間を接続する整
合ビア９も不要なため、小型化を図ることが可能であ
る。したがって、差動マイクロストリップ線路において
信号ビア６の直径が細いものを製造できなくても、垂直
に接続する信号ビア６の間隔を変えることによって、差
動動作のまま特性インピーダンスを最適の値に設定する
ことができるため、整合がとれ、かつ小型化を図った垂
直変換器を得ることができる。
【００１９】この発明の実施の形態１では信号ビア６の
間隔ｄを適当に配置することによってインピーダンスの
整合を取っていたが、信号ビア６の製造上の問題が無け
れば、信号ビア６の直径rを変えることにより特性イン
ピーダンスを適当に選び整合を取っても良い。ただし、
現状ではビアの直径が０．１ｍｍより小さくなると、製
造が極めて難しくなる。
間隔ｄを適当に配置することによってインピーダンスの
整合を取っていたが、信号ビア６の製造上の問題が無け
れば、信号ビア６の直径rを変えることにより特性イン
ピーダンスを適当に選び整合を取っても良い。ただし、
現状ではビアの直径が０．１ｍｍより小さくなると、製
造が極めて難しくなる。
【００２０】実施の形態２．図６は、この発明の実施の
形態２の差動ストリップ線路垂直変換器を示す透視斜視
図であり、図２は、この発明の実施の形態2を示す図６
のII-II'断面図であり、図４はこの発明の実施の形態２
を示す変換器の動作を説明する信号ビア６の拡大図であ
る。誘電体１から誘電体２に貫通する信号ビア６によ
り、差動マイクロストリップ線路１０と差動トリプレー
ト線路１１を接続している。
形態２の差動ストリップ線路垂直変換器を示す透視斜視
図であり、図２は、この発明の実施の形態2を示す図６
のII-II'断面図であり、図４はこの発明の実施の形態２
を示す変換器の動作を説明する信号ビア６の拡大図であ
る。誘電体１から誘電体２に貫通する信号ビア６によ
り、差動マイクロストリップ線路１０と差動トリプレー
ト線路１１を接続している。
【００２１】次に動作について説明する。この発明の実
施の形態１と同様の場合を考える。差動マイクロストリ
ップ線路１０、差動トリプレート線路１１の特性インピ
ーダンスを５０Ωとし、線路間隔と等しい間隔で信号ビ
ア６を設けた場合、信号ビア６の特性インピーダンスは
Ｚｏ／２＝２８Ωとなる。差動ストリップ線路の特性イ
ンピーダンス５０Ωとインピーダンス整合を取るには、
数１より、Ｚｏ／２＝５０Ωを満足するためにｒすなわ
ち信号ビア径を小さくすれば良い。Ｚｏ／２＝５０Ωを
満足するようにｒを求めると、数１よりｄ＝０．４ｍｍ
のとき、ｒ＝０．０７ｍｍとなる。従ってここで求めた
直径を有する信号ビア6を製造することにより（可能で
あれば）、差動マイクロストリップ線路１０、差動トリ
プレート線路１１と等しい間隔で信号ビア６を配置する
ことが可能となり、より小型化を図った上で整合がとれ
た変換を実現することができる。なお、現状では０．０
８ｍｍ程度のビア径を製造できることが知られている。
施の形態１と同様の場合を考える。差動マイクロストリ
ップ線路１０、差動トリプレート線路１１の特性インピ
ーダンスを５０Ωとし、線路間隔と等しい間隔で信号ビ
ア６を設けた場合、信号ビア６の特性インピーダンスは
Ｚｏ／２＝２８Ωとなる。差動ストリップ線路の特性イ
ンピーダンス５０Ωとインピーダンス整合を取るには、
数１より、Ｚｏ／２＝５０Ωを満足するためにｒすなわ
ち信号ビア径を小さくすれば良い。Ｚｏ／２＝５０Ωを
満足するようにｒを求めると、数１よりｄ＝０．４ｍｍ
のとき、ｒ＝０．０７ｍｍとなる。従ってここで求めた
直径を有する信号ビア6を製造することにより（可能で
あれば）、差動マイクロストリップ線路１０、差動トリ
プレート線路１１と等しい間隔で信号ビア６を配置する
ことが可能となり、より小型化を図った上で整合がとれ
た変換を実現することができる。なお、現状では０．０
８ｍｍ程度のビア径を製造できることが知られている。
【００２２】実施の形態３．図７は、この発明の実施の
形態３の差動ストリップ線路垂直変換器を示す透視斜視
図であり、図８は、この発明の実施の形態１を示す図７
のIII−III'の断面図である。１２は誘電体、１３は地
導体、１４は差動トリプレート線路である。差動トリプ
レート線路１４は誘電体１、１２をそれぞれ上下に配置
し、地導体７，１３を誘電体１、１２の上下に配置する
ことによって、また、差動トリプレート線路１１は誘電
体２，３を上下に配置し、地導体７、８を誘電体２，３
の上下に配置することによってそれぞれ差動トリプレー
ト線路を構成している。差動トリプレート線路１４と差
動トリプレート線路１１は誘電体１から誘電体２に貫通
する信号ビア６により、相互に接続されている。
形態３の差動ストリップ線路垂直変換器を示す透視斜視
図であり、図８は、この発明の実施の形態１を示す図７
のIII−III'の断面図である。１２は誘電体、１３は地
導体、１４は差動トリプレート線路である。差動トリプ
レート線路１４は誘電体１、１２をそれぞれ上下に配置
し、地導体７，１３を誘電体１、１２の上下に配置する
ことによって、また、差動トリプレート線路１１は誘電
体２，３を上下に配置し、地導体７、８を誘電体２，３
の上下に配置することによってそれぞれ差動トリプレー
ト線路を構成している。差動トリプレート線路１４と差
動トリプレート線路１１は誘電体１から誘電体２に貫通
する信号ビア６により、相互に接続されている。
【００２３】次に動作について説明する。差動トリプレ
ート線路１１、１４はこの発明の実施の形態１と同様に
所望の特性インピーダンスを持つように設定することが
できる。また、信号ビア６の特性インピーダンスも数１
にて表すことができる。この発明の実施の形態1と同様
の場合を考えた場合、線路間隔と等しい間隔で信号ビア
6を設けると、信号ビア６の特性インピーダンスはＺｏ
／２＝２８Ωとなる。差動ストリップ線路の特性インピ
ーダンスとインピーダンス整合を取るにはＺｏ／２＝５
０Ωとなるようにする必要があるが、数１より、Ｚｏ／
２＝５０Ωを満足するためにｒすなわち信号ビア径を小
さくするか、信号ビア６の間隔dを広げれば良い。信号
ビア６の直径、あるいは間隔はこの発明の実施の形態１
及び２と同様の寸法にすれば整合がとれた変換を実現す
ることができる。
ート線路１１、１４はこの発明の実施の形態１と同様に
所望の特性インピーダンスを持つように設定することが
できる。また、信号ビア６の特性インピーダンスも数１
にて表すことができる。この発明の実施の形態1と同様
の場合を考えた場合、線路間隔と等しい間隔で信号ビア
6を設けると、信号ビア６の特性インピーダンスはＺｏ
／２＝２８Ωとなる。差動ストリップ線路の特性インピ
ーダンスとインピーダンス整合を取るにはＺｏ／２＝５
０Ωとなるようにする必要があるが、数１より、Ｚｏ／
２＝５０Ωを満足するためにｒすなわち信号ビア径を小
さくするか、信号ビア６の間隔dを広げれば良い。信号
ビア６の直径、あるいは間隔はこの発明の実施の形態１
及び２と同様の寸法にすれば整合がとれた変換を実現す
ることができる。
【００２４】以上のように、この発明の実施の形態3に
よれば、差動トリプレート線路間の垂直給電接続も差動
信号のままで変換を行うことが可能である。
よれば、差動トリプレート線路間の垂直給電接続も差動
信号のままで変換を行うことが可能である。
【００２５】以上の実施の形態１から３に示した差動ス
トリップ線路垂直変換器を用いて、内部に搭載されるLD
（レーザダイオード）素子駆動ドライバーとMUX／DEMUX
間の信号伝送を行うように、光モジュールを構成するこ
とにより、数Gbit／ｓ〜数十Gbit／ｓの高周波信号を出
力する光モジュールが、より高い実装密度で構成するこ
とが可能となる。
トリップ線路垂直変換器を用いて、内部に搭載されるLD
（レーザダイオード）素子駆動ドライバーとMUX／DEMUX
間の信号伝送を行うように、光モジュールを構成するこ
とにより、数Gbit／ｓ〜数十Gbit／ｓの高周波信号を出
力する光モジュールが、より高い実装密度で構成するこ
とが可能となる。
【００２６】
【発明の効果】第１、第２、第３、第８の発明によれ
ば、インピーダンス整合をとりつつ、整合ビアを用いず
に小型化を図った垂直変換器を得ることができる。
ば、インピーダンス整合をとりつつ、整合ビアを用いず
に小型化を図った垂直変換器を得ることができる。
【００２７】また、第４、第５の発明によれば、垂直に
接続する信号ビア６の直径を変えることによって、差動
動作のまま特性インピーダンスを最適の値に設定するこ
とができるため、インピーダンス整合がとれ、かつ小型
化を図った垂直変換器を得ることができる。
接続する信号ビア６の直径を変えることによって、差動
動作のまま特性インピーダンスを最適の値に設定するこ
とができるため、インピーダンス整合がとれ、かつ小型
化を図った垂直変換器を得ることができる。
【００２８】また、第６、第７の発明によれば、垂直に
接続する信号ビア６の間隔を、差動トリプレート線路の
間隔と概ね同じにしながらも、インピーダンス整合がと
れ、かつ小型化を図った垂直変換器を得ることができ
る。
接続する信号ビア６の間隔を、差動トリプレート線路の
間隔と概ね同じにしながらも、インピーダンス整合がと
れ、かつ小型化を図った垂直変換器を得ることができ
る。
【図１】 この発明による差動ストリップ線路垂直変換
器の実施の形態１、２を示す透視斜視図である。
器の実施の形態１、２を示す透視斜視図である。
【図２】 この発明による差動ストリップ線路垂直変換
器の実施の形態１、２を示す図１のII-II'断面図であ
る。
器の実施の形態１、２を示す図１のII-II'断面図であ
る。
【図３】 この発明による差動ストリップ線路垂直変換
器の実施の形態１、２を示す上面図および平面断面図で
あり、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は図１のＤにおける平面
断面図、（Ｃ）は図１のＥにおける平面断面図、（Ｄ）
は図１のＦにおける平面断面図である。
器の実施の形態１、２を示す上面図および平面断面図で
あり、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は図１のＤにおける平面
断面図、（Ｃ）は図１のＥにおける平面断面図、（Ｄ）
は図１のＦにおける平面断面図である。
【図４】 この発明による差動ストリップ線路垂直変換
器の実施の形態１、２を示す図３中（Ｂ）の信号ビア６
の拡大図である。
器の実施の形態１、２を示す図３中（Ｂ）の信号ビア６
の拡大図である。
【図５】 この発明による差動ストリップ線路垂直変換
器の実施の形態１を示すシミュレーション特性図であ
る。
器の実施の形態１を示すシミュレーション特性図であ
る。
【図６】 この発明による差動ストリップ線路垂直変換
器の実施の形態２を示す透視斜視図である。
器の実施の形態２を示す透視斜視図である。
【図７】 この発明による差動ストリップ線路垂直変換
器の実施の形態３を示す透視斜視図である。
器の実施の形態３を示す透視斜視図である。
【図８】 この発明による差動ストリップ線路垂直変換
器の実施の形態３を示す図６のIII−III'断面図であ
る。
器の実施の形態３を示す図６のIII−III'断面図であ
る。
【図９】 従来のストリップ線路垂直変換器を示す透視
斜視図である。
斜視図である。
【図１０】 従来のストリップ線路垂直変換器を示す図
８のI-I'断面図である。
８のI-I'断面図である。
【図１１】 従来のストリップ線路垂直変換器を示す上
面図および平面断面図であり、（Ａ）は上面図、（Ｂ）
は図８のＡにおける平面断面図、（Ｃ）は図８のＢにお
ける平面断面図、（Ｄ）は図８のＣにおける平面断面図
である。
面図および平面断面図であり、（Ａ）は上面図、（Ｂ）
は図８のＡにおける平面断面図、（Ｃ）は図８のＢにお
ける平面断面図、（Ｄ）は図８のＣにおける平面断面図
である。
【図１２】 差動マイクロストリップ線路を示す模式図
である。
である。
１、２、３、１２ 誘電体
４ マイクロストリップ線路
５ トリプレート線路
６ 信号ビア
７，８，１３ 地導体
９ 整合ビア
１０ 差動マイクロストリップ線路
１１，１４ 差動トリプレート線路
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01P 5/08
H01S 5/022
Claims (8)
- 【請求項１】 第一の誘電体と、第二の誘電体と、 上記第一の誘電体の一方の面と上記第二の誘電体の一方
の面の間に設けられた第一の地導体と、 上記第一の誘電体の他方の面に設けられ、上記第一の地
導体と電界結合して差動信号を伝送する、第一のマイク
ロストリップ線路導体および第二のマイクロストリップ
線路導体から成り、両線路間に電界を集中させた差動マ
イクロストリップ線路と、 第三の誘電体と、上記第三の誘電体の一方の面に設けら
れた第二の地導体と、 上記第二の誘電体の他方の面と上記第三の誘電体の他方
の面との間に設けられ、上記第一の地導体および上記第
二の地導体と電界結合して差動信号を伝送する、第一の
トリプレート線路導体および第二のトリプレート線路導
体から成り、両線路間に電界を集中させた差動トリプレ
ート線路とを備え、 上記第一のマイクロストリップ線路導体の端部と上記第
一のトリプレート線路導体の端部とは第一のビアで接続
され、上記第二のマイクロストリップ線路導体の端部と
上記第二のトリプレート線路導体の端部とは第二のビア
で接続され、上記第一の地導体は、上記第一のビアと上
記第二のビアとに接触しないように形成された刳り貫き
部を有することを特徴とする差動ストリップ線路垂直変
換器。 - 【請求項２】 上記第一のビアと上記第二のビアの間隔
が、上記第一、第二のマイクロストリップ線路導体間の
間隔より長いことを特徴とする請求項１記載の差動スト
リップ線路垂直変換器。 - 【請求項３】 上記第一のビアと上記第二のビアの間隔
を、反射損失が所望の特性となるように設定したことを
特徴とする請求項２記載の差動ストリップ線路垂直変換
器。 - 【請求項４】 上記第一のビアと上記第二のビアの間隔
を、上記第一、第二のマイクロストリップ線路導体間の
間隔と概略同じとし、上記第一のビアと上記第二のビア
の直径を、０．１ｍｍより小さくしたことを特徴とする
請求項１記載の差動ストリップ線路垂直変換器。 - 【請求項５】 上記第一のビアと上記第二のビアの間隔
を、上記第一、第二のマイクロストリップ線路導体間の
間隔と概略同じとし、上記第一のビアと上記第二のビア
の直径を、反射損失が所望の特性となるように設定した
ことを特徴とする請求項１記載の差動ストリップ線路垂
直変換器。 - 【請求項６】 第一の誘電体と、第二の誘電体と、上記
第一の誘電体の一方の面に設けられた第一の地導体と、 上記第一の誘電体の他方の面と上記第二の誘電体の一方
の面との間に設けられ、上記第一の地導体および上記第
二の地導体と電界結合して差動信号を伝送する、第一の
トリプレート線路導体および第二のトリプレート線路導
体から成り、両線路間に電界を集中させた第一の差動ト
リプレート線路と、第三の誘電体と、第四の誘電体と、
上記第二の誘電体の他方の面と上記第三の誘電体の一方
の面との間に設けられた第二の地導体と、 上記第四の誘電体の一方の面に設けられた第三の地導体
と、 上記第三の誘電体の他方の面と上記第四の誘電体の他方
の面との間に設けられ、 上記第二の地導体および上記第三の地導体と電界結合し
て差動信号を伝送する、第三のトリプレート線路導体お
よび第四のトリプレート線路導体から成り、両線路間に
電界を集中させた第二の差動トリプレート線路とを備
え、 上記第一のトリプレート線路導体の端部と上記第三のト
リプレート線路導体の端部とは第一のビアで接続され、 上記第二のトリプレート線路導体の端部と上記第四のト
リプレート線路導体の端部とは第二のビアで接続され、
上記第二の地導体は、上記第一のビアと上記第二のビア
とに接触しないように形成された刳り貫き部を有するこ
とを特徴とする差動ストリップ線路垂直変換器。 - 【請求項７】 上記第一のビアと上記第二のビアの間隔
を、上記第一、第二のトリプレート線路導体間の間隔ま
たは上記第三、第四のトリプレート線路導体間の間隔と
概略同じとなるようにしたことを特徴とする請求項６記
載の差動ストリップ線路垂直変換器。 - 【請求項８】 上記請求項１から７のいずれかに記載の
差動ストリップ線路垂直変換器を具備し、光半導体素子
の搭載されたモジュール内での信号伝送を行うことを特
徴とする光モジュール。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000332593A JP3487283B2 (ja) | 2000-10-31 | 2000-10-31 | 差動ストリップ線路垂直変換器および光モジュール |
| US09/881,813 US6486755B2 (en) | 2000-10-31 | 2001-06-18 | Vertical transition device for differential stripline paths and optical module |
| EP01305339A EP1202377B1 (en) | 2000-10-31 | 2001-06-20 | Multilayer device with vertical transitions for striplines and optical module |
| CA002351975A CA2351975C (en) | 2000-10-31 | 2001-06-26 | Vertical transition device for differential stripline paths and optical module |
| US10/261,684 US6677839B2 (en) | 2000-10-31 | 2002-10-02 | Vertical transition device for differential stripline paths and optical module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000332593A JP3487283B2 (ja) | 2000-10-31 | 2000-10-31 | 差動ストリップ線路垂直変換器および光モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002141711A JP2002141711A (ja) | 2002-05-17 |
| JP3487283B2 true JP3487283B2 (ja) | 2004-01-13 |
Family
ID=18808781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000332593A Expired - Fee Related JP3487283B2 (ja) | 2000-10-31 | 2000-10-31 | 差動ストリップ線路垂直変換器および光モジュール |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6486755B2 (ja) |
| EP (1) | EP1202377B1 (ja) |
| JP (1) | JP3487283B2 (ja) |
| CA (1) | CA2351975C (ja) |
Families Citing this family (39)
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|---|---|---|---|---|
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| US6803252B2 (en) * | 2001-11-21 | 2004-10-12 | Sierra Monolithics, Inc. | Single and multiple layer packaging of high-speed/high-density ICs |
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| TW201032381A (en) * | 2009-02-23 | 2010-09-01 | Asustek Comp Inc | Filter |
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