JP3438959B2 - 増幅器の地絡保護回路 - Google Patents
増幅器の地絡保護回路Info
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- JP3438959B2 JP3438959B2 JP22970394A JP22970394A JP3438959B2 JP 3438959 B2 JP3438959 B2 JP 3438959B2 JP 22970394 A JP22970394 A JP 22970394A JP 22970394 A JP22970394 A JP 22970394A JP 3438959 B2 JP3438959 B2 JP 3438959B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、出力端子の地絡時の増
幅器の地絡保護回路に関し、特に、車載用の増幅器の地
絡保護回路に関する。
幅器の地絡保護回路に関し、特に、車載用の増幅器の地
絡保護回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、図2の如きSEPP(Single End
ed Push Pull)接続された増幅器が知られている。図2
において、入力信号は入力端子を介して前置駆動トラン
ジスタ(1)のベースに印加され、入力信号に応じて駆
動トランジスタ(2)及び(3)が動作する。さらに、
駆動トランジスタ(2)及び(3)の出力信号に応じ
て、それぞれ出力トランジスタ(4)及び(5)が増幅
動作を行い、増幅された出力信号が出力端子に発生す
る。
ed Push Pull)接続された増幅器が知られている。図2
において、入力信号は入力端子を介して前置駆動トラン
ジスタ(1)のベースに印加され、入力信号に応じて駆
動トランジスタ(2)及び(3)が動作する。さらに、
駆動トランジスタ(2)及び(3)の出力信号に応じ
て、それぞれ出力トランジスタ(4)及び(5)が増幅
動作を行い、増幅された出力信号が出力端子に発生す
る。
【0003】また、バイアス電流がバイアス源(6)か
ら発生し、電流ミラー回路(7)を介して駆動トランジ
スタ(2)及び(3)のベースに供給され、駆動トラン
ジスタ(2)及び(3)と出力トランジスタ(4)及び
(5)の動作点を設定する。従って、図2の回路は、入
力信号をSEPP増幅して、出力端子に発生させること
ができる。
ら発生し、電流ミラー回路(7)を介して駆動トランジ
スタ(2)及び(3)のベースに供給され、駆動トラン
ジスタ(2)及び(3)と出力トランジスタ(4)及び
(5)の動作点を設定する。従って、図2の回路は、入
力信号をSEPP増幅して、出力端子に発生させること
ができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図2の
回路を車載用の増幅器として用いて自動車に取り付ける
時、増幅器の電源ラインを誤接続して、図2の一点鎖線
に示す如くバッテリー(6)の(−)端子が増幅器の出
力端子に接続されると、接地端子(7)・コンデンサー
(8)・バッテリー(6)・アースという経路で電流が
流れ、接地端子(7)の電位即ち基板電位が上昇する。
基板電位が上昇することにより電流ミラー回路(7)を
構成する出力側トランジスタ(7’)が飽和し、図2の
如く寄生トランジスタ(9)及び(9’)が発生する
と、寄生トランジスタ(9)及び(9’)とによって正
帰還路が構成され、トランジスタ(8)のコレクタ電
流、即ち、駆動トランジスタ(2)のベース電流も増大
し、駆動トランジスタ(2)及び出力トランジスタ
(4)のコレクタ電流が増大して破壊されるという問題
が発生していた。このような問題を解決する手段とし
て、増幅器の出力端子と接地端子(7)との間にダイオ
ード(10)を接続し、バッテリー(6)、コンデンサ
ー(8)及びダイオード(10)による電流路を形成す
ることによって、基板電位を増大させないようにする手
段があるが、ダイオードに比較的大きい電流(約1〜2
A)を流すようなものが必要があり、大面積のダイオー
ドをIC内に形成しなければならず、IC化には適して
いなかった。例えば、BTL(BalancedToransfomerles
s)構成の4チャンネルセットの場合、8個のダイオー
ドが必要となり、IC化した場合、コスト及びスペース
の問題が発生していた。
回路を車載用の増幅器として用いて自動車に取り付ける
時、増幅器の電源ラインを誤接続して、図2の一点鎖線
に示す如くバッテリー(6)の(−)端子が増幅器の出
力端子に接続されると、接地端子(7)・コンデンサー
(8)・バッテリー(6)・アースという経路で電流が
流れ、接地端子(7)の電位即ち基板電位が上昇する。
基板電位が上昇することにより電流ミラー回路(7)を
構成する出力側トランジスタ(7’)が飽和し、図2の
如く寄生トランジスタ(9)及び(9’)が発生する
と、寄生トランジスタ(9)及び(9’)とによって正
帰還路が構成され、トランジスタ(8)のコレクタ電
流、即ち、駆動トランジスタ(2)のベース電流も増大
し、駆動トランジスタ(2)及び出力トランジスタ
(4)のコレクタ電流が増大して破壊されるという問題
が発生していた。このような問題を解決する手段とし
て、増幅器の出力端子と接地端子(7)との間にダイオ
ード(10)を接続し、バッテリー(6)、コンデンサ
ー(8)及びダイオード(10)による電流路を形成す
ることによって、基板電位を増大させないようにする手
段があるが、ダイオードに比較的大きい電流(約1〜2
A)を流すようなものが必要があり、大面積のダイオー
ドをIC内に形成しなければならず、IC化には適して
いなかった。例えば、BTL(BalancedToransfomerles
s)構成の4チャンネルセットの場合、8個のダイオー
ドが必要となり、IC化した場合、コスト及びスペース
の問題が発生していた。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の点に鑑み
成されたものであり、SEPP接続された正及び負出力
トランジスタと、前記正及び負出力トランジスタをそれ
ぞれ駆動する正及び負駆動トランジスタと、バイアス源
と、前記バイアス源の出力電流に応じて、前記正及び負
駆動トランジスタにバイアス電流を供給する電流ミラー
回路とを有する増幅器の地絡保護回路において、エミッ
タが前記正駆動トランジスタのベースに、コレクタが前
記正出力トランジスタのエミッタに接続された保護トラ
ンジスタと、前記保護トランジスタのベースとエミッタ
との間に接続された抵抗とから成ることを特徴とする。
成されたものであり、SEPP接続された正及び負出力
トランジスタと、前記正及び負出力トランジスタをそれ
ぞれ駆動する正及び負駆動トランジスタと、バイアス源
と、前記バイアス源の出力電流に応じて、前記正及び負
駆動トランジスタにバイアス電流を供給する電流ミラー
回路とを有する増幅器の地絡保護回路において、エミッ
タが前記正駆動トランジスタのベースに、コレクタが前
記正出力トランジスタのエミッタに接続された保護トラ
ンジスタと、前記保護トランジスタのベースとエミッタ
との間に接続された抵抗とから成ることを特徴とする。
【0006】また、地絡時に、前記保護トランジスタは
第1寄生トランジスタを生じ、前記電流ミラー回路を構
成する出力側トランジスタは第2及び第3寄生トランジ
スタを生じ、前記第1寄生トランジスタのコレクタが前
記保護トランジスタのベースに、そのエミッタが前記負
出力トランジスタのコレクタに、そのベースが基板に接
続され、前記第2寄生トランジスタのコレクタは前記出
力側トランジスタのベースに、そのエミッタが前記負出
力トランジスタのコレクタに、そのベースが基板に接続
され、また、第3寄生トランジスタのコレクタは基板
に、そのエミッタは電源ラインに、そのベースは前記出
力側トランジスタのベースに接続されることを特徴とす
る。
第1寄生トランジスタを生じ、前記電流ミラー回路を構
成する出力側トランジスタは第2及び第3寄生トランジ
スタを生じ、前記第1寄生トランジスタのコレクタが前
記保護トランジスタのベースに、そのエミッタが前記負
出力トランジスタのコレクタに、そのベースが基板に接
続され、前記第2寄生トランジスタのコレクタは前記出
力側トランジスタのベースに、そのエミッタが前記負出
力トランジスタのコレクタに、そのベースが基板に接続
され、また、第3寄生トランジスタのコレクタは基板
に、そのエミッタは電源ラインに、そのベースは前記出
力側トランジスタのベースに接続されることを特徴とす
る。
【0007】
【作用】本発明によれば、上述の如き保護トランジスタ
を設けた為、電源の誤接続時に、保護トランジスタに対
しても寄生トランジスタが生じ、該寄生トランジスタの
ベースが基板に接続されるため、保護トランジスタのベ
ース電流を発生させ、その結果、保護トランジスタが電
流ミラー回路を構成する出力側トランジスタのコレクタ
を側路する。従って、正駆動トランジスタ及び正出力ト
ランジスタに大電流が流れず、保護が達成できる。
を設けた為、電源の誤接続時に、保護トランジスタに対
しても寄生トランジスタが生じ、該寄生トランジスタの
ベースが基板に接続されるため、保護トランジスタのベ
ース電流を発生させ、その結果、保護トランジスタが電
流ミラー回路を構成する出力側トランジスタのコレクタ
を側路する。従って、正駆動トランジスタ及び正出力ト
ランジスタに大電流が流れず、保護が達成できる。
【0008】
【実施例】図1は本発明の一実施例であり、(11)は
前段差動増幅回路の出力信号が印加される前置駆動トラ
ンジスタ、(12)は該前置駆動トランジスタ(11)
の正出力信号を増幅する正駆動トランジスタ、(13)
は該正駆動トランジスタ(12)の出力信号を増幅する
正出力トランジスタ、(14)は前記前置駆動トランジ
スタ(11)の負出力信号を増幅する負駆動トランジス
タ、(15)は前記負駆動トランジスタ(14)の出力
信号を増幅する負出力トランジスタ、(16)は前記正
及び負出力トランジスタ(13)及び(15)の出力信
号をプッシュプルの関係で負荷に供給する出力端子、
(17)は電源端子、(18)は接地端子、(19)は
バイアス電流を発生する定電流源、(20)は電流ミラ
ー関係に接続された第1乃至第4トランジスタ(21)
乃至(24)から成り、前置駆動トランジスタ(1
1)、正及び負駆動トランジスタ(12)及び(14)
にバイアス電流を供給する電流ミラー回路、(25)は
エミッタが正駆動トランジスタ(12)のベースに、コ
レクタが正及び負出力トランジスタ(13)及び(1
5)の接続中点に接続された保護トランジスタ、(2
6)は保護トランジスタ(25)のベース−エミッタ間
に接続された抵抗、(27)は電源電圧Vccを発生す
るバッテリー、(28)は電源端子(17)及び接地端
子(18)に接続された電源コンデンサである。
前段差動増幅回路の出力信号が印加される前置駆動トラ
ンジスタ、(12)は該前置駆動トランジスタ(11)
の正出力信号を増幅する正駆動トランジスタ、(13)
は該正駆動トランジスタ(12)の出力信号を増幅する
正出力トランジスタ、(14)は前記前置駆動トランジ
スタ(11)の負出力信号を増幅する負駆動トランジス
タ、(15)は前記負駆動トランジスタ(14)の出力
信号を増幅する負出力トランジスタ、(16)は前記正
及び負出力トランジスタ(13)及び(15)の出力信
号をプッシュプルの関係で負荷に供給する出力端子、
(17)は電源端子、(18)は接地端子、(19)は
バイアス電流を発生する定電流源、(20)は電流ミラ
ー関係に接続された第1乃至第4トランジスタ(21)
乃至(24)から成り、前置駆動トランジスタ(1
1)、正及び負駆動トランジスタ(12)及び(14)
にバイアス電流を供給する電流ミラー回路、(25)は
エミッタが正駆動トランジスタ(12)のベースに、コ
レクタが正及び負出力トランジスタ(13)及び(1
5)の接続中点に接続された保護トランジスタ、(2
6)は保護トランジスタ(25)のベース−エミッタ間
に接続された抵抗、(27)は電源電圧Vccを発生す
るバッテリー、(28)は電源端子(17)及び接地端
子(18)に接続された電源コンデンサである。
【0009】図1において、電源端子(17)及び接地
端子(18)に正常な電源電圧が接続される増幅器の定
常動作状態においては、従来一般に使用されているSE
PP増幅器の動作と同一のため、省略する。そして、定
常状態では保護トランジスタ(25)はオフしているの
で、保護トランジスタ(25)が前記増幅器に悪影響を
与えない。
端子(18)に正常な電源電圧が接続される増幅器の定
常動作状態においては、従来一般に使用されているSE
PP増幅器の動作と同一のため、省略する。そして、定
常状態では保護トランジスタ(25)はオフしているの
で、保護トランジスタ(25)が前記増幅器に悪影響を
与えない。
【0010】いま、誤接続により、一点鎖線で示す如く
バッテリー(27)の(+)端子が電源端子(17)に
接続され、出力端子(16)が(−)端子に接続された
とすれば、基板電圧が大となり、第2トランジスタ(2
2)に寄生トランジスタ(29)及び(29’)が発生
する。寄生トランジスタ(29)が導通し、寄生トラン
ジスタ(29)のコレクタ電流が発生すると、寄生トラ
ンジスタ(29’)のベース電流が増大するので、寄生
トランジスタ(29’)のコレクタ電流も増大する。さ
らに、寄生トランジスタ(29’)のコレクタ電流が増
大することによって、寄生トランジスタ(29)のベー
ス電流が増大し、寄生トランジスタ(29)のコレクタ
電流が増大する。即ち、寄生トランジスタ(29)及び
(29’)が発生すると、寄生トランジスタ(29)及
び(29’)により正帰還路が形成され、第2トランジ
スタ(22)のコレクタ電流が増大し、正駆動トランジ
スタ(12)に供給されるバイアス電流が増大する。
バッテリー(27)の(+)端子が電源端子(17)に
接続され、出力端子(16)が(−)端子に接続された
とすれば、基板電圧が大となり、第2トランジスタ(2
2)に寄生トランジスタ(29)及び(29’)が発生
する。寄生トランジスタ(29)が導通し、寄生トラン
ジスタ(29)のコレクタ電流が発生すると、寄生トラ
ンジスタ(29’)のベース電流が増大するので、寄生
トランジスタ(29’)のコレクタ電流も増大する。さ
らに、寄生トランジスタ(29’)のコレクタ電流が増
大することによって、寄生トランジスタ(29)のベー
ス電流が増大し、寄生トランジスタ(29)のコレクタ
電流が増大する。即ち、寄生トランジスタ(29)及び
(29’)が発生すると、寄生トランジスタ(29)及
び(29’)により正帰還路が形成され、第2トランジ
スタ(22)のコレクタ電流が増大し、正駆動トランジ
スタ(12)に供給されるバイアス電流が増大する。
【0011】一方、出力端子(16)に誤接続が為され
ると、コレクタが保護トランジスタ(25)のベース
に、ベースが第2トランジスタ(22)のコレクタに、
エミッタが出力端子(16)に接続された寄生トランジ
スタ(30)も発生する。第2トランジスタ(22)の
コレクタ電流は寄生トランジスタ(30)のベースに流
入し、第2トランジスタ(22)のコレクタ電流に応じ
て寄生トランジスタ(30)のコレクタ電流が発生し、
寄生トランジスタ(30)のコレクタ電流は増大する。
寄生トランジスタ(30)のコレクタ電流が増大する
と、抵抗(26)の電圧降下が増大し、抵抗(25)の
電圧降下により保護トランジスタ(25)のベース−エ
ミッタ間電圧が約0.7Vになり、保護トランジスタ
(30)が導通する。保護トランジスタ(25)のコレ
クタは、正駆動トランジスタ(12)のベースに接続さ
れているので、第2トランジスタ(22)から正駆動ト
ランジスタ(12)及び正出力トランジスタ(13)の
ベースに流入しようとする電流は、保護トランジスタ
(30)のコレクタ・エミッタ路により側路され、正駆
動トランジスタ(12)及び正出力トランジスタ(1
3)の保護が達成される。
ると、コレクタが保護トランジスタ(25)のベース
に、ベースが第2トランジスタ(22)のコレクタに、
エミッタが出力端子(16)に接続された寄生トランジ
スタ(30)も発生する。第2トランジスタ(22)の
コレクタ電流は寄生トランジスタ(30)のベースに流
入し、第2トランジスタ(22)のコレクタ電流に応じ
て寄生トランジスタ(30)のコレクタ電流が発生し、
寄生トランジスタ(30)のコレクタ電流は増大する。
寄生トランジスタ(30)のコレクタ電流が増大する
と、抵抗(26)の電圧降下が増大し、抵抗(25)の
電圧降下により保護トランジスタ(25)のベース−エ
ミッタ間電圧が約0.7Vになり、保護トランジスタ
(30)が導通する。保護トランジスタ(25)のコレ
クタは、正駆動トランジスタ(12)のベースに接続さ
れているので、第2トランジスタ(22)から正駆動ト
ランジスタ(12)及び正出力トランジスタ(13)の
ベースに流入しようとする電流は、保護トランジスタ
(30)のコレクタ・エミッタ路により側路され、正駆
動トランジスタ(12)及び正出力トランジスタ(1
3)の保護が達成される。
【0012】
【発明の効果】従って、本発明に依れば、電源が誤接続
された場合、寄生トランジスタを発生させることによっ
て保護トランジスタを導通させているので、バイアス電
流が他の寄生トランジスタにより増大したときのみ、駆
動及び出力トランジスタの保護動作を行うことができ
る。特に、大容量のダイオードが必要なくなり、IC化
に適した構成とすることができる。
された場合、寄生トランジスタを発生させることによっ
て保護トランジスタを導通させているので、バイアス電
流が他の寄生トランジスタにより増大したときのみ、駆
動及び出力トランジスタの保護動作を行うことができ
る。特に、大容量のダイオードが必要なくなり、IC化
に適した構成とすることができる。
【図1】本発明の一実施例を示す回路図である。
【図2】従来例を示す回路図である。
11 前置駆動トランジスタ
12 正駆動トランジスタ
13 正出力トランジスタ
14 負駆動トランジスタ
15 負出力トランジスタ
16 出力端子
17 電源端子
18 接地端子
19 定電流源
20 電流ミラー回路
25 保護トランジスタ
26 抵抗
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭55−63108(JP,A)
特開 昭56−35453(JP,A)
特開 昭60−207383(JP,A)
特開 昭62−122305(JP,A)
特開 平6−233451(JP,A)
実開 昭62−30411(JP,U)
実開 平1−107213(JP,U)
実開 昭58−191708(JP,U)
実開 昭62−124860(JP,U)
実開 平2−72562(JP,U)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
H03F 1/00 - 3/72
Claims (2)
- 【請求項1】SEPP接続された正及び負出力トランジ
スタと、前記正及び負出力トランジスタをそれぞれ駆動
する正及び負駆動トランジスタと、バイアス源と、前記
バイアス源の出力電流に応じて、前記正及び負駆動トラ
ンジスタにバイアス電流を供給する電流ミラー回路とを
有する増幅器の地絡保護回路において、 エミッタが前記正駆動トランジスタのベースに、コレク
タが前記正出力トランジスタのエミッタに接続された保
護トランジスタと、 前記保護トランジスタのベースとエミッタとの間に接続
された抵抗とから成ることを特徴とする増幅器の地絡保
護回路。 - 【請求項2】地絡時に、前記保護トランジスタは第1寄
生トランジスタを生じ、前記電流ミラー回路を構成する
出力側トランジスタは第2及び第3寄生トランジスタを
生じ、 前記第1寄生トランジスタのコレクタが前記保護トラン
ジスタのベースに、そのエミッタが前記負出力トランジ
スタのコレクタに、そのベースが基板に接続され、 前記第2寄生トランジスタのコレクタは前記出力側トラ
ンジスタのベースに、そのエミッタが前記負出力トラン
ジスタのコレクタに、そのベースが基板に接続され、 また、第3寄生トランジスタのコレクタは基板に、その
エミッタは電源ラインに、そのベースは前記出力側トラ
ンジスタのベースに接続されることを特徴とする請求項
1記載の増幅器の地絡保護回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22970394A JP3438959B2 (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | 増幅器の地絡保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22970394A JP3438959B2 (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | 増幅器の地絡保護回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0897639A JPH0897639A (ja) | 1996-04-12 |
JP3438959B2 true JP3438959B2 (ja) | 2003-08-18 |
Family
ID=16896381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22970394A Expired - Fee Related JP3438959B2 (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | 増幅器の地絡保護回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3438959B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001257543A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Sony Corp | アンプ |
-
1994
- 1994-09-26 JP JP22970394A patent/JP3438959B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0897639A (ja) | 1996-04-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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