JP3394202B2 - 電磁界強度の測定方法及び装置並びに電流電圧分布の測定方法及び装置 - Google Patents
電磁界強度の測定方法及び装置並びに電流電圧分布の測定方法及び装置Info
- Publication number
- JP3394202B2 JP3394202B2 JP00648599A JP648599A JP3394202B2 JP 3394202 B2 JP3394202 B2 JP 3394202B2 JP 00648599 A JP00648599 A JP 00648599A JP 648599 A JP648599 A JP 648599A JP 3394202 B2 JP3394202 B2 JP 3394202B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- eut
- output
- electromagnetic
- measuring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
- G01R29/08—Measuring electromagnetic field characteristics
- G01R29/0864—Measuring electromagnetic field characteristics characterised by constructional or functional features
- G01R29/0878—Sensors; antennas; probes; detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
- G01R29/08—Measuring electromagnetic field characteristics
- G01R29/0864—Measuring electromagnetic field characteristics characterised by constructional or functional features
- G01R29/0871—Complete apparatus or systems; circuits, e.g. receivers or amplifiers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/001—Measuring interference from external sources to, or emission from, the device under test, e.g. EMC, EMI, EMP or ESD testing
- G01R31/002—Measuring interference from external sources to, or emission from, the device under test, e.g. EMC, EMI, EMP or ESD testing where the device under test is an electronic circuit
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/315—Contactless testing by inductive methods
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
- G01R29/08—Measuring electromagnetic field characteristics
- G01R29/0807—Measuring electromagnetic field characteristics characterised by the application
- G01R29/0814—Field measurements related to measuring influence on or from apparatus, components or humans, e.g. in ESD, EMI, EMC, EMP testing, measuring radiation leakage; detecting presence of micro- or radiowave emitters; dosimetry; testing shielding; measurements related to lightning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
外部に向けて放射される電磁波によって形成される電磁
界の強度を測定する方法及びその装置に関するものであ
る。
e)対策として電子機器から放射される電磁波による電
磁界の強度測定を行う方法としては、以下に示すような
ものが規定されている。例えば、測定対象となる電子機
器、すなわち供試機器をオープンスペースに設置し、こ
の供試機器から3mから10mの距離をもってループア
ンテナやダイポールアンテナを設置して測定するもので
ある。このようにアンテナを供試機器から十分な距離を
おいて設置した場合には、ループアンテナにおいては遠
方放射電磁界の磁界成分だけを測定でき、ダイポールア
ンテナにおいては電界成分だけを測定できる。そして、
遠方放射電磁界の一方の成分を測定すれば他方を算出す
ることができる。また、オープンスペースではなく電波
暗室において測定する方法も規定されている。
特定する場合もある。例えば、回路基板上においてどの
部位から電磁波が強く放射されているかを特定する場合
である。このように場合には、前述した測定とは異なり
供試機器の近傍において電磁界強度を測定する。一般的
には、小型ループアンテナを供試機器に近接させて電磁
界の磁界成分を測定している。すなわち、電磁結合によ
る誘電起電力を利用して供試機器による電磁界の磁界成
分を測定するものである。そして、これに基づき供試機
器における電流電圧分布を求めて、放射源を特定してい
る。
ンスペース等による測定方法は広大な設置スペースや多
額の設備投資が必要である。そこで近年、放射電磁波強
度の評価法として、TEMセルと呼ばれる同軸伝送線路
を用いた評価方法が注目されている。この評価方法で
は、同軸伝送線路の内部導体と外部導体の間に供試機器
を配置し、内部導体の一端からの出力により評価するも
のである。この方法では、比較的小規模の設備で評価が
可能であるという利点がある。
は、オープンスペースでの測定との相関がとれないとい
う問題があった。すなわち、供試機器と内部導体との距
離が近接するため、TEMセルからの出力電流が電磁結
合による電流と静電結合による電流を無視できなくなる
ためである。
の放射源を精度良く特定するためには、電界成分による
影響を排除する必要がある。このためループアンテナに
シールドを設けたシールデッド・ループアンテナがしば
しば用いられる。このシールデッド・ループアンテナで
は、電界成分の影響を受けづらいので、磁界成分のみの
測定を比較的高精度で行うことができる。
テナといえども、その構造上シールドが設けられていな
い部分では供試機器との間で電界結合を生じることにな
るため、磁界成分のみの正確な測定は困難である。ま
た、シールド部分を有するという構造上小型化が困難で
ある。つまり、分解能の向上が困難であった。
であり、その目的とするところは、供試機器の放射電磁
波による電磁界強度について電界成分と磁界成分のそれ
ぞれを小型かつ簡易な設備で容易かつ正確に測定するこ
とができる電磁界強度の測定方法及び装置並びに電流電
圧分布の測定方法及び装置を提供することにある。
に、本願では、供試機器の放射電磁波により該供試機器
の周囲に形成される電磁界の強度を測定する方法におい
て、少なくとも一部の周波数領域において供試機器との
間で静電結合及び電磁結合する範囲内にプローブを配置
するステップと、供試機器に対して互いに異なる複数方
向に出力されるプローブからの複数の出力電流をそれぞ
れ測定するステップと、測定した複数の出力電流値及び
その出力電流の出力方向に基づき、各出力電流に含まれ
る、(a)供試機器とプローブ間の静電結合によりプロ
ーブから出力される静電結合電流値と、(b)供試機器
とプローブ間の電磁結合によりプローブから出力される
電磁結合電流値とを算出するステップと、算出した静電
結合電流値及び電磁結合電流値に基づき電界強度及び磁
界強度をそれぞれ算出するステップとを備えたことを特
徴とするものを提案する。
より該供試機器の周囲に形成される電磁界の強度を測定
する方法において、少なくとも一部の周波数領域におい
て供試機器との間で静電結合及び電磁結合するように同
軸伝送線路の内部導体と外部導体との間に供試機器を配
置するステップと、供試機器に対して相対的に互いに 異
なる複数方向に出力される前記内部導体からの複数の出
力電流をそれぞれ測定するステップと、測定した複数の
出力電流値及びその出力電流の出力方向に基づき、各出
力電流に含まれる、(a)供試機器と内部導体間の静電
結合により内部導体から出力される静電結合電流値と、
(b)供試機器と内部導体間の電磁結合により内部導体
から出力される電磁結合電流値とを算出するステップ
と、算出した静電結合電流値及び電磁結合電流値に基づ
き電界強度及び磁界強度をそれぞれ算出するステップと
を備えたことを特徴とするものを提案する。
れる電流(以下、静電結合電流という)と電磁結合によ
り出力される電流(以下、電磁結合電流という)とは異
なる方向性を有している。本発明では、供試機器とプロ
ーブ又は同軸伝送路の内部導体(以下プローブ等とい
う)との間の静電結合電流については、電磁波の放射源
から離れる方向に出力される。一方、供試機器と前記プ
ローブ等との間の電磁結合電流については、プローブ等
の形状や両者間の位置関係に応じて特定の一方向に出力
されるが、プローブ等の周囲の磁界の向きによってその
方向及び電流値は異なるものとなる。すなわち、プロー
ブ等の一端においては静電結合電流と電磁結合電流は同
方向に出力されるが、他端においては逆方向になる。し
たがって、プローブ等の一端において出力される電流
は、静電結合電流と電磁結合電流との合成電流となって
いる。そこで、供試機器に対して互いに異なる複数方向
に出力される各合成電流を測定すれば、静電結合電流と
電磁結合電流を分離して算出することができる。そし
て、この各電流値により電磁界の電界成分と磁界成分を
正確に測定することができる。
プローブは先端部がシールドされていないループアンテ
ナを含むものを提案する。また、前記同軸伝送線路はT
EMセル又はG−TEMセルからなるものを提案する。
方法を用いて供試機器周囲の電界強度及び磁界強度を測
定した後に、この電界強度に基づき供試機器における電
圧分布を算出するとともに、磁界強度に基づき供試機器
における電流分布を算出することを特徴とするものを提
案する。
器における電位に影響され、また磁界強度は供試機器に
流れる電流に影響される。したがって、本発明によれ
ば、測定された供試機器周囲の電界強度に基づき供試機
器における電位が確実に算出される。また、測定された
供試機器周囲の磁界強度に基づき供試機器における電流
が確実に算出される。
定方法を用いて測定した供試機器周囲の磁界強度に基づ
き供試機器における電流方向の分布を算出することを特
徴とするものを提案する。
機器に流れる電流に影響される。また、供試機器と電磁
結合して発生する電磁結合電流は磁界の方向によって異
なる値となる。したがって、本発明では、複数の電磁結
合電流から供試機器周囲の電界強度を算出するとともに
供試機器に流れる電流方向を算出することができる。
て説明する。図1は電磁界強度の測定装置の構成を説明
する図、図2はプローブを説明する図、図3はループア
ンテナからの出力を説明する概念図、図4は電磁界強度
の測定装置の構成を説明するブロック図である。
る電磁界の強度分布を測定するものである。供試機器1
は、例えば電子機器の回路基板である。測定中は、供試
機器1は動作状態にさせ、この動作中に放射される電磁
波が形成する電磁界強度を測定する。
機器1に近接するプローブ10と、プローブ10と接続
した第1の電流測定器21及び第2の電流測定器22
と、各電流測定器21及び22から出力されるデータを
処理する計算機30と、プローブ10を供試機器1の近
傍で移動させる移動装置40を備えている。プローブ1
0と第1の電流測定器21は同軸ケーブル23で接続さ
れている。プローブ10と第2の電流測定器22は同軸
ケーブル24で接続されている。
アンテナ11を有する。このループアンテナ11はシー
ルドを備えていないものである。本実施の形態では、ル
ープアンテナ11は、より供試機器1に接近できるよう
に方形のループアンテナとした。ループアンテナ11の
両端は、それぞれ同軸ケーブル12及び13の中心導体
と接続している。各同軸ケーブル12及び13の他端側
には接続コネクタ14及び15が設けられている。各接
続コネクタ14,15は、それぞれ第1の電流測定器2
1,第2の電流測定器23に接続している。本実施の形
態では、外部導体が銅、誘電体がテフロンで構成され、
特性インピーダンスが50Ω、直径約1mmの同軸ケー
ブルを加工することによりプローブ10を作成した。
について図3の概念図を参照して説明する。図3(a)に
示すように、ループアンテナ11には、供試機器1に流
れる電流Iと電磁結合して生じる電磁結合電流IMが流
れる。この電磁結合電流IMは、ループアンテナ11の
一端から他端側へ流れる。ここで、電磁結合電流IMの
出力方向は、供試機器1に流れる電流Iの方向により決
定される。一方、図3(b)に示すように、供試機器1と
ループアンテナ11との間には電界が生じる。すなわ
ち、供試機器1とループアンテナ11が静電結合する。
したがって、ループアンテナ11には供試機器1と対峙
する部位から供試機器11へ離れる方向へ静電結合電流
IEが流れる。これにより、プローブ10の一端子側に
は静電結合電流IE+電磁結合電流IMが出力され、他端
側には静電結合電流IE−電磁結合電流IMが出力され
る。つまり、プローブ10からは静電結合電流IE及び
電磁結合電流IMの合成電流が出力される。
一端から出力される第1の合成電流I1を測定する。第
2の電流測定器22は、プローブ10の他端から出力さ
れる第2の合成電流I2を測定する。本実施の形態で
は、スペクトラムアナライザを用いた。各電流測定器2
1及び22は、それぞれ測定結果を計算機30に出力す
る。
器1の近傍の電磁界強度を電界成分と磁界成分に分離し
て算出する演算部31と、演算部31による算出結果を
記憶する記憶部32と、移動装置40の動作を制御する
制御部33と、記憶部32に記憶された算出結果を表示
する表示部34を有している。
2からの合成電流に基づき静電結合電流IE及び電磁結
合電流IMを算出する。前述したように、第1の電流測
定器21により計測された電流I1と、第2の電流測定
器22により計測された電流I2は、それぞれ、 I1=IE+IM I2=IE−IM となる。したがって、この2式を連立して解けば静電結
合電流IE及び電磁結合電流IMが算出できる。記憶部3
2では制御部33と連動してプローブ10の各移動位置
における算出結果を記憶する。これにより電磁界の強度
分布が作成される。
号によりプローブ10を供試機器1の上面と平行に移動
させる。プローブ10は、供試機器1の近傍において移
動させる。例えば、供試機器1に対して約2mmまでル
ープアンテナ11を接近させる。
0の両端から出力される第1の合成電流I1及び第2の
合成電流I2に基づいて静電結合電流IE及び電磁結合電
流IMを容易に求めることができる。したがって供試機
器1の近傍における電磁界強度の電界成分及び磁界成分
を静電結合電流IE及び電磁結合電流IMから容易に求め
ることができる。さらに、この電磁界強度の磁界成分及
び電流成分より、供試機器1における電流分布及び電圧
分布を測定することができる。ここで、プローブ10
は、シールド構造を必ずしも必要としないため容易に小
型化することができる。この小型化によりプローブの空
間分解能が向上する。また、プローブ構造が自由度の高
いものとなる。さらに、移動装置40によりプローブ1
0を供試機器1の近傍で移動させるので、電磁界の強度
分布を容易かつ確実に得ることができる。
有しないループアンテナ11を用いたが、シールデッド
・ループアンテナを用いてもよい。なお、この場合には
静電結合電流IEは小さなものとなる。また、本実施の
形態では、ループアンテナ11を方形としたが、円形等
の他の形状であってもよい。さらに、本実施の形態で
は、ループアンテナ11の巻回数は1回としたが、数回
巻回させた形状としてもよい。その他、材質や大きさ等
についても他のものを用いてもよい。
器21及び22を用いたが、1台の測定器を用いてもよ
い。この場合には、プローブ10の一方の出力を測定し
て第1の合成電流を得た後に、他方の出力を測定して第
2の合成電流を得ればよい。また、プローブ10の一方
側の出力のみを測定して第1の合成電流を得た後に、こ
のプローブ10を供試機器1方向を軸として180°回
転させ、再び同じ側の出力を測定して第2の合成電流を
得てもよい。
を供試機器1と所定距離に接近させて移動するように移
動装置40を制御したが、供試機器1に対して近づけ又
は離す方向に移動させるようにしてもよい。これにより
供試機器1周囲の電磁界の強度分布を空間的に測定する
ことができる。また、本実施の形態では、移動装置40
を用いてプローブ10を移動させることにより電磁界の
強度分布を得たが、多数のプローブ10を供試機器1の
近傍にマトリックス状に配置し、これらを高周波スイッ
チ等で切り替えることにより各位置での電磁界強度を測
定してもよい。この場合には、プローブ10の移動がな
いので測定を高速化することができる。
参照して説明する。図5は電磁界強度の測定装置の構成
を説明するブロック図、図6及び図7は電磁界強度の測
定装置の構成を説明する図である。図中、第1の実施の
形態と同一の構成のものについて同一の符号を付して説
明を省略する。
る点は、まず、本実施の形態では、プローブ10の一端
から出力される合成電流を測定することにある。そし
て、複数の合成電流を測定するために、移動装置41に
プローブ10を供試機器1に向かう方向を軸として回転
させる機能を持たせている。
として、ベクトルシグナルアナライザを用いた。すなわ
ち、電流測定器25は、入力信号の位相差をも測定する
ものである。この電流測定器25は、信号発生器50に
対して基準信号を出力する。信号発生器50は、電流測
定器25の基準信号と同期した駆動信号を供試機器1の
駆動信号として供給する。すなわち、供試機器1は自身
が持つクロック信号に基づき動作するのではなく、信号
発生器50のクロック信号に基づき動作する。これによ
り、電流測定器25では、電流値を測定するとともに位
相差を正確に検出することができる。
算部31は、以下のようにして電磁界強度を算出する。
まず、供試機器1のある点(x,y)における実際の電流I
(x,y)及び電圧V(x,y)を、それぞれ I(x,y)=a(x,y)sin(ωt+θh(x,y)) V(x,y)=b(x,y)sin(ωt+θe(x,y)) と表す。また、図6及び図7に示すように、電流の向き
をX軸からの角度φで表す。図において、点(x,y)に記
載してある太線矢印は電流をベクトルで表示したもので
ある。なお、a,bは係数、ωは角速度、θh,θeは位相差
である。
XY平面に直交する方向に離れた位置にループアンテナ
11を配置する。ここでループアンテナ11は巻回軸が
X軸方向となるように配置する。このとき、ループアン
テナ11の両端から出力される第1の合成電流IA(x,y)
及び第2の合成電流IB(x,y)は、 IA(x,y)=αb(x,y)sin(ωt+θe(x,y))+βa(x,y)sin(ωt+θh(x,y))sinφ IB(x,y)=αb(x,y)sin(ωt+θe(x,y))−βa(x,y)sin(ωt+θh(x,y))sinφ となる。同様に、図7に示すように、ループアンテナ1
1を巻回軸がY軸方向となるように配置すると、ループ
アンテナ11の両端から出力される第3の合成電流I
C(x,y)及び第4の合成電流ID(x,y)は、 IC(x,y)=αb(x,y)sin(ωt+θe(x,y))+βa(x,y)sin(ωt+θh(x,y))cosφ ID(x,y)=αb(x,y)sin(ωt+θe(x,y))−βa(x,y)sin(ωt+θh(x,y))cosφ となる。なお、α,βは係数である。また、この4式に
おいて、第1項は静電結合電流IEであり、第2項は電
磁結合電流IMである。さらに、この4式は、第2項の
値が大きい場合、すなわち電磁結合電流IMが大きい場
合には値が負となる場合がある。本実施の形態では、電
流測定器25としてベクトルシグナルアナライザを用い
ているので、IA(x,y)とIB(x,y)とを比較し、同位相で
あるならば両信号は正と判定し、逆位相であるならば一
方が負の値となっている判定している。IC(x,y)とI
D(x,y)との比較も同様である。
る供試機器1の電流I(x,y)及び電圧V(x,y)、さらに電
流の角度φを推測することができる。
装置41を用いてプローブ10を90°づつ回転させる
ことにより前記IA(x,y)〜ID(x,y)を電流測定器25で
測定する。演算部31はこれに基づき、静電結合電流I
E及び電磁結合電流IMを算出する。これにより供試機器
1の点(x,y)近傍における電磁界強度を電界成分及び磁
界成分に分けて算出することができる。さらに、これよ
り供試機器1の点(x,y)電流I(x,y)及び電圧V(x,y)、さ
らに電流の向きφを推定可能となる。そして、移動装置
41はXY平面上を移動させれば、供試機器1における
電流電圧分布を得ることができる。その他の作用効果に
ついては第1の実施の形態と同様である。
有しないループアンテナ11を用いたが、シールデッド
・ループアンテナを用いてもよい。なお、この場合には
静電結合電流は小さなものとなる。また、本実施の形態
では、ループアンテナ11を方形としたが、円形等の他
の形状であってもよい。さらに、本実施の形態では、ル
ープアンテナ11の巻回数は1回としたが、数回巻回さ
せた形状としてもよい。その他、材質や大きさ等につい
ても他のものを用いてもよい。
器25を用いたが、第1の実施の形態のように複数の測
定器を用いてもよい。
をループアンテナ11の巻回軸が供試機器1の上面と平
行となるよう回転させたが、これに限定されることな
く、他の方向に回転させることにより複数の合成電流を
測定してもよい。また、その回転角も90°づつに限定
されることなく、他の角度であってもよい。
を供試機器1の上面近傍において水平に移動させるのみ
であったが、供試機器1に対して近づき又は離れる方向
に移動させてもよい。これにより、供試機器1周囲の電
磁界の強度分布を空間的に得ることができる。
を用いてプローブ10を移動させることにより電磁界の
強度分布を得たが、多数のプローブ10を供試機器1の
近傍にマトリックス状に配置して、これらを高周波スイ
ッチ等で切り替えることにより各位置での電磁界強度を
測定してもよい。この場合には、プローブ10の移動が
ないので測定を高速化することができる。
て説明する。図8は電磁界強度の測定装置の構成を説明
する図である。
る電磁波により形成された電磁界の強度を測定するもの
である。供試機器1は、例えば電子機器の回路基板や、
特に部品単位で測定したい場合には該部品を測定用の基
板に実装したものである。測定中は、供試機器1は動作
状態にさせ、この動作中に放射される電磁波が形成する
電磁界強度を測定する。
機器1を収容する同軸伝送線路の一種であるTEMセル
60と、TEMセル60の一端と接続した電流測定器7
0と、電流測定器70から出力されるデータを処理する
計算機80とを備えている。TEMセル60と電流測定
器70は同軸ケーブル71で接続されている。
0Ωの角形伝送線路である。すなわち、TEMセル60
は、中心導体61と外部導体62とを備えている。TE
Mセル60の上面には正方形の蓋体63が設けられてい
る。蓋体63の内側中心部には供試機器1が設置されて
いる。この供試機器11は、外部導体62と中心導体6
1の間に配置される。中心導体61の一端は前記電流測
定器70に接続しており、他端は50Ωの終端抵抗64
に接続している。
らの出力について図9の概念図を参照して説明する。図
9(a)に示すように、TEMセル60の中心導体61に
は、供試機器1に流れる電流Iと電磁結合して生じる電
磁結合電流IMが流れる。この電磁結合電流IMは、中心
導体61の一端から他端側へ流れる。ここで、電磁結合
電流IMの出力方向は、供試機器1に流れる電流Iの方
向により決定される。一方、図9(b)に示すように、供
試機器1と中心導体61との間には電界が生じる。すな
わち、供試機器1と中心導体61が静電結合する。した
がって、中心導体61には供試機器1と対峙する部位か
らTEMセル60の両端方向へ静電結合電流IEが流れ
る。これにより、TEMセル60の一端子側には静電結
合電流IE+電磁結合電流IMが出力され、他端側には静
電結合電流IE−電磁結合電流IMが出力される。つま
り、TEMセル60からは静電結合電流IE及び電磁結
合電流IMの合成電流が出力される。
される合成電流を測定する。本実施の形態では、ネット
ワークアナライザを用いた。すなわち、電流測定器70
は、同軸ケーブル72を介して供試機器1に周波数を変
動させて駆動信号を入力する一方、中心導体61からの
出力を測定する。電流測定器70は、測定結果を計算機
80に出力する。
測定器70から入力される測定結果を一時的に記憶する
記憶部81と、記憶部81に記憶された複数の合成電流
から供試機器1近傍の電磁界強度を電界成分と磁界成分
に分離して算出する演算部82と、算出結果を表示する
表示部83を有している。
される合成電流は、供試機器1を設置する角度によって
異なる値となる。これは、電磁結合電流IMは供試機器
1に流れる電流Iにより流れる方向が決定されるからで
ある。なお、静電結合電流IEは供試機器1の全体的な
電位により値が決定されるので供試機器1の設置角度に
影響を受けない。したがって、供試機器1に流れる電流
Iの向きが蓋体63の一辺に対して角度θであるとする
と、TEMセル60の一端から出力される第1の合成電
流IAは、 IA=IE+IMcosθ となる。ここで、供試機器1ごと蓋体63を90°づつ
回転させると、TEMセル60の一端から出力される第
2〜4の合成電流IB〜IDはそれぞれ、 IB=IE−IMsinθ IC=IE−IMcosθ ID=IE+IMsinθ となる。したがって、計算機80は、供試機器1の角度
を90°つづ回転させて得た4つの合成電流値IA〜ID
を記憶部81に記憶し、その後に演算部82で第1〜4
の合成電流IA〜IDに基づき、これを連立して解けば、
電磁結合電流IM及び静電結合電流IE、さらに供試機器
1における主要な電流方向θを算出することができる。
また、演算部82は、この電磁結合電流IM及び静電結
合電流IEに基づき電磁界強度を電界成分及び磁界成分
に分離して算出することができる。
説明する。第1の実施例では、供試機器1として数cm
の導線を選択した。供試機器1である導線は、長手方向
が前記蓋体63の一辺に対して0°となるように配置し
た。すなわち、角度θ=0°である。供試機器1である
導線の一端は、電流測定器70であるネットワークアナ
ライザに接続する。導線の他端は、50Ω終端を行って
いる。この供試機器1を蓋体63を回転させ4つの回転
角度で電流値を測定し、計算機80により電磁結合電流
IM及び静電結合電流IE、さらに供試機器1における主
要な電流方向θを測定した。また、測定は150kHz
〜1GHzの範囲で5MHzごとに測定した。その結
果、図11のグラフを得た。
蓋体63の一辺に対して20°となるように配置して測
定した。すなわち、角度θ=0°である。他の測定条件
は第1の実施例と同様である。その結果、図12のグラ
フを得た。
してマイクロストリップライン(以下MSLという)を
選択した。供試機器1であるMSLは、長手方向が前記
蓋体63の一辺に対して45°となるように配置した。
すなわち、角度θ=45°である。他の測定条件は第1
の実施例と同様である。その結果、図13のグラフを得
た。
正確な値が測定されていることが確認された。
してTEMセル60を用いたが、図14の断面図に示す
ようなG−TEMセル60aを用いてもよい。このG−
TEMセル60aは、一端側が電磁波吸収体65により
終端されているものである。このG−TEMセル60a
では、特に高周波における測定に優れたものとなる。
してインピーダンスが50Ωのものを用いたが、これに
限定されることなく他のインピータンス値で終端するよ
うにしてもよい。
0の蓋体63として、正方形のものを用いることによ
り、容易に90°回転可能としたが、蓋体63を円形や
六角形や八角形等の多角形状にしてもよい。また、その
回転角度も90°づつに限定されることなく、他の角度
であってもよい。
及び図16に示すような箱体90を用いてもよい。図1
5は箱体90の断面図、図16は箱体90の上面図であ
る。箱体90は、内側に電磁波吸収体91を付設してい
る。供試機器1は、箱体90の底面に配置する。箱体9
0の上部には2つの内部導体92及び93が配置されて
いる。この内部導体92及び93は、箱体90の天井面
に互いに90°で交差するように配置されている。ま
た、各内部導体92の両端部は箱体90の上面に設けら
れたコネクタ94〜97に接続されている。このように
箱体90では、各コネクタ94〜97からの出力を電流
測定器70で測定すればよい。なお、各内部導体92は
同軸ケーブル等を利用したシールド構造を有したもので
あってもよい。
機器とプローブ等との間の静電結合電流については、電
磁波の放射源から離れる方向に出力される。一方、供試
機器とプローブ等との間の電磁結合電流については、プ
ローブ等の形状や両者間の位置関係に応じて特定の一方
向に出力されるが、プローブ等の周囲の磁界の向きによ
ってその方向及び電流値は異なるものとなる。すなわ
ち、プローブ等の一端においては静電結合電流と電磁結
合電流は同方向の出力されるが、他端においては逆方向
になる。したがって、プローブ等の一端において出力さ
れる電流は、静電結合電流と電磁結合電流との合成電流
となっている。そこで、供試機器に対して互いに異なる
複数方向に出力される各合成電流を測定すれば、静電結
合電流と電磁結合電流を分離して算出することができ
る。そして、この各電流値により電磁界の電界成分と磁
界成分を正確に測定することができる。
えばループアンテナ等を供試機器の近傍に配置しても、
電磁界を電界成分と磁界成分に分離することができるの
で、各成分データの有効活用が可能である。例えば、供
試機器に流れる電流電圧分布を測定することができる。
ここで、ループアンテナを用いて従来の通常の測定を行
った場合と比較すれば、本発明では電界成分を排除する
ことができるので正確な測定値を得ることができる。ま
た、シールデッド・ループアンテナを用いた従来の通常
の測定を行った場合と比較すれば、本発明ではシールド
部を必要としないのでアンテナな小型化が可能となる。
したがって、電流分布測定の分解能を向上させることが
できる。
ースでのEMI測定のようにアンテナを供試機器から十
分離れて配置することなく、供試機器の近傍において測
定した電磁界の磁界成分から遠方電磁界強度を推定する
ことができる。したがって、例えばTEMセルのような
小規模な設備でEMI評価を行うことができる。
ク図
ク図
ック図
ナ、21,22,25,70…電流測定器、30,7
0,80…計算機、40…移動装置、60…TEMセ
ル、61…中心導体、90…箱体
Claims (19)
- 【請求項1】 供試機器の放射電磁波により該供試機器
の周囲に形成される電磁界の強度を測定する方法におい
て、 少なくとも一部の周波数領域において供試機器との間で
静電結合及び電磁結合する範囲内にプローブを配置する
ステップと、供試機器に対して互いに異なる複数方向に出力されるプ
ローブからの複数の出力電流をそれぞれ測定するステッ
プと、 測定した複数の出力電流値及びその出力電流の出力方向
に基づき、各出力電流に含まれる、(a)供試機器とプ
ローブ間の静電結合によりプローブから出力される静電
結合電流値と、(b)供試機器とプローブ間の電磁結合
によりプローブから出力される電磁結合電流値とを算出
するステップと、 算出した静電結合電流値及び電磁結合電流値に基づき電
界強度及び磁界強度をそれぞれ算出するステップとを備
えた ことを特徴とする電磁界強度の測定方法。 - 【請求項2】 前記プローブを供試機器に対して相対的
に移動させるステップを備えたことを特徴とする請求項
1記載の電磁界強度の測定方法。 - 【請求項3】 前記プローブは先端部がシールドされて
いないループアンテナを含むことを特徴とする請求項1
記載の電磁界強度の測定方法。 - 【請求項4】 前記複数の出力電流の測定ステップは、
前記プローブを供試機器に対して相対的に回転させるス
テップを含み、異なる複数の回転位置においてプローブ
の少なくとも一端から出力される出力電流を測定するこ
とを特徴とする請求項1記載の電磁界強度の測定方法。 - 【請求項5】 供試機器の放射電磁波により該供試機器
の周囲に形成される電磁界の強度を測定する装置におい
て、 少なくとも一部の周波数領域において供試機器との間で
静電結合及び電磁結合する範囲内に配置したプローブ
と、 供試機器に対して互いに異なる複数方向に出力されるプ
ローブからの複数の出力電流をそれぞれ測定する測定手
段と、測定した複数の出力電流値及びその出力電流の出力方向
に基づき、各出力電流に含まれる、(a)供試機器とプ
ローブ間の静電結合によりプローブから出力される静電
結合電流値と、(b)供試機器とプローブ間の電磁結合
によりプローブから出力される電磁結合電流値とを算出
し、該静電結合電流値及び電磁結合電流値に基づき電界
強度及び磁界強度をそれぞれ算出する算出手段とを備え
た ことを特徴とする電磁界強度の測定装置。 - 【請求項6】 前記プローブを前記供試機器に対して相
対的に移動させる移動手段を備えたことを特徴とする請
求項5記載の電磁界強度の測定装置。 - 【請求項7】 前記プローブを前記供試機器に対して相
対的に回転させる回転手段を備えたことを特徴とする請
求項5記載の電磁界強度の測定装置。 - 【請求項8】 前記プローブは先端部がシールドされて
いないループアンテナを含むことを特徴とする請求項5
記載の電磁界強度の測定装置。 - 【請求項9】 供試機器の放射電磁波により該供試機器
の周囲に形成される電磁界の強度を測定する方法におい
て、少なくとも一部の周波数領域において供試機器との間で
静電結合及び電磁結合するように同軸伝送線路の内部導
体と外部導体との間に供試機器を配置するステップと、 供試機器に対して相対的に互いに異なる複数方向に出力
される前記内部導体からの複数の出力電流をそれぞれ測
定するステップと、 測定した複数の出力電流値及びその出力電流の出力方向
に基づき、各出力電流に含まれる、(a)供試機器と内
部導体間の静電結合により内部導体から出力される静電
結合電流値と、(b)供試機器と内部導体間の電磁結合
により内部導体 から出力される電磁結合電流値とを算出
するステップと、 算出した静電結合電流値及び電磁結合電流値に基づき電
界強度及び磁界強度をそれぞれ算出するステップとを備
えた ことを特徴とする電磁界強度の測定方法。 - 【請求項10】 前記複数の出力電流の測定ステップ
は、前記供試機器を同軸伝送線路の内部導体に対して相
対的に回転させるステップを含み、異なる複数の回転位
置において内部導体の少なくとも一端から出力される出
力電流を測定することを特徴とする請求項9記載の電磁
界強度の測定方法。 - 【請求項11】 前記同軸伝送線路がTEMセルである
ことを特徴とする請求項9又は10何れか1項記載の電
磁界強度の測定方法。 - 【請求項12】 前記同軸伝送線路がG−TEMセルで
あることを特徴とする請求項9又は10何れか1項記載
の電磁界強度の測定方法。 - 【請求項13】 供試機器の放射電磁波により該供試機
器の周囲に形成される電磁界の強度を測定する装置にお
いて、内部導体と外部導体の間に供試機器を配置可能な同軸伝
送線路と、 供試機器に対して相対的に互いに異なる複数方向に出力
される内部導体からの複数の出力電流をそれぞれ測定す
る測定手段と、 測定した複数の出力電流値及びその出力電流の出力方向
に基づき、各出力電流に含まれる、(a)供試機器と内
部導体間の静電結合により内部導体から出力される静電
結合電流値と、(b)供試機器と内部導体間の電磁結合
により内部導体から出力される電磁結合電流値とを算出
し、該静電結合電流値及び電磁結合電流値に基づき電界
強度及び磁界強度をそれぞれ算出する算出手段とを備え
た ことを特徴とする電磁界強度の測定装置。 - 【請求項14】 前記同軸伝送線路がTEMセルである
ことを特徴とする請求項13記載の電磁界強度の測定装
置。 - 【請求項15】 前記同軸伝送線路がG−TEMセルで
あることを特徴とする請求項13記載の電磁界強度の測
定装置。 - 【請求項16】 請求項1〜4記載の電磁界強度の測定
方法を用いて供試機器周囲の電界強度及び磁界強度を測
定するステップと、 この電界強度に基づき供試機器における電圧分布を算出
するとともに、磁界強度に基づき供試機器におかえる電
流分布を算出するステップとを備えたことを特徴とする
電流電圧分布の測定方法。 - 【請求項17】 請求項1〜4記載の電磁界強度の測定
方法を用いて測定した供試機器周囲の磁界強度に基づき
供試機器における電流方向の分布を算出するステップを
備えたことを特徴とする請求項16記載の電流電圧分布
の測定方法。 - 【請求項18】 請求項5〜8記載の電磁界強度の測定
装置に、前記算出手段により算出された前記電界強度に
基づき供試機器における電圧分布を算出するとともに前
記磁界強度に基づき供試機器における電流分布を算出す
る電流電圧分布算出手段を設けたことを特徴とする電流
電圧分布の測定装置。 - 【請求項19】 前記電流電圧分布算出手段は前記磁界
強度に基づき供試機器における電流方向の分布を算出す
ることを特徴とする請求項18記載の電流電圧分布の測
定装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00648599A JP3394202B2 (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 電磁界強度の測定方法及び装置並びに電流電圧分布の測定方法及び装置 |
US09/481,689 US6456070B1 (en) | 1999-01-13 | 2000-01-12 | Method and device for measuring intensity of electromagnetic field, method and device for measuring current-voltage distribution, and method for judging quality of electronic device, and electronic device therefor |
US10/237,719 US6975111B2 (en) | 1999-01-13 | 2002-09-10 | Method and device for measuring intensity of electromagnetic field, method and device for measuring current-voltage distribution, and method for judging quality of electronic device, and electronic device thereof |
US11/203,089 US7098677B2 (en) | 1999-01-13 | 2005-08-15 | Method and device for measuring intensity of electromagnetic field, method and device for measuring current-voltage distribution, and method for judging quality of electronic device, and electronic device therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00648599A JP3394202B2 (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 電磁界強度の測定方法及び装置並びに電流電圧分布の測定方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000206163A JP2000206163A (ja) | 2000-07-28 |
JP3394202B2 true JP3394202B2 (ja) | 2003-04-07 |
Family
ID=11639789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP00648599A Expired - Lifetime JP3394202B2 (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 電磁界強度の測定方法及び装置並びに電流電圧分布の測定方法及び装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6456070B1 (ja) |
JP (1) | JP3394202B2 (ja) |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2797327B1 (fr) * | 1999-08-03 | 2001-11-09 | France Telecom | Procede et dispositif de mesure en champ proche de rayonnements radioelectriques non controles |
JP4925232B2 (ja) * | 2001-02-02 | 2012-04-25 | 株式会社バッファロー | 電界プローブ |
WO2002084311A1 (fr) * | 2001-04-09 | 2002-10-24 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Procede de mesure de l'intensite d'un champ electromagnetique et dispositif afferent, procede de mesure de la repartition d'intensite d'un champ electromagnetique et dispositif afferent, procede de mesure de la repartition de courant/tension et dispositif afferent |
US6625554B2 (en) | 2001-06-22 | 2003-09-23 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for determining a magnetic field |
JP2004020403A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Hitachi Ltd | 電子機器表示装置、電子機器、及びその製造方法 |
JP3655295B2 (ja) * | 2002-07-22 | 2005-06-02 | 富士通株式会社 | インバータの電流検出方法、その電流検出回路、その異常検出方法、その異常検出回路、表示装置及び情報処理装置 |
US7482814B2 (en) * | 2004-08-27 | 2009-01-27 | The Board of Regents University Community College System of Nevada on Behalf of the University of Nevada-Las Vegas | Electric/magnetic field sensor |
CN100395560C (zh) * | 2004-10-27 | 2008-06-18 | 华为技术有限公司 | 印制电路板信号回流密度测量电路及方法 |
US7642973B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-05 | Panasonic Corporation | Electromagnetic wave analysis apparatus and design support apparatus |
WO2006075584A1 (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-20 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | 電磁界分布測定方法及びその装置並びにコンピュータプログラム及び情報記録媒体 |
JP4619799B2 (ja) * | 2005-01-20 | 2011-01-26 | 太陽誘電株式会社 | 電界ベクトルの算出方法及びその装置、電界ベクトルの算出プログラム及びそのプログラムを記録した記録媒体 |
US7541818B2 (en) * | 2005-07-07 | 2009-06-02 | Panasonic Corporation | Method and apparatus of electromagnetic measurement |
JP4895551B2 (ja) * | 2005-08-10 | 2012-03-14 | 株式会社アドバンテスト | 試験装置および試験方法 |
JP4558613B2 (ja) | 2005-09-02 | 2010-10-06 | パナソニック株式会社 | 回路基板の設計支援装置、回路基板の設計方法、及びノイズ解析プログラム |
KR100815151B1 (ko) * | 2005-12-09 | 2008-03-19 | 한국전자통신연구원 | 역산란파 측정방법과 이를 이용한 전파식별 트랜스폰더 및 판독기의 불량품 확인장치 |
US7710131B1 (en) * | 2007-08-18 | 2010-05-04 | Radiation Monitoring Devices, Inc. | Non-contact circuit analyzer |
US7750629B2 (en) * | 2007-08-30 | 2010-07-06 | Intel Corporation | Measuring electric and magnetic field |
JP4747208B2 (ja) * | 2008-06-03 | 2011-08-17 | キヤノン株式会社 | 電磁界計測装置および方法 |
FR2933200B1 (fr) * | 2008-06-25 | 2010-09-10 | Centre Nat Etd Spatiales | Procede et machine de test multidimensionnel d'un dispositif electronique a partir d'une sonde monodirectionnelle |
US8643539B2 (en) * | 2008-11-19 | 2014-02-04 | Nokomis, Inc. | Advance manufacturing monitoring and diagnostic tool |
EP2488882B1 (en) * | 2009-10-16 | 2020-11-25 | TechHold, LLC | System and method of electromagnetic field detection |
JP5362599B2 (ja) * | 2010-01-26 | 2013-12-11 | 株式会社日立製作所 | 電磁波源探査方法、電磁波源探査プログラム、電磁波源探査装置 |
CN102711361A (zh) * | 2011-03-28 | 2012-10-03 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 电路板 |
CN102426310B (zh) * | 2011-10-09 | 2014-03-19 | 中国航空无线电电子研究所 | 一种新型飞机全机高强度辐照试验方法 |
KR101340948B1 (ko) | 2012-06-07 | 2013-12-17 | 주식회사 에이디엔티 | 전자 방해 검출 장치 |
JP6476861B2 (ja) * | 2012-10-24 | 2019-03-06 | 日本電気株式会社 | 電磁界特徴分類提示装置 |
JP2015034785A (ja) | 2013-08-09 | 2015-02-19 | Tdk株式会社 | 遠方電磁界推定方法および装置ならびに近傍電磁界測定装置 |
US9523729B2 (en) * | 2013-09-13 | 2016-12-20 | Infineon Technologies Ag | Apparatus and method for testing electric conductors |
US9335384B2 (en) * | 2013-09-25 | 2016-05-10 | Qualcomm Incorporated | Adjustable magnetic probe for efficient near field scanning |
US9846130B2 (en) | 2014-02-24 | 2017-12-19 | Applied Materials, Inc. | Ceramic ring test device |
CN103969495B (zh) * | 2014-05-22 | 2016-07-06 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 一种线天线电流的仿真测量方法 |
JP6686617B2 (ja) | 2016-03-28 | 2020-04-22 | Tdk株式会社 | 放射妨害波測定装置 |
US10156601B2 (en) * | 2016-05-17 | 2018-12-18 | Anritsu Corporation | Antenna measurement system and antenna measurement method |
US10448864B1 (en) | 2017-02-24 | 2019-10-22 | Nokomis, Inc. | Apparatus and method to identify and measure gas concentrations |
US11489847B1 (en) | 2018-02-14 | 2022-11-01 | Nokomis, Inc. | System and method for physically detecting, identifying, and diagnosing medical electronic devices connectable to a network |
US20220334144A1 (en) * | 2021-04-16 | 2022-10-20 | Tektronix, Inc. | Multi-mode measurement probe |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3611382A (en) * | 1969-11-12 | 1971-10-05 | Us Navy | Detector probe for measurement of high-frequency elliptically polarized fields |
GB2180964A (en) * | 1985-08-29 | 1987-04-08 | Johnson Matthey Plc | Indicator element |
US5300879A (en) * | 1990-06-18 | 1994-04-05 | Nec Corporation | Bidimensional electromagnetic emission level monitoring equipment |
DE59203328D1 (de) * | 1991-02-25 | 1995-09-28 | Asea Brown Boveri | Feldstärkenmessgerät. |
EP0508062B1 (de) * | 1991-04-10 | 1995-07-19 | atg test systems GmbH | Verfahren und Vorrichtung zur Prüfung einer elektrischen Leiteranordnung |
JP3091815B2 (ja) * | 1994-02-25 | 2000-09-25 | 富士通株式会社 | 電磁界強度算出装置 |
US5773974A (en) * | 1995-04-13 | 1998-06-30 | Credence Technologies, Inc. | Portable electro-magnetic field detection and measurement apparatus for near-field test and measurements |
KR100226426B1 (ko) * | 1995-06-23 | 1999-10-15 | 정선종 | Gtem셀의 복사에미션 측정방법 |
US6243192B1 (en) * | 1997-04-28 | 2001-06-05 | Timer Technologies, Llc | Electrochemical display and timing mechanism with migrating electrolyte |
KR100238446B1 (ko) * | 1997-11-20 | 2000-01-15 | 정선종 | 회전형 결합 전송 선로 셀 |
US7821794B2 (en) * | 2005-04-11 | 2010-10-26 | Aveso, Inc. | Layered label structure with timer |
-
1999
- 1999-01-13 JP JP00648599A patent/JP3394202B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-01-12 US US09/481,689 patent/US6456070B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-09-10 US US10/237,719 patent/US6975111B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-08-15 US US11/203,089 patent/US7098677B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6975111B2 (en) | 2005-12-13 |
US7098677B2 (en) | 2006-08-29 |
US20030006786A1 (en) | 2003-01-09 |
US6456070B1 (en) | 2002-09-24 |
JP2000206163A (ja) | 2000-07-28 |
US20060033510A1 (en) | 2006-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3394202B2 (ja) | 電磁界強度の測定方法及び装置並びに電流電圧分布の測定方法及び装置 | |
US7459917B2 (en) | Measuring method for electromagnetic field intensity and apparatus therefor, measuring method for electromagnetic field intensity distribution and apparatus therefor, measuring method for current and voltage distributions and apparatus therefor | |
JP4619799B2 (ja) | 電界ベクトルの算出方法及びその装置、電界ベクトルの算出プログラム及びそのプログラムを記録した記録媒体 | |
US20070139056A1 (en) | Partial discharge detection apparatus and detection method of electrical rotating machine | |
EP0630529B1 (en) | Electromagnetic interference testing apparatus | |
KR100574226B1 (ko) | 티이엠 도파관을 이용한 복사체의 전자파 복사 패턴 및이득 측정 방법 | |
US6696834B2 (en) | Magnetic field probe having a shielding layer to protect lead wires with an isolating layer | |
CN109884562A (zh) | 差分磁场检测模块及磁场探头 | |
Wilson et al. | Simulating open area test site emission measurements based on data obtained in a novel broadband TEM cell | |
CN115327453A (zh) | 电磁场复合探头 | |
CN112213565B (zh) | 电磁场无源探头和探测系统 | |
Laurin et al. | Near-field imaging of radiated emission sources on printed-circuit boards | |
JP5362599B2 (ja) | 電磁波源探査方法、電磁波源探査プログラム、電磁波源探査装置 | |
JPH10311857A (ja) | 近磁界プローブ及び近磁界プローブユニット及び近磁界プローブアレー及び磁界計測システム | |
Sivaraman et al. | Three dimensional scanning system for near-field measurements | |
JP2008082945A (ja) | 近傍電磁界分布測定装置 | |
Kobayashi et al. | Near magnetic field probe for detection of noise current flowing to uncertain directions | |
JP2004069372A (ja) | 遠方電磁界強度の算出方法及び装置、遠方電磁界強度の算出プログラム、及び、そのプログラムを記録した記録媒体 | |
JP2000009775A (ja) | 電流測定装置および電流発生源特定方法 | |
Lee | An advanced correlation algorithm between GTEM and OATS for radiated emission tests | |
JP2009058384A (ja) | 電磁界強度測定用プローブ及び電磁界強度の測定装置 | |
Gataullin et al. | Automation of high-voltage electrical equipment insulators diagnostics by partial discharges method | |
JP2831450B2 (ja) | コロナ放電検出装置 | |
KR100579126B1 (ko) | 광대역 자기장 발생장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021224 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080131 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090131 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090131 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100131 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110131 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120131 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130131 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140131 Year of fee payment: 11 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |