JP3403029B2 - 整流装置用半導体モジュ−ル - Google Patents

整流装置用半導体モジュ−ル

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JP3403029B2
JP3403029B2 JP28325397A JP28325397A JP3403029B2 JP 3403029 B2 JP3403029 B2 JP 3403029B2 JP 28325397 A JP28325397 A JP 28325397A JP 28325397 A JP28325397 A JP 28325397A JP 3403029 B2 JP3403029 B2 JP 3403029B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は交流電力を直流電力
に変換する整流装置に用いられる整流装置用半導体モジ
ュ−ルに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の整流装置は、例えば特開平9−1
82441号に示されような整流回路がある。図12
従来の整流回路の構成を示ものであり、回路を構成する
電気的素子は夫々モジュ−ル化されている。図中、1
4、15、16は整流回路の交流側リアクトルであり、
図示しない交流電源と整流回路の交流入力側との間に接
続されている。55、56、57は単相全波整流ダイオ
−ドモジュ−ルであり、4つのダイオ−ドをブリッジ接
続することにより構成されている。この単相全波整流ダ
イオ−ドモジュ−ルを構成する4つのダイオ−ドは一つ
のパッケ−ジに収められ一つのモジュ−ルとして用いら
れている。単相全波整流ダイオ−ドモジュ−ル55、5
6、57の交流入力側端の一方は交流側リアクトル1
4、15、16を介して図示しない交流電源に接続さ
れ、他方の交流入力端は整流回路の直流出力側に直列接
続された2つの平滑コンデンサ17、18の共通接続端
に接続されている。一方、単相全波整流ダイオ−ドモジ
ュ−ル55、56、57の交流入力側端間にはスイッチ
ング素子モジュ−ル64、65、66が電気的に接続さ
れている。スイッチング素子モジュ−ル64、65、6
6のアノ−ド端子と正側直流母線69との間には正側ダ
イオ−ドモジュ−ル58、59、60が接続され、カソ
−ド端子と負側直流母線70との間には負側ダイオ−ド
モジュ−ル61、62、63が接続されている。正側直
流母線69と負側直流母線70との間には2つの平滑コ
ンデンサ17、18が直列接続されている。
【0003】このように構成された整流回路はインバ−
タ回路に直流入力側に接続されることにより多く用いら
れる。なお、上述した整流回路は単なるダイオ−ドをブ
リッジ接続してなる整流回路ではなく、整流時に流れる
電流波形の歪みを低減することのできるものである。す
なわち、図示しない制御回路がスイッチング素子モジュ
−ル64、65、66をスイッチング制御することによ
り交流電源から電流波形の歪みの低減された直流電源を
作成することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述の構成による整流
装置は、ダイオ−ドのみによる整流回路よりはるかに部
品点数(モジュ−ル数)が多く、装置が複雑化、大型化
する問題点がある。さらに、多くのモジュ−ルを電気的
に接続するため、製造する上で手間と時間を要するとい
う問題点がある。また、容量の大きい整流回路を構成す
る場合など、各素子モジュ−ルの並列接続を行うと、部
品数がさらに多くなり、また接続が非常に複雑となり、
通常ペアで用いられるインバ−タ装置よりはるかに大き
な装置となってしまい、装置の小形化が非常に困難にな
る。また、最近では、電動機にインバ−タを搭載したい
わゆるインバ−タ一体形モ−タが考えられているが、こ
のようなモ−タの場合、インバ−タ装置(整流回路含
む)はたいていモ−タの端子箱に収納されるのが多い。
したがって、インバ−タ装置とモ−タとを構造的に一つ
のユニット化する場合、小形のインバ−タ装置が求めら
れている。また、インバ−タ装置の負荷としてモ−タを
採用した場合、高調波対策は大きな課題となり、したが
って、インバ−タ一体形モ−タにおいては、上述した高
調波抑制のできる整流装置を具備したインバ−タ装置が
今後多く採用されることを考慮すれば、上述の整流装置
を小形化することは大変有効である。本発明の目的は、
部品点数が少なく、軽量、小形、構成の簡単な整流装置
用半導体モジュ−ルを提供するものである。
【0005】
【0006】
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の整流装置用半導体モジュ−ルは、正
側ダイオードのカソード端の電極と、負側ダイオードの
アノード端の電極と、単相整流回路の2つの交流入力端
の一方の電極が第1の電極群を構成するとともにパッケ
ージの一辺に直線状に配置され、単相整流回路の他方の
交流入力端の電極と、単相整流回路の正側直流出力端の
電極と、負側直流出力端の電極が第2の電極群を構成す
るとともに第1の電極群が配置されているパッケージの
辺と向かい合わない他辺に直線状に配置されたことを特
徴とするものである。
【0008】この様に構成することにより整流装置用半
導体モジュ−ルを多相に接続する場合や、容量増加に伴
う並列接続する場合に整流装置用半導体モジュ−ル間の
電気的接続を容易にすることができる。
【0009】請求項2記載の整流装置用半導体モジュ−
ルは、正側ダイオードのカソード端の電極と、負側ダイ
オードのアノード端の電極と、単相整流回路の2つの交
流入力端の一方の電極と、単相整流回路の他方の交流入
力端の電極と、単相整流回路の正側直流出力端の電極
と、負側直流出力端の電極がパッケージの上に直線状に
配置されたことを特徴とするものである。
【0010】この様に構成することにより整流装置用半
導体モジュ−ルを多相に接続する場合や、容量増加に伴
う並列接続する場合に整流装置用半導体モジュ−ル間の
電気的接続を容易にすることができる。
【0011】請求項3記載の整流装置用半導体モジュ−
ルは、単相整流回路の正側直流出力端の電極と、正側ダ
イオ−ドのカソード端の電極と、負側ダイオードのアノ
ード端の電極それぞれに平板状のモジュ−ル電極を設け
たことを特徴とするものである。
【0012】この様に構成することにより、複数の整流
装置用半導体モジュ−ルを接続する場合に、別途接続用
の導体を用いることなく、容易に整流装置用半導体モジ
ュ−ル間の電気的接続を容易にすることができる。
【0013】請求項4記載の整流装置用半導体モジュ−
ルは、単相整流回路の2つの交流入力端の電極、単相整
流回路の正側直流出力端の電極と負側直流出力端の電
極、正側ダイオードのカソード端の電極、及び負側ダイ
オードのアノード端の電極のうち、単相整流回路の2つ
の交流入力端の電極、正側ダイオードのカソード端の電
、及び負側ダイオードのアノード端の電極のみを設け
ことを特徴とするものである。この様に構成すること
により、整流装置用半導体モジュ−ル上に設ける電極を
必要最小限にすることができる。
【0014】
【発明の実施の形態】特許請求の範囲に基づく第1の実
施例を図面を用いて説明する。図1は本発明に基づく一
実施例の整流装置用半導体モジュ−ルの構成を示すもの
である。上述した従来の整流装置においては単相全波整
流ダイオ−ドモジュ−ル55とスイッチング素子モジュ
−ル64と正側ダイオ−ドモジュ−ル58と負側ダイオ
−ドモジュ−ル61とがそれぞれ単体でモジュ−ルを構
成していたが、本発明による整流装置用半導体モジュ−
ルは各モジュ−ルの回路素子を一つのモジュ−ルに収納
することにより、小形化、配線の省略等を実現したもの
である。
【0015】ダイオード4、5、6、7が単相ブリッジ
接続することにより単相全波整流回路を構成し、その交
流入力端子はLとCNであり、直流出力端子はCとEで
ある。直流出力端子Cには正側ダイオ−ド2の一端が接
続され、他端は端子Pに接続されている。一方、直流出
力端子Eには負側ダイオ−ド3の一端が接続され、他端
は端子Nに接続されている。さらに、半導体スイッチン
グ素子8が端子C、E間に接続されている。この半導体
スイッチング素子8のゲ−ト信号は端子G,GEより与
えられる。このようにダイオード4、5、6、7と正側
ダイオ−ド2と負側ダイオ−ド3と半導体スイッチング
素子8が一つのモジュ−ル1内に収納されている。この
モジュ−ル1は、その外面には、電極P,C,CN,
E,N,L,G,GEが設けられている。
【0016】モジュ−ル1内の内部接続は、上述したよ
うに単相全波整流回路の正側ダイオード4、5のカソー
ドと半導体スイッチング素子8の一方と正側ダイオード
2のアノードが接続されている。この接続点はパッケー
ジ1の電極Cに接続されている。単相全波整流回路の負
側ダイオード6、7のアノードとスイッチング素子8の
他方と負側ダイオード3のカソードが接続されている。
この接続点はモジュ−ル1の電極Eに接続されている。
単相全波整流回路を構成するダイオードの交流入力側で
あるダイオード5のアノードとダイオード6のカソード
は電極Lにせつぞくされ、もう一方の交流入力側である
ダイオード4のアノードとダイオード7のカソードは電
極CNに接続されている。スイッチング素子8をオン,
オフするための制御信号は電極G,GEに接続されてい
る。
【0017】整流装置用半導体モジュ−ルを用いた整流
回路の接続例を図4に示す。図4に示されているモジュ
ール11、12、13は図1に示した半導体モジュ−ル
である。図4に記載の回路例の場合、電極C,Eは使用
しない。インバ−タに代表されるような負荷24に対し
て平滑コンデンサ23を介して全波整流回路22が接続
されている。全波整流回路22は電源25の交流電力を
直流電力に変換して負荷24に対して直流電力を供給す
るものである。一方、整流装置用半導体モジュ−ル1
1、12、13の端子Lはそれぞれリアクトル14、1
5、16を介して全波整流回路22の交流入力側の各相
に接続されている。整流装置用半導体モジュ−ル11、
12、13の端子Pは共通接続され、全波整流回路22
の正側直流出力端に接続されている。また、整流装置用
半導体モジュ−ル11、12、13の端子Nは共通接続
され、全波整流回路22の負側直流出力端に接続されて
いる。平滑コンデンサ17と平滑コンデンサ18の直列
接続したものが平滑コンデンサ23に並列接続されてい
る。整流装置用半導体モジュ−ル11、12、13の端
子CNは共通接続され、平滑コンデンサ17と平滑コン
デンサ18との共通接続点に接続されている。整流装置
用半導体モジュ−ル11、12、13のスイッチング素
子のオン、オフ制御する制御回路19は平滑コンデンサ
23に接続し駆動電源を得ている。制御回路19は全波
整流回路22の交流入力側に接続された電流センサ2
0、21に検出値に基づいて整流装置用半導体モジュ−
ル11、12、13のスイッチング素子のオン、オフ制
御する。
【0018】整流回路の容量の増大が要求される場合、
図5、図6に示すように図1の半導体モジュ−ルの並列
接続が行われる。すなわち、整流装置用半導体モジュ−
ル26、27がそれぞれリアクトル32、33を介して
接続されている。整流装置用半導体モジュ−ル28、2
9がそれぞれリアクトル34、35を介して接続されて
いる。整流装置用半導体モジュ−ル30、31がそれぞ
れリアクトル36、37を介して接続されている。他の
構成は図4と同様ある。
【0019】並列接続する場合は、図1に記載の整流装
置用半導体モジュールの電極L以外を同じ電極同士接続
していく事で、図1の内部素子が全て並列接続される。
以上説明したように本発明に基づく整流装置用半導体モ
ジュールを用いる事により、整流回路の主回路部が容易
に構成できるようになる。さらに整流回路の容量拡大の
場合も単に並列接続するのみで容易に構成できる。
【0020】第2の実施例について説明する。図2は本
発明に基づく整流装置用半導体モジュールの外観図であ
る。整流装置用半導体モジュール9の内部には図1に示
される通りに回路を構成した複数の素子が収納されてい
る。整流装置用半導体モジュール9の表面には、各電極
P,CN,N,L,C,Eが設けられ、さらに、半導体
スイッチング素子8にゲ−ト信号を与えるリ−ド線G、
GEが設けられている。
【0021】電極P,CN,Nは第1の電極群を構成し
モジュールの一辺に一直線に配置され、電極L,C,E
は第2の電極群を構成し図2の様に、電極P,CN,N
を配置した辺と向かい合わない辺に一直線に配置されて
いる。図2に示されように電極が配置された整流装置用
半導体モジュール9を用いることで、図4に示される回
路を構成する際には、図3のようにそれぞれの素子の電
極P,CN,Nを直線状の導体10で接続する事で容易
に達成できる。
【0022】また、図5に示されるように整流装置用半
導体モジュール9の並列接続が要求される場合は、図7
に示すように、電極P,CN,Nは直線状の導体38で
全ての素子を接続し、電極C,Eはペアとなるモジュー
ル(26、27)、(28、29)、(30、31)同
士で接続する。電極Lはそれぞれリアクトルに接続され
る。
【0023】次に第3の実施例について説明する。図8
は本発明に基づく整流装置用半導体モジュールの外観図
である。整流装置用半導体モジュール41の内部には図
1に示される通りに回路を構成した複数の素子が収納さ
れている。整流装置用半導体モジュール41の表面に
は、各電極P,CN,N,L,C,Eが設けられ、さら
に、スイッチング素子8にゲ−ト信号を与えるリ−ド線
G、GEが設けられている。図8に示した通り、電極
P,CN,N,E,C,Lがモジュールパッケージ上に
一直線に配列されている。この場合、図4に示され回路
を構成する場合、図9のように直線状の導体42でP,
CN,Nを接続するのみで構成できる。図5の並列接続
も単に本素子を並べていくのみで容易に接続することが
できる。
【0024】次に第4の実施例について説明する。図1
0は本発明に基づく整流装置用半導体モジュールの外観
図である。整流装置用半導体モジュール46の内部には
図1に示される通りに回路を構成した複数の素子が収納
されている。整流装置用半導体モジュール46の表面に
は、各電極P,CN,N,L,C,Eが設けられ、さら
に、スイッチング素子8にゲ−ト信号を与えるリ−ド線
G、GEが設けられている。整流装置用半導体モジュー
ル46の電極P,CN,Nは図10に示されるようにパ
ッケージ自身から突き出た形のモジュ−ル電極であり、
図4に示される回路構成を行う場合、直線状の導体10
を用いること無く、整流装置用半導体モジュール46同
士を接続することができる。図11は、整流装置用半導
体モジュール同士の接続状態を示す。各整流装置用半導
体モジュール52、53、54の電極P,CN,Nはそ
れぞれモジュ−ル電極であり、整流装置用半導体モジュ
ール52のモジュ−ル電極が整流装置用半導体モジュー
ル53の電極P,CN,Nに接続され、整流装置用半導
体モジュール53のモジュ−ル電極が整流装置用半導体
モジュール54の電極P,CN,Nに接続されている。
【0025】次に第5の実施例について説明する。図1
は本発明に基づく整流装置用半導体モジュールの回路
図である。図13に記載の整流装置用半導体モジュール
67は基本的には図1に示されたものと同様であるが、
図1における電極C、電極Eを設けていないものであ
る。図14は整流装置用半導体モジュール67の外観図
である。整流装置用半導体モジュール67には、電極
P,CN,Nはモジュールの一辺に一直線に配置され、
電極L,G,GEは図2の様に、P,CN,Nを配置し
た辺と向かい合わない辺に一直線に配置されている。
【0026】図1においてはスイッチング素子8にゲ−
ト信号を与える電極G,GEがリ−ド線であったのに対
して、整流装置用半導体モジュール67のように整流装
置用半導体モジュール67の表面に設けられた電極で構
成されていてもよい
【0027】
【発明の効果】部品点数が少なく、軽量、小形、構成の
簡単な整流装置用半導体モジュ−ルを提供することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による第1の実施例の整流装置用半導体
モジュ−ルの回路図
【図2】本発明による第2の実施例の整流装置用半導体
モジュ−ルの外観図
【図3】本発明による第2の実施例の整流装置用半導体
モジュ−ルの接続図
【図4】本発明による第1の実施例の整流装置用半導体
モジュ−ルを交直変換回路に適用した場合の回路図
【図5】本発明による第1の実施例の整流装置用半導体
モジュ−ルを交直変換回路に適用した場合の回路図
【図6】本発明による第1の実施例の整流装置用半導体
モジュ−ルを並列接続した場合の回路図
【図7】本発明による第2の実施例の整流装置用半導体
モジュ−ルを並列接続した場合の外観図
【図8】本発明による第3の実施例の整流装置用半導体
モジュ−ルの外観図
【図9】本発明による第3の実施例の整流装置用半導体
モジュ−ルを並列接続した場合の外観図
【図10】本発明による第4の実施例の整流装置用半導
体モジュ−ルの外観図
【図11】本発明による第4の実施例の整流装置用半導
体モジュ−ルを並列接続した場合の外観図
【図12】従来の整流装置の回路図
【図13】本発明による第5の実施例の整流装置用半導
体モジュ−ルの回路図
【図14】本発明による第5の実施例の整流装置用半導
体モジュ−ルの外観図
【符号の説明】
1、9は整流装置用半導体モジュール、4、5、6、7
はダイオ−ド、2は正側ダイオ−ド、3は負側ダイオ−
ド、8は半導体スイッチング素子、P,C,CN,E,
N,L,G,GEは電極である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平9−182441(JP,A) 特開 平9−233818(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H02M 7/21 H01L 25/07 H02M 7/04

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】4個のダイオードが単相ブリッジ接続され
    てなる単相整流回路と、この単相整流回路の直流出力端
    子間に接続された半導体スイッチング素子と、前記単相
    整流回路の正側直流出力端にアノードが接続された正側
    ダイオードと、前記単相整流回路の負側直流出力端にカ
    ソードが接続された負側ダイオードとから成り、前記単
    相整流回路と前記半導体スイッチング素子と前記正側ダ
    イオードと前記負側ダイオードとを一つのパッケ−ジ内
    に収納し、前記単相整流回路の2つの交流入力端、前記
    単相整流回路の2つの直流出力端、前記正側ダイオード
    のカソード端、及び前記負側ダイオードのアノード端が
    電極である整流装置用半導体モジュ−ルにおいて、 前記正側ダイオードのカソード端の電極と、前記負側ダ
    イオードのアノード端の電極と、前記単相整流回路の2
    つの交流入力端の一方の電極が第1の電極群を構成する
    とともに前記パッケージの一辺に直線状に配置され、前
    記単相整流回路の他方の交流入力端の電極と、前記単相
    整流回路の正側直流出力端の電極と、負側直流出力端の
    電極が第2の電極群を構成するとともに前記第1の電極
    群が配置されている前記パッケージの辺と向かい合わな
    い他辺に直線状に配置された ことを特徴とする整流装置
    用半導体モジュ−ル。
  2. 【請求項2】4個のダイオードが単相ブリッジ接続され
    てなる単相整流回路と、この単相整流回路の直流出力端
    子間に接続された半導体スイッチング素子と、前記単相
    整流回路の正側直流出力端にアノードが接続された正側
    ダイオードと、前記単相整流回路の負側直流出力端にカ
    ソードが接続された負側ダイオードとから成り、前記単
    相整流回路と前記半導体スイッチング素子と前記正側ダ
    イオードと前記負側ダイオードとを一つのパッケ−ジ内
    に収納し、前記単相整流回路の2つの交流入力端、前記
    単相整流回路の2つの直流出力端、前記正側ダイオード
    のカソード端、及び前記負側ダイオードのアノード端が
    電極である整流装置用半導体モジュ−ルにおいて、 前記正側ダイオードのカソード端の電極と、前記負側ダ
    イオードのアノード端の 電極と、前記単相整流回路の2
    つの交流入力端の一方の電極と、前記単相整流回路の他
    方の交流入力端の電極と、前記単相整流回路の正側直流
    出力端の電極と、負側直流出力端の電極が前記パッケー
    ジの上に直線状に配置されたことを特徴とする 整流装置
    用半導体モジュ−ル。
  3. 【請求項3】前記単相整流回路の正側直流出力端の電極
    と、前記正側ダイオ−ドのカソード端の電極と、前記負
    側ダイオードのアノード端の電極それぞれに平板状のモ
    ジュ−ル電極を設けたことを特徴とする請求項2記載の
    整流装置用半導体モジュ−ル。
  4. 【請求項4】前記単相整流回路の2つの交流入力端の電
    極、前記単相整流回路の正側直流出力端の電極と負側直
    流出力端の電極、前記正側ダイオードのカソード端の電
    極、及び前記負側ダイオードのアノード端の電極のう
    ち、前記単相整流回路の2つの交流入力端の電極、前記
    正側ダイオードのカソード端の電極、及び前記負側ダイ
    オードのアノード端の電極のみを設けたことを特徴とす
    る請求項1ないし3の何れかに記載の整流装置用半導体
    モジュ−ル。
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