JP3461368B2 - 可撓性薄膜基板を有する電子デバイスの製造方法 - Google Patents
可撓性薄膜基板を有する電子デバイスの製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、可撓性の基板の上に複
数の素子を設けて構成される電子デバイスに関する。
数の素子を設けて構成される電子デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子デバイス、特に半導体集積回
路やその技術を応用した固体撮像デバイス、センサーな
どの小型化は、微細加工技術により素子自体を小型化す
ることにより進められてきた。実際、固体撮像デバイス
を用いた電子内視鏡は、この手法によって相当の小型化
が達成されている。
路やその技術を応用した固体撮像デバイス、センサーな
どの小型化は、微細加工技術により素子自体を小型化す
ることにより進められてきた。実際、固体撮像デバイス
を用いた電子内視鏡は、この手法によって相当の小型化
が達成されている。
【０００３】半導体センサーや固体撮像デバイスなどの
電子デバイスを平らでない面や変形する構造体に取り付
ける場合、変形によってデバイスの特性が損なわれるの
を防止するため、デバイスを変形の影響を受けない大き
さの複数のチップ（素子）に分け、これらのチップ（素
子）をワイヤーボンディングによってフレキシブル基板
に実装した構成としている。
電子デバイスを平らでない面や変形する構造体に取り付
ける場合、変形によってデバイスの特性が損なわれるの
を防止するため、デバイスを変形の影響を受けない大き
さの複数のチップ（素子）に分け、これらのチップ（素
子）をワイヤーボンディングによってフレキシブル基板
に実装した構成としている。
【０００４】第一の従来例として、先端部の外周に力覚
センサーを配置した内視鏡について図２１と図２２を用
いて説明する。このように先端部に力覚センサーを設け
た内視鏡を用いた場合、挿入時に先端部にかかる応力を
モニターすることにより、挿入時に被験者が感じる痛み
を少なくすることができる。この内視鏡は、図２１に示
すように、その先端部６００の外周に複数の力覚センサ
ー６０２を設けたフレキシブル基板６０４が巻き付けら
れている。力覚センサー６０２は、図２２に示すよう
に、Ｔ字状のフレキシブル基板６０４の上に一列に並ん
で配置されており、ワイヤーボンディング技術により形
成したワイヤー６０６によってフレキシブル基板６０４
に設けてある配線（図示せず）に接続されている。この
配線は外部電極形成領域６０８を介してフラットケーブ
ル６１０に接続されている。フラットケーブル６１０は
内視鏡の内部を通って、内視鏡の外部に設けた制御装置
に接続されている。前述の力覚センサー６０２として
は、特開平５−３４２２５に開示されているような、半
導体技術を用いた小型のものが使用される。また、この
ような半導体技術を用いたセンサーでは、チップ内に電
子回路を混載することができ、例えば「計測と制御」第
３１巻第１号ｐ２００に述べられている共通二線式セン
シングシステムなどの省線化手法を適用することにより
フレキシブル基板やフラットケーブルにおける配線数を
減らすことができる。
センサーを配置した内視鏡について図２１と図２２を用
いて説明する。このように先端部に力覚センサーを設け
た内視鏡を用いた場合、挿入時に先端部にかかる応力を
モニターすることにより、挿入時に被験者が感じる痛み
を少なくすることができる。この内視鏡は、図２１に示
すように、その先端部６００の外周に複数の力覚センサ
ー６０２を設けたフレキシブル基板６０４が巻き付けら
れている。力覚センサー６０２は、図２２に示すよう
に、Ｔ字状のフレキシブル基板６０４の上に一列に並ん
で配置されており、ワイヤーボンディング技術により形
成したワイヤー６０６によってフレキシブル基板６０４
に設けてある配線（図示せず）に接続されている。この
配線は外部電極形成領域６０８を介してフラットケーブ
ル６１０に接続されている。フラットケーブル６１０は
内視鏡の内部を通って、内視鏡の外部に設けた制御装置
に接続されている。前述の力覚センサー６０２として
は、特開平５−３４２２５に開示されているような、半
導体技術を用いた小型のものが使用される。また、この
ような半導体技術を用いたセンサーでは、チップ内に電
子回路を混載することができ、例えば「計測と制御」第
３１巻第１号ｐ２００に述べられている共通二線式セン
シングシステムなどの省線化手法を適用することにより
フレキシブル基板やフラットケーブルにおける配線数を
減らすことができる。
【０００５】第二の従来例として、固体撮像デバイスを
用いた電子内視鏡を図２３に示す。内視鏡７００は、そ
の前面７０２から光を射出するライトガイド７０４と、
前面７０２に取り付けられた撮像レンズ７０６を有して
いる。撮像レンズ７０６の後方には固体撮像デバイス７
０８が配置されている。固体撮像デバイス７０８は同一
チップ上に形成された固体撮像素子７１０と周辺回路７
１２を有している。固体撮像デバイスにおいては、光を
電気信号に変換する固体撮像素子とその電気信号を処理
するための周辺回路は近づけて配置した方が信号劣化や
ノイズの影響が少なくより鮮明な画像が得られることが
一般に知られている。このような理由から固体撮像デバ
イス７０８では、固体撮像素子７１０と周辺回路７１２
が同一のチップ上に設けられている。固体撮像デバイス
７０８は基板７１４に取り付けられており、ワイヤーボ
ンディングのワイヤー７１６によって基板配線に接続さ
れている。基板配線はリード線７１８を介して外部の駆
動制御装置（図示せず）に接続されている。
用いた電子内視鏡を図２３に示す。内視鏡７００は、そ
の前面７０２から光を射出するライトガイド７０４と、
前面７０２に取り付けられた撮像レンズ７０６を有して
いる。撮像レンズ７０６の後方には固体撮像デバイス７
０８が配置されている。固体撮像デバイス７０８は同一
チップ上に形成された固体撮像素子７１０と周辺回路７
１２を有している。固体撮像デバイスにおいては、光を
電気信号に変換する固体撮像素子とその電気信号を処理
するための周辺回路は近づけて配置した方が信号劣化や
ノイズの影響が少なくより鮮明な画像が得られることが
一般に知られている。このような理由から固体撮像デバ
イス７０８では、固体撮像素子７１０と周辺回路７１２
が同一のチップ上に設けられている。固体撮像デバイス
７０８は基板７１４に取り付けられており、ワイヤーボ
ンディングのワイヤー７１６によって基板配線に接続さ
れている。基板配線はリード線７１８を介して外部の駆
動制御装置（図示せず）に接続されている。
【０００６】図２３の内視鏡では、固体撮像デバイス７
０８を構成している固体撮像素子７１０と周辺回路７１
２が同一チップ上に設けられているぶん、小型化が阻害
されている。この点を改良してより小型化を図った電子
内視鏡を図２４に示す。内視鏡８００は、照明光を射出
するライトガイド８０４と、撮像レンズ８０６を備えて
いる。固体撮像デバイス８０８は、固体撮像素子８１
０、周辺回路８１２、これらを電気的に接続するための
基板配線を備えたフレキシブル基板８１４を有してい
る。フレキシブル基板８１４はＬ字状に曲げた状態で内
視鏡８００に固定されていて、固体撮像素子８１０は撮
像レンズ８０６の後方に、周辺回路８１２は内視鏡の側
面に配置されている。固体撮像素子８１０と周辺回路８
１２は共にワイヤーボンディングによるワイヤー８１６
によって基板配線に接続されており、この基板配線を介
して互いに電気的に接続されている。また基板配線には
リード線８１８が接続されており、これにより固体撮像
デバイス８０８は外部の制御装置に接続されている。こ
の電子内視鏡８００では、固体撮像デバイス８０８の一
部を構成している周辺回路８１２が側面に配置されてい
るので、図２３の電子内視鏡に比べて細径化が達成され
ている。内視鏡の細径化のための撮像素子と周辺回路の
実装方法については、この他にも例えば特開昭６３−１
７７１０６に開示されている。
０８を構成している固体撮像素子７１０と周辺回路７１
２が同一チップ上に設けられているぶん、小型化が阻害
されている。この点を改良してより小型化を図った電子
内視鏡を図２４に示す。内視鏡８００は、照明光を射出
するライトガイド８０４と、撮像レンズ８０６を備えて
いる。固体撮像デバイス８０８は、固体撮像素子８１
０、周辺回路８１２、これらを電気的に接続するための
基板配線を備えたフレキシブル基板８１４を有してい
る。フレキシブル基板８１４はＬ字状に曲げた状態で内
視鏡８００に固定されていて、固体撮像素子８１０は撮
像レンズ８０６の後方に、周辺回路８１２は内視鏡の側
面に配置されている。固体撮像素子８１０と周辺回路８
１２は共にワイヤーボンディングによるワイヤー８１６
によって基板配線に接続されており、この基板配線を介
して互いに電気的に接続されている。また基板配線には
リード線８１８が接続されており、これにより固体撮像
デバイス８０８は外部の制御装置に接続されている。こ
の電子内視鏡８００では、固体撮像デバイス８０８の一
部を構成している周辺回路８１２が側面に配置されてい
るので、図２３の電子内視鏡に比べて細径化が達成され
ている。内視鏡の細径化のための撮像素子と周辺回路の
実装方法については、この他にも例えば特開昭６３−１
７７１０６に開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図２１、図２２、図２
４に示した装置や特開昭６３−１７７１０６の装置で
は、各チップ（素子）とフレキシブル基板との接続にワ
イヤーボンディングを用いているため、このワイヤーボ
ンディングに必要な領域が小型化の妨げとなっている。
つまり、半導体デバイスの微細加工技術によってチップ
（素子）自体が飛躍的に小さくなっても、フレキシブル
基板も含めた電子デバイス全体では飛躍的には小さくな
っていない。
４に示した装置や特開昭６３−１７７１０６の装置で
は、各チップ（素子）とフレキシブル基板との接続にワ
イヤーボンディングを用いているため、このワイヤーボ
ンディングに必要な領域が小型化の妨げとなっている。
つまり、半導体デバイスの微細加工技術によってチップ
（素子）自体が飛躍的に小さくなっても、フレキシブル
基板も含めた電子デバイス全体では飛躍的には小さくな
っていない。
【０００８】フレキシブル基板は、電子デバイスを実際
に装置に実装する際の取扱いを考慮して、ある程度の厚
さすなわち剛性を有するように作られている。このた
め、電子デバイスを装置に実装する際にフレキシブル基
板は極端に曲げることができない。さらに、取扱いを犠
牲にしてフレキシブル基板を薄く形成しても、チップ
（素子）とフレキシブル基板はワイヤーボンディングで
接続されているため、やはりフレキシブル基板を極端に
曲げて実装することはできない。
に装置に実装する際の取扱いを考慮して、ある程度の厚
さすなわち剛性を有するように作られている。このた
め、電子デバイスを装置に実装する際にフレキシブル基
板は極端に曲げることができない。さらに、取扱いを犠
牲にしてフレキシブル基板を薄く形成しても、チップ
（素子）とフレキシブル基板はワイヤーボンディングで
接続されているため、やはりフレキシブル基板を極端に
曲げて実装することはできない。
【０００９】本発明は、曲面や変形する構造体に実装可
能な、より小型の電子デバイスを提供することを目的と
する。また、可撓性基板を大きい曲率に曲げることがで
き、しかも実装時の取扱いが容易な可撓性基板を有する
電子デバイスを提供することを目的とする。
能な、より小型の電子デバイスを提供することを目的と
する。また、可撓性基板を大きい曲率に曲げることがで
き、しかも実装時の取扱いが容易な可撓性基板を有する
電子デバイスを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】（１）本発明の電子デバ
イスの製造方法は、半導体基板上に電子デバイスを形成
する電子デバイス形成工程と、前記半導体基板上におい
て前記電子デバイスが形成された面側に、可撓性薄膜及
び前記電子デバイスに接続された配線を形成する薄膜配
線形成工程と、前記可撓性薄膜と共に前記電子デバイス
を切り出す領域の前記半導体基板を選択的にエッチング
するエッチング工程とを具備することを特徴とする。 （２）また、本発明の電子デバイスの製造方法は、半導
体基板上に電子デバイスを形成する電子デバイス形成工
程と、前記半導体基板上において前記電子デバイスが形
成された面側に、可撓性薄膜及び前記電子デバイスに接
続された配線を形成する薄膜配線形成工程と、前記電子
デバイスを囲む領域の前記半導体基板を選択的に残すよ
うにエッチングするエッチング工程とを具備することを
特徴とする。 （３）また、本発明の電子デバイスの製造方法は、
（１）または（２）に記載の製造方法における前記エッ
チング工程において、前記半導体基板の外縁を選択的に
残すことを特徴とする。 （４）また、本発明の電子デバイスの製造方法は、
（１）ないし（３）のいずれかひとつに記載の製造方法
における前記エッチング工程の後、前記選択的に残した
前記半導体基板とエッチングによって前記可撓性薄膜が
露出した部分とを切り離す切り離し工程をさらに有する
ことを特徴とする。 （５）また、本発明の電子デバイスの製造方法は、電子
デバイスを構成する互いに離れた複数の素子を半導体基
板に形成する素子形成工程と、前記半導体基板の前記素
子が形成された側の面に、前記素子に接続された配線を
内蔵した可撓性薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記素
子を残して前記半導体基板を選択的にエッチングして、
前記複数の素子を取り囲むひとつの開口部を前記半導体
基板に形成するエッチング工程とを具備することを特徴
とする。
イスの製造方法は、半導体基板上に電子デバイスを形成
する電子デバイス形成工程と、前記半導体基板上におい
て前記電子デバイスが形成された面側に、可撓性薄膜及
び前記電子デバイスに接続された配線を形成する薄膜配
線形成工程と、前記可撓性薄膜と共に前記電子デバイス
を切り出す領域の前記半導体基板を選択的にエッチング
するエッチング工程とを具備することを特徴とする。 （２）また、本発明の電子デバイスの製造方法は、半導
体基板上に電子デバイスを形成する電子デバイス形成工
程と、前記半導体基板上において前記電子デバイスが形
成された面側に、可撓性薄膜及び前記電子デバイスに接
続された配線を形成する薄膜配線形成工程と、前記電子
デバイスを囲む領域の前記半導体基板を選択的に残すよ
うにエッチングするエッチング工程とを具備することを
特徴とする。 （３）また、本発明の電子デバイスの製造方法は、
（１）または（２）に記載の製造方法における前記エッ
チング工程において、前記半導体基板の外縁を選択的に
残すことを特徴とする。 （４）また、本発明の電子デバイスの製造方法は、
（１）ないし（３）のいずれかひとつに記載の製造方法
における前記エッチング工程の後、前記選択的に残した
前記半導体基板とエッチングによって前記可撓性薄膜が
露出した部分とを切り離す切り離し工程をさらに有する
ことを特徴とする。 （５）また、本発明の電子デバイスの製造方法は、電子
デバイスを構成する互いに離れた複数の素子を半導体基
板に形成する素子形成工程と、前記半導体基板の前記素
子が形成された側の面に、前記素子に接続された配線を
内蔵した可撓性薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記素
子を残して前記半導体基板を選択的にエッチングして、
前記複数の素子を取り囲むひとつの開口部を前記半導体
基板に形成するエッチング工程とを具備することを特徴
とする。
【００１１】
【作用】本発明の製造方法による電子デバイスでは、こ
れを構成する複数の素子が可撓性薄膜基板に設けられて
いる。ここでいう素子とは、検知素子や固体撮像素子、
外部装置との電気的接続をとるための電極部などを含め
た、電子デバイスを構成するに必要なすべての部品要素
の意味である。素子同士は可撓性薄膜基板内の配線によ
って電気的に接続されている。可撓性薄膜基板は基板支
持体によって支持されている。このため、可撓性薄膜基
板は非常に薄く形成することができる。従って、可撓性
薄膜基板を大きく曲げることができる。また、素子の接
続にワイヤーボンディングを用いていないので、可撓性
薄膜基板を大きく曲げてもワイヤーが断線する心配がな
く、またボンディングに必要な領域を確保する必要もな
いので、電子デバイス自体を非常に小さくすることがで
きる。
れを構成する複数の素子が可撓性薄膜基板に設けられて
いる。ここでいう素子とは、検知素子や固体撮像素子、
外部装置との電気的接続をとるための電極部などを含め
た、電子デバイスを構成するに必要なすべての部品要素
の意味である。素子同士は可撓性薄膜基板内の配線によ
って電気的に接続されている。可撓性薄膜基板は基板支
持体によって支持されている。このため、可撓性薄膜基
板は非常に薄く形成することができる。従って、可撓性
薄膜基板を大きく曲げることができる。また、素子の接
続にワイヤーボンディングを用いていないので、可撓性
薄膜基板を大きく曲げてもワイヤーが断線する心配がな
く、またボンディングに必要な領域を確保する必要もな
いので、電子デバイス自体を非常に小さくすることがで
きる。
【００１２】ここで、本発明の基本的な構成を図１に示
す。可撓性薄膜基板である可撓性薄膜１６は、基板支持
体である半導体基板１２によって支持されている。半導
体基板１２は開口部１４を有しており、その開口部内に
おいて、可撓性薄膜１６の下面に検知素子や撮像素子や
電子回路などの素子２０と、外部装置との接続のための
電極部２２が設けられている。これらの素子２０と電極
部２２は、コンタクト孔２４を介して、可撓性薄膜１６
の内部に形成されている配線１８によって互いに導通さ
れている。このような構造体は、半導体基板１２に素子
２０と電極部２２を形成し、その上面に配線１８を内蔵
した可撓性薄膜１６を形成した後で、素子２０と電極部
２２を残して半導体基板１２の中央部分を裏面からエッ
チングして開口部１４を形成することにより得られる。
す。可撓性薄膜基板である可撓性薄膜１６は、基板支持
体である半導体基板１２によって支持されている。半導
体基板１２は開口部１４を有しており、その開口部内に
おいて、可撓性薄膜１６の下面に検知素子や撮像素子や
電子回路などの素子２０と、外部装置との接続のための
電極部２２が設けられている。これらの素子２０と電極
部２２は、コンタクト孔２４を介して、可撓性薄膜１６
の内部に形成されている配線１８によって互いに導通さ
れている。このような構造体は、半導体基板１２に素子
２０と電極部２２を形成し、その上面に配線１８を内蔵
した可撓性薄膜１６を形成した後で、素子２０と電極部
２２を残して半導体基板１２の中央部分を裏面からエッ
チングして開口部１４を形成することにより得られる。
【００１３】実際に使用の際は、可撓性薄膜１６の所望
の領域を切断し、半導体基板１２から分離して装置に実
装する。電極部２２は制御信号や情報信号を伝送するた
めの外部配線や電力供給線などがワイヤーボンディング
などにより接続される。検知素子、撮像素子、電子回路
などの素子２０および電極部２２の相互の接続は、可撓
性薄膜１６の内部の配線１８によってなされているた
め、ボンディングに必要な電極やワイヤーの形成領域を
要するのは電極部２２のみとなる。従って、電子デバイ
スをより小さくできるとともに、狭い実装対象に対する
レイアウトの自由度が増すという利点がある。また、可
撓性薄膜１６は、開口部１４を形成するまでは半導体基
板１２の全面に形成されているので、通常の可撓性基板
に比べて非常に薄く形成することができる。従って、大
きな曲率で曲げて実装することが可能な電子デバイスが
得られる。
の領域を切断し、半導体基板１２から分離して装置に実
装する。電極部２２は制御信号や情報信号を伝送するた
めの外部配線や電力供給線などがワイヤーボンディング
などにより接続される。検知素子、撮像素子、電子回路
などの素子２０および電極部２２の相互の接続は、可撓
性薄膜１６の内部の配線１８によってなされているた
め、ボンディングに必要な電極やワイヤーの形成領域を
要するのは電極部２２のみとなる。従って、電子デバイ
スをより小さくできるとともに、狭い実装対象に対する
レイアウトの自由度が増すという利点がある。また、可
撓性薄膜１６は、開口部１４を形成するまでは半導体基
板１２の全面に形成されているので、通常の可撓性基板
に比べて非常に薄く形成することができる。従って、大
きな曲率で曲げて実装することが可能な電子デバイスが
得られる。
【００１４】
【実施例】次に本発明の電子デバイスの実施例について
図面を用いて説明する。第一実施例として、内視鏡の先
端部の外周に取り付ける力覚センサーについて図２〜図
４を用いて説明する。図２に示すように、力覚センサー
の可撓性薄膜基板となるポリイミド膜３６は、Ｔ字状の
開口部（貫通穴）３４を有する半導体基板３２の上面に
固定されている。ポリイミド膜３６は内部に配線３８を
有している。配線３８は、ポリイミド膜３６の下面に設
けた五つの力検知素子４０と電子回路４８と電極部４６
にコンタクト孔４２を介して接続されている。力検知素
子４０は、例えば公知のシリコンマイクロマシニング技
術によって形成されるダイヤフラム型圧力センサーなど
のマイクロ力検知素子である。電子回路４８は、力検知
素子４０を駆動制御したり検出信号を増幅する機能を有
している。
図面を用いて説明する。第一実施例として、内視鏡の先
端部の外周に取り付ける力覚センサーについて図２〜図
４を用いて説明する。図２に示すように、力覚センサー
の可撓性薄膜基板となるポリイミド膜３６は、Ｔ字状の
開口部（貫通穴）３４を有する半導体基板３２の上面に
固定されている。ポリイミド膜３６は内部に配線３８を
有している。配線３８は、ポリイミド膜３６の下面に設
けた五つの力検知素子４０と電子回路４８と電極部４６
にコンタクト孔４２を介して接続されている。力検知素
子４０は、例えば公知のシリコンマイクロマシニング技
術によって形成されるダイヤフラム型圧力センサーなど
のマイクロ力検知素子である。電子回路４８は、力検知
素子４０を駆動制御したり検出信号を増幅する機能を有
している。
【００１５】このような力覚センサーを装置や構造体に
実装する際は、図３に示すように、半導体基板３２の開
口部３４の内側に位置するポリイミド膜３６の上面に水
溶性樹脂よりなるハンドリング用の取っ手５０を接着な
どによって取り付ける。この取っ手５０を把持した状態
でレーザーカッターを用いてポリイミド膜３６を破線５
４に沿って切断する。破線５４は半導体基板３２に形成
した開口部３４の形状に対応しており、その若干内側に
位置している。この結果、内部に配線３８を備えた可撓
性基板３６と、その表面に設けた五つの力検知素子４０
と電子回路４８と電極部４６とよりなる力覚センサー５
２が、半導体基板５２から切り放される。
実装する際は、図３に示すように、半導体基板３２の開
口部３４の内側に位置するポリイミド膜３６の上面に水
溶性樹脂よりなるハンドリング用の取っ手５０を接着な
どによって取り付ける。この取っ手５０を把持した状態
でレーザーカッターを用いてポリイミド膜３６を破線５
４に沿って切断する。破線５４は半導体基板３２に形成
した開口部３４の形状に対応しており、その若干内側に
位置している。この結果、内部に配線３８を備えた可撓
性基板３６と、その表面に設けた五つの力検知素子４０
と電子回路４８と電極部４６とよりなる力覚センサー５
２が、半導体基板５２から切り放される。
【００１６】続いて、取っ手５０をつかんでハンドリン
グして、図４に示すように、力検知素子４０が内視鏡先
端部５６を一周するように、接着などによって可撓性基
板３６を内視鏡先端部５６に張り付ける。電子回路４８
と電極部４６は、力検知素子４０からはやや離れた位置
にある平面部６０に配置される。このあとで水溶性の取
っ手５０を水に浸し除去する。つづいて電極部４６にリ
ード線をワイヤーボンディングなどにより取り付けたの
ち、内視鏡を保護する可撓性チューブ５８を設けて、力
覚センサーの取り付けは完了する。
グして、図４に示すように、力検知素子４０が内視鏡先
端部５６を一周するように、接着などによって可撓性基
板３６を内視鏡先端部５６に張り付ける。電子回路４８
と電極部４６は、力検知素子４０からはやや離れた位置
にある平面部６０に配置される。このあとで水溶性の取
っ手５０を水に浸し除去する。つづいて電極部４６にリ
ード線をワイヤーボンディングなどにより取り付けたの
ち、内視鏡を保護する可撓性チューブ５８を設けて、力
覚センサーの取り付けは完了する。
【００１７】次に図２に示した力覚センサーの製造方法
について図５〜図１１を用いて説明する。 工程１（図５） シリコン基板１１２の裏面にシリコン
酸化膜１１４とシリコン窒化膜１１６を形成し、上面に
は公知の製造方法に基づいて電子回路１２０と力検知素
子１１８を形成する。
について図５〜図１１を用いて説明する。 工程１（図５） シリコン基板１１２の裏面にシリコン
酸化膜１１４とシリコン窒化膜１１６を形成し、上面に
は公知の製造方法に基づいて電子回路１２０と力検知素
子１１８を形成する。
【００１８】工程２（図６） 破線で囲まれた領域１２
２のシリコン窒化膜１１６を通常のフォトリソグラフィ
ー技術によって選択的に除去する。この領域１２２は力
覚センサーとして切り出す領域に対応している。
２のシリコン窒化膜１１６を通常のフォトリソグラフィ
ー技術によって選択的に除去する。この領域１２２は力
覚センサーとして切り出す領域に対応している。
【００１９】工程３（図７） 電子回路１２０と力検知
素子１１８と破線１２４で示した電極形成領域１２４に
対応した部分を除いて、領域１２２の内にあるシリコン
酸化膜１１４を通常のフォトリソグラフィー技術によっ
て選択的に除去する。
素子１１８と破線１２４で示した電極形成領域１２４に
対応した部分を除いて、領域１２２の内にあるシリコン
酸化膜１１４を通常のフォトリソグラフィー技術によっ
て選択的に除去する。
【００２０】工程４（図８） シリコン基板１１２の上
面にポリイミド膜１２６を形成する。このポリイミド膜
１２６は、コンタクト孔１３０を介して電子回路１２０
と力検知素子１１８と電極形成領域１２４を相互に電気
的に接続する配線１２８を内部に有している。
面にポリイミド膜１２６を形成する。このポリイミド膜
１２６は、コンタクト孔１３０を介して電子回路１２０
と力検知素子１１８と電極形成領域１２４を相互に電気
的に接続する配線１２８を内部に有している。
【００２１】工程５（図９） ポリイミド膜１２６を保
護した状態で基板（図８の構造体）をテトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイド水溶液に浸して、シリコン
基板１１２の裏面の開口された領域１２２のうち、シリ
コン酸化膜１１４が形成されていない部分を５０μｍだ
けエッチングする。
護した状態で基板（図８の構造体）をテトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイド水溶液に浸して、シリコン
基板１１２の裏面の開口された領域１２２のうち、シリ
コン酸化膜１１４が形成されていない部分を５０μｍだ
けエッチングする。
【００２２】工程６（図１０） ポリイミド膜１２６を
保護した状態で基板（図９の構造体）を緩衝フッ酸で処
理し、領域１２２内に残っているシリコン酸化膜１１４
を除去する。この部分は、前述したように、電子回路１
２０と力検知素子１１８と電極形成領域１２４の箇所に
相当している。
保護した状態で基板（図９の構造体）を緩衝フッ酸で処
理し、領域１２２内に残っているシリコン酸化膜１１４
を除去する。この部分は、前述したように、電子回路１
２０と力検知素子１１８と電極形成領域１２４の箇所に
相当している。
【００２３】工程７（図１１） ポリイミド膜１２６を
保護した状態で再度基板（図１０の構造体）をテトラメ
チルハイドロオキサイド水溶液に浸し、領域１２２内に
露出している部分のシリコン基板１１２をエッチングす
る。エッチングはポリイミド膜１２６が露出した時点で
直ちにやめる。これにより、５０μｍの厚さを持った電
子回路１２０と力検出素子１１８と電極形成領域１２４
がポリイミド膜１２６の下面に残る。
保護した状態で再度基板（図１０の構造体）をテトラメ
チルハイドロオキサイド水溶液に浸し、領域１２２内に
露出している部分のシリコン基板１１２をエッチングす
る。エッチングはポリイミド膜１２６が露出した時点で
直ちにやめる。これにより、５０μｍの厚さを持った電
子回路１２０と力検出素子１１８と電極形成領域１２４
がポリイミド膜１２６の下面に残る。
【００２４】このように可撓性薄膜基板すなわちポリイ
ミド膜１２６は、枠状に残った堅固なシリコン基板１１
２に保持されるので、数μｍ程度の厚さで形成すること
ができるとともに、このように薄膜化した場合であって
も搬送や実装時の取扱いの点でも有利である。上の説明
ではひとつの力覚センサーのみを例示したが、実際には
バッチ処理により多数の力覚センサーが一枚のシリコン
ウェハー上に同時に形成される。
ミド膜１２６は、枠状に残った堅固なシリコン基板１１
２に保持されるので、数μｍ程度の厚さで形成すること
ができるとともに、このように薄膜化した場合であって
も搬送や実装時の取扱いの点でも有利である。上の説明
ではひとつの力覚センサーのみを例示したが、実際には
バッチ処理により多数の力覚センサーが一枚のシリコン
ウェハー上に同時に形成される。
【００２５】このように本実施例の力覚センサーは、可
撓性薄膜基板、力検知素子、電子回路が非常に薄く作ら
れているので、先端部の径をほとんど太らせることな
く、内視鏡に力覚センサーを設けることができる。
撓性薄膜基板、力検知素子、電子回路が非常に薄く作ら
れているので、先端部の径をほとんど太らせることな
く、内視鏡に力覚センサーを設けることができる。
【００２６】次に、第二実施例として、内視鏡の細径化
を達成する固体撮像デバイスについて図１２と図１３を
用いて説明する。本実施例の固体撮像デバイスを図１２
に示す。固体撮像デバイス２００は、内部に配線を有す
る可撓性基板２０２と、この基板上に設けた、ＣＭＤ固
体撮像素子２０４、アンプ等を含む周辺回路２０６、外
部装置との電気的接続のための電極部２０８とで構成さ
れている。ＣＭＤ固体撮像素子２０４、周辺回路２０
６、電極部２０８は、基板内の配線によって相互に電気
的に接続されている。このような固体撮像デバイス２０
０は、第一実施例で説明した製造方法と同様な方法によ
り作られる。
を達成する固体撮像デバイスについて図１２と図１３を
用いて説明する。本実施例の固体撮像デバイスを図１２
に示す。固体撮像デバイス２００は、内部に配線を有す
る可撓性基板２０２と、この基板上に設けた、ＣＭＤ固
体撮像素子２０４、アンプ等を含む周辺回路２０６、外
部装置との電気的接続のための電極部２０８とで構成さ
れている。ＣＭＤ固体撮像素子２０４、周辺回路２０
６、電極部２０８は、基板内の配線によって相互に電気
的に接続されている。このような固体撮像デバイス２０
０は、第一実施例で説明した製造方法と同様な方法によ
り作られる。
【００２７】この固体撮像デバイス２００を内視鏡の先
端部に実装した様子を図１３に示す。内視鏡２１０は、
先端２１２から照明光を射出するためのライトガイド２
１４と、先端２１２に取り付けられた撮像レンズ２１６
を有している。固体撮像デバイス２００の固体撮像素子
２０４は撮像レンズ２１６の後方に配置され、周辺回路
２１６は接着などにより、平面に加工された側面２１８
に固定されている。電極部２０８は基板２２０に取り付
けられており、ワイヤーボンディングのワイヤー２２２
によって基板配線と電気的に接続されている。基板配線
には、外部の駆動装置に接続されたリード線２２４が取
り付けられている。
端部に実装した様子を図１３に示す。内視鏡２１０は、
先端２１２から照明光を射出するためのライトガイド２
１４と、先端２１２に取り付けられた撮像レンズ２１６
を有している。固体撮像デバイス２００の固体撮像素子
２０４は撮像レンズ２１６の後方に配置され、周辺回路
２１６は接着などにより、平面に加工された側面２１８
に固定されている。電極部２０８は基板２２０に取り付
けられており、ワイヤーボンディングのワイヤー２２２
によって基板配線と電気的に接続されている。基板配線
には、外部の駆動装置に接続されたリード線２２４が取
り付けられている。
【００２８】本実施例の固体撮像デバイスによれば、第
一実施例の力覚センサーと同様に非常に薄く作られるた
め、実装に要する領域が少なくて済む。また、固体撮像
素子２０４と周辺回路２０６にはワイヤーボンディング
が不要なため、さらにワイヤーボンディングを行なう外
部部２０８は固体撮像素子２０４や周辺回路２０６から
離して配置できるため、組み込む上でレイアウトの自由
度が増す点も小型化を図る上で見逃せない利点である。
一実施例の力覚センサーと同様に非常に薄く作られるた
め、実装に要する領域が少なくて済む。また、固体撮像
素子２０４と周辺回路２０６にはワイヤーボンディング
が不要なため、さらにワイヤーボンディングを行なう外
部部２０８は固体撮像素子２０４や周辺回路２０６から
離して配置できるため、組み込む上でレイアウトの自由
度が増す点も小型化を図る上で見逃せない利点である。
【００２９】第三実施例として、別の固体撮像デバイス
について、これを内視鏡の先端部に実装した様子を示し
た図１４を用いて説明する。固体撮像デバイス３００
は、第二実施例と同様なＣＭＤ固体撮像素子３０４、ア
ンプなどの周辺回路３０６、電極部３０８、これを電気
的に接続する配線を内部に有している可撓性薄膜基板３
０２を備えている。内視鏡３１０はライトガイド３１４
と撮像レンズ３１６を有し、撮像レンズ３１６の後方に
ＣＭＤ固体撮像素子３０４が配置されている。ＣＭＤ固
体撮像素子３０４と周辺回路３０６は裏面同士が張り合
わされている。電極部３０８は基板３２０に固定されて
おり、ワイヤーボンディングのワイヤー３２２によっ
て、基板配線を介し、外部装置に接続されたリード線３
２４に電気的に接続されている。このような構成によ
り、第二実施例と同様の効果が得られる。
について、これを内視鏡の先端部に実装した様子を示し
た図１４を用いて説明する。固体撮像デバイス３００
は、第二実施例と同様なＣＭＤ固体撮像素子３０４、ア
ンプなどの周辺回路３０６、電極部３０８、これを電気
的に接続する配線を内部に有している可撓性薄膜基板３
０２を備えている。内視鏡３１０はライトガイド３１４
と撮像レンズ３１６を有し、撮像レンズ３１６の後方に
ＣＭＤ固体撮像素子３０４が配置されている。ＣＭＤ固
体撮像素子３０４と周辺回路３０６は裏面同士が張り合
わされている。電極部３０８は基板３２０に固定されて
おり、ワイヤーボンディングのワイヤー３２２によっ
て、基板配線を介し、外部装置に接続されたリード線３
２４に電気的に接続されている。このような構成によ
り、第二実施例と同様の効果が得られる。
【００３０】第四実施例として、内視鏡の先端部に実装
される固体撮像デバイスを図１５〜図１７に示す。図１
５に示すように、固体撮像デバイス４００は、ふたつの
ＣＭＤ固体撮像素子４０４と４０６、ふたつの撮像素子
に共通の周辺回路４０８、これらの導通させる配線を内
蔵した可撓性薄膜基板４０２を有している。
される固体撮像デバイスを図１５〜図１７に示す。図１
５に示すように、固体撮像デバイス４００は、ふたつの
ＣＭＤ固体撮像素子４０４と４０６、ふたつの撮像素子
に共通の周辺回路４０８、これらの導通させる配線を内
蔵した可撓性薄膜基板４０２を有している。
【００３１】図１６と図１７に示すように、内視鏡４１
０は、照明光を先端部まで導くライトガイド４１２、ラ
イトガイド４１２の光を前面から射出するための前面用
ライトガイド４１４、ライトガイド４１２の光を側面か
ら射出するための側面用ライトガイド４１６を有してい
る。ライトガイド４１２と前面用ライトガイド４１４は
所定の間隔を置いて直線的に配置されており、その間に
側面用ライトガイド４１６が、ライトガイド４１２と４
１４の光路を遮ることなく、これらに直交する向きに配
置されている。三本のライトガイド４１２と４１４と４
１６の端面の間の空間の近くに、形状記憶合金よりなる
アクチュエーター４２０に取り付けられた切換ミラー４
１８が設けられている。この切換ミラー４１８は、通常
は図１６に示した位置にあり、アクチュエーター４２０
の動作によって、図１７に示すようにライトガイド４１
２と４１４の間に、ライトガイド４１２の光を側面用ラ
イトガイド４１６に向けて反射する向きで挿入される。
０は、照明光を先端部まで導くライトガイド４１２、ラ
イトガイド４１２の光を前面から射出するための前面用
ライトガイド４１４、ライトガイド４１２の光を側面か
ら射出するための側面用ライトガイド４１６を有してい
る。ライトガイド４１２と前面用ライトガイド４１４は
所定の間隔を置いて直線的に配置されており、その間に
側面用ライトガイド４１６が、ライトガイド４１２と４
１４の光路を遮ることなく、これらに直交する向きに配
置されている。三本のライトガイド４１２と４１４と４
１６の端面の間の空間の近くに、形状記憶合金よりなる
アクチュエーター４２０に取り付けられた切換ミラー４
１８が設けられている。この切換ミラー４１８は、通常
は図１６に示した位置にあり、アクチュエーター４２０
の動作によって、図１７に示すようにライトガイド４１
２と４１４の間に、ライトガイド４１２の光を側面用ラ
イトガイド４１６に向けて反射する向きで挿入される。
【００３２】内視鏡４１０の先端部は、その前面と側面
に撮像レンズ４２２と４２４を一枚ずつ備えている。側
面用の撮像レンズ４２４の後方（光学的な意味で後方で
あって図１６と１７では右側に当たる）にはプリズム４
２６が配置されている。このプリズム４２６の射出面に
面してＣＭＤ固体撮像素子４０４が配置されている。ま
た、もうひとつのＣＭＤ固体撮像素子４０６は前面用の
撮像レンズ４２２の後方にこれに向かい合って配置され
ている。周辺回路４０８は基板４２８に固定されてお
り、ワイヤーボンディングのワイヤー４３０により、基
板配線を介して、外部装置に接続されたリード線４３２
に電気的に接続されている。
に撮像レンズ４２２と４２４を一枚ずつ備えている。側
面用の撮像レンズ４２４の後方（光学的な意味で後方で
あって図１６と１７では右側に当たる）にはプリズム４
２６が配置されている。このプリズム４２６の射出面に
面してＣＭＤ固体撮像素子４０４が配置されている。ま
た、もうひとつのＣＭＤ固体撮像素子４０６は前面用の
撮像レンズ４２２の後方にこれに向かい合って配置され
ている。周辺回路４０８は基板４２８に固定されてお
り、ワイヤーボンディングのワイヤー４３０により、基
板配線を介して、外部装置に接続されたリード線４３２
に電気的に接続されている。
【００３３】操作部での操作により、ライトガイド４１
２と４１４の間に切換ミラー４１８を挿入し、また切換
ミラー４１８をそこから退避させることで、固体撮像素
子４０４による側面の画像と、別の固体撮像素子４０６
による前面の画像とを選択的に切り替えて得られる。
２と４１４の間に切換ミラー４１８を挿入し、また切換
ミラー４１８をそこから退避させることで、固体撮像素
子４０４による側面の画像と、別の固体撮像素子４０６
による前面の画像とを選択的に切り替えて得られる。
【００３４】本実施例の構成によれば、周辺回路４０８
と二つの撮像素子４０４と４０６が、ワイヤーボンディ
ングを用いることなく自由な形態で実装できるので内視
鏡の細径化を図る上で非常に有利である。
と二つの撮像素子４０４と４０６が、ワイヤーボンディ
ングを用いることなく自由な形態で実装できるので内視
鏡の細径化を図る上で非常に有利である。
【００３５】このように構成した内視鏡は上面と側面の
映像が観察できるので、従来の内視鏡では死角となる部
位の観察も可能となる。前述した実施例のデバイスはい
ずれも、力検知素子や撮像素子、電子回路など、デバイ
スを構成するすべての素子を半導体基板上に形成する手
法で作られているが、半導体基板上に形成する可撓性薄
膜には電極パッドのみを形成し、別に作製した力検知素
子などの素子を半田バンプ等により実装する手法で作成
してもよい。これは第一実施例のようにすべての素子を
半導体基板上に形成する手法に比べると微細化の点では
不利であるが、強誘電体の圧電体を用いた力検知素子の
ように半導体製造プロセスで形成することが困難な素子
を用いる場合に適している。以下、第五実施例として、
このような圧電体を用いた力検知素子を用いた、内視鏡
の先端部に実装される圧力センサーについて図１８〜図
２０を用いて説明する。
映像が観察できるので、従来の内視鏡では死角となる部
位の観察も可能となる。前述した実施例のデバイスはい
ずれも、力検知素子や撮像素子、電子回路など、デバイ
スを構成するすべての素子を半導体基板上に形成する手
法で作られているが、半導体基板上に形成する可撓性薄
膜には電極パッドのみを形成し、別に作製した力検知素
子などの素子を半田バンプ等により実装する手法で作成
してもよい。これは第一実施例のようにすべての素子を
半導体基板上に形成する手法に比べると微細化の点では
不利であるが、強誘電体の圧電体を用いた力検知素子の
ように半導体製造プロセスで形成することが困難な素子
を用いる場合に適している。以下、第五実施例として、
このような圧電体を用いた力検知素子を用いた、内視鏡
の先端部に実装される圧力センサーについて図１８〜図
２０を用いて説明する。
【００３６】まず図１８に示すように、第一実施例で説
明した方法と同様の方法により、半導体基板５０２の上
面に電子回路５０８と走査回路５１０を形成する。電子
回路５０８は、これに接続される力検知素子を駆動する
とともに検知信号を増幅する働きを有している。この基
板の上に、電子回路５０８と走査回路５１０とを接続す
る配線５０６を内部に有する可撓性薄膜５０４を形成す
る。
明した方法と同様の方法により、半導体基板５０２の上
面に電子回路５０８と走査回路５１０を形成する。電子
回路５０８は、これに接続される力検知素子を駆動する
とともに検知信号を増幅する働きを有している。この基
板の上に、電子回路５０８と走査回路５１０とを接続す
る配線５０６を内部に有する可撓性薄膜５０４を形成す
る。
【００３７】各電子回路５０８の近くには、図１９に示
すように、力検知素子を実装する領域の可撓性薄膜５０
４に開口部５１４が形成されている。電子回路５０８に
接続された配線５０６は電極パッド５１６を有してお
り、この電極パッド５１６が開口部５１４によって露出
されている。
すように、力検知素子を実装する領域の可撓性薄膜５０
４に開口部５１４が形成されている。電子回路５０８に
接続された配線５０６は電極パッド５１６を有してお
り、この電極パッド５１６が開口部５１４によって露出
されている。
【００３８】電極パッド５１６には、図２０に示すよう
に、別途に作製した圧電体を用いた力検知素子５１８を
導電性接着剤または半田バンプ５２０により接続する。
すべての電子回路５０８に対してこのように力検知素子
５１８を設けたあと、第一実施例で説明した方法（図８
〜図１１参照）と同様の方法により圧力センサーを作製
する。作製した圧力センサーは、図４で説明したのと同
様の手法により内視鏡の先端部を実装する。
に、別途に作製した圧電体を用いた力検知素子５１８を
導電性接着剤または半田バンプ５２０により接続する。
すべての電子回路５０８に対してこのように力検知素子
５１８を設けたあと、第一実施例で説明した方法（図８
〜図１１参照）と同様の方法により圧力センサーを作製
する。作製した圧力センサーは、図４で説明したのと同
様の手法により内視鏡の先端部を実装する。
【００３９】本実施例では、強固な半導体基板に力検知
素子を組み込んだあとで半導体基板の不要な領域をエッ
チングすることにより、非常に薄い可撓性薄膜を有する
圧力センサーが構成される。各電子回路は可撓性薄膜に
一体形成されているので、フレキシブル基板などに力検
知素子や電子回路を個別に実装するよりも大幅な微細化
が達成される。また、本実施例では圧電素子を用いた力
検知素子について示したが、静電容量型圧力検知素子や
その他別個に作製された各種の素子に対しても同様に適
用できる。
素子を組み込んだあとで半導体基板の不要な領域をエッ
チングすることにより、非常に薄い可撓性薄膜を有する
圧力センサーが構成される。各電子回路は可撓性薄膜に
一体形成されているので、フレキシブル基板などに力検
知素子や電子回路を個別に実装するよりも大幅な微細化
が達成される。また、本実施例では圧電素子を用いた力
検知素子について示したが、静電容量型圧力検知素子や
その他別個に作製された各種の素子に対しても同様に適
用できる。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、それ自体非常に小型
で、しかも運搬や取扱いの面でも優れ、狭い空間内に容
易に配置できる、これを実装する装置の小型化に貢献す
る可撓性薄膜を有する電子デバイスの製造方法が提供さ
れる。
で、しかも運搬や取扱いの面でも優れ、狭い空間内に容
易に配置できる、これを実装する装置の小型化に貢献す
る可撓性薄膜を有する電子デバイスの製造方法が提供さ
れる。
【図１】本発明の基本的な構成を示す図である。
【図２】第一実施例である力覚センサーの構成を示す図
である。
である。
【図３】図２の力覚センサーに、これを装置や構造体に
実装する際に必要な取っ手を取り付けた様子を示す図で
ある。
実装する際に必要な取っ手を取り付けた様子を示す図で
ある。
【図４】図２の力覚センサーを内視鏡の先端部に実装し
た様子を示す図である。
た様子を示す図である。
【図５】図２の力覚センサーを製造する際の最初の工程
を示す図である。
を示す図である。
【図６】図２の力覚センサーを製造する際の二番目の工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図７】図２の力覚センサーを製造する際の三番目の工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図８】図２の力覚センサーを製造する際の四番目の工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図９】図２の力覚センサーを製造する際の五番目の工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図１０】図２の力覚センサーを製造する際の六番目の
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図１１】図２の力覚センサーを製造する際の七番目の
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図１２】第二実施例である固体撮像デバイスの構成を
示す図である。
示す図である。
【図１３】図１２の固体撮像デバイスを内視鏡の先端部
に実装した様子を示す図である。
に実装した様子を示す図である。
【図１４】第三実施例の固体撮像デバイスを内視鏡の先
端部に実装した様子を示す図である。
端部に実装した様子を示す図である。
【図１５】第四実施例の固体撮像デバイスの構成を示す
図である。
図である。
【図１６】図１５の固体撮像デバイスを実装した内視鏡
の先端部の構成を示す図で、内視鏡の前面を観察する状
態のときの図である。
の先端部の構成を示す図で、内視鏡の前面を観察する状
態のときの図である。
【図１７】図１５の固体撮像デバイスを実装した内視鏡
の先端部の構成を示す図で、内視鏡の側面を観察する状
態のときの図である。
の先端部の構成を示す図で、内視鏡の側面を観察する状
態のときの図である。
【図１８】第五実施例である圧力センサーの製造過程の
初期の状態を示す図である。
初期の状態を示す図である。
【図１９】図１８に示した電子回路のひとつの周辺構造
を示す図である。
を示す図である。
【図２０】図１９の電子回路に力検知素子を設けた状態
を示す図である。
を示す図である。
【図２１】先端部の外周に力覚センサーを設けた内視鏡
を示す図である。
を示す図である。
【図２２】図２１に示した力覚センサーの実装前の平面
図である。
図である。
【図２３】固体撮像デバイスを用いた電子内視鏡をに示
す図である。
す図である。
【図２４】図２３の電子内視鏡を改良してさらに小型化
した電子内視鏡を示す図である。
した電子内視鏡を示す図である。
１２…半導体基板、１４…開口部、１６…可撓性薄膜、
１８…配線、２０…素子、２２…電極部。
１８…配線、２０…素子、２２…電極部。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 29/84 Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｚ
Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｃ
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 27/146
A61B 1/00 300
A61B 1/04 372
G01L 5/00
G02B 23/24
H01L 29/84
H04N 5/335
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板上に電子デバイスを形成する
電子デバイス形成工程と、 前記半導体基板上において前記電子デバイスが形成され
た面側に、可撓性薄膜及び前記電子デバイスに接続され
た配線を形成する薄膜配線形成工程と、 前記可撓性薄膜と共に前記電子デバイスを切り出す領域
の前記半導体基板を選択的にエッチングするエッチング
工程と、を具備することを特徴とする可撓性薄膜を有す
る電子デバイスの製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板上に電子デバイスを形成する
電子デバイス形成工程と、 前記半導体基板上において前記電子デバイスが形成され
た面側に、可撓性薄膜及び前記電子デバイスに接続され
た配線を形成する薄膜配線形成工程と、 前記電子デバイスを囲む領域の前記半導体基板を選択的
に残すようにエッチングするエッチング工程と、を具備
することを特徴とする可撓性薄膜を有する電子デバイス
の製造方法。 - 【請求項３】 前記エッチング工程において、前記半導
体基板の外縁を選択的に残すことを特徴とする請求項１
または請求項２に記載の可撓性薄膜を有する電子デバイ
スの製造方法。 - 【請求項４】 前記エッチング工程の後、前記選択的に
残した前記半導体基板とエッチングによって前記可撓性
薄膜が露出した部分とを切り離す切り離し工程をさらに
有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれ
かひとつに記載の可撓性薄膜を有する電子デバイスの製
造方法。 - 【請求項５】 電子デバイスを構成する互いに離れた複
数の素子を半導体基板に形成する素子形成工程と、 前記半導体基板の前記素子が形成された側の面に、前記
素子に接続された配線を内蔵した可撓性薄膜を形成する
薄膜形成工程と、 前記素子を残して前記半導体基板を選択的にエッチング
して、前記複数の素子を取り囲むひとつの開口部を前記
半導体基板に形成するエッチング工程と、を具備するこ
とを特徴とする可撓性薄膜を有する電子デバイスの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22939693A JP3461368B2 (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 可撓性薄膜基板を有する電子デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22939693A JP3461368B2 (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 可撓性薄膜基板を有する電子デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786551A JPH0786551A (ja) | 1995-03-31 |
| JP3461368B2 true JP3461368B2 (ja) | 2003-10-27 |
Family
ID=16891552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22939693A Expired - Fee Related JP3461368B2 (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 可撓性薄膜基板を有する電子デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3461368B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP3941537B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2007-07-04 | ソニー株式会社 | 熱輸送装置 |
| JP4709661B2 (ja) * | 2006-02-23 | 2011-06-22 | オリンパスメディカルシステムズ株式会社 | 撮像装置 |
| JP5154783B2 (ja) * | 2006-11-14 | 2013-02-27 | オリンパス株式会社 | 撮像モジュールの製造方法 |
| WO2012077116A1 (en) * | 2010-12-09 | 2012-06-14 | Peermedical Ltd. | Flexible electronic circuit board for a multi-camera endoscope |
| JP5696224B2 (ja) * | 2011-11-02 | 2015-04-08 | パイオニア株式会社 | 検出装置、検出装置が取り付けられたクランク及び検出装置がクランクに取り付けられた自転車 |
| CN112386211B (zh) * | 2020-11-16 | 2021-07-09 | 清华大学 | 柔性内窥镜装置 |
-
1993
- 1993-09-16 JP JP22939693A patent/JP3461368B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0786551A (ja) | 1995-03-31 |
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