JP3406069B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JP3406069B2 JP3406069B2 JP14971394A JP14971394A JP3406069B2 JP 3406069 B2 JP3406069 B2 JP 3406069B2 JP 14971394 A JP14971394 A JP 14971394A JP 14971394 A JP14971394 A JP 14971394A JP 3406069 B2 JP3406069 B2 JP 3406069B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- temperature
- transfer mechanism
- semiconductor manufacturing
- leeward
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハを熱処理する
半導体製造装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来装置は、これを図１を参照して説明
すると、ウェーハ１を載置したボート２をエレベータ３
によりヒータ４で加熱される反応管５内に搬入し、ウェ
ーハ１を反応管５内で熱処理し、しかる後、処理済のウ
ェーハを載置したボート２をエレベータ３により反応管
５下へ搬出した後、サイドフロー型冷却ファン６により
時間を決めて冷却している。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】上記従来例にあって
は、炉外へ搬出された処理済ウェーハをサイドフロー型
冷却ファン６により時間を決めて冷却しているため、ウ
ェーハ１の温度にかかわらず、時間が来た段階でウェー
ハ搬送機構を作動させウェーハハンドリングを始めてし
まい、また逆にウェーハが十分冷却されているにもかか
わらず、時間が来るまでウェーハハンドリングを行なわ
ず、スループットが悪化するという課題がある。 【０００４】 【課題を解決するための手段】本発明装置は、上記の課
題を解決するため、反応炉下に、炉下へ搬出されたウェ
ーハ１温度を計測して所定温度時にウェーハ搬送機構の
作動に供する温度センサ７を設置することを特徴とす
る。 【０００５】 【作 用】このような構成であるから、炉下へ搬出され
たウェーハ１の温度が温度センサ７により計測され、ウ
ェーハ温度が所定温度になった時、ウェーハ搬送機構が
作動されてウェーハハンドリングが行われることにな
る。 【０００６】 【実施例】図１は本発明装置の第１実施例の構成を示す
簡略断面図、図２（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ第１実施例
におけるウェーハ搬送機構の駆動系の説明図である。こ
の第１実施例は、主にヒータ４と反応管５よりなる反応
炉下のサイドフロー型冷却ファン６の反対側に、炉下へ
搬送されたウェーハ１から放射される熱を計測する温度
センサ７を取付け、この温度センサ７に、増幅器８を介
して所定温度時にウェーハ搬送機構を作動させるメイン
コントローラ９を接続せしめる。図２（Ａ）の側では、
増幅器８の入力側でセットポイントを設定するようにし
た例である。温度センサ７としては、熱電対、白金測温
抵抗体、サーミスタ、赤外線センサなどを用いることが
できる。 【０００７】上記構成の第１実施例において炉下へ搬出
されたウェーハ１の温度が温度センサ７により計測さ
れ、その検出出力が増幅器８により増幅されてメインコ
ントローラ９に入力されて読取られ、所定温度、即ちハ
ンドリング可能な温度になった時にメインコントローラ
９によりウェーハ搬送機構が作動されてウェーハハンド
リングが行われることになる。 【０００８】図３は第２実施例の構成を示す簡略断面
図、図４は第２実施例におけるウェーハ搬送機構の駆動
系の説明図である。この第２実施例は、反応炉下のサイ
ドフロー型冷却ファン６側及び反対側に、それぞれ炉下
へ搬送されたウェーハ１から放射される熱を風上側及び
風下側から計測する風上側温度センサ１０及び風下側温
度センサ７を取付け、これらの温度センサ１０，７にそ
れぞれ風上側，風下側増幅器１１，８を介して比較器１
２を接続し、この比較器１２に所定温度時にウェーハ搬
送機構を作動させるメインコントローラ９を接続せしめ
る。 【０００９】上記構成の第２実施例において、炉下へ搬
出されたウェーハ１の温度が風上側，風下側温度センサ
１０，７により風上側，風下側で計測され、それらの検
出出力が風上側，風下側増幅器１１，８により増幅され
て比較器１２に入力され、両出力の差が所定温度、即ち
一定温度以下になった時点でメインコントローラ９によ
りウェーハ搬送機構が作動されてウェーハハンドリング
が行われることになる。 【００１０】上記第１，第２実施例によれば、ウェーハ
の温度が冷却により所定温度まで降下した時、ウェーハ
ハンドリングを行うことになるので、スループットを向
上することができ、急激な温度変化によるウェーハの破
断、反り等を低減することができると共に、簡単な回路
により平均故障間隔（ｍｅａｎ ｔｉｍｅ ｂｅｔｗｅ
ｅｎ ｆａｉｌｕｒｅｓ：ＭＴＢＦ＝動作可能時間／故
障件数）を向上できる上、時間の短縮、デバイス特性の
向上を図ることができる。 【００１１】 【発明の効果】上述の説明より明らかなように本発明に
よれば、スループットを向上することができ、ウェーハ
の破断，反り等を低減しデバイス特性を向上すると共に
平均故障間隔を向上することができる。
半導体製造装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来装置は、これを図１を参照して説明
すると、ウェーハ１を載置したボート２をエレベータ３
によりヒータ４で加熱される反応管５内に搬入し、ウェ
ーハ１を反応管５内で熱処理し、しかる後、処理済のウ
ェーハを載置したボート２をエレベータ３により反応管
５下へ搬出した後、サイドフロー型冷却ファン６により
時間を決めて冷却している。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】上記従来例にあって
は、炉外へ搬出された処理済ウェーハをサイドフロー型
冷却ファン６により時間を決めて冷却しているため、ウ
ェーハ１の温度にかかわらず、時間が来た段階でウェー
ハ搬送機構を作動させウェーハハンドリングを始めてし
まい、また逆にウェーハが十分冷却されているにもかか
わらず、時間が来るまでウェーハハンドリングを行なわ
ず、スループットが悪化するという課題がある。 【０００４】 【課題を解決するための手段】本発明装置は、上記の課
題を解決するため、反応炉下に、炉下へ搬出されたウェ
ーハ１温度を計測して所定温度時にウェーハ搬送機構の
作動に供する温度センサ７を設置することを特徴とす
る。 【０００５】 【作 用】このような構成であるから、炉下へ搬出され
たウェーハ１の温度が温度センサ７により計測され、ウ
ェーハ温度が所定温度になった時、ウェーハ搬送機構が
作動されてウェーハハンドリングが行われることにな
る。 【０００６】 【実施例】図１は本発明装置の第１実施例の構成を示す
簡略断面図、図２（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ第１実施例
におけるウェーハ搬送機構の駆動系の説明図である。こ
の第１実施例は、主にヒータ４と反応管５よりなる反応
炉下のサイドフロー型冷却ファン６の反対側に、炉下へ
搬送されたウェーハ１から放射される熱を計測する温度
センサ７を取付け、この温度センサ７に、増幅器８を介
して所定温度時にウェーハ搬送機構を作動させるメイン
コントローラ９を接続せしめる。図２（Ａ）の側では、
増幅器８の入力側でセットポイントを設定するようにし
た例である。温度センサ７としては、熱電対、白金測温
抵抗体、サーミスタ、赤外線センサなどを用いることが
できる。 【０００７】上記構成の第１実施例において炉下へ搬出
されたウェーハ１の温度が温度センサ７により計測さ
れ、その検出出力が増幅器８により増幅されてメインコ
ントローラ９に入力されて読取られ、所定温度、即ちハ
ンドリング可能な温度になった時にメインコントローラ
９によりウェーハ搬送機構が作動されてウェーハハンド
リングが行われることになる。 【０００８】図３は第２実施例の構成を示す簡略断面
図、図４は第２実施例におけるウェーハ搬送機構の駆動
系の説明図である。この第２実施例は、反応炉下のサイ
ドフロー型冷却ファン６側及び反対側に、それぞれ炉下
へ搬送されたウェーハ１から放射される熱を風上側及び
風下側から計測する風上側温度センサ１０及び風下側温
度センサ７を取付け、これらの温度センサ１０，７にそ
れぞれ風上側，風下側増幅器１１，８を介して比較器１
２を接続し、この比較器１２に所定温度時にウェーハ搬
送機構を作動させるメインコントローラ９を接続せしめ
る。 【０００９】上記構成の第２実施例において、炉下へ搬
出されたウェーハ１の温度が風上側，風下側温度センサ
１０，７により風上側，風下側で計測され、それらの検
出出力が風上側，風下側増幅器１１，８により増幅され
て比較器１２に入力され、両出力の差が所定温度、即ち
一定温度以下になった時点でメインコントローラ９によ
りウェーハ搬送機構が作動されてウェーハハンドリング
が行われることになる。 【００１０】上記第１，第２実施例によれば、ウェーハ
の温度が冷却により所定温度まで降下した時、ウェーハ
ハンドリングを行うことになるので、スループットを向
上することができ、急激な温度変化によるウェーハの破
断、反り等を低減することができると共に、簡単な回路
により平均故障間隔（ｍｅａｎ ｔｉｍｅ ｂｅｔｗｅ
ｅｎ ｆａｉｌｕｒｅｓ：ＭＴＢＦ＝動作可能時間／故
障件数）を向上できる上、時間の短縮、デバイス特性の
向上を図ることができる。 【００１１】 【発明の効果】上述の説明より明らかなように本発明に
よれば、スループットを向上することができ、ウェーハ
の破断，反り等を低減しデバイス特性を向上すると共に
平均故障間隔を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明装置の第１実施例を示す簡略断面図であ
る。 【図２】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ第１実施例における
ウェーハ搬送機構の駆動系の説明図である。 【図３】第２実施例の構成を示す簡略断面図である。 【図４】第２実施例におけるウェーハ搬送機構の駆動系
の説明図である。 【符号の説明】 １ ウェーハ ２ ボート ４ ヒータ ５ 反応管 ６ （サイドフロー型）冷却ファン ７ （風下側）温度センサ ８ （風下側）増幅器 ９ メインコントローラ １０ 風上側温度センサ １１ 風上側増幅器 １２ 比較器
る。 【図２】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ第１実施例における
ウェーハ搬送機構の駆動系の説明図である。 【図３】第２実施例の構成を示す簡略断面図である。 【図４】第２実施例におけるウェーハ搬送機構の駆動系
の説明図である。 【符号の説明】 １ ウェーハ ２ ボート ４ ヒータ ５ 反応管 ６ （サイドフロー型）冷却ファン ７ （風下側）温度センサ ８ （風下側）増幅器 ９ メインコントローラ １０ 風上側温度センサ １１ 風上側増幅器 １２ 比較器
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 反応炉下に、炉下へ搬出されたウェーハ
温度を計測して所定温度時にウェーハ搬送機構の作動に
供する温度センサを設置することを特徴とする半導体製
造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14971394A JP3406069B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14971394A JP3406069B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817752A JPH0817752A (ja) | 1996-01-19 |
| JP3406069B2 true JP3406069B2 (ja) | 2003-05-12 |
Family
ID=15481201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14971394A Expired - Lifetime JP3406069B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3406069B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012011423A1 (ja) * | 2010-07-22 | 2012-01-26 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| JP6091932B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2017-03-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 炭化珪素の成膜装置および炭化珪素の成膜方法 |
| WO2017134853A1 (ja) * | 2016-02-05 | 2017-08-10 | 株式会社国際電気セミコンダクターサービス | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| JP6270952B1 (ja) | 2016-09-28 | 2018-01-31 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体。 |
-
1994
- 1994-06-30 JP JP14971394A patent/JP3406069B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0817752A (ja) | 1996-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4825812B2 (ja) | 温度を調整可能なチャック装置を用いた半導体ウエハ検査方法および装置 | |
| WO2006027974A1 (ja) | 流量センサ | |
| JP2824003B2 (ja) | 基板の温度測定装置 | |
| JP4426024B2 (ja) | 熱処理装置の温度校正方法 | |
| TWI643246B (zh) | Heat treatment device, abnormality detection method in heat treatment, and readable computer memory medium | |
| JP3406069B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| US6971793B2 (en) | Test handler temperature monitoring system | |
| KR100413646B1 (ko) | 온도검출소자 | |
| JPH03145121A (ja) | 半導体熱処理用温度制御装置 | |
| TWM632983U (zh) | 溫度感測控制裝置及溫度控制系統 | |
| JP2511288B2 (ja) | 半導体装置の熱処理方法 | |
| JP2534193Y2 (ja) | 温度測定装置 | |
| JP2882180B2 (ja) | ベーク処理装置 | |
| JPH01257347A (ja) | 把持装置 | |
| KR200240059Y1 (ko) | 반도체장치의열처리장치에서의온도조절장치 | |
| JPH0529428A (ja) | 半導体素子の検査装置 | |
| JP2671236B2 (ja) | Ｌｓｉ検査装置の温度制御方式 | |
| JPS6218032Y2 (ja) | ||
| JP2001208611A (ja) | 温度測定方法およびその装置 | |
| JP2653288B2 (ja) | 赤外線探傷装置 | |
| JP2697158B2 (ja) | 偏肉測定装置 | |
| JP2000068224A (ja) | 基板熱処理装置 | |
| JPH0688746A (ja) | 赤外線検出装置 | |
| JPH07142549A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2002353111A (ja) | 熱処理板の温度制御方法及び熱処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080307 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090307 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100307 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100307 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140307 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |