JP3440454B2 - 集積回路用電圧インタフェース回路および集積回路をインタフェースする方法 - Google Patents

集積回路用電圧インタフェース回路および集積回路をインタフェースする方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は集積回路の分野に関する
ものである。更に詳しくいえば、本発明は集積回路をバ
スおよびより高い電圧範囲を持つ回路へインタフェース
することに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】集積回路のトランジスタ密度および速度
を高くするために、回路設計者は集積回路上に製造され
るトランジスタの物理的寸法を小さくしている。トラン
ジスタ密度を高くすると、集積回路の機能をより高くす
ることが可能になる。しかし、集積回路のトランジスタ
の物理的寸法を小さくすると、集積回路の電源電圧もそ
れに対応して低くなる。たとえば、より新しい世代の高
密度集積回路に含まれている金属酸化膜半導体（ＭＯ
Ｓ）トランジスタのチャネル長さは、古い世代の高密度
集積回路のＭＯＳトランジスタのチャネル長さより短く
製造される。しかし、新しい世代のより薄いゲート酸化
物層は、厚いゲート酸化物層を持つ従来の世代の高い電
圧レベルに耐えることができない。
【０００３】その結果、新しい世代のＭＯＳ集積回路は
以前の世代のものより低い電源電圧で動作する。たとえ
ば、新しい世代のＭＯＳ集積回路の多くは、以前の世代
において共通の５Ｖではなくて３．３Ｖの電源電圧で動
作する。しかし、多くの用途においては、低い電源電圧
で動作する集積回路はより高い電圧で動作する装置およ
びバスとインタフェースせねばならない。低電圧集積回
路が高電圧環境へ結合されるものとすると、低電圧ＭＯ
Ｓトランジスタの薄いゲート酸化物層が徐々に劣化す
る。そうすると集積回路の信頼性が低くなり、最終的に
は故障する。
【０００４】ここで、集積回路のパッドのための典型的
な従来の三状態入力／出力回路が示されている図１を参
照する。出力データ信号１０１がトランジスタＱ１０、
Ｑ１２のゲートへ結合される。出力可能化バー信号（Ｏ
ＥＢ）１０４がトランジスタＱ１１、Ｑ１５のゲートを
制御するために結合される。出力可能化（ＯＥ）信号１
０５がトランジスタＱ１３、Ｑ１４のゲートを制御する
ために結合される。出力回路はプルアップトランジスタ
Ｑ１６とプルダウントランジスタＱ１７を有する。トラ
ンジスタＱ１６のｎ井戸１０６が電源電圧ＶＣＣへ結合
される。入力回路はプルアップトランジスタＱ１８とプ
ルダウントランジスタＱ１９で構成される。
【０００５】従来の回路が正しく動作するためには、電
源電圧ＶＣＣは出力パッド１０２における電圧より高い
か、それに等しくなければならず、出力パッド１０２に
おける電圧は共通ノード１０７における電圧より高い
か、それに等しくなければならない。ＶＣＣ電源電圧よ
り高い電圧の振れを有するバスその他の装置へ出力パッ
ド１０２が結合されるものとすると、従来の回路に含ま
れているトランジスタのゲート酸化物層は降伏しやす
い。プルアップトランジスタＱ１８とプルダウントラン
ジスタＱ１９は故障しやすい。また、トランジスタＱ１
６のドレインから、トランジスタＱ１６のｎ井戸まで、
およびＶＣＣ電源電圧ノード１００まで導通路が存在す
る。
【０００６】低電圧集積回路を高電圧環境へインタフェ
ースする従来の１つの技術は、低電圧環境と高電圧環境
の間のバッファとしてインタフェース・チップを使用す
ることである。しかし、そのようなインタフェース・チ
ップは低電圧集積回路との間の信号のやり取りを大きく
遅延させる。さらに、そのようなインタフェース・チッ
プは余分のシステム盤スペースを必要とし、システムの
コストを増大する。
【０００７】低電圧集積回路を高電圧環境へインタフェ
ースする従来の別の技術は、低電圧集積回路に高電圧ト
ランジスタを直接製造することである。高電圧トランジ
スタは高電圧環境と直接インタフェースし、しかも集積
回路に含まれている低電圧トランジスタを保護する。し
かし、そのような解決技術は、より大きい高電圧トラン
ジスタを製造するために集積回路の製造中に余分の処理
工程を必要とする。余分の処理工程は製造コストを増大
し、製造歩留まりを低下させる。また、その解決技術は
集積回路が出力を生ずるために集積回路チップへより高
い電圧を供給せねばならない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は低電圧集積回
路を高電圧環境へインタフェースし、しかも集積回路自
体としては低電圧トランジスタのみとすることができる
電圧インタフェース回路を供給することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は低電圧トランジ
スタのみを含んでいる低電圧集積回路を高電圧環境へイ
ンタフェースするための電圧インタフェース回路に関す
るものである。一実施例においては、電圧インタフェー
ス・バッファは出力回路と入力回路を備える。出力回路
は高い電圧の振れを有するパッド・ノードへ結合され
る。出力回路はパッド・ノードを駆動し、集積回路をパ
ッド・ノードの高い電圧の振れから分離する。出力回路
は出力プルアップ回路と出力プルダウン回路を備える。
出力プルダウン回路はパッド・ノードを低電圧へ駆動
し、集積回路をパッド・ノードの高い電圧の振れから分
離する。出力プルアップ回路はパッド・ノードを集積回
路のＶＣＣ電源電圧レベルへ駆動し、集積回路をパッド
・ノードの高い電圧の振れから分離する。出力プルアッ
プ回路のＭＯＳトランジスタは接合分離を維持するため
に新規なｎ井戸バイアスを有する。
【００１０】入力回路はパッド・ノードにおける電圧を
検出し、集積回路をパッド・ノードの高い電圧の振れか
ら分離する。入力回路は出力プルアップ回路の保護され
ているノードを介してパッド・ノード電圧を検出する。
完全なＶＣＣの振れを入力信号へ復帰させるために入力
回路は帰還機構を採用する。電圧インタフェース回路の
別の実施例は、より高いＶＣＣ* 電圧の振れの回路また
はバスを駆動するために、集積回路が第１のＶＣＣ電源
電圧で動作できるようにする。この電圧インタフェース
回路はバイアス発生器回路と、出力回路と、入力回路
と、レベル変換回路とで構成される。
【００１１】バイアス発生器回路は電源電圧ＶＣＣとＶ
ＣＣ* を検出し、ＶＣＣとＶＣＣ*の間の差にほぼ等し
いバイアス信号を発生する。バイアス信号は、高い電圧
環境とインタフェースするために入力回路および出力回
路のトランジスタを分離する際に用いられる。出力回路
はＶＣＣ* にほぼ等しい電圧の振れを有するパッド・ノ
ードへ結合される。出力回路はパッド・ノードをＶＣＣ
* 電圧の振れへ駆動し、集積回路をパッド・ノードのＶ
ＣＣ* 電圧の振れから分離する。出力回路はパッド・ノ
ードの高い電圧を検出し、集積回路をＶＣＣ* 電圧の振
れから分離するのにバイアス信号を使用する。出力レベ
ル変換回路はバイアス信号を検出し、出力データノード
のＶＣＣ電圧の振れとパッドのＶＣＣ* 電圧の振れとの
間で変換する。
【００１２】この明細書では低電圧トランジスタのみを
含む低電圧集積回路を高電圧環境へインタフェースする
ための電圧インタフェース回路を説明する。以下の説明
においては、本発明を完全に理解できるようにするため
に、回路アーキテクチャ、および部品について述べる。
しかし、それらの特定の詳細なしに本発明を実施できる
ことが当業者には明らかであろう。他の場合には、本発
明を不必要にあいまいにしないようにするために、周知
の回路は略図で示した。
【００１３】
【実施例】図２はＶＣＣ電源電圧で動作する集積回路を
より高い電圧環境へインタフェースするための電圧イン
タフェース回路の一実施例を示す。この実施例において
は、集積回路は３．３Ｖにほぼ等しいＶＣＣで動作す
る。この電圧インタフェース回路はＶＣＣ電圧の振れが
認められるより高い電圧の回路またはバスを集積回路が
駆動できるようにする。たとえば、電圧インタフェース
回路は集積回路がＴＴＬレベルのバスを駆動することを
可能にする。この電圧インタフェース回路は三状態制御
部と、出力プルダウン部と、出力プルアップ部と、出力
プルアップ制御回路と、入力部とで構成される。
【００１４】三状態制御部はｐチャネル・トランジスタ
Ｑ２９、Ｑ３０、Ｑ３１と、ｎチャネル・トランジスタ
Ｑ３２、Ｑ３３、Ｑ３４とで構成される。三状態モード
は、ノード１３０における出力可能化（ＯＥ）信号と、
ノード１３２における出力可能化バー（ＯＥＢ）信号と
の一対の相補出力可能化信号により決定される。回路が
三状態モードにある時は、ＯＥ１３０は低く、ＯＥＢ１
３２は高い。ＯＥ１３０における低電圧はトランジスタ
Ｑ３２をスイッチオンしてノード１３６における電圧を
引き上げる。ノード１３６における高電圧は出力プルア
ップトランジスタＱ２３がターンオンすることを阻止す
る。ＯＥＢ１３２における高電圧はトランジスタＱ３４
をスイッチオンしてノード１３８における電圧を引き下
げる。ノード１３８における低電圧は出力プルダウント
ランジスタＱ２０がターンオンすることを阻止する。
【００１５】回路が駆動モードにある時は、ＯＥ１３０
は高く、ＯＥＢ１３２は低い。出力データ・ノード１４
０における電圧レベルは集積回路の対応するピンのため
の出力を示す。出力データ・ノード１４０はトランジス
タＱ２９とＱ３３のゲートへ結合される。出力データと
出力データ・ノード１４０が高いと、トランジスタＱ３
３はノード１３６を、駆動モードにあるトランジスタＱ
３０とＱ３２を介して低く引き下げる。ノード１３６に
おける低電圧は出力プルアップトランジスタＱ２３をタ
ーンオンする。出力データと出力データ・ノード１４０
が低いと、トランジスタＱ２９はノード１３８を、駆動
モードにあるトランジスタＱ３０とＱ３２を介して高く
引き上げる。ノード１３８における高電圧は出力プルダ
ウントランジスタＱ２０をターンオンする。
【００１６】出力プルダウン部はｎチャネルプルダウン
トランジスタＱ２０とｎチャネル・トランジスタＱ２１
で構成される。トランジスタＱ２１はプルダウントラン
ジスタＱ２０を過電圧から保護する。トランジスタＱ２
１のゲートはＶＣＣへ結合される。トランジスタＱ２１
のゲートがＶＣＣにあるから、トランジスタＱ２１はノ
ード１２２が約２Ｖ以上に上昇することを阻止する。そ
の結果、出力ノード１２０と１２２における最高電圧は
約３Ｖである（ノード１２０が別の装置により５Ｖへ駆
動される場合）。トランジスタＱ２１のゲート酸化物層
におけるノード１２０と１２４の間の最高電圧は３．３
Ｖ（ノード１２０が０Ｖの時）、または１．７Ｖである
（ノード１２０が５Ｖの時）。ノード１２２と１２４の
間の最高電圧は３．３Ｖである。
【００１７】出力プルアップ部はｐチャネル・トランジ
スタＱ２２と出力プルアップｐチャネル・トランジスタ
Ｑ２３と、ｐチャネル・トランジスタＱ２４とで構成さ
れる。トランジスタＱ２２のｎ井戸は、通常行われるＶ
ＣＣへ結合されるのではなく、浮動する。ｎ井戸１２６
がＶＣＣへ接続されるものとすると、出力ノード１２０
における電圧が５Ｖへ向かって上昇するにつれて、トラ
ンジスタＱ２２のドレインとｎ井戸の間のｐ−ｎ接合が
大きい電流を流させる。
【００１８】しかし、ｎ井戸１２６はＶＣＣへ接続され
ていないから、出力ノード１２０における電圧が５Ｖへ
向かって上昇するにつれてｎ井戸１２６における電圧は
ＶＣＣより高く上昇する。その結果、ｐチャネル・トラ
ンジスタＱ２２、Ｑ２３、Ｑ２４の接合分離は機能する
状態を保つ。この回路が出力ノード１２０において駆動
している時は、トランジスタＱ２４はｎ井戸１２６をＶ
ＣＣへ向けて駆動する。三状態モードにおいては、ｎ井
戸１２６はＶＣＣに止まり、またはノード１３４とｎ井
戸１２６の間のｐ−ｎ接合がノード１２６をＶＣＣマイ
ナス１ダイオード電圧降下へ駆動する。出力ノード１２
０における電圧レベルが高くなると、ｎ井戸１２６はノ
ード１２０における電圧マイナス１ダイオード電圧降下
へ駆動される。
【００１９】出力プルアップ制御回路はトランジスタＱ
２５とＱ２８で構成される。ノード１２０における電圧
が５Ｖになると、ｎ井戸１２６における電圧は４．５Ｖ
に達することがわかるであろう。その場合には、トラン
ジスタＱ２２は三状態モード中にターンオンすることが
ある。しかし、トランジスタＱ２５のゲートがＶＣＣへ
結合されているから、出力ノード１２０が５Ｖへ上昇す
るにつれてｐチャネル・トランジスタＱ２５はターンオ
ンする。トランジスタＱ２５はノード１２８をターンオ
ンし、出力ノード１２０の５Ｖレベルまで引き上げる。
ノード１２８における５ＶレベルはトランジスタＱ２２
がターンオンすることを阻止することにより、回路が三
状態モードに確実に留まるようにする。トランジスタＱ
２８はノード１２０からのノード１２８の充電を支援す
る。
【００２０】一対のｎチャネル・トランジスタＱ２６、
Ｑ２７により、出力ノード１２０とノード１２８におけ
る高電圧状態の後で三状態モードが取り消された時に、
トランジスタＱ２２は確実にターンオンされる。三状態
モードが取り消されると、信号ＯＥ１３０は高くなり、
信号ＯＥＢ１３２は低くなる。ＯＥ１３０における高電
圧はトランジスタＱ２７をターンオンし、ノード１２８
をターンオンされたトランジスタＱ２６を通じて引き下
げる。
【００２１】入力部はｐチャネル・トランジスタＱ３
５，Ｑ３７と、ｎチャネル・トランジスタＱ３６とで構
成される。トランジスタＱ３５は、ノード１２２におけ
る電圧が低い時に、入力データノード１４２における電
圧を引き上げる。トランジスタＱ３６は、ノード１２２
における電圧が高い時に、入力データノード１４２にお
ける電圧を引き下げる。トランジスタＱ２２の保護のた
めに、ノード１２２は限られた電圧の振れを持つ。ｐチ
ャネル・トランジスタＱ３７はノード１２２へ帰還する
ために結合される。トランジスタＱ３７はノード１２２
へ全ＶＣＣ電圧の振れを供給する。
【００２２】図３〜図５は電圧インタフェース回路の別
の実施例を示す。図示の回路はＶＣＣ電源電圧で動作す
る集積回路が、より高いＶＣＣ* 電圧の振れの回路また
はバスへ駆動することを可能にする。この実施例におい
ては、ＶＣＣは３．３Ｖにほぼ等しく、ＶＣＣ* は５Ｖ
に等しい。集積回路に含まれている全てのトランジスタ
はＶＣＣ電源電圧で動作するように構成されている。こ
の回路はＰbias部と、三状態制御を行う出力部と、入力
部とで構成される。ＶＣＣ電源電圧は集積回路のＶＣＣ
電源電圧ピンにより供給される。ＶＣＣ*電源電圧は電
圧増大回路により集積回路で発生できる。あるいは、Ｖ
ＣＣ* 電源電圧を集積回路のＶＣＣ* 電源電圧ピンを介
して供給できる。
【００２３】図３はＰbias部を示す。このＰbias部はＰ
bias電圧を発生する。Ｐbias部はｎチャネル・トランジ
スタＱ５９、Ｑ６１、Ｑ６２、Ｑ６３、Ｑ６４と、ｐチ
ャネル・トランジスタＱ５８、Ｑ６０とで構成される。
トランジスタＱ５８はＰbias部のための電流源である。
トランジスタＱ５９、Ｑ６０、Ｑ６２、Ｑ６４は電流源
により制御される電流ミラーである。Ｐbias部１５０の
電圧は電源電圧ＶＣＣと電源電圧ＶＣＣ* の差にほぼ等
しい。後で詳しく説明するように、Ｐbias部１５０は入
力部と出力部に含まれているトランジスタを保護するた
めに用いられる。
【００２４】図４はトランジスタＱ４０〜Ｑ５７で構成
された出力部を示す。三状態モードはＯＥ１８２とＯＥ
Ｂ１８０により決定される。ＯＥＢ１８０はＯＥ１８２
の補数である。この回路が三状態モードにあると、ＯＥ
１８２は低く、ＯＥＢ１８０は高い。出力部は集積回路
のピンのための出力データを出力データノード１６２に
受ける。出力部は出力ノードにおける出力データを駆動
する。
【００２５】ｎチャネル・トランジスタＱ５６はプルダ
ウンｎチャネル・トランジスタＱ５７を過電圧から保護
する。トランジスタＱ５６のゲートはノード１５２にお
けるＶＣＣへ結合される。出力ノード１７２における電
圧が５Ｖに達したとしても、トランジスタＱ５６はノー
ド１５８が約２Ｖ以上に上昇することを阻止する。その
結果、出力ノード１７２とノード１５８間の最高電圧は
約３Ｖである。出力ノード１７２とノード１５２間トラ
ンジスタＱ５６の最高ゲート酸化物層電圧は３．３Ｖ
（出力ノード１７２が０Ｖの時）、または１．７Ｖ（出
力ノード１７２が５Ｖの時）である。
【００２６】同様にして、ｐチャネル・トランジスタＱ
５５はｐチャネルプルアップトランジスタＱ５４を過電
圧から保護する。トランジスタＱ５５のゲートはＰbias
へ結合される。トランジスタＱ５５のゲートにおけるＰ
bias電圧レベルにより、トランジスタＱ５４、Ｑ５５の
ゲート酸化物層へ加えられる電圧を３．３Ｖ以下に維持
する。
【００２７】トランジスタＱ４０〜Ｑ５３は、出力デー
タノード１６２におけるＶＣＣ電圧の振れと出力データ
ノード１７２におけるＶＣＣ* 電圧の振れとの間の差レ
ベル変換器として機能する。出力データノード１６２に
おける高電圧はｎチャネル・トランジスタＱ４５、Ｑ５
２をターンオンしてノード１７４と１６８を引き下げ
る。出力データノード１６２における低電圧はｐチャネ
ル・トランジスタＱ４６、Ｑ４７をターンオンしてノー
ド１７４と１６８を引き上げる。ノード１７４における
高電圧はｎチャネル・トランジスタＱ４４をターンオン
する。その結果として電流がｐチャネル・トランジスタ
Ｑ４１とｎチャネル・トランジスタＱ４２を流れる。そ
うするとノード１６４における電圧が引き下げられる。
ノード１６４における低電圧はｐチャネル・トランジス
タＱ４８をターンオンさせる。
【００２８】トランジスタＱ４８とＱ５４をターンオフ
するために、トランジスタＱ４０とＱ４８はノード１６
４と１７０における電圧を回復させる。トランジスタＱ
４８がターンオンすると、トランジスタＱ４８を流れる
電流がトランジスタＱ４９、Ｑ５０、Ｑ５１に電流を流
させる。そうすると、ノード１６８は高くされる。ノー
ド１６８における高電圧はトランジスタＱ５７をターン
オンして出力ノード１７２を引き下げる。トランジスタ
Ｑ４８を流れる電流はノード１７０も高くする。ノード
１７０における高電圧レベルはトランジスタＱ５４をタ
ーンオフする。
【００２９】出力データノード１６２が高電圧になる
と、トランジスタＱ５２はターンオンしてノード１６８
を引き下げる。ノード１６８における低電圧はトランジ
スタＱ５７をターンオフする。ノード１７０がＶＣＣ*
より低い電圧になると、トランジスタＱ５４はターンオ
ンする。ノード１７０における低電圧はトランジスタＱ
４０もターンオンし、トランジスタＱ４８をターンオフ
する。
【００３０】図５は入力部を示す。この入力部はトラン
ジスタＱ５６〜Ｑ７１で構成される。入力はノード１５
６と１５８から取り出される。ｐチャネル・トランジス
タＱ６７、Ｑ６８と、ｎチャネル・トランジスタＱ６
９、Ｑ７０は、ノード１５６、１６８におけるＶＣＣ*
電圧の振れと、ノード１６０におけるＶＣＣ電圧の振れ
との間のレベル変換器として機能する。ｎチャネル・ト
ランジスタＱ６９はｎチャネルプルダウントランジスタ
Ｑ７０を保護する。トランジスタＱ６９のゲートはＶＣ
Ｃへ結合される。ｐチャネル・トランジスタＱ６８はｐ
チャネルプルアップトランジスタＱ６７を保護する。ト
ランジスタＱ６８のゲートはＰbias１５０へ結合され
る。
【００３１】ノード１５４における電圧が低い時は、ｐ
チャネル・トランジスタＱ６５は入力データノード１６
０における電圧を引き上げる。ノード１５４における電
圧が高い時は、トランジスタＱ６６は入力データノード
１６０における電圧を引き下げる。ｐチャネル・トラン
ジスタＱ７１はノード１５４へ帰還を行うために結合さ
れる。トランジスタＱ７１は全ＶＣＣ電圧の振れをノー
ド１５４へ供給する。
【図面の簡単な説明】
【図１】集積回路のための典型的な従来の入力／出力回
路と、高電圧を受けた時に破壊されやすいトランジスタ
を示す。
【図２】ＶＣＣ電源電圧で動作する集積回路をより高い
電圧環境へインタフェースするための電圧インタフェー
ス回路の一実施例を示す。
【図３】ＶＣＣ電源電圧で動作する集積回路がより高い
ＶＣＣ* 電圧の振れの回路またはバスを駆動できるよう
にする電圧インタフェース回路の一実施例を示す。
【図４】ＶＣＣ電源電圧で動作する集積回路がより高い
ＶＣＣ* 電圧の振れの回路またはバスを駆動できるよう
にする電圧インタフェース回路の別の実施例を示す。
【図５】ＶＣＣ電源電圧で動作する集積回路がより高い
ＶＣＣ* 電圧の振れの回路またはバスを駆動できるよう
にする電圧インタフェース回路の更に別の実施例を示
す。
【符号の説明】
Ｑ２１〜Ｑ３７，Ｑ４０〜Ｑ７０ ＭＯＳトランジスタ
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−77217（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−72618（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−69316（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−122318（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−149448（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−116316（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−226218（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−227170（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03K 19/003 - 19/0185 H03K 17/10 - 17/687

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１の電源電圧（ＶＣＣ）とその電圧よ
    り高い第２の電源電圧（ＶＣＣ*）へ結合され、ＶＣＣ*
    とＶＣＣの差にほぼ等しいバイアス信号を発生するバイ
    アス発生器回路と、 ＶＣＣ* にほぼ等しい電圧の振れを持つパッド・ノード
    へ結合され、パッド・ノードをＶＣＣ* 電圧の振れへ駆
    動し、前記バイアス信号を用いて集積回路をパッド・ノ
    ードのＶＣＣ* 電圧の振れから分離する出力回路と、 パッド・ノード上の電圧を検出し、前記バイアス信号を
    用いて集積回路をパッド・ノードのＶＣＣ* 電圧の振れ
    から分離する入力回路と、 を備える、第１の電源電圧で動作する集積回路用電圧イ
    ンタフェース回路。
  2. 【請求項２】 高い電圧の振れを持つパッド・ノードへ
    結合され、パッド・ノードを低い電圧へ駆動し、集積回
    路をパッド・ノードの高い電圧の振れから分離する出力
    プルダウン回路と、 パッド・ノードへ結合され、パッド・ノードを第１の電
    圧へ駆動し、集積回路をパッド・ノードの高い電圧の振
    れから分離する出力プルアップ回路と、 パッド・ノードへ結合され、出力プルアップ回路を高い
    電圧の振れおよび出力可能化信号に従って充電する出力
    プルアップ制御回路と、 パッド・ノード上の電圧を検出し、集積回路をパッド・
    ノードの高い電圧の振れから分離する入力回路と、 を備える、高い電圧の振れから集積回路を保護する電圧
    インタフェース回路。
  3. 【請求項３】 第１の電源電圧（ＶＣＣ）とその電圧よ
    り高い第２の電源電圧（ＶＣＣ* ）の差にほぼ等しいバ
    イアス信号を発生する過程と、 パッド・ノードをＶＣＣ* 電圧の振れへ駆動し、その間
    にバイアス信号を用いて集積回路をパッド・ノードのＶ
    ＣＣ* 電圧の振れから分離する過程と、 パッド・ノード上の電圧を検出し、その間にバイアス信
    号を用いて集積回路をパッド・ノードのＶＣＣ* 電圧の
    振れから分離する過程と、 を備える、第１の電源電圧（ＶＣＣ）で動作する集積回
    路をインタフェースする方法。
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