JP3439593B2 - ＳｉＣ製ショットキーバリアダイオードの製造方法 - Google Patents
ＳｉＣ製ショットキーバリアダイオードの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高電圧・大電流を
扱う電力用半導体素子または高温・放射線環境下で使用
する耐環境用半導体素子として利用されるＳｉＣ半導体
において、優れた整流特性を有するＳｉＣ製ショットキ
ーバリアダイオードの製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】ショットキーバリアダイオードは、半導
体表面に金属を接触させるという簡単な構成で整流特性
を得られるという特徴があり、実用素子として用いられ
るほか半導体の材料評価用素子としても用いられてい
る。しかし、ショットキーバリアダイオードにおいては
金属／半導体界面の清浄度がダイオード特性向上の上で
重要であることがＥ．Ｈ．Ｒｈｏｄｅｒｉｃｋ(”Metal
-semiconductor contacts”, Oxford University Press
1978, pp.121〜125 )により報告されている。Ｓｉまた
はＧａＡｓ系半導体の場合には半導体をエッチングする
エッチング溶液が存在しショットキー電極形成直前に該
半導体表面をエッチングし半導体の清浄表面を得ること
ができるので、金属／半導体界面の清浄度を容易に保つ
ことができる。一方、ＳｉＣの場合には適当なエッチン
グ溶液が存在しないため、金属／半導体界面の清浄度維
持が困難であり、ショットキーバリアダイオードの特性
向上の妨げになっていた。 【０００３】ＳｉＣ上のショットキーバリアダイオード
作製方法については、Ｙ．Ｇ．Ｚｈａｎｇら（”Charac
terization of Schottky Contacts on N Type 6H-Si
C”, Int’l Conf. on SiC and Reiated Marerials, Ky
oto,Japan,1995 ）がメタルマスクを用いた作製方法を
技術開示している。Ｙ．Ｇ．Ｚｈａｎｇらは、まず試料
裏面にＮｉ／Ａｕからなるオーミック電極を形成し、そ
の後試料表面にマスクを通してショットキー電極を蒸着
している。しかしながら、本方法ではＳｉＣとマスクの
接触が避けられず、マスクとの接触によるＳｉＣ表面の
ダメージやパーティクルの発生により金属／半導体界面
の清浄度維持が困難であるため、作製したショットキー
バリアダイオードの特性はｎ値が理想的な値１に比べは
るかに大きいほか、逆バイアス下のリーク電流が引加電
圧に対して片対数的に増加しており、Ｓｉなどの他半導
体製のダイオードと比べＳｉＣ製ショットキーバリアダ
イオードの特性ははるかに劣っている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の目的
は、順方向バイアス下のｎ値をダイオードの理想値１す
るとともに逆バイアス下のリーク電流を低減し、順・逆
バイアス領域での整流特性を改善することができるＳｉ
Ｃ製ショットキーバリアダイオードの製造方法を提供す
ることである。 【０００５】 【課題を解決するための手段】本発明の製造方法は、シ
ョットキー電極作製部位を予めＳｉＣを熱酸化すること
によって得られる自己酸化膜である絶縁性薄膜で保護し
た後、同一フォトレジストパターンを用いて該膜の除去
およびショットキー電極の形成を連続して行い、ＳｉＣ
の清浄表面上にショットキー電極を作製するものであ
る。 【０００６】すなわち本発明は、ＳｉＣ製ショットキー
バリアダイオードを製造する方法において、ＳｉＣ表面
にＳｉＣを熱酸化することによって得られる自己酸化膜
によって絶縁性薄膜を形成する工程と、該絶縁性薄膜上
にフォトレジストを塗布し電極形状をパターニングしレ
ジストのパターニング部を除去する工程と、パターニン
グされた部分の前記絶縁性薄膜を除去する工程と、電極
を形成する工程と、残ったレジストおよびその上に付着
した電極材料を除去する工程と、該電極上にフォトレジ
ストを塗布し電極形状をパターニングしレジストのパタ
ーニング部を除去する工程と、該電極上に第２の電極を
形成する工程と、残ったレジストおよびその上に付着し
た電極材料を除去する工程と、裏面に電極を形成する工
程と、からなることを特徴とするＳｉＣ製ショットキー
バリアダイオードを製造する方法である。 【０００７】これにより、ショットキー電極／ＳｉＣ界
面の清浄度を高め理想的な金属と半導体の接触を実現す
ることにができ、整流特性に優れたショットキーバリア
ダイオードを作製する。なお、同一フォトレジストを用
いて複数のプロセスを連続して行う手法は、従来Ｓｉあ
るいはＧａＡｓ素子の微細な構造作成において用いられ
ているが、これは合わせマークを用いたフォトマスク合
わせでは所望の合わせ精度が得られないためである。 【０００８】 【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を工程順に
図面を用いて説明する。図１は後述する実施例を工程順
に示す図面であり、この図面を参照して一実施の形態を
説明する。 【０００９】第１工程 図１（ａ）に示すように、Ｓｉ
Ｃ基板１表面にＳｉＯ２をはじめとする絶縁性薄膜２を
形成する。ショットキー電極／ＳｉＣ界面の清浄度を高
める観点から、ＳｉＣを熱酸化することによって得られ
る自己酸化膜が最も望ましい。 【００１０】第２工程 図１（ｃ）に示すように、フォ
トレジスト４を試料表面に塗布した後、ショットキー電
極を形成する場所のフォトレジスト４を露光・現像処理
により除去する。 【００１１】第３工程 図１（ｄ）に示すように、前記
第２工程で形成したフォトレジスト４を用いて、前記第
１工程で形成した絶縁性薄膜２のうちショットキーバリ
アダイオードを作製する部位をウェットエッチングまた
はドライエッチングで除去する。絶縁性薄膜を除去する
に当たり、ＳｉＣ基板１表面にエッチングダメージを与
えないという観点から、ウェットエッチングによる除去
が最も望ましい。 【００１２】第４工程 図１（ｅ）に示すように、前記
第２工程で形成したフォトレジスト４をそのまま利用し
て、ショットキー電極用金属膜５を形成する。前記第３
工程で表面に露出したＳｉＣ表面にダメージを与えない
という観点から、熱蒸着法によりショットキー電極用金
属膜５を形成するのが最も望ましい。 【００１３】第５工程 図１（ｆ）に示すように、前記
第２工程で形成したフォトレジストを除去しショットキ
ー電極を形成する場所以外の金属膜５を除去する。 【００１４】第６工程 図１（ｇ）に示すように、フォ
トレジスト４を試料表面に塗布した後、前記第５工程で
形成したショットキー電極直上のフォトレジスト４を露
光・現像処理により除去する。 【００１５】第７工程 図１（ｈ）に示すように、金属
膜５を形成し、前記第５工程のショットキー電極を絶縁
性薄膜２上まで伸展しコンタクト電極とする。 【００１６】第８工程 図１（ｉ）に示すように、前記
第６工程で形成したフォトレジストを除去し不要な金属
膜を除去する。 【００１７】本発明によれば、ショットキー電極形成の
直前までＳｉＣ表面を絶縁性薄膜で保護することが可能
となり清浄なショットキー電極／ＳｉＣ界面を実現でき
るので、順バイアス下でｎ値＝１、逆バイアス下でリー
ク電流の少ないショットキーバリアダイオード作製が可
能となる。 【００１８】 【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。実施例においては、ショットキー電極／ＳｉＣ界面
の清浄度を保つという点で本発明に比べ劣っている工程
を対照例として例示し、本発明と対比させながら本発明
の有効性を具体的に示す。 【００１９】実施例においては、絶縁性薄膜としてＳｉ
Ｃを熱酸化して得られる自己酸化膜を用い、また、ショ
ットキー電極用金属としてＡｕを用い、熱蒸着法により
Ａｕ薄膜を形成した。ショットキーバリアダイオード作
製に用いた試料はｎ型６Ｈ−ＳｉＣ、キャリア濃度３Ｅ
１７／ｃｍ３で、Ｃａｒｂｏｎ面上にショットキーバリ
アダイオードを作製した。 【００２０】実施例の工程を図１に示し、図面を参照し
ながら本発明によるショットキーバリアダイオード作製
工程を工程順に説明する。 【００２１】（１） 熱酸化による絶縁性薄膜の形成 図１（ａ）に示すように、熱酸化雰囲気としてｗｅｔＯ
２を用い、温度１１５０℃にて、ＳｉＣ基板１表面の熱
酸化を行う。該酸化雰囲気は露点９０℃相当の水蒸気分
圧を持つ。酸化時間は３時間である。本熱酸化によりＳ
ｉＣのＣａｒｂｏｎ面上に膜厚５００ｎｍの酸化膜（絶
縁性薄膜）２を形成する。 【００２２】（２） 裏面オーミックコンタクトの形成 図１（ｂ）に示すように、ＳｉＣ基板１裏面の熱酸化膜
２をＢＨＦ溶液（Ｂｕｆｆｅｒｅｄ フッ酸）にて除去
する。ＢＨＦ溶液の組成は５０％フッ酸：４０％フッ化
アンモニウム水溶液＝１：９で、本溶液を用いて７分の
エッチングを行い熱酸化膜を完全に除去しＳｉＣ表面を
露出させる。その後、膜厚３００ｎｍのＮｉを蒸着し、
真空中で１０５０℃、３０分熱処理を行い、オーミック
電極３を形成する。 【００２３】（３） フォトレジストによるショットキ
ーバリアダイオード形状のパターンニング 図１（ｃ）に示すように、ＳｉＣ基板１の熱酸化膜２上
にポジ型フォトレジスト４を塗布した後ショットキーバ
リアダイオードを作製する部位のフォトレジスト４を露
光・現像処理により除去する。 【００２４】（４） 熱酸化膜の除去 図１（ｄ）に示すように、ショットキーバリアダイオー
ドを作製する部位の熱酸化膜２をＢＨＦ溶液にて７分間
エッチングを行い熱酸化膜２を除去し、ＳｉＣ基板１表
面を露出させる。エッチング後、純水のオーバーフロー
リンスにて１０分間水洗を行い残留ＢＨＦ溶液を洗い流
す。 【００２５】（５） Ａｕの蒸着 図１（ｅ）に示すように、熱酸化膜２の除去に用いたフ
ォトレジスト４をそのままにして試料全面にＡｕを蒸着
し、ショットキー電極となるＡｕ膜５を形成する。Ａｕ
膜の厚さは３００ｎｍである。 【００２６】（６） 不要なＡｕ膜の除去 図１（ｆ）に示すように、試料をフォトレジスト４が溶
解するアセトンに浸漬し、フォトレジスト４および同レ
ジスト上のＡｕ膜５を除去してＡｕ電極５１を形成す
る。不要なＡｕ膜５を除去した後純水のオーバーフロー
リンスにて１０分間水洗を行い残留アセトンを洗い流
す。 【００２７】（７） フォトレジストによるコンタクト
電極形状のパターンニング 図１（ｇ）に示すように、ポジ型フォトレジスト４を塗
布した後、前記工程（５）で作製したＡｕ電極５１の直
上に位置するフォトレジストを露光・現像処理によって
除去する。 【００２８】（８） Ａｕの蒸着 図１（ｈ）に示すように、試料全面にＡｕを蒸着し、コ
ンタクト電極となるＡｕ膜６を形成する。Ａｕ膜の厚さ
は５００ｎｍである。 【００２９】（９） 不要なＡｕ膜の除去 図１（ｉ）に示すように、試料をフォトレジスト４が溶
解するアセトンに浸漬し、フォトレジスト４および同レ
ジスト上のＡｕ膜６を除去してコンタクト電極６１を形
成する。不要なＡｕ膜６を除去した後純水のオーバーフ
ローリンスにて１０分間水洗を行い残留アセトンを洗い
流す。 【００３０】なお、本実施例においてコンタクト電極６
１としてＡｕを用いたが、Ａｌなどの他の金属材料を用
いてもよい。異種金属を積層して用いる場合には必要に
応じて層間に金属の相互拡散防止のため拡散バリア層を
挿入することは言うまでもない。 【００３１】次に、同一のフォトレジストパターンを用
いて熱酸化膜の除去とＡｕの蒸着を連続して行うことを
特徴とする本発明の方法の対照例として、別々のフォト
レジストパターンにより行うショットキーバリアダイオ
ード作製の従来方法の工程を図２を参照して説明する。
以下、工程順に説明する。 【００３２】（１）〜（４）（図２（ａ）〜図２
（ｄ））までの工程は、前述した本発明を適用したもの
と同様であるのでその説明を省略する。 【００３３】（５） フォトレジストの除去 図２（ｅ）に示すように、試料をフォトレジスト４を溶
解するアセトンに浸漬し、熱酸化膜２の除去用のフォト
レジスト４を取り去る。その後純水のオーバーフローリ
ンスにて１０分間水洗を行い残留アセトンを洗い流す。 【００３４】（６） フォトレジストによるショットキ
ー電極形状のパターンニング 図２（ｆ）に示すように、ポジ型フォトレジスト４を再
び塗布した後、前記工程（４）で作製したＳｉＣ露出部
分の直上に位置するフォトレジスト４を露光・現像処理
によって除去する。 【００３５】（７） ショットキー電極となるＡｕの蒸
着 図２（ｇ）に示すように、試料全面にＡｕを蒸着する。
Ａｕ膜７の厚さは８００ｎｍである。 【００３６】（８） 不要なＡｕ膜の除去 図２（ｈ）に示すように、試料をフォトレジスト４を溶
解するアセトンに浸漬し、フォトレジスト４および同レ
ジスト上のＡｕ膜７を除去してＡｕ電極７１を形成す
る。不要なＡｕ膜を除去した後、純水のオーバーフロー
リンスにて１０分間水洗を行い残留アセトンを洗い流
す。 【００３７】図３は本発明の工程（４）終了直後の露出
ＳｉＣ表面を、また、図４は対照例の工程（６）終了直
後の露出ＳｉＣ表面をＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass S
pectroscopy ）法により分析した結果を示している。な
お、ＳＩＭＳ分析に当たってはＣｓ+ イオンを用いた。
図４から判るように対照例の工程ではショットキー電極
形成直前のＳｉＣ表面にＣａｒｂｏｎのピークが見られ
フォトレジストまたは現像液に由来すると推察される有
機系の残留物の存在が確認された。一方、図３から判る
ように本発明の工程ではショットキー電極形成直前のＳ
ｉＣ表面にＣａｒｂｏｎのピークは見られずＳｉＣの清
浄表面が得られている。このことから、本発明と対照例
の間にはショットキー電極形成直前のＳｉＣ表面の清浄
度の点で大きな差異がある。 【００３８】本発明の製造方法で作製したショットキー
バリアダイオードの順バイアス下の電流−電圧特性を図
５に示す。該ショットキーバリアダイオードのｎ値は
１．０１であり、理想的なｎ値を示している。一方、従
来法の工程で作製したショットキーバリアダイオードの
順バイアス下の電流−電圧特性は図６に示す通りであ
り、該ショットキーバリアダイオードのｎ値は１．６で
あり、理想値１から大きくずれている。 【００３９】次に、本ショットキーバリアダイオードの
逆バイアス下の電流−電圧特性を図７に、また、従来法
の作製したショットキーバリアダイオードの逆バイアス
下の電流−電圧特性を図８に示す。従来法のショットキ
ーバリアダイオードは本発明のショットキーバリアダイ
オードと比べブレークダウン電圧よりはるかに小さい逆
バイアス電圧領域から漏れ電流が顕著に増大しているの
に対して、本発明のショットキーバリアダイオードはブ
レークダウン直前まで漏れ電流はほとんど増加せず良好
な逆バイアス下の電流−電圧特性を示している。図３か
ら図８に示した評価結果から、熱酸化膜の除去とショッ
トキー電極の蒸着を連続して行いショットキー電極／Ｓ
ｉＣ界面の清浄度を保つことがショットキーバリアダイ
オードの整流特性向上に当たり重要であることがわか
る。 【００４０】以上で述べたように、本発明が提供するシ
ョットキーバリアダイオード製造方法、すなわち、ショ
ットキー電極作製部位を絶縁性薄膜で保護する工程と同
一フォトレジストパターンにて該膜の除去およびショッ
トキー電極の形成を連続して行う工程による本発明のダ
イオード作製方法によれば、ＳｉＣ製ショットキーバリ
アダイオードの整流特性の改善が可能となる。 【００４１】 【発明の効果】本発明によりＳｉＣ製ショットキーバリ
アダイオードにおいて、（１）ｎ値＝１の順方向バイア
ス下の特性と、（２）逆バイアス下のリーク電流の低減
とが実現され、実用ＳｉＣ製ショットキーバリアダイオ
ードの作製が可能となる。
扱う電力用半導体素子または高温・放射線環境下で使用
する耐環境用半導体素子として利用されるＳｉＣ半導体
において、優れた整流特性を有するＳｉＣ製ショットキ
ーバリアダイオードの製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】ショットキーバリアダイオードは、半導
体表面に金属を接触させるという簡単な構成で整流特性
を得られるという特徴があり、実用素子として用いられ
るほか半導体の材料評価用素子としても用いられてい
る。しかし、ショットキーバリアダイオードにおいては
金属／半導体界面の清浄度がダイオード特性向上の上で
重要であることがＥ．Ｈ．Ｒｈｏｄｅｒｉｃｋ(”Metal
-semiconductor contacts”, Oxford University Press
1978, pp.121〜125 )により報告されている。Ｓｉまた
はＧａＡｓ系半導体の場合には半導体をエッチングする
エッチング溶液が存在しショットキー電極形成直前に該
半導体表面をエッチングし半導体の清浄表面を得ること
ができるので、金属／半導体界面の清浄度を容易に保つ
ことができる。一方、ＳｉＣの場合には適当なエッチン
グ溶液が存在しないため、金属／半導体界面の清浄度維
持が困難であり、ショットキーバリアダイオードの特性
向上の妨げになっていた。 【０００３】ＳｉＣ上のショットキーバリアダイオード
作製方法については、Ｙ．Ｇ．Ｚｈａｎｇら（”Charac
terization of Schottky Contacts on N Type 6H-Si
C”, Int’l Conf. on SiC and Reiated Marerials, Ky
oto,Japan,1995 ）がメタルマスクを用いた作製方法を
技術開示している。Ｙ．Ｇ．Ｚｈａｎｇらは、まず試料
裏面にＮｉ／Ａｕからなるオーミック電極を形成し、そ
の後試料表面にマスクを通してショットキー電極を蒸着
している。しかしながら、本方法ではＳｉＣとマスクの
接触が避けられず、マスクとの接触によるＳｉＣ表面の
ダメージやパーティクルの発生により金属／半導体界面
の清浄度維持が困難であるため、作製したショットキー
バリアダイオードの特性はｎ値が理想的な値１に比べは
るかに大きいほか、逆バイアス下のリーク電流が引加電
圧に対して片対数的に増加しており、Ｓｉなどの他半導
体製のダイオードと比べＳｉＣ製ショットキーバリアダ
イオードの特性ははるかに劣っている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の目的
は、順方向バイアス下のｎ値をダイオードの理想値１す
るとともに逆バイアス下のリーク電流を低減し、順・逆
バイアス領域での整流特性を改善することができるＳｉ
Ｃ製ショットキーバリアダイオードの製造方法を提供す
ることである。 【０００５】 【課題を解決するための手段】本発明の製造方法は、シ
ョットキー電極作製部位を予めＳｉＣを熱酸化すること
によって得られる自己酸化膜である絶縁性薄膜で保護し
た後、同一フォトレジストパターンを用いて該膜の除去
およびショットキー電極の形成を連続して行い、ＳｉＣ
の清浄表面上にショットキー電極を作製するものであ
る。 【０００６】すなわち本発明は、ＳｉＣ製ショットキー
バリアダイオードを製造する方法において、ＳｉＣ表面
にＳｉＣを熱酸化することによって得られる自己酸化膜
によって絶縁性薄膜を形成する工程と、該絶縁性薄膜上
にフォトレジストを塗布し電極形状をパターニングしレ
ジストのパターニング部を除去する工程と、パターニン
グされた部分の前記絶縁性薄膜を除去する工程と、電極
を形成する工程と、残ったレジストおよびその上に付着
した電極材料を除去する工程と、該電極上にフォトレジ
ストを塗布し電極形状をパターニングしレジストのパタ
ーニング部を除去する工程と、該電極上に第２の電極を
形成する工程と、残ったレジストおよびその上に付着し
た電極材料を除去する工程と、裏面に電極を形成する工
程と、からなることを特徴とするＳｉＣ製ショットキー
バリアダイオードを製造する方法である。 【０００７】これにより、ショットキー電極／ＳｉＣ界
面の清浄度を高め理想的な金属と半導体の接触を実現す
ることにができ、整流特性に優れたショットキーバリア
ダイオードを作製する。なお、同一フォトレジストを用
いて複数のプロセスを連続して行う手法は、従来Ｓｉあ
るいはＧａＡｓ素子の微細な構造作成において用いられ
ているが、これは合わせマークを用いたフォトマスク合
わせでは所望の合わせ精度が得られないためである。 【０００８】 【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を工程順に
図面を用いて説明する。図１は後述する実施例を工程順
に示す図面であり、この図面を参照して一実施の形態を
説明する。 【０００９】第１工程 図１（ａ）に示すように、Ｓｉ
Ｃ基板１表面にＳｉＯ２をはじめとする絶縁性薄膜２を
形成する。ショットキー電極／ＳｉＣ界面の清浄度を高
める観点から、ＳｉＣを熱酸化することによって得られ
る自己酸化膜が最も望ましい。 【００１０】第２工程 図１（ｃ）に示すように、フォ
トレジスト４を試料表面に塗布した後、ショットキー電
極を形成する場所のフォトレジスト４を露光・現像処理
により除去する。 【００１１】第３工程 図１（ｄ）に示すように、前記
第２工程で形成したフォトレジスト４を用いて、前記第
１工程で形成した絶縁性薄膜２のうちショットキーバリ
アダイオードを作製する部位をウェットエッチングまた
はドライエッチングで除去する。絶縁性薄膜を除去する
に当たり、ＳｉＣ基板１表面にエッチングダメージを与
えないという観点から、ウェットエッチングによる除去
が最も望ましい。 【００１２】第４工程 図１（ｅ）に示すように、前記
第２工程で形成したフォトレジスト４をそのまま利用し
て、ショットキー電極用金属膜５を形成する。前記第３
工程で表面に露出したＳｉＣ表面にダメージを与えない
という観点から、熱蒸着法によりショットキー電極用金
属膜５を形成するのが最も望ましい。 【００１３】第５工程 図１（ｆ）に示すように、前記
第２工程で形成したフォトレジストを除去しショットキ
ー電極を形成する場所以外の金属膜５を除去する。 【００１４】第６工程 図１（ｇ）に示すように、フォ
トレジスト４を試料表面に塗布した後、前記第５工程で
形成したショットキー電極直上のフォトレジスト４を露
光・現像処理により除去する。 【００１５】第７工程 図１（ｈ）に示すように、金属
膜５を形成し、前記第５工程のショットキー電極を絶縁
性薄膜２上まで伸展しコンタクト電極とする。 【００１６】第８工程 図１（ｉ）に示すように、前記
第６工程で形成したフォトレジストを除去し不要な金属
膜を除去する。 【００１７】本発明によれば、ショットキー電極形成の
直前までＳｉＣ表面を絶縁性薄膜で保護することが可能
となり清浄なショットキー電極／ＳｉＣ界面を実現でき
るので、順バイアス下でｎ値＝１、逆バイアス下でリー
ク電流の少ないショットキーバリアダイオード作製が可
能となる。 【００１８】 【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。実施例においては、ショットキー電極／ＳｉＣ界面
の清浄度を保つという点で本発明に比べ劣っている工程
を対照例として例示し、本発明と対比させながら本発明
の有効性を具体的に示す。 【００１９】実施例においては、絶縁性薄膜としてＳｉ
Ｃを熱酸化して得られる自己酸化膜を用い、また、ショ
ットキー電極用金属としてＡｕを用い、熱蒸着法により
Ａｕ薄膜を形成した。ショットキーバリアダイオード作
製に用いた試料はｎ型６Ｈ−ＳｉＣ、キャリア濃度３Ｅ
１７／ｃｍ３で、Ｃａｒｂｏｎ面上にショットキーバリ
アダイオードを作製した。 【００２０】実施例の工程を図１に示し、図面を参照し
ながら本発明によるショットキーバリアダイオード作製
工程を工程順に説明する。 【００２１】（１） 熱酸化による絶縁性薄膜の形成 図１（ａ）に示すように、熱酸化雰囲気としてｗｅｔＯ
２を用い、温度１１５０℃にて、ＳｉＣ基板１表面の熱
酸化を行う。該酸化雰囲気は露点９０℃相当の水蒸気分
圧を持つ。酸化時間は３時間である。本熱酸化によりＳ
ｉＣのＣａｒｂｏｎ面上に膜厚５００ｎｍの酸化膜（絶
縁性薄膜）２を形成する。 【００２２】（２） 裏面オーミックコンタクトの形成 図１（ｂ）に示すように、ＳｉＣ基板１裏面の熱酸化膜
２をＢＨＦ溶液（Ｂｕｆｆｅｒｅｄ フッ酸）にて除去
する。ＢＨＦ溶液の組成は５０％フッ酸：４０％フッ化
アンモニウム水溶液＝１：９で、本溶液を用いて７分の
エッチングを行い熱酸化膜を完全に除去しＳｉＣ表面を
露出させる。その後、膜厚３００ｎｍのＮｉを蒸着し、
真空中で１０５０℃、３０分熱処理を行い、オーミック
電極３を形成する。 【００２３】（３） フォトレジストによるショットキ
ーバリアダイオード形状のパターンニング 図１（ｃ）に示すように、ＳｉＣ基板１の熱酸化膜２上
にポジ型フォトレジスト４を塗布した後ショットキーバ
リアダイオードを作製する部位のフォトレジスト４を露
光・現像処理により除去する。 【００２４】（４） 熱酸化膜の除去 図１（ｄ）に示すように、ショットキーバリアダイオー
ドを作製する部位の熱酸化膜２をＢＨＦ溶液にて７分間
エッチングを行い熱酸化膜２を除去し、ＳｉＣ基板１表
面を露出させる。エッチング後、純水のオーバーフロー
リンスにて１０分間水洗を行い残留ＢＨＦ溶液を洗い流
す。 【００２５】（５） Ａｕの蒸着 図１（ｅ）に示すように、熱酸化膜２の除去に用いたフ
ォトレジスト４をそのままにして試料全面にＡｕを蒸着
し、ショットキー電極となるＡｕ膜５を形成する。Ａｕ
膜の厚さは３００ｎｍである。 【００２６】（６） 不要なＡｕ膜の除去 図１（ｆ）に示すように、試料をフォトレジスト４が溶
解するアセトンに浸漬し、フォトレジスト４および同レ
ジスト上のＡｕ膜５を除去してＡｕ電極５１を形成す
る。不要なＡｕ膜５を除去した後純水のオーバーフロー
リンスにて１０分間水洗を行い残留アセトンを洗い流
す。 【００２７】（７） フォトレジストによるコンタクト
電極形状のパターンニング 図１（ｇ）に示すように、ポジ型フォトレジスト４を塗
布した後、前記工程（５）で作製したＡｕ電極５１の直
上に位置するフォトレジストを露光・現像処理によって
除去する。 【００２８】（８） Ａｕの蒸着 図１（ｈ）に示すように、試料全面にＡｕを蒸着し、コ
ンタクト電極となるＡｕ膜６を形成する。Ａｕ膜の厚さ
は５００ｎｍである。 【００２９】（９） 不要なＡｕ膜の除去 図１（ｉ）に示すように、試料をフォトレジスト４が溶
解するアセトンに浸漬し、フォトレジスト４および同レ
ジスト上のＡｕ膜６を除去してコンタクト電極６１を形
成する。不要なＡｕ膜６を除去した後純水のオーバーフ
ローリンスにて１０分間水洗を行い残留アセトンを洗い
流す。 【００３０】なお、本実施例においてコンタクト電極６
１としてＡｕを用いたが、Ａｌなどの他の金属材料を用
いてもよい。異種金属を積層して用いる場合には必要に
応じて層間に金属の相互拡散防止のため拡散バリア層を
挿入することは言うまでもない。 【００３１】次に、同一のフォトレジストパターンを用
いて熱酸化膜の除去とＡｕの蒸着を連続して行うことを
特徴とする本発明の方法の対照例として、別々のフォト
レジストパターンにより行うショットキーバリアダイオ
ード作製の従来方法の工程を図２を参照して説明する。
以下、工程順に説明する。 【００３２】（１）〜（４）（図２（ａ）〜図２
（ｄ））までの工程は、前述した本発明を適用したもの
と同様であるのでその説明を省略する。 【００３３】（５） フォトレジストの除去 図２（ｅ）に示すように、試料をフォトレジスト４を溶
解するアセトンに浸漬し、熱酸化膜２の除去用のフォト
レジスト４を取り去る。その後純水のオーバーフローリ
ンスにて１０分間水洗を行い残留アセトンを洗い流す。 【００３４】（６） フォトレジストによるショットキ
ー電極形状のパターンニング 図２（ｆ）に示すように、ポジ型フォトレジスト４を再
び塗布した後、前記工程（４）で作製したＳｉＣ露出部
分の直上に位置するフォトレジスト４を露光・現像処理
によって除去する。 【００３５】（７） ショットキー電極となるＡｕの蒸
着 図２（ｇ）に示すように、試料全面にＡｕを蒸着する。
Ａｕ膜７の厚さは８００ｎｍである。 【００３６】（８） 不要なＡｕ膜の除去 図２（ｈ）に示すように、試料をフォトレジスト４を溶
解するアセトンに浸漬し、フォトレジスト４および同レ
ジスト上のＡｕ膜７を除去してＡｕ電極７１を形成す
る。不要なＡｕ膜を除去した後、純水のオーバーフロー
リンスにて１０分間水洗を行い残留アセトンを洗い流
す。 【００３７】図３は本発明の工程（４）終了直後の露出
ＳｉＣ表面を、また、図４は対照例の工程（６）終了直
後の露出ＳｉＣ表面をＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass S
pectroscopy ）法により分析した結果を示している。な
お、ＳＩＭＳ分析に当たってはＣｓ+ イオンを用いた。
図４から判るように対照例の工程ではショットキー電極
形成直前のＳｉＣ表面にＣａｒｂｏｎのピークが見られ
フォトレジストまたは現像液に由来すると推察される有
機系の残留物の存在が確認された。一方、図３から判る
ように本発明の工程ではショットキー電極形成直前のＳ
ｉＣ表面にＣａｒｂｏｎのピークは見られずＳｉＣの清
浄表面が得られている。このことから、本発明と対照例
の間にはショットキー電極形成直前のＳｉＣ表面の清浄
度の点で大きな差異がある。 【００３８】本発明の製造方法で作製したショットキー
バリアダイオードの順バイアス下の電流−電圧特性を図
５に示す。該ショットキーバリアダイオードのｎ値は
１．０１であり、理想的なｎ値を示している。一方、従
来法の工程で作製したショットキーバリアダイオードの
順バイアス下の電流−電圧特性は図６に示す通りであ
り、該ショットキーバリアダイオードのｎ値は１．６で
あり、理想値１から大きくずれている。 【００３９】次に、本ショットキーバリアダイオードの
逆バイアス下の電流−電圧特性を図７に、また、従来法
の作製したショットキーバリアダイオードの逆バイアス
下の電流−電圧特性を図８に示す。従来法のショットキ
ーバリアダイオードは本発明のショットキーバリアダイ
オードと比べブレークダウン電圧よりはるかに小さい逆
バイアス電圧領域から漏れ電流が顕著に増大しているの
に対して、本発明のショットキーバリアダイオードはブ
レークダウン直前まで漏れ電流はほとんど増加せず良好
な逆バイアス下の電流−電圧特性を示している。図３か
ら図８に示した評価結果から、熱酸化膜の除去とショッ
トキー電極の蒸着を連続して行いショットキー電極／Ｓ
ｉＣ界面の清浄度を保つことがショットキーバリアダイ
オードの整流特性向上に当たり重要であることがわか
る。 【００４０】以上で述べたように、本発明が提供するシ
ョットキーバリアダイオード製造方法、すなわち、ショ
ットキー電極作製部位を絶縁性薄膜で保護する工程と同
一フォトレジストパターンにて該膜の除去およびショッ
トキー電極の形成を連続して行う工程による本発明のダ
イオード作製方法によれば、ＳｉＣ製ショットキーバリ
アダイオードの整流特性の改善が可能となる。 【００４１】 【発明の効果】本発明によりＳｉＣ製ショットキーバリ
アダイオードにおいて、（１）ｎ値＝１の順方向バイア
ス下の特性と、（２）逆バイアス下のリーク電流の低減
とが実現され、実用ＳｉＣ製ショットキーバリアダイオ
ードの作製が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明によるショットキーバリアダイオー
ド作製工程を断面図で示したものである。 【図２】 従来法によるショットキーバリアダイオー
ド作製工程を断面図で示したものある。 【図３】 本発明の工程において、ショットキー電極
形成直前のＳｉＣ表面のＳＩＭＳ分析結果である。 【図４】 従来法の工程において、ショットキー電極
形成直前のＳｉＣ表面のＳＩＭＳ分析結果である。 【図５】 本発明により作製したショットキーバリア
ダイオードの順方向バイアス下の電流−電圧特性であ
る。 【図６】 対照例により作製したショットキーバリア
ダイオードの順方向バイアス下の電流−電圧特性であ
る。 【図７】 本発明により作製したショットキーバリア
ダイオードの逆方向バイアス下の電流−電圧特性であ
る。 【図８】 対照例により作製したショットキーバリア
ダイオードの逆方向バイアス下の電流−電圧特性であ
る。 【符号の説明】 １・・・ＳｉＣ単結晶基板 ２・・・熱酸化膜 ３・・・Ｎｉ製オーミックコンタクト ４・・・ポジ型フォトレジスト ５１・・・Ａｕ電極
ド作製工程を断面図で示したものである。 【図２】 従来法によるショットキーバリアダイオー
ド作製工程を断面図で示したものある。 【図３】 本発明の工程において、ショットキー電極
形成直前のＳｉＣ表面のＳＩＭＳ分析結果である。 【図４】 従来法の工程において、ショットキー電極
形成直前のＳｉＣ表面のＳＩＭＳ分析結果である。 【図５】 本発明により作製したショットキーバリア
ダイオードの順方向バイアス下の電流−電圧特性であ
る。 【図６】 対照例により作製したショットキーバリア
ダイオードの順方向バイアス下の電流−電圧特性であ
る。 【図７】 本発明により作製したショットキーバリア
ダイオードの逆方向バイアス下の電流−電圧特性であ
る。 【図８】 対照例により作製したショットキーバリア
ダイオードの逆方向バイアス下の電流−電圧特性であ
る。 【符号の説明】 １・・・ＳｉＣ単結晶基板 ２・・・熱酸化膜 ３・・・Ｎｉ製オーミックコンタクト ４・・・ポジ型フォトレジスト ５１・・・Ａｕ電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 星野 泰三
神奈川県川崎市中原区井田1618番地 新
日本製鐵株式会社 技術開発本部内
(56)参考文献 特開 昭54−140884（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−265146（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 29/47
H01L 29/872
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 ＳｉＣ製ショットキーバリアダイオード
を製造する方法において、 ＳｉＣ表面にＳｉＣを熱酸化することによって得られる
自己酸化膜によって絶縁性薄膜を形成する工程と、 該絶縁性薄膜上にフォトレジストを塗布し電極形状をパ
ターニングしレジストのパターニング部を除去する工程
と、 パターニングされた部分の前記絶縁性薄膜を除去する工
程と、 電極を形成する工程と、 残ったレジストおよびその上に付着した電極材料を除去
する工程と、 該電極上にフォトレジストを塗布し電極形状をパターニ
ングしレジストのパターニング部を除去する工程と、 該電極上に第２の電極を形成する工程と、 残ったレジストおよびその上に付着した電極材料を除去
する工程と、 裏面に電極を形成する工程と、からなることを特徴とす
るＳｉＣ製ショットキーバリアダイオードを製造する方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5333496A JP3439593B2 (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | ＳｉＣ製ショットキーバリアダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5333496A JP3439593B2 (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | ＳｉＣ製ショットキーバリアダイオードの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246573A JPH09246573A (ja) | 1997-09-19 |
| JP3439593B2 true JP3439593B2 (ja) | 2003-08-25 |
Family
ID=12939852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5333496A Expired - Lifetime JP3439593B2 (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | ＳｉＣ製ショットキーバリアダイオードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3439593B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6797586B2 (en) * | 2001-06-28 | 2004-09-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Silicon carbide schottky barrier diode and method of making |
| JP4645641B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2011-03-09 | 富士電機システムズ株式会社 | ＳｉＣショットキーダイオードの製造方法 |
| JP2013120822A (ja) | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-03-11 JP JP5333496A patent/JP3439593B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09246573A (ja) | 1997-09-19 |
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