JP3483130B2 - 集積回路の検査方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、自己診断回路を有
する複数の集積回路の動作状態を確認するための集積回
路の検査方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、大規模化・複雑化された半導体集
積回路（以下、集積回路と記す）を効果的に試験する方
法として、バーンイン試験が行われている。バーンイン
試験は、集積回路が高温環境下で正常に動作するか否か
を確認するものであり、通常、恒温槽の中で行われる。
バーンイン試験では、通常の試験に用いられる外部の試
験装置を使うことができないため、集積回路自体に自己
診断回路を搭載し、この自己診断回路により、回路動作
が検査される。集積回路に自己診断回路を内蔵した構成
では、集積回路自身の動作が正しく行われた場合、特定
の端子に正常に動作したことを示す信号を出力する構成
となっている。 【０００３】以下、集積回路を検査するための方法につ
いて説明する。集積回路の自己診断は、内蔵された自己
診断回路を動作させるために必要な信号（電源印加、Ｇ
ＮＤ固定、クロック入力）を与え、得られた自己診断結
果をモニタすることにより集積回路の動作状態を確認す
ることができる。 【０００４】図７は、シリコンウェハ上で複数の集積回
路を検査する場合を示している。図７に示されるよう
に、シリコンウェハ１上には自己診断回路を有する複数
の集積回路がマトリクス状に配列されており、接続プロ
ーブ配線シート３０には、シリコンウェハ１上に配列さ
れた各集積回路にそれぞれ接続するためのプローブが集
積回路の配列パターンに従って配列されている。さら
に、接続プローブ配線シート３０には、行方向に半導体
集積回路用入力制御信号線（以下、制御信号線と記
す）、及び列方向に自己診断結果出力信号線（以下、出
力信号線と記す）が配索されている。制御信号線及び出
力信号線はそれぞれプローブを介して各集積回路に接続
されるが、図示例のように、制御信号線は行方向に配列
された複数の集積回路に対して共通接続され、出力信号
線は各集積回路に個別に接続される。 【０００５】上記構成において、シリコンウェハ１上に
配列された各集積回路を検査する場合、接続プローブ配
線シート３０とシリコンウェハ１とを重ね合わせ、接続
プローブ３０上に形成された各接続プローブをそれぞれ
シリコンウェハ１上に形成された対応する集積回路に接
続する。そして、制御信号線を介して各集積回路に電源
及びクロック信号等の必要な信号をそれぞれ供給し、集
積回路に搭載された自己診断回路を作動させて、自己の
集積回路を検査する。各集積回路に対する自己診断結果
はそれぞれ出力信号線を介して導出され、この自己診断
結果を外部のモニタ装置でモニタすることにより集積回
路を検査することができる。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】上記した従来の試験方
法には次のような問題点がある。上記構成では、シリコ
ンウェハ１上に形成された各集積回路からそれぞれ個別
に出力信号線が導出されており、この出力信号線を介し
て得られる自己診断結果を個々にモニタすることによ
り、集積回路が検査される。 【０００７】高温環境下で実施されるバーンイン試験に
あっては、複数の集積回路を個別に検査する場合、全て
の集積回路を検査し終えるのに相当の時間を要し、検査
効率が低下する。従って、集積回路の検査時間は短いこ
とが好ましい。検査時間を短縮するために、複数の集積
回路を一度に検査しようとすると、図７に示した構成で
は、各集積回路から得られる自己診断結果をそれぞれモ
ニタするために、集積回路の個数だけ出力信号線及びモ
ニタ装置が必要となる。 【０００８】図７に示した構成では、シリコンウェハ１
上に形成される集積回路の数に応じて、接続プローブ配
線シート３０に配索される出力信号線の本数も増加する
が、接続プローブ配線シート３０に配索可能な出力信号
線の本数は物理的にも限度がある。また、集積回路の数
だけモニタ装置を用意することは非現実的である。さら
に、出力信号線及びモニタ装置が増加すると、検査シス
テム全体が複雑かつ高価になり、これは集積回路の製造
コストに反映されるため、検査システムを含めた集積回
路の生産性が低下する事態を招く。 【０００９】本発明は、上記従来の問題点を解決するた
めに成されたもので、複数の集積回路からの各自己診断
結果を効率良くモニタすることができ、また集積回路に
接続される出力信号線の数を必要最小限に抑えることが
できる集積回路の検査方法を提供することを目的とす
る。 【００１０】 【課題を解決するための手段】上記した従来技術の課題
の解決を図るために本発明の集積回路の検査方法は、自
己診断回路を有し、前記自己診断回路による自己診断結
果を出力する出力端と、前記自己診断結果の出力を制御
する複数の制御信号が入力される複数の入力端と、前記
複数の制御信号の組み合わせにより前記自己診断結果の
出力禁止若しくは出力許可を制御するトライステートバ
ッファとを備えた集積回路が複数個マトリクス状に配列
され、前記複数の集積回路の各入力端が、前記制御信号
を入力するための複数の信号線を介して行毎に共通結線
されるとともに、前記複数の集積回路の各出力端が、前
記自己診断結果を出力するための出力信号線を介して複
数行列毎に共通結線され、共通結線された複数行列毎に
それぞれモニタに接続されており、前記制御信号の組み
合わせにより、共通結線された複数行列内の複数の集積
回路のうち何れか１つを選択し、選択された集積回路の
自己診断結果の出力を許可するとともに、他の集積回路
の自己診断結果の出力を禁止し、選択された各集積回路
の自己診断結果をそれぞれ前記モニタに供給するもので
ある。 【００１１】 【００１２】 【００１３】 【００１４】 【００１５】 【００１６】 【００１７】 【００１８】本発明によれば、複数行列毎に１つのグル
ープが構成される。そして、制御信号の組み合わせによ
りグループ内で何れか１つの集積回路を選択し、各グル
ープ内でそれぞれ１つの集積回路のみをアクティブにす
ることができる。各グループ内で選択された集積回路の
自己診断結果はそれぞれ対応するモニタにより確認され
る。制御信号の組み合わせによる選択操作を、順次、複
数列毎実行することにより、全ての集積回路の自己診断
結果を確認することができる。これにより、複数の集積
回路の自己診断結果を１つのモニタで確認することがで
き、また、グループ毎にモニタに接続されるため、出力
信号線の数を必要最小限に抑えることができる。 【００１９】 【００２０】 【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
を図面を参照して説明する。図１に示されるように、シ
リコンウェハ１上には複数の集積回路がマトリクス配列
で形成されており、各集積回路には図示しない配線シー
ト上にそれぞれ行方向に配索された複数のセレクト線
（制御信号線）を介してセレクト信号が供給され、また
列方向に配索された複数の判定信号線（出力信号線）を
介して判定結果信号が導出される。セレクト線は、所望
の集積回路を選択して自己診断結果を導出するためのセ
レクト信号を供給するものであり、判定信号線は各集積
回路から得られた自己診断結果を示す判定結果信号をモ
ニタに供給するためのものである。 【００２１】シリコンウェハ１上の集積回路について、
部分拡大された領域９に配列されている、３個×３個の
９個の集積回路ａ〜ｉに注目すると、行方向において、
集積回路ａ、ｄ、ｇにはセレクト信号線を介してセレク
ト信号１が供給され、集積回路ｂ、ｅ、ｈにはセレクト
信号２が供給され、集積回路ｃ、ｆ、ｉにはセレクト信
号３が供給される。また、列方向において、集積回路
ａ、ｂ、ｃから判定信号線６を介して判定結果信号Ａが
導出され、集積回路ｄ、ｅ、ｆから判定信号線７を介し
て判定結果信号Ｂが導出され、集積回路ｈ、ｉ、ｊから
判定信号線８を介して判定結果信号Ｃが導出される。各
セレクト信号線は、それぞれ集積回路を構成するセレク
ト信号入力端（入力端）１０に接続され、判定信号線は
それぞれ判定結果出力端（出力端）９に接続される。 【００２２】図２に示されるように、入力端１０に供給
されたセレクト信号は、インバータ１１を介して内部回
路及び自己診断回路１２から得られる判定結果信号のト
ライステート出力を制御するトライステートバッファ１
３の制御端に反転供給される。判定結果信号はトライス
テートバッファ１３の入力端に供給されており、制御端
に供給されたセレクト信号により出力禁止又は出力許可
が制御されて出力端９に導出される。 【００２３】シリコンウェハー１上で全ての集積回路に
対し、自己診断を行う場合、クロック入力や端子固定な
どは全ての集積回路に対し、共通にすることができる。
従って、１つの集積回路を自己診断するために必要な本
数分の入力信号を制御することで、全ての集積回路を自
己診断することができる。 【００２４】以下、集積回路の自己診断判定結果をモニ
タする方法について説明する。図１に示したシリコンウ
ェハ１上の部分拡大された領域２内の集積回路ａ〜ｉに
対し、（ａ、ｂ、ｃ）の組、（ｄ，ｅ，ｆ，）の組、
（ｇ，ｈ，ｉ）の組のように、列単位でグループ分けす
る。グループ分けされた各組を構成する複数の集積回路
はそれぞれ出力端９に接続される判定信号線により互い
に結線される。これにより、各組を構成する複数の集積
回路から得られるそれぞれの判定結果信号は結線された
判定信号線を介して導出される。すなわち、図示例のよ
うに、（ａ、ｂ、ｃ）の組、（ｄ，ｅ，ｆ，）の組、
（ｇ，ｈ，ｉ）の組からそれぞれ判定結果信号Ａ、Ｂ、
Ｃが導出される。さらに、集積回路ａ〜ｉに対し、
（ａ、ｄ、ｇ）の組、（ｂ、ｅ、ｈ）の組、（ｃ、ｆ、
ｉ）の組のように、行単位でグループ分けする。グルー
プ分けされた各組を構成する複数の集積回路はそれぞれ
入力端１０に接続されるセレクト線により互いに結線さ
れる。 【００２５】図２に示した集積回路において、入力端１
０に供給されるセレクト信号が”Ｈ（ハイ）”レベルに
設定されると（アクティブ入力）、トライステートバッ
ファ１３がアクティブ状態となり、内部回路及び自己診
断回路１２から出力された判定結果信号が出力端９から
導出される。入力端１０に供給されるセレクト信号が”
Ｌ（ロー）”レベルに設定されると（ノンアクティブ入
力）、トライステートバッファ１３がノンアクティブ状
態となり、出力端９がハイインピーダンス状態となる。 【００２６】図１に示した構成において、セレクト信号
線３を介して供給されるセレクト信号１を”Ｈ”レベル
に設定し、セレクト信号線４、５を介して供給されるセ
レクト信号２、３を”Ｌ”レベルに設定すると、集積回
路ａ〜ｉのうち、集積回路ａ、ｄ、ｇを構成するトライ
ステートバッファ１０がアクティブ状態となり、集積回
路ａ、ｄ、ｇの判定結果信号が出力端９から導出され
る。一方、集積回路ｂ、ｅ、ｈ、ｃ、ｆ、ｉを構成する
トライステートバッファ１０はノンアクティブ状態とな
り、出力端９がハイインピーダンス状態となる。これに
より、判定信号線６、７、８を介して集積回路ａ、ｄ、
ｇの判定結果信号が判定結果信号Ａ、Ｂ、Ｃとしてそれ
ぞれ導出される。これら判定結果信号Ａ、Ｂ、Ｃをそれ
ぞれ外部モニタに供給することにより、集積回路ａ、
ｄ、ｇの自己診断結果をモニタすることができる。 【００２７】次に、セレクト信号２を”Ｈ”レベルに設
定し、セレクト信号１、３を”Ｌ”レベルに設定する
と、集積回路ａ〜ｉのうち、集積回路ｂ、ｅ、ｈを構成
するトライステートバッファ１０がアクティブ状態とな
り、集積回路ｂ、ｅ、ｈの判定結果信号が出力端９から
導出される。一方、集積回路ａ、ｄ、ｇ、ｃ、ｆ、ｉを
構成するトライステートバッファ１０はノンアクティブ
状態となり、出力端９がハイインピーダンス状態とな
る。これにより、判定信号線６、７、８を介して集積回
路ｂ、ｅ、ｈの自己診断結果が判定結果信号Ａ、Ｂ、Ｃ
としてそれぞれ導出される。これら判定結果信号Ａ、
Ｂ、Ｃをそれぞれ外部モニタに供給することにより、集
積回路ｂ、ｅ、ｈの自己診断結果をモニタすることがで
きる。 【００２８】上述のように、集積回路ａ〜ｉに対して、
列単位でグループ分けされた複数の集積回路の組（ａ、
ｂ、ｃ）、（ｄ、ｅ、ｆ）、（ｇ、ｈ、ｉ）から任意の
１行を選択し、各組から選択された１行の集積回路の判
定結果信号をそれぞれ導出することにより、選択された
１行の集積回路を自己診断することができる。 【００２９】以上図１に示したシリコンウェハ１上の３
個×３個の９個の集積回路ａ〜ｉについて説明したが、
シリコンウェハ１上のＭ個×Ｎ個の集積回路に対して、
上述のように列単位でグループ分けし、Ｍ個×Ｎ個の集
積回路から任意の１行を選択して自己診断することがで
きる。 【００３０】すなわち、シリコンウェハ１に形成された
集積回路に対して、互いに結線された複数の集積回路か
らなるグループを列方向にＮ個構成する。Ｎ個のグルー
プはそれぞれＮ個のモニタに接続される。各グループは
それぞれ最大Ｍ個の集積回路で構成されており、行方向
に配索されるＭ本のセレクト信号線を各グループを構成
する複数の集積回路にそれぞれ重複しないように接続す
る。この構成において、Ｍ本のセレクト信号のうち何れ
か１本を順次アクティブに設定することにより、Ｍ個×
Ｎ個の集積回路が行方向に順次Ｎ個毎に選択される。選
択されたＮ個の集積回路の自己診断結果は、それぞれＮ
個のモニタで同時に確認される。 【００３１】以下、図３及び図４を参照して第２の実施
の形態について説明する。なお、先の図１及び図２に示
した部分と同一部分には同一符号を付して詳細な説明を
省略する。図３に示されるように、シリコンウェハ１上
の各集積回路にはそれぞれ２本のセレクト信号が供給さ
れる。すなわち、部分拡大された領域９に注目すると、
集積回路（ａ、ｄ、ｅ）には、セレクト信号１−ａ、１
ーｂがセレクト線１６、１７を介して供給され、集積回
路（ｂ、ｅ、ｈ）にはセレクト信号２−ａ、２ーｂがセ
レクト線１８、１９を介して供給され、集積回路（ｃ、
ｆ、ｉ）にはセレクト信号３−ａ、３−ｂがセレクト線
２０、２１を介して供給される。また、判定信号線２２
は、集積回路を３列毎に１つにグループ分けされたもの
で、モニタに接続される。 【００３２】図４は集積回路を示しており、内部回路及
び自己診断回路１２、自己診断結果を出力端９に導出す
るトライステートバッファ１３、トライステートバッフ
ァ１３の制御端に、入力端２３、２４、２５に供給され
た信号のナンド出力を反転供給する３入力型のナンド回
路２９を備えている。入力端２３、２４、２５に供給さ
れた信号はそれぞれバッファ２６、２７、２８を介して
ナンド回路２９に供給され、さらに入力端２５に供給さ
れた信号は反転されてナンド回路２９に供給される。 【００３３】シリコンウェハ１上で全ての集積回路に対
して自己診断を行う場合、クロック入力や端子固定など
は全ての集積回路に対して共通にすることができる。従
って、１つの集積回路を自己診断するために必要な本数
分の入力信号を制御することで、全ての集積回路を自己
診断することができる。 【００３４】以下、集積回路の自己診断判定結果をモニ
タする方法について説明する。図３に示されるように、
シリコンウェハ１上の部分拡大された領域２内の集積回
路ａ〜ｉは、それぞれ出力端９に接続される判定信号線
２２を介して互いに結線される。これにより、各集積回
路から得られるそれぞれの自己診断判定結果は判定信号
線２２を介して導出される。さらに、集積回路ａ〜ｉに
対し、図１と同様に行単位でグループ分けする。グルー
プ分けされた各組を構成する複数の集積回路はそれぞれ
２本のセレクト線により相互に結線される。すなわち、
（ａ、ｄ、ｇ）の組がセレクト線１６、１７により接続
され、（ｂ、ｅ、ｈ）の組がセレクト線１８、１９によ
り接続され、（ｃ、ｆ、ｉ）の組がセレクト線２０、２
１により接続される。 【００３５】図４に示した集積回路において、入力端２
３、２４に供給されるセレクト信号が”Ｈ（１）”レベ
ルに設定され、入力端２５に供給されるセレクト信号
が”Ｌ（０）”レベルに設定されると（アクティブ入
力）、出力トライステートバッファ１３がアクティブ状
態となり、内部回路及び自己診断回路１２から主力され
た自己診断判定結果が出力端９から導出される。 【００３６】図３において、共通のセレクト信号線によ
り接続されている集積回路の組（ａ、ｄ、ｇ）、（ｂ、
ｅ、ｈ）、（ｃ、ｆ、ｉ）に対して、２種のセレクト信
号により、何れか１つがセレクトされている状態（３状
態）及び全てセレクトされていない状態を設定するため
に、各集積回路に対する入力状態を以下のように設定す
る。 【００３７】すなわち、集積回路ａにあっては、入力端
２３がセレクト信号１−ａに接続され、入力端２４が”
Ｈ”（ＶＤＤ）レベルに固定され、入力端２５がセレク
ト信号１−ｂに接続される。集積回路にあっては、入力
端２３がセレクト信号１−ｂに接続され、入力端２４
が”Ｈ”（ＶＤＤ）レベルに固定され、入力端２５がセ
レクト信号１−ａに接続される。集積回路ｇにあって
は、入力端２３がセレクト信号１−ａに接続され、入力
端２４がセレクト信号１−ｂに接続され、入力端２５
が”Ｌ”（ＧＮＤ）レベルに固定される。 【００３８】上記構成により、集積回路（ａ、ｄ、ｇ）
に対するセレクト信号（１−ａ、１−ｂ）の入力状態を
変えることにより、各集積回路ａ、ｄ、ｇをそれぞれア
クティブ状態若しくはノンアクティブ状態に選択制御さ
れる。すなわち、セレクト信号（１−ａ、１−ｂ）の入
力状態を、（０、０）に設定することにより、集積回路
ａ、ｄ、ｇが全てノンアクティブ状態に設定され、
（０、１）に設定することにより、集積回路ａがアクテ
ィブ状態、集積回路ｄ、ｇがノンアクティブ状態に設定
され、（１、０）に設定することにより、集積回路ｄが
アクティブ状態、集積回路ａ、ｇがノンアクティブ状態
に設定され、（１、１）に設定することにより、集積回
路ｇがアクティブ状態、集積回路ａ、ｄがノンアクティ
ブ状態に設定される。 【００３９】以下、同様に、集積回路（ｂ、ｅ、ｈ）、
（ｃ、ｆ、ｉ）をそれぞれ対応するセレクト線（２−
ａ、２−ｂ）、（３−ａ、３−ｂ）に接続し、セレクト
線（２−ａ、２−ｂ）、（３−ａ、３−ｂ）の入力状態
を変えることにより、各集積回路ｂ、ｅ、ｆ及びｃ、
ｆ、ｉをそれぞれアクティブ状態若しくはノンアクティ
ブ状態に選択制御される。 【００４０】上記構成において、セレクト信号（１−
ａ、１−ｂ）、（２−ａ、２−ｂ）、（３−ａ、３−
ｂ）の何れか１組を（０、１）、（１、０）、（１、
１）の何れかに設定し、他の組を全て（０、０）に設定
することにより、集積回路ａ〜ｉのうち何れか１つの集
積回路のみがアクティブ状態に設定され、この集積回路
の自己診断判定結果が出力端から導出される。一方、他
の集積回路はノンアクティブ状態に設定され、出力端が
ハイインピーダンス状態となる。これにより、集積回路
ａ〜ｉをそれぞれ結線する判定信号線２２からは集積回
路ａ〜ｉのうち何れか１つの自己診断判定結果のみが導
出される。 【００４１】上述のように、集積回路の何れか１つのみ
をアクティブ状態に選択設定する操作を、集積回路ａ〜
ｉに対して順次実行することにより、集積回路ａ〜ｉの
自己診断判定結果が順次導出される。従って、集積回路
ａ〜ｉをそれぞれ短絡接続する１つのモニタにより、集
積回路ａ〜ｉの全ての自己診断判定結果をモニタするこ
とができる。 【００４２】以上、集積回路ａ〜ｉにおいて説明したよ
うに、行上で２種のセレクト信号により３つの集積回路
をアクティブ状態若しくはノンアクティブ状態に選択制
御し、１つのモニタにより自己診断判定結果をモニタす
ることができる。同様に、図３に示したシリコンウェハ
１に形成された全て集積回路に対して、Ｎ個のモニタに
接続される集積回路のグループをＮ個構成し、各グルー
プに含まれる集積回路の数を最大Ｍ個とした場合、各グ
ループ内の集積回路は、Ｍ×２／３本のセレクト線によ
り任意に選択制御される。図３は、各グループ内の集積
回路は３つづづ共通の２本のセレクト線により制御され
る例を示している。すなわち、各グループ内において、
共通の２本のセレクト線の入力状態を（０、１）、
（１、０）、（１、１）の何れか１つに順次設定し、他
のセレクト線の入力状態を（０、０）に設定することに
より、グループ内の全ての集積回路に対して自己診断判
定結果をモニタすることができる。 【００４３】なお、以上の説明では、行上で、２種のセ
レクト信号により３つの集積回路を制御する場合につい
て説明したが、同様に、Ｐ本のセレクト線により（２^P
―１）の集積回路を制御することもできる。 【００４４】以下、図５及び図６を参照して第３の実施
の形態について説明する。第１及び第２の実施の形態で
は、シリコンウェハ上に形成された集積回路を検査する
場合について説明したが、第３の実施の形態は、シリコ
ンウェハ上で実行した集積回路に対する検査を、パッケ
ージングされた状態でスロットに装着された集積回路に
対して実行するものである。図５は第１の実施の形態に
対応し、図６は第２の実施の形態に対応している。 【００４５】図５及び図６に示されるように、ソケット
基板３３には集積回路が装着される複数のソケット３４
が配列されており、各スロットにはそれぞれ入力信号線
及び出力信号線が図示しない端子を介して電気的に接続
されている。図５に示した構成において、入力信号線及
び出力信号線は第１の実施の形態と同一機能を得るよう
に各スロットに接続される。また、図６に示した構成に
おいて、入力信号線及び出力信号線は第２の実施の形態
と同一機能を得るように各スロットに接続される。 【００４６】パッケージングされた集積回路を検査する
場合、図７の接続プローブの搭載された接続プローブ配
線シート３０をソケット基板３３で実現することで、第
１及び第２の実施の形態と同様の検査を実施することが
できる。 【００４７】なお、第１乃至第３の実施の形態では、セ
レクト信号が”Ｈ”レベルのときに集積回路がアクティ
ブ（ハイアクティブ）となる場合について説明したが、
セレクト信号が”Ｌ”レベルのときにアクティブ（ロー
アクティブ）となるように変更することもできる。ま
た、集積回路から得られる自己診断判定結果をモニタす
るとは、波形に基づいて判定結果をモニタする場合の
他、点滅等に基づいて判定結果をモニタする場合を含む
ものとすする。 【００４８】以下、第４の実施の形態について説明す
る。第４の実施の形態は、シリコンウェハ上に形成され
た集積回路若しくはパッケージングされた状態でスロッ
トに装着された集積回路に対してバーンイン試験を実行
した場合に、判定結果信号が、バーンインストレスが正
常に印加されていることを示す信号を含むようにしたも
のである。 【００４９】バーンイン試験は、初期不良の集積回路が
市場流出することを防止することを目的とし、高温状態
に保持したまま、入力端から信号を入力して集積回路を
動作させることでストレスを印加し、初期不良が発生す
る可能性が高い集積回路をストレス印加により、故障さ
せるものである。そのため、バーイン試験では適切なス
トレスが印加されているかが重要であり、ストレスが適
切に印加されていることを確認する必要がある。よっ
て、第１乃至第３の実施の形態に示した構成において、
自己診断判定結果に、集積回路に印加されたストレスの
状態を含ませることで、集積回路に印加されたストレス
の状態を効率良く確認することができ、バーンイン試験
での生産性が向上する。 【００５０】 【発明の効果】本発明によれば、複数の集積回路が複数
行列毎にグループ分けされる。そして、制御信号の組み
合わせによりグループ内で何れか１つの集積回路を選択
し、各グループ内でそれぞれ１つの集積回路のみをアク
ティブにすることができる。各グループ内で選択された
集積回路の自己診断結果はそれぞれ対応するモニタによ
り確認される。制御信号の組み合わせによる選択操作
を、順次、複数列毎実行することにより、全ての集積回
路の自己診断結果を確認することができる。これによ
り、複数の集積回路の自己診断結果を１つのモニタを確
認することができ、また、複数の集積回路毎に１つのモ
ニタに接続されるため、出力信号線の数を必要最小限に
抑えることができる。よって、検査装置を簡易に構成す
ることができ、検査装置の低価格下が可能となる。 【００５１】 【００５２】 【００５３】

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の第１の実施の形態を示す構成図であ
る。 【図２】図１に示した半導体集積回路を示す構成図であ
る。 【図３】本発明の第２の実施の形態を示す構成図であ
る。 【図４】図３に示した半導体集積回路を示す構成図であ
る。 【図５】本発明の第３の実施の形態を示す構成図であ
り、第１の実施の形態に対応するものである。示したの
装置と同機能を有する半導体集積回路のパッケージ品を
用 【図６】本発明の第３の実施の形態を示す構成図であ
り、第２の実施の形態に対応するものである。 【図７】シリコンウェハ上に形成された半導体集積回路
を自己診断するための構成を示す図である。 【符号の説明】 １ シリコンウェハ ２ 半導体集積回路 ３、４、５、１６〜２１ セレクト信号線 ６、７、８、２２ 判定信号線 ９ 判定結果信号出力端 １０、２３、２４、２５ セレクト信号入力端 １１ インバータ １２ 内部回路及び自己診断回路 １３ トライステートバッファ ２６、２７、２８ バッファ ２９ ナンド回路 ３０ 接続プローブ配線シート ３３ ソケット基板 ３４ ソケット

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−264669（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−55411（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−121570（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−77298（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−145223（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−118881（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01R 31/28 H01L 21/66 H01L 27/04

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 自己診断回路を有し、前記自己診断回路
   による自己診断結果を出力する出力端と、前記自己診断
   結果の出力を制御する複数の制御信号が入力される複数
   の入力端と、前記複数の制御信号の組み合わせにより前
   記自己診断結果の出力禁止若しくは出力許可を制御する
   トライステートバッファとを備えた集積回路が複数個マ
   トリクス状に配列され、前記複数の集積回路の各入力端
   が、前記制御信号を入力するための複数の信号線を介し
   て行毎に共通結線されるとともに、前記複数の集積回路
   の各出力端が、前記自己診断結果を出力するための出力
   信号線を介して複数行列毎に共通結線され、共通結線さ
   れた複数行列毎にそれぞれモニタに接続されており、前
   記制御信号の組み合わせにより、共通結線された複数行
   列内の複数の集積回路のうち何れか１つを選択し、選択
   された集積回路の自己診断結果の出力を許可するととも
   に、他の集積回路の自己診断結果の出力を禁止し、選択
   された各集積回路の自己診断結果をそれぞれ前記モニタ
   に供給することを特徴とする集積回路の検査方法。