JPH10311857A - 近磁界プローブ及び近磁界プローブユニット及び近磁界プローブアレー及び磁界計測システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、測定対象物に近接させ磁界検出を行
う近磁界プローブにおいて、簡単な構成で近磁界プロー
ブの引出し線部への測定個所からの磁界の鎖交を防ぎ、
計測の誤差を低減する。 【解決手段】本発明は、基板２上に導電性薄膜からなる
１ターンの巻き線もしくは巻き線間に絶縁層を介して複
数ターンの巻き線を構成したコイル３と、該コイル３か
らの引出し線４と、該引出し線４が接続されるパッド５
とを有する近磁界プローブ１において、前記引出し線４
に絶縁層６を介してシールド用導電性薄膜７を設けた構
成とした。このように引出し線４上に導電性薄膜７から
なるシールド層を設けることで、引出し線への磁束の鎖
交による誤差を低減し、より高精度な計測が可能とな
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真式複写
機、ファクシミリ、印刷機、パーソナルコンピュータ等
の事務機器、家庭用電気機器、産業機器等、各種電気・
電子機器からの電磁ノイズを検知し、また各種装置内に
内在させるプリント配線基板等からのノイズを検知し、
その対策に用いるＥＭＣ規制対策や電磁障害対策用検査
機器に関するものであり、特に、測定対象物に近接さ
せ、ノイズ源になる電流を特定する際に必要な近接磁界
検出を行って電流を検知する所謂「近磁界プローブ」、
及びその近磁界プローブを備えた「近磁界プローブユニ
ット」及び「近磁界プローブアレー」、及びその近磁界
プローブ、近磁界プローブユニット、近磁界プローブア
レーを磁界計測部に備えた「磁界計測システム」に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来ＥＭＣ対策には、法的規制で定めら
れているオープンサイトや電波暗室内で１０ｍ、３０ｍ
等の遠方での電磁波を定められたアンテナを用いて計測
した結果から対策するやり方がある。また、これとは別
にこのような認証サイト等での計測の前に近接させたプ
ローブで対象からの電磁界を検知し、これをもって対象
物への対策を行うやり方がある。以下に関連する従来技
術を示す。

【０００３】特開昭５８−４８８７７号公報記載の「サ
ーチコイル及びその製造方法」には、厚さ０．１ｍｍ〜
０．３ｍｍの可橈性を持つ基板上に同心巻状コイルを張
り付け、コイルの両端に撚線のケーブルを接続したサー
チコイルが開示されている。また、厚さ０．０３ｍｍ〜
０．０６ｍｍの銅などの金属箔を可橈性基板に張り付け
た後、フォトリソにより同心巻状コイルの作製を行い、
該コイルからの引出しはコイルの端子に撚線のケーブル
を接続するサーチコイルの製造方法が開示されている。

【０００４】特開昭６２−１０６３７９号公報記載の
「磁界測定プローブ」には、対称なループコイルとそれ
に続くシールドボックス内の回路で磁界のみにより生じ
た信号を検出する構成の磁界測定プローブが開示されて
いる。

【０００５】特開平７−１９１０５８号公報記載の「広
帯域マイクロ波本来位置テスト装置」には、フレキシブ
ル基板上にエッチングで形成したセンサーを設け、基板
のセンサーとは反対側でエルボー形に曲げた先に出力コ
ネクターがある構成の装置が開示されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
５８−４８８７７号公報記載のサーチコイルにおいて
は、１ｍｍ以下位の微小なコイルを構成する場合には、
撚線とコイルを接続する部分で隙間が開き、磁束が鎖交
した分が誤差になる欠点がある。また、特開昭６２−１
０６３７９号公報記載の磁界測定プローブにおいては、
シールドはしているがコイルの作製はＰＣＢ基板上に構
成しており、１ｍｍ角以下位の微小なコイル寸法を構成
することは難しいという欠点がある。また、特開平７−
１９１０５８号公報記載の装置についても、コイルから
の引出し線部にマイクロストリップ伝送路やコープレー
ナ伝送路を設けており、伝送部で磁界が鎖交し、同様に
計測の誤差になる欠点がある。

【０００７】本発明は上記事情に鑑みなされたものであ
って、測定対象物に近接させノイズ源になる電流を特定
する際に必要な近接磁界検出を行って電流を検知する近
磁界プローブ、及びその近磁界プローブを備えた近磁界
プローブユニット及び近磁界プローブアレー、及びその
近磁界プローブ、近磁界プローブユニット、近磁界プロ
ーブアレーを磁界計測部に備えた磁界計測システムを提
供することを目的とし、特に本発明では、簡単な構成で
近磁界プローブの引き出し線部への測定個所からの磁界
（磁束）の鎖交を防ぐことで計測の誤差を低減すること
を目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の近磁界プローブは、基板上に導電性
薄膜からなる１ターンの巻き線もしくは巻き線間に絶縁
層を介して複数ターンの巻き線を構成したコイルと、該
コイルからの引出し線と、該引出し線が接続されるパッ
ドとを有する近磁界プローブにおいて、前記引出し線に
絶縁層を介してシールド用導電性薄膜を設けた構成とし
たものである。すなわち、請求項１記載の近磁界プロー
ブでは、引出し線への磁束の鎖交による誤差を低減する
ため、引出し線上にシールド層を設けたものであり、こ
のように引出し線上にシールド層を設けることで、引出
し線への磁束の鎖交による誤差を低減し、より高精度な
計測が可能となる。

【０００９】請求項２記載の近磁界プローブは、請求項
１の構成に加えて、前記パッドを介して引出し線にトラ
ンスを接続した構成としたものである。従って、請求項
２記載の近磁界プローブでは、引出し線への磁束の鎖交
による誤差を低減し、より高精度な計測が可能となリ、
かつ、インピーダンス変換用トランスを設けたことで、
計測器とのインピーダンスマッチングが容易となり、高
周波帯域の計測が可能となる。

【００１０】請求項３記載の近磁界プローブユニット
は、複数の面を持つ支持部材を備え、該支持部材の少な
くとも２つ以上の面に、請求項１または２記載の近磁界
プローブを張り付けた構造からなる構成としたものであ
る。従って、請求項３記載の近磁界プローブユニットで
は、引出し線への磁束の鎖交による誤差を低減し、より
高精度な計測が可能となリ、かつ、コイルの軸方向がそ
れぞれ異なる複数の近磁界プローブで磁界を検知するこ
とにより、磁界のベクトル検知が可能となる。

【００１１】請求項４記載の近磁界プローブアレーは、
支持部材上に請求項１または２記載の近磁界プローブあ
るいは請求項３記載の近磁界プローブユニットを複数設
け、アレー化した構成としたものである。従って、請求
項４記載の近磁界プローブアレーでは、引出し線への磁
束の鎖交による誤差を低減し、より高精度な計測が可能
となリ、かつ、アレー内の各プローブで検知すること
で、磁界の分布計測が可能となる。

【００１２】請求項５記載の磁界計測システムは、請求
項１または２記載の近磁界プローブあるいは請求項３記
載の近磁界プローブユニットと、その近磁界プローブあ
るいは近磁界プローブユニットを３次元に移動する手段
を備えた構成としたものである。従って、請求項５記載
の磁界計測システムでは、引出し線への磁束の鎖交によ
る誤差を低減し、より高精度な計測が可能となリ、か
つ、プローブあるいはプローブユニットを移動させるこ
とで、磁界の分布計測が可能となる。

【００１３】請求項６記載の磁界計測システムは、請求
項１または２記載の近磁界プローブあるいは請求項３記
載の近磁界プローブユニットにアンプを接続し、さらに
該アンプを計測器に接続した構成としたものである。従
って、請求項６記載の磁界計測システムでは、引出し線
への磁束の鎖交による誤差を低減し、より高精度な計測
が可能となリ、かつ、プローブあるいはプローブユニッ
トからの信号をアンプで増幅することで、微小信号を検
知することが可能となる。

【００１４】請求項７記載の磁界計測システムは、請求
項４記載の近磁界プローブアレーあるいは請求項５また
は６記載の磁界計測システムに計算機を接続し、かつ測
定したデータをマッピングし、ディスプレーに表示もし
くは印刷する構成としたものである。従って、請求項７
記載の磁界計測システムでは、引出し線への磁束の鎖交
による誤差を低減し、より高精度な計測が可能となリ、
かつ、プローブアレーまたは磁界計測システムからの信
号をパーソナルコンピュータでデータ処理を行って、マ
ッピングした結果を得ることが可能となる。

【００１５】次に、請求項８記載の近磁界プローブは、
基板上に導電性薄膜でコイルとその引出し線及び引出し
線が接続されるパッドを構成した近磁界プローブにおい
て、前記引出し線の構造が基板上の一部分に第１の導電
性薄膜を設け、その上に第１の絶縁層を設けた後、第２
の導電性薄膜で引出し線の内部導体部を形成し、さら
に、第２の絶縁層を引出し線の内部導体部上に設け、第
２の絶縁層の上部に、第３の導電性薄膜を設け、第１の
導電性薄膜と第３の導電性薄膜が引出し線の内部導体部
の両側で導通して引出し線の外部導体層を構成するもの
であって、かつ、前記コイルの一方の端を引出し線の内
部導体部に接続し、もう一方の端を引出し線の第１ある
いは第３の導電性薄膜に接続するものであって、かつ、
引出し線の内部導体部のもう一方の端を第１のパッドに
接続し、かつ、第１あるいは第３の導電性薄膜のもう一
方の端に第２のパッドを接続した構成としたものであ
る。すなわち、請求項８記載の近磁界プローブでは、引
出し線の内部導体部を囲むように上部、下部及び側面に
導電性薄膜で外部導体層を設けることで、引出し線への
磁束の鎖交を防ぎ、引出し線への磁束の鎖交による誤差
を低減し、より高精度な計測が可能となる。

【００１６】請求項９記載の近磁界プローブは、請求項
８の構成に加えて、前記パッドの構造が、基板上に第１
の導電性薄膜を設け、第１の導電性薄膜がその外縁で露
出するように、それより小さな第１の絶縁層をその上に
設け、かつ、さらにその上に第１の絶縁層よりも小さな
第２の導電性薄膜で第１のパッドを構成するものであっ
て、第１の導電性薄膜の外縁の露出している部分が第２
のパッドを構成するものであり、第１のパッドは引出し
線の内部導体部に接続し、第２のパッドは引出し線を構
成する第１の導電性薄膜に接続される構成としたもので
ある。従って、請求項９記載の近磁界プローブでは、引
出し線への磁束の鎖交による誤差を低減し、高精度な計
測が可能となり、かつ、同軸ケーブルの内部導体接続の
ための第１のパッドを導体で覆うことができる構造とす
ることで、さらにパッドとケーブルの接続部への磁束の
鎖交を低減でき、より高精度な計測が可能となる。

【００１７】請求項１０記載の近磁界プローブは、請求
項９の構成に加えて、第１のパッドに同軸ケーブルの内
部導体部を接続し、第２のパッドに同軸ケーブルの外部
導体部を接続する際に、先に接続した内部導体部を、絶
縁部材または空間を介して導電性部材で覆い、その導電
性部材を第２のパッド及び、同軸ケーブルの外部導体部
に切れ目なく接続した構成としたものである。従って、
請求項１０記載の近磁界プローブでは、引出し線への磁
束の鎖交による誤差を低減し、高精度な計測が可能とな
り、かつ、内部導体部用パッドと同軸ケーブルの内部導
体の接続部を導体で覆うことで、さらにパッドとケーブ
ルの接続部への磁束の鎖交による誤差を低減し、より高
精度な計測が可能となる。

【００１８】請求項１１記載の近磁界プローブユニット
は、複数の面を持つ支持部材を備え、該支持部材の少な
くとも２つ以上の面に、請求項８または９または１０記
載の近磁界プローブを張り付けた構造からなる構成とし
たものである。従って、請求項１１記載の近磁界プロー
ブユニットでは、引出し線への磁束の鎖交による誤差を
低減し、高精度な計測が可能となり、かつ、コイルの軸
方向がそれぞれ異なる複数のプローブで、磁界を検知す
ることで、磁界のベクトル検知が可能となる。

【００１９】請求項１２記載の近磁界プローブアレー
は、支持部材上に請求項８または９または１０記載の近
磁界プローブあるいは請求項１１記載の近磁界プローブ
ユニットを複数設け、アレー化した構成としたものであ
る。従って、請求項１２記載の近磁界プローブアレーで
は、引出し線への磁束の鎖交による誤差を低減し、高精
度な計測が可能となり、かつ、アレー内の各プローブで
検知することで、磁界の分布測定が可能となる。

【００２０】請求項１３記載の近磁界プローブアレー
は、請求項１２記載の近磁界プローブアレーにおいて、
近磁界プローブのコイルの大きさが２種類以上である構
成としたものである。従って、請求項１３記載の近磁界
プローブアレーでは、引出し線への磁束の鎖交による誤
差を低減し、高精度な計測が可能となり、かつ、アレー
内のコイル寸法の大きさの異なる各プローブで検知する
ことで、一連の測定で、大まかな磁界の分布測定に引き
続いて、磁界強度の大きな領域だけを選んで、詳細な磁
界の分布測定を行うことができ、測定時間の短縮が可能
となる。

【００２１】請求項１４記載の磁界計測システムは、請
求項８または９または１０記載の近磁界プローブあるい
は請求項１１記載の近磁界プローブユニットあるいは請
求項１２または１３記載の近磁界プローブアレーにアン
プを接続し、さらに該アンプを計測器に接続した構成と
したものである。従って、請求項１４記載の磁界計測シ
ステムでは、引出し線への磁束の鎖交による誤差を低減
し、高精度な計測が可能となり、かつ、プローブからの
信号をアンプで増幅することで、微小信号を検知するこ
とが可能となる。

【００２２】請求項１５記載の磁界計測システムは、請
求項１４の構成に加えて、各近磁界プローブを作製する
基板上にパッドを設け、該パッド上にチップ部品でアン
プを構成したものである。従って、請求項１５記載の磁
界計測システムでは、引出し線への磁束の鎖交による誤
差を低減し、高精度な計測が可能となり、かつ、磁界を
検知する各プローブのコイルの近傍において、プローブ
からの信号をアンプ部により増幅することで、さらにＳ
／Ｎ比が向上でき、微小信号の測定が可能となる。

【００２３】請求項１６記載の近磁界プローブユニット
は、支持部材上に請求項８または９または１０記載の近
磁界プローブあるいは請求項１１記載の近磁界プローブ
ユニットを複数個備え、かつ、その複数の近磁界プロー
ブのコイルの大きさが少なくとも、２種類以上である構
成としたものである。従って、請求項１６記載の近磁界
プローブユニットでは、引出し線への磁束の鎖交による
誤差を低減し、高精度な計測が可能となり、かつ、一連
の測定で、広い領域を測定できる大きなコイル寸法のプ
ローブでの大まかな磁界分布の測定に引き続いて、より
小さなコイル寸法のプローブで、磁界強度の大きな分布
領域だけを選んで、詳細な磁界の分布計測を行うこと
で、測定時間を短縮することが可能となる。

【００２４】請求項１７記載の磁界計測システムは、請
求項８または９または１０記載の近磁界プローブあるい
は請求項１１または１６記載の近磁界プローブユニット
と、その近磁界プローブあるいは近磁界プローブユニッ
トを３次元に移動する手段と、近磁界プローブあるいは
近磁界プローブユニットで得られた信号を検知する計測
部から構成されたものである。従って、請求項１７記載
の磁界計測システムでは、引出し線への磁束の鎖交によ
る誤差を低減し、高精度な計測が可能となり、かつ、プ
ローブあるいはプローブユニットを移動することで、磁
界の分布計測が可能となる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図示
の実施例に基づいて詳細に説明する。

【００２６】（実施例１）まず、請求項１の実施例を示
す。図１は請求項１の一実施例を示す近磁界プローブの
構成説明図であって、（Ａ）は近磁界プローブの平面
図、（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）はそれぞれ（Ａ）のＡ−Ａ
断面に相当する近磁界プローブの概略断面図である。図
１（Ａ），（Ｂ）に示すように、近磁界プローブ１は基
板２上に導電性薄膜で形成された１ターンもしくは複数
ターンの薄膜コイル（以下、コイルと記す）３と引出し
線４及びパッド５で構成される。コイル３で検知した磁
界信号は引出し線４に伝達され、パッド５に接続される
同軸ケーブル等を介してスペクトラムアナライザーなど
の検知装置（図示せず）に伝達される。尚、図１（Ａ）
の例では薄膜コイル３は空心コイルで図示しているが、
薄膜コイルに鎖交するように該コイル内に薄膜磁性体も
しくは微小なチップ形状をもった磁性体を配置すること
もでき、コイル内に磁性体を配置することで高周波透磁
率を向上させて、近磁界プローブの感度を増加させるこ
とが可能である。また、このようにコイル内に磁性体を
配置する場合があることは、後述する各実施例の近磁界
プローブのコイル部でも同様である。

【００２７】次に近磁界プローブ１の作製方法の一例と
しては、コイル３が１ターンの場合、まず、石英基板上
にスパッタ法によりＡｌの薄膜を成膜した後、一般的な
フォトリソグラフィ技術と、Ｈ₃ＰＯ₄＋ＨＮＯ₃＋ＣＨ₃
ＣＯＯＨ＋Ｈ₂Ｏを用いたウェットエッチングによりコ
イル３と引出し線４とパッド５を形成する。次にスパッ
タ法によるＳｉＯ₂膜の成膜と一般的なフォトリソグラ
フィ技術とＣＦ₄＋Ｈ₂を用いたＲＩＥ(Reactive Ion Et
ching）により引出し線５上に絶縁層６を形成し、その
絶縁層６の上にコイル、引出し線、パッドの形成プロセ
スと同様のプロセスでＡｌ薄膜からなるシールド用金属
薄膜７を形成する。また、コイル３が複数ターンの場合
には、１ターン目の製作の後、ＳｉＯ₂をコイル上に成
膜し、スルーホールを開けて、２ターン目を形成し、３
ターン目以降も同様に形成する。コイル部分の形成後、
１ターンの場合と同様に引出し線４とパッド５を形成
し、引出し線５上に絶縁層６を形成した後、その上にＡ
ｌ薄膜からなるシールド用金属薄膜７を形成する。この
ように引出し線４上に絶縁層６介して金属薄膜７でシー
ルド層を形成することにより、引出し線部に鎖交する磁
束を減少することができ、高精度な測定ができる。

【００２８】尚、コイル３、引出し線４、パッド５を形
成する材料としてはＡｌの他、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ等の金
属材料やその他の導電性材料でもよい。また、基板２と
しては石英以外の絶縁基板や、ポリエチレンテレフタレ
ートやポリイミドなどのフレキシブル絶縁基板でもよ
い。Ａｌ等の導電性薄膜の成膜法はスパッタ法の他、蒸
着法などの他の成膜方法でもよい。ＳｉＯ₂等の絶縁層
の成膜法もスパッタ法の他、ＥＢ(Electron Beam）蒸着
法やＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition）法などの他の
成膜方法でもよい。絶縁層材料としてはＳｉＯ₂の他に
Ｓｉ₃Ｎ₄などの他の絶縁材料でもよい。絶縁層のエッチ
ングとしてはウエットエッチングでもよいが、基板もエ
ッチングされる場合には基板の裏面をレジストなどで保
護する必要がある。

【００２９】図１（Ａ），（Ｂ）に示したように、シー
ルド用金属薄膜７を引出し線３の上面に設けることで引
出し線部に鎖交する磁束の低減が有効となるが、図１
（Ｃ）に示すように、基板２の裏側にもシールド用金属
薄膜７を設けて、両面にシールドを設置することでさら
に磁束の低減が有効となる。あるいは図１（Ｄ）に示す
ように、引出し線４を形成する前に金属薄膜７でシール
ド層を基板２上に形成し、その上に絶縁層６を介して引
出し線４及び上部シールド層を形成し、引出し線４の両
面にシールドを設置することでさらに磁束の低減が有効
となる。

【００３０】次に請求項１の別の実施例として、近磁界
プローブのより具体的な構成及び作製方法を示す。図２
は請求項１の別の実施例を示す近磁界プローブの構成及
び作製方法の説明図であり、本実施例の近磁界プローブ
１’は図２（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）の順に各工程を経て
作製される。尚、各工程の図には平面図と断面図を合わ
せて表示してある。この近磁界プローブ１’は、基板２
３上にＡｌ等の金属からなる第１の導電性薄膜２４でコ
イル２４Ａと、その引出し線となるコープレーナ伝送路
の内部導体部２４Ｂと外部導体部２４Ｃ、及び内部導体
部２４Ｂと外部導体部２４Ｃが接続されるパッド部２４
Ｄを構成したものであり、さらに第１の導電性薄膜２４
からなる内部導体部２４Ｂと外部導体部２４Ｃの上に絶
縁層２５を介してシールド用の第２の導電性薄膜２６を
設けたものである。尚、導電性薄膜や絶縁層の成膜方法
としては、スパッタ法や真空蒸着法等の真空成膜法が適
当である。

【００３１】近磁界プローブ１’の作製方法の例として
は、まず、石英基板２３上に、コイル２４Ａ及びコープ
レーナ伝送路の内部導体部２４Ｂと外部導体部２４Ｃ及
びパッド部２４Ｄの形成のための第１の導電性薄膜２４
として、スパッタ法によりＡｌの薄膜の成膜を行う。そ
の後、一般的なフォトリソグラフィ技術と、Ｈ₃ＰＯ₄＋
ＨＮＯ₃＋ＣＨ₃ＣＯＯＨ＋Ｈ₂Ｏ等を用いたウェットエ
ッチングによりコイル２４Ａ及び伝送路の内部導体部２
４Ｂと外部導体部２４Ｃ及びパッド部２４Ｄを形成する
（図２（Ａ））。次にスパッタ法によるＳｉＯ₂膜の成
膜と一般的なフォトリソグラフィ技術とＣＦ₄＋Ｈ₂等を
用いたＲＩＥによりコイル２４Ａの一部及び伝送路の内
部導体部２４Ｂと外部導体部２４Ｃの上に絶縁層２５を
形成する（図２（Ｂ））。そして第２の導電性薄膜２６
を、第１の導電性薄膜２４の形成プロセスと同様にＡｌ
で絶縁層２５の上に成膜した後、上記と同様なフォトリ
ソグラフィ技術とウェットエッチングにより余分な部分
を除去しシールド層として形成する（図２（Ｃ））。

【００３２】尚、コイル２４Ａ、引出し線となる伝送路
の内部導体部２４Ｂと外部導体部２４Ｃ、パッド部２４
Ｄを形成する材料としてはＡｌの他、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ
等の金属材料やその他の導電性材料でもよい。また、基
板２３としては石英以外の絶縁基板や、ポリエチレンテ
レフタレートやポリイミドなどのフレキシブル絶縁基板
でもよい。Ａｌ等の導電性薄膜の成膜法はスパッタ法の
他、蒸着法などの他の成膜方法でもよい。Ａｌ等の導電
性薄膜のエッチング法はＲＩＥ等のドライエッチング法
でもよい。ＳｉＯ₂等の絶縁層２５の成膜法もスパッタ
法の他、ＥＢ蒸着法やＣＶＤ法などの他の成膜方法でも
よい。絶縁層材料としてはＳｉＯ₂の他にＳｉ₃Ｎ₄など
の他の絶縁材料でもよい。絶縁層のエッチングとしては
ウエットエッチングでもよいが、基板もエッチングされ
る場合には基板の裏面をレジストなどで保護する必要が
ある。

【００３３】（実施例２）次に請求項２の実施例を示
す。図３は請求項２の一実施例を示す近磁界プローブの
平面図である。図３に示す近磁界プローブは、実施例１
に示した方法で作製した近磁界プローブ１のパッド５
に、一例として、被覆導線で巻き線を、フェライトでコ
アを作製したインピーダンス変換用トランス８を接続し
たものである。これにより、計測器とのインピーダンス
マッチングが容易になるので、高精度でかつ、高周波帯
域の計測が可能となる。

【００３４】（実施例３）次に請求項３の実施例を示
す。図４は請求項３の一実施例を示す近磁界プローブユ
ニットの要部斜視図である。図４に示す近磁界プローブ
ユニット９は、実施例１に示した構成の近磁界プローブ
１を複数の面を持つプローブ支持部材１０の少なくとも
２つ以上の面に張り付けた構成としたものである。プロ
ーブ支持部材１０の複数の面はそれぞれ異なる方向を向
いているため、少なくとも２つ以上の面に張り付けたそ
れぞれの近磁界プローブ１で磁界を検知することにより
高精度に計測でき、かつ、ベクトル検知が可能となる。
尚、本実施例では、実施例１に示した構成の近磁界プロ
ーブ１を用いた構成を示したが、実施例２に示した構成
の近磁界プローブをプローブ支持部材１０の少なくとも
２つ以上の面に張り付けた構成としてもよい。

【００３５】（実施例４）次に請求項４の実施例を示
す。図５は請求項４の一実施例を示す近磁界プローブア
レーの斜視図である。図５に示す近磁界プローブアレー
１１は、プローブ支持基板１２上に実施例１に示した構
成の近磁界プローブ１を複数一定の間隔で配置してアレ
ー化した構成としたものである。このように複数配置し
てアレー化した各プローブ１で、測定対象支持基板１３
上の測定対象物１４からの磁界を計測することにより、
高精度でかつ、磁界分布の計測が可能となる。尚、本実
施例では、実施例１に示した構成の近磁界プローブ１を
用いた構成を示したが、プローブ支持基板１２上に、実
施例２に示した構成の近磁界プローブ、あるいは実施例
３に示した構成の近磁界プローブユニットを複数配置し
てアレー化した構成としてもよい。

【００３６】（実施例５）次に請求項５の実施例を示
す。図６は請求項５の一実施例を示す磁界計測システム
の概略構成図である。図６に示す磁界計測システムは、
実施例１に示した構成の近磁界プローブ１を、３次元に
移動する手段であるＸＹＺステージ１６に固定したもの
である。ＸＹＺステージ１６は基台１８に固定された支
持部材１５に支持されており、基台１８上の固定台１７
には測定対象物１４が固定される。従って、ＸＹＺステ
ージ１６で測定対象物１４の目的の位置に３次元（もち
ろん１，２次元でもよい）で近磁界プローブ１を移動さ
せて、計測することができ、高精度でかつ、磁界分布の
計測が可能となる。尚、本実施例では、実施例１に示し
た構成の近磁界プローブ１を用いた構成を示したが、Ｘ
ＹＺステージ１６に、実施例２に示した構成の近磁界プ
ローブ、あるいは実施例３に示した構成の近磁界プロー
ブユニットを固定した構成としてもよい。

【００３７】（実施例６）次に請求項６の実施例を示
す。図７は請求項６の一実施例を示す磁界計測システム
の概略構成図である。図７に示す磁界計測システムは、
実施例１に示した構成の近磁界プローブ１を、実施例５
と同様の構成のＸＹＺステージ１６に固定し、さらに近
磁界プローブ１にアンプ１９を接続し、アンプ１９で増
幅した出力をスペクトラムアナライザー等の検出器２０
に接続するシステムとしたものである。このように近磁
界プローブ１からの信号をアンプ１９で増幅することに
より、高精度で、かつ、微小な信号を検知することがで
きる。尚、本実施例では、実施例１に示した構成の近磁
界プローブ１を用いた構成を示したが、ＸＹＺステージ
１６に、実施例２に示した構成の近磁界プローブ、ある
いは実施例３に示した構成の近磁界プローブユニットを
固定し、プローブにアンプを接続する構成としてもよ
い。

【００３８】（実施例７）次に請求項７の実施例を示
す。図８は請求項７の一実施例を示す磁界計測システム
の概略構成図である。図８に示す磁界計測システムは、
実施例６に示した磁界計測システムに、パーソナルコン
ピュータ等のデータ処理装置２１を接続させたものであ
る。より具体的には、実施例６と同様に、実施例１に示
した構成の近磁界プローブ１を、実施例５と同様の構成
のＸＹＺステージ１６に固定し、さらに近磁界プローブ
１にアンプ１９を接続し、アンプ１９で増幅した出力を
スペクトラムアナライザー等の検出器２０に接続するシ
ステムに、さらに検出器２０からのデータ出力を処理す
るパーソナルコンピュータ等のデータ処理装置２１を接
続した磁界計測システムであり、データ処理装置２１で
ＸＹＺステージ１６による近磁界プローブ１の移動を制
御して、測定対象物１４からの磁界のデータを各点で得
た後、近磁界プローブ１からの信号強度に応じてマッピ
ングし、強度分布表示をディスプレー上に行うか、また
はプリンター２２を接続させて必要に応じてディスプレ
ーと同様の内容を同時に印刷する構成としたものであ
る。図９は上記磁界計測システムによる測定からマッピ
ング表示、印刷に至るまでの動作の一例を示したブロッ
クダイアグラムであり、このような動作は図８に示す磁
界計測システムのデータ処理装置２１によって自動制御
することができる。

【００３９】以上のように、図８に示す構成の磁界計測
システムにより、高精度の計測ができ、かつ、磁界分布
の様子が把握し易くなる。尚、本実施例では、実施例６
（実施例５を含む）に示した磁界計測システムに、パー
ソナルコンピュータ等のデータ処理装置２１を接続させ
た例を示したが、実施例４に示した近磁界プローブアレ
ーにアンプ１９、検出器２０、データ処理装置２１を接
続し、かつ、測定したデータをマッピングしディスプレ
ーに表示もしくは印刷する磁界計測システムとしてもよ
い。

【００４０】（実施例８）次に請求項８の実施例を示
す。図１０及び図１１は請求項８の一実施例を示す近磁
界プローブの構成及び作製方法の説明図であり、本実施
例の近磁界プローブ３０Ａは、図１０（Ａ），（Ｂ），
（Ｃ）、図１１（Ａ），（Ｂ）の順に各工程を経て作製
される。尚、各工程の図には平面図と断面図を合わせて
表示してある。この近磁界プローブ３０Ａは、基板上に
導電性薄膜でコイルとその引出し線及び引出し線が接続
されるパッドを構成したものであり、引出し線の構造が
基板３１上の一部分に第１の導電性薄膜３２を設け、そ
の上に第１の絶縁層３３を設けた後、第２の導電性薄膜
３４で引出し線の内部導体部３６を形成し、さらに、第
２の絶縁層３８を引出し線の内部導体部３６上に設け、
第２の絶縁層３８の上部に、第３の導電性薄膜４１を設
け、第１の導電性薄膜３２と第３の導電性薄膜４１が引
出し線の内部導体部３６の両側で導通して引出し線の外
部導体層を構成するものであり、かつ、コイル３５の一
方の端を引出し線の内部導体部３６に接続し、もう一方
の端を引出し線の第１あるいは第３の導電性薄膜（３
２，４１）に接続するものであり、かつ、引出し線の内
部導体部３６のもう一方の端を第１のパッド３７に接続
し、かつ、第１あるいは第３の導電性薄膜（３２，４
１）のもう一方の端に第２のパッド４２を接続した構成
としたものである。

【００４１】本実施例の近磁界プローブの作製方法の一
例としては、まず、石英基板３１上に、第１の導電性薄
膜としてスパッタ法によるＡｌの薄膜成膜と一般的なフ
ォトリソグラフィ技術と、Ｈ₃ＰＯ₄＋ＨＮＯ₃＋ＣＨ₃Ｃ
ＯＯＨ＋Ｈ₂Ｏを用いたウェットエッチングにより、第
１の導電性薄膜３２を設ける（図１０（Ａ））。次にス
パッタ法によるＳｉＯ₂ 膜の成膜と一般的なフォトリソ
グラフィ技術と、ＣＦ₄＋Ｈ₂を用いたＲＩＥにより、第
１の導電性薄膜３２上に外部導体層の外縁より内側に第
１の絶縁層３３を形成する（図１０（Ｂ））。次に第２
の導電性薄膜３４を第１の導電性薄膜３２と同様にＡｌ
で成膜し、コイル３５と引出し線の内部導体部３６と第
１のパッド３７を形成する（図１０（Ｃ））。尚、引出
し線の内部導体部３６と第１のパッド３７は第１の絶縁
層３３の上に構成する。また、コイル３５は、一方の端
を第１の導電性薄膜３２の外縁部に接続し、他の端を引
出し線の内部導体部３６と接続し、引出し線の内部導体
部３６はさらに第１のパッド３７に接続する。

【００４２】次に、第２の絶縁層３８を第１の絶縁層３
３と同様にＳｉＯ₂ で成膜するが、第２の絶縁層３８
は、第１のパッド３７への接続のためのスルーホール３
９となる第１のパッド上部と、第２のパッド４２を形成
するための第１の導電性薄膜３２の後端部分（第２のパ
ッド形成用スルーホール４０の部分）を除いて、ほぼ第
１の絶縁層３３と同様の大きさで設ける（図１１
（Ａ））。次に第３の導電性薄膜４１を第１、第２の導
電性薄膜３２，３４と同様にＡｌで成膜し、引出し線の
内部導体部３６の上部に第１及び第２の絶縁層３３，３
８より広く構成し、第１の導電性薄膜３２と第３の導電
性薄膜４１が外縁部で導通するように構成する。また、
この際、第２のパッド形成用スルーホール４０部分に第
２のパッド４２を形成する（図１１（Ｂ））。

【００４３】以上のようにして作製された図１１（Ｂ）
に示す構成の近磁界プローブ３０Ａでは、引出し線の内
部導体部３６を囲むように上部、下部及び側面に第１及
び第３の導電性薄膜３２，４１で外部導体層を設けたこ
とにより、引出し線に鎖交する磁束を減少することがで
き、引出し線への磁束の鎖交による誤差を低減し、より
高精度な測定ができる。尚、上記の作製方法ではコイル
３５は第２の導電性薄膜３４で形成したが、コイル３５
は第１及び第３の導電性薄膜３２，４１で構成してもよ
い。

【００４４】請求項８の別の実施例として、近磁界プロ
ーブを図１２，１３に示すような構成とすることもでき
る。図１２，１３は近磁界プローブの構成及び作製方法
の説明図であり、基本的には図１０，１１と同様である
が、この例では、コイル３５と第１の導電性薄膜３２と
の接続部、及び、第１の導電性薄膜３２と第３の導電性
薄膜４１の接続部の構成が上記の例とは異なっている。
すなわち、図１２，１３に示す近磁界プローブ３０Ｂの
作製方法では、まず、上述の作製方法と同様に、基板３
１上に第１の導電性薄膜３２、第１の絶縁層３３を形成
した後、第１の絶縁層３３にスルーホール４３を形成し
（図１２（Ａ），（Ｂ））、第２の導電性薄膜３４によ
りコイル３５、引出し線の内部導体部３６、第１のパッ
ド３７を形成する際に、コイル３５の一端側は上記スル
ーホール４３を介して第１の導電性薄膜３２に接続する
（図１２（Ｃ））。そして、第２の絶縁層３８の形成の
後、引出し線の内部導体部３６の両側の第１、第２の絶
縁層３３，３８にスルーホール４４を設け（図１３
（Ａ））、その後、第２の絶縁層３８上に第３の導電性
薄膜４１を成膜し、先程のスルーホール４４を介して第
１の導電性薄膜３２と第３の導電性薄膜４１が導通する
ように構成した（図１３（Ｂ））。

【００４５】図１３（Ｂ）に示す構成の近磁界プローブ
３０Ｂにおいても、引出し線の内部導体部３６を囲むよ
うに上部、下部及び両側のスルーホール４４に第１及び
第３の導電性薄膜３２，４１で外部導体層を設けたこと
により、引出し線に鎖交する磁束を減少することがで
き、引出し線への磁束の鎖交による誤差を低減し、より
高精度な測定ができる。

【００４６】尚、上記の実施例において、コイル、引出
し線、パッドを構成する材料としてはＡｌの他に、Ａ
ｕ，Ａｇ，Ｐｔ等の金属材料やその他の導電性材料でも
よい。また、絶縁層材料としてはＳｉＯ₂の他に、Ｓｉ₃
Ｎ₄などの他の絶縁材料でもよい。また、基板としては
石英以外の絶縁基板や、ポリエチレンテレフタレートや
ポリイミドなどのフレキシブル絶縁基板でも良い。導電
性薄膜の成膜法はスパッタ法の他、蒸着法などの他の成
膜方法でもよい。絶縁層の成膜法もスパッタ法の他、Ｅ
Ｂ蒸着法やＣＶＤ法など他の成膜方法でもよい。導電性
薄膜のエッチングとしては、ドライエッチングでもよ
い。絶縁層のエッチングとしてはウェットエッチングで
もよいが、基板もエッチングされる場合には基板の裏面
をレジストなどで保護する必要が有る。

【００４７】（実施例９）次に請求項９の実施例を示
す。図１４及び図１５は請求項９の一実施例を示す近磁
界プローブの構成及び作製方法の説明図であり、本実施
例の近磁界プローブ３０Ｃは、図１４（Ａ），（Ｂ），
（Ｃ）、図１５（Ａ），（Ｂ）の順に各工程を経て作製
される。尚、各工程の図には平面図と断面図を合わせて
表示してある。本実施例の近磁界プローブの構成は基本
的には実施例８の近磁界プローブと同様であるが、第２
のパッド４５の構成が異なる。

【００４８】本実施例の近磁界プローブの作製方法の一
例としては、実施例８と同様にして、石英基板３１上
に、Ａｌにより第１の導電性薄膜３２を設ける（図１４
（Ａ））。次に実施例８と同様にして第１の導電性薄膜
３２の外縁より内側にＳｉＯ₂で第１の絶縁層３３を形
成する（図１４（Ｂ））。さらに第２の導電性薄膜３４
を実施例８と同様に成膜し、コイル３５と、引出し線の
内部導体部３６と、第１のパッド３７を形成する。この
際、引出し線の内部導体部３６と第１のパッド３７は第
１の絶縁層３３の上に構成する。コイル３５は、一方の
端を第１の導電性薄膜３２の外縁部に接続し、他の端を
引出し線の内部導体部３６と接続し、引出し線の内部導
体部３６をさらに第１のパッド３７に接続する（図１４
（Ｃ））。

【００４９】第２の絶縁層３８は第１の絶縁層３３と同
様にＳｉＯ₂で成膜し、第１のパッド３７への接続のた
めのスルーホール３９となる第１のパッド上部を除い
て、ほぼ第１の絶縁層３３と同様の大きさで設ける（図
１５（Ａ））。次に第３の導電性薄膜４１を第１、第２
の導電性薄膜３２，３４と同様にＡｌで成膜し、第１及
び第２の絶縁層３３，３８より広く構成し、引出し線の
第１の導電性薄膜３２と第３の導電性薄膜４１が外縁部
で導通するように構成し、かつ、第３の導電性薄膜４１
に第１のパッド３７を囲むように開口部４５ａを形成
し、第１のパッド３７と第３の導電性薄膜４１が接続し
ないように構成する。そして、第１のパッド２７の周囲
にある第１の導電性薄膜３２または第３の導電性薄膜４
１を第２のパッド４２とする（図１５（Ｂ））。

【００５０】以上のような構成としたことで、引出し線
の内部導体部３６が第１、第２の導電性薄膜３２，４１
からなる外部導体層で覆われると共に、第１のパッド３
７は第１、第２の絶縁層３３，３８を介して、その周囲
及び下部が第１、第２の導電性薄膜３２，４１で覆われ
るため、パッドとケーブルの接続部への磁束の鎖交をよ
り低減することができる近磁界プローブが実現でき、よ
り高精度な計測が可能となる。

【００５１】尚、上記実施例において、コイル３５は第
２の導電性薄膜３４で形成したが、コイル３５は第１及
び第３の導電性薄膜３２，４１で構成してもよい。ま
た、上記において、第１、第２の絶縁層３３，３８の形
成の後、図１３と同様に、引出し線の内部導体部３６の
両側の第１、第２の絶縁層３３，３８にスルーホールを
設け、第３の導電性薄膜４１を成膜し、先程のスルーホ
ールを介して第１の導電性薄膜３２と第３の導電性薄膜
４１が導通するように構成することもできる。

【００５２】上記実施例において、コイル、引出し線、
パッドを構成する材料としてはＡｌの他に、Ａｕ，Ａ
ｇ，Ｐｔ等の金属材料やその他の導電性材料でもよい。
また、絶縁層材料としてはＳｉＯ₂の他に、Ｓｉ₃Ｎ₄な
どの他の絶縁材料でもよい。また、基板としては石英以
外の絶縁基板や、ポリエチレンテレフタレートやポリイ
ミドなどのフレキシブル絶縁基板でも良い。導電性薄膜
の成膜法はスパッタ法の他、蒸着法などの他の成膜方法
でもよい。絶縁層の成膜法もスパッタ法の他、ＥＢ蒸着
法やＣＶＤ法など他の成膜方法でもよい。導電性薄膜の
エッチングとしては、ドライエッチングでもよい。絶縁
層のエッチングとしてはウェットエッチングでもよい
が、基板もエッチングされる場合には基板の裏面をレジ
ストなどで保護する必要が有る。

【００５３】（実施例１０）次に請求項１０の実施例を
示す。図１６は請求項１０の一実施例を示す近磁界プロ
ーブの構成及び作製方法の説明図であり、本実施例の近
磁界プローブは、図１６の（Ａ）〜（Ｄ）に示すよう
に、実施例８あるいは実施例９に示した構成の近磁界プ
ローブに、同軸ケーブルを接続したものである。尚、図
１６の（Ａ）〜（Ｄ）には近磁界プローブの平面図と断
面図を合わせて表示してある。

【００５４】本実施例では、近磁界プローブ３０の構成
として例えば実施例９の構成の近磁界プローブを用い
（図１６（Ａ））、その近磁界プローブ３０への同軸ケ
ーブル４６の接続方法としては、該プローブ３０の第１
のパッド３７に同軸ケーブル４６の内部導体部４６ａを
接続し、同様に第２のパッド４２に同軸ケーブル４６の
外部導体部４６ｂを接続し（図１６（Ｂ））、先に接続
した内部導体部４６ａと第１のパッド３７をアラルダイ
ト接着剤４７を用いて絶縁層として覆う（図１６
（Ｃ））。次にそのアラルダイト接着剤４７からなる絶
縁層を、フレキシブルなフィルム上に金属箔を形成した
導電性部材４８で覆う。そして、その導電性部材４８を
第２のパッド４２及び、同軸ケーブル４６の外部導体部
４６ｂに切れ目なく接続し完成する（図１６（Ｄ））。
このように、第１のパッド３７と同軸ケーブル４６の内
部導体４６ａとの接続部を導電性部材４８で覆うこと
で、さらに第１のパッドとケーブルの接続部への磁束の
鎖交による誤差を低減し、より高精度な計測が可能とな
る。

【００５５】尚、第１のパッド３７と同軸ケーブ４６の
内部導体部４６ａの接続及び、第２のパッド４２と同軸
ケーブル４６の外部導体部４６ｂの接続は、導電性接着
剤、はんだ付け等でできる。また、アラルダイト接着剤
４７を絶縁層としたが、絶縁層は空間でもよいし、他の
絶縁材でもよい。また、導電性部材４８は適当な形状の
金属部材に変えることが可能である。図１７はその一例
を示すものであり、先に接続した内部導体部４６ａと第
１のパッド３７をアラルダイト接着剤４７を用いて絶縁
層として覆い（図１７（Ａ））、そのアラルダイト接着
剤４７からなる絶縁層を金属部材４９で覆う構成とした
ものである（図１７（Ｂ））。また、金属部材に代えて
導電性接着剤で覆うことでも同様の効果が得られる。

【００５６】（実施例１１）次に請求項１１の実施例を
示す。図１８は請求項１１の一実施例を示す近磁界プロ
ーブユニットの要部斜視図である。図１８に示す近磁界
プローブユニット５０は、実施例８または９または１０
に示した構成の近磁界プローブ３０（３０Ａ，３０Ｂ，
３０Ｃ）を複数の面を持つプローブ支持部材５１の少な
くとも２つ以上の面に張り付けた構成としたものであ
る。プローブ支持部材１０の複数の面はそれぞれ異なる
方向を向いているため、少なくとも２つ以上の面に張り
付けたそれぞれの近磁界プローブ３０で磁界を検知する
ことにより高精度に計測でき、かつ、ベクトル検知が可
能となる。また、３次元方向のＸＹＺ成分を検知する場
合には、少なくとも３個以上の近磁界プローブ３０が必
要で、支持部材５１のプローブ３０を張り付ける面が互
いに直交していることが望ましいが、面が互いに直交し
ていない場合でも互いの位置関係から補正して、ＸＹＺ
成分を求めることができる。

【００５７】（実施例１２）次に請求項１２の実施例を
示す。図１９は請求項１２の一実施例を示す近磁界プロ
ーブアレーの斜視図である。図１９に示す近磁界プロー
ブアレー５２は、プローブ支持基板５３上に、実施例８
または９または１０に示した構成の近磁界プローブ３０
あるいは実施例１１に示した構成の近磁界プローブユニ
ット５０を複数一定の間隔で配置してアレー化した構成
としたものである。尚、図１９には実施例８の構成の近
磁界プローブを配置した例で示している。また、測定対
象物５５は測定対象支持基板５６上に固定して、近磁界
プローブアレー５２に対向する位置に配設する。そし
て、各プローブ３０を用いて各点での磁界を検出する。
各プローブ３０は同軸ケーブル４６及び切り替えスイッ
チ５４を介して図示しない計測器に接続され、各プロー
ブ３０からの信号を切り替えスイッチ５４で切り替え
て、後段の計測器で検出することで、高精度に測定対象
物５５からの磁界の分布を計測することができる。

【００５８】（実施例１３）次に請求項１３の実施例を
示す。図２０は請求項１３の一実施例を示す近磁界プロ
ーブアレーの斜視図である。本実施例の近磁界プローブ
アレーは、プローブ支持基板５３上に、実施例８または
９または１０に示した構成の近磁界プローブ３０あるい
は実施例１１に示した構成の近磁界プローブユニット５
０を複数配置してアレー化するものであるが、近磁界プ
ローブのコイルの大きさが２種類以上ある構成となって
いる。図２０に示す近磁界プローブアレー５７は、実施
例８の構成でコイル寸法の小さなコイル３５-aを有する
近磁界プローブ３０-aと、コイル寸法の大きなコイル３
５-bを有する近磁界プローブ３０-bを複数配置した例で
ある。

【００５９】図２０に示す構成の近磁界プローブアレー
５７のように、複数配置したアレー内のコイル寸法の大
きさの異なる各プローブ３０-a，３０-bで検知すること
により、例えば、磁界強度の大きな個所を特定したい場
合に、一連の測定で広い領域を測定できる大きなコイル
寸法の近磁界プローブ３０-bで行う大まかな磁界分布の
測定に引き続いて、より小さなコイル寸法の近磁界プロ
ーブ３０-aで、磁界強度の大きな分布領域だけを選ん
で、詳細な磁界の分布計測を行うことで、始めから小さ
なコイル寸法の近磁界プローブで計測する場合に比べ、
測定時間が短縮でき、かつ、高精度に計測できる。

【００６０】（実施例１４）次に請求項１４の実施例を
示す。図２１は請求項１４の一実施例を示す磁界計測シ
ステムの概略構成図である。本実施例の磁界計測システ
ムは、実施例８または９または１０に示した構成の近磁
界プローブあるいは実施例１１に示した構成の近磁界プ
ローブユニットあるいは実施例１２または１３に示した
構成の近磁界プローブアレーにアンプを接続した構成と
するものである。図２１は、一例として実施例８と同様
にして作製した近磁界プローブ３０にアンプ５８を接続
し、アンプ５８により増幅したプローブからの信号出力
をスペクトラムアナライザー５９に接続した構成の磁界
計測システムとした例である。図２１のような構成とす
ることにより、測定対象物からの磁界強度が微小なとき
にも、近磁界プローブ３０からの信号をアンプ５２で増
幅することにより、高精度で、かつ、微小な信号を検知
できる。

【００６１】（実施例１５）次に請求項１５の実施例を
示す。本実施例は、実施例１４のように、実施例８また
は９または１０に示した構成の近磁界プローブあるいは
実施例１１に示した構成の近磁界プローブユニットある
いは実施例１２または１３に示した構成の近磁界プロー
ブアレーに、アンプを接続した構成とするものである
が、各プローブを作製する基板上にアンプ接続用のパッ
ドを設け、チップ部品でアンプを構成するものである。
図２２及び図２３は請求項１５の一実施例を示す図であ
って、近磁界プローブの構成及び作製方法の説明図であ
り、ここでは実施例８と同様の構成の近磁界プローブの
基板上にパッドを形成しアンプを実装する際の工程を示
したものである。尚、図２２（Ａ），（Ｂ）及び図２３
（Ａ），（Ｂ）には各工程での近磁界プローブの平面図
と断面図を合わせて表示してある。

【００６２】本実施例では、まず実施例８と同様のプロ
セスで、第２の導電性薄膜でコイル、引出し線の内部導
体部３６及び第１のパッド３７を形成する際に、チップ
部品で構成されたアンプを接続するためのパッド６０
ａ，６０ｂ，６０ｃを同一基板上に形成する（図２２
（Ａ））、そして、第２の絶縁層３８を形成した際に、
各パッドの上部の絶縁層にはパッド接続用スルーホール
６１を形成する（図２２（Ｂ））。尚、アンプ接続用の
パッドのうち、６０ａはアンプ電源用及びＤＣ電源接続
用パッド、６０ｂは増幅信号出力及び同軸ケーブルの内
部導体接続用パッド、６０ｃはアンプ用グラウンド及び
ＤＣ電源グラウンド接続用パッドであり、第１のパッド
３７にはアンプの信号入力端子が接続される。

【００６３】上記のようにして、チップ部品で構成され
たアンプを接続するためのパッド６０ａ，６０ｂ，６０
ｃを同一基板上に設けた近磁界プローブ３０’を作製し
た後、各パッド３７，６０ａ，６０ｂ，６０ｃにチップ
部品で構成されたアンプ６２を接続し（図２３
（Ａ））、駆動のためのＤＣ電源６３及び電源グラウン
ド６４をパッド６０ａ，６０ｃに接続する。そして、ア
ンプ６２からの信号取出し用に、同軸ケーブル４６の内
部導体をパッド６０ｂに、外部導体を第２のパッド４２
にそれぞれ接続した構成とする（図２３（Ｂ））。

【００６４】図２３（Ｂ）に示す構成の近磁界プローブ
３０’では、実施例８に示した構成の近磁界プローブと
同様に引出し線に鎖交する磁束を減少でき、より高精度
な計測が可能となると共に、アンプ６２をコイル３５の
近傍に配置して増幅できるため、さらに、Ｓ／Ｎ比が向
上でき、微小信号を測定可能となる。従って、このよう
な構成の近磁界プローブ３０’を備えた磁界計測システ
ムでは、測定対象物からの磁界強度が微小なときにも、
近磁界プローブ３０’からの信号はアンプ６２で増幅し
て出力されるため、高精度な計測を行うことができる。

【００６５】（実施例１６）次に請求項１６，１７の実
施例を示す。図２４は請求項１６，１７の一実施例を示
す図であって、磁界計測システムの概略構成図である。
本実施例では、支持部材６８ａ上に実施例８または９ま
たは１０に示す構成の近磁界プローブあるいは実施例１
１に示す構成の近磁界プローブユニットを複数個備え、
かつ、その複数個の近磁界プローブのコイルの大きさが
少なくとも２種類以上である構成とした近磁界プローブ
ユニット６８（請求項１６）を用い、その近磁界プロー
ブユニット６８の支持部材６８ａをＸＹＺステージ６７
に固定したものである。図２４には、実施例８の構成で
コイル寸法の小さなコイルを有する近磁界プローブ３０
-aと、コイル寸法の大きなコイルを有する近磁界プロー
ブ３０-bを支持部材６８ａ上に配置した近磁界プローブ
ユニット６８の例で示している。ＸＹＺステージ６７は
基台６５に固定されたステージ支持部材６６に支持され
ており、そのステージ支持部材６６の上部には測定対象
物支持基板６９が固定され、測定対象物５５はその支持
基板６９に固定される。従って、ＸＹＺステージ６７で
測定対象物５５に対する目的の位置にコイル寸法の異な
る複数の近磁界プローブ３０-a，３０-bを有するユニッ
ト６８を移動させて計測することができる。

【００６６】例えば、図２５に上記近磁界プローブユニ
ット６８を用いた磁界計測システムの測定動作の一例を
ブロックダイアグラムで示すが、測定対象物５５の磁界
強度の大きな個所を特定したい場合に、ＸＹＺステージ
６７でプローブユニット６８を移動しての一連の測定
で、まず、広い領域を測定できる大きなコイル寸法の近
磁界プローブ３０-bで、大まかな磁界分布の測定と分布
計算を行い、磁界強度の大きな領域を決定した後、引き
続いて、より小さなコイル寸法の近磁界プローブ３０-a
で、磁界強度の大きな分布領域だけを選んで、詳細な磁
界の分布計測を行うことで、始めから小さなコイル寸法
のプローブで細かく計測する場合に比べ、測定時間を短
縮でき、かつ、高精度に計測できる。

【００６７】また、図２４では、コイル寸法の異なる近
磁界プローブ３０-a，３０-bを別々に形成し支持部材６
８ａに搭載したプローブユニット６８の例を示している
が、請求項１６の別の実施例として、コイル寸法の異な
る近磁界プローブを同一の支持基板に作製した近磁界プ
ローブユニットとすることもできる。図２６はその一例
を示す近磁界プローブユニット７０の平面図であり、同
一の支持基板７０ａ上にコイル寸法の小さなコイル３５
-aを有する近磁界プローブ３０-aと、コイル寸法の大き
なコイル３５-bを有する近磁界プローブ３０-bを並列し
て形成したものである。この例の場合、大小のコイルが
重なり合う部分があるが、小さなコイル３５-aと大きな
コイル３５-bの間には、コイル作製時に絶縁層７１が介
在されており、大小のコイルの重なり合う部分での短絡
が防止されている。

【００６８】（実施例１７）次に請求項１７の別の実施
例を示す。図２７は請求項１７の一実施例を示す磁界計
測システムの概略構成図である。本実施例の磁界計測シ
ステムは、実施例８または９または１０に示す構成の近
磁界プローブあるいは実施例１１または１６に示す構成
の近磁界プローブユニットが固定された支持部材７２を
ＸＹＺステージ６７に接続し、かつ近磁界プローブある
いは近磁界プローブユニットからの信号出力を同軸ケー
ブル４６を介してスペクトラムアナライザー５９に接続
したシステムとしたものである。尚、図２７は、実施例
８で作製した近磁界プローブ３０を支持部材７２に固定
した例を示している。

【００６９】ＸＹＺステージ６７は基台６５に固定され
たステージ支持部材６６に支持されており、そのステー
ジ支持部材６６の上部には測定対象物支持基板６９が固
定され、測定対象物５５はその支持基板６９に固定され
る。従って、ＸＹＺステージ６７で測定対象物５５に対
する目的の位置に３次元（もちろん１，２次元でも）で
近磁界プローブ３０を移動させてスペクトラムアナライ
ザー５９で計測することにより、高精度にかつ、磁界分
布の計測ができる。また、図示していないが、スペクト
ラムアナライザー５９及びＸＹＺステージ６７をパーソ
ナルコンピュータ等からなるデータ処理装置と接続させ
ることにより、データ処理装置で、ＸＹＺステージ６７
による近磁界プローブ３０の移動と、スペクトラムアナ
ライザー５９による計測を制御して、磁界分布等の自動
計測を行うことが可能となる。また、データ処理装置に
より、測定したデータをマッピングしてディスプレーに
表示したり、その表示内容をプリンターで印刷する構成
とすることも可能である。

【００７０】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の近
磁界プローブでは、コイルからの引出し線に絶縁層を介
してシールド用導電性薄膜を設けた構成としたので、引
出し線への磁束の鎖交による誤差を低減し、高精度に近
磁界を計測することができる。

【００７１】請求項２記載の近磁界プローブでは、請求
項１の構成に加えて、パッドを介して引出し線にトラン
スを接続した構成としたので、引出し線への磁束の鎖交
による誤差を低減し、より高精度に近磁界の計測を行う
ことができ、かつ、インピーダンス変換用トランスを設
けたことで、計測器とのインピーダンスマッチングが容
易となり、高周波帯域の計測が可能となる。

【００７２】請求項３記載の近磁界プローブユニットで
は、複数の面を持つ支持部材の少なくとも２つ以上の面
に請求項１または２の構成の近磁界プローブを張り付け
た構造からなる構成としたので、引出し線への磁束の鎖
交による誤差を低減し、より高精度に近磁界の計測を行
うことができ、かつ、コイルの軸方向がそれぞれ異なる
複数の近磁界プローブで磁界を検知することにより、磁
界のベクトル検知を行うことができる。

【００７３】請求項４記載の近磁界プローブアレーで
は、支持部材上に請求項１または２の近磁界プローブあ
るいは請求項３の近磁界プローブユニットを複数設け、
アレー化した構成としたので、引出し線への磁束の鎖交
による誤差を低減し、より高精度に近磁界の計測を行う
ことができ、かつ、アレー内の各プローブで検知するこ
とで、磁界の分布計測を行うことができる。

【００７４】請求項５記載の磁界計測システムでは、請
求項１または２の近磁界プローブあるいは請求項３の近
磁界プローブユニットと、その近磁界プローブあるいは
近磁界プローブユニットを３次元に移動する手段を備え
た構成としたので、引出し線への磁束の鎖交による誤差
を低減し、より高精度に近磁界の計測を行うことがで
き、かつ、プローブあるいはプローブユニットを移動さ
せることで、磁界の分布計測を行うことができる。

【００７５】請求項６記載の磁界計測システムでは、請
求項１または２の近磁界プローブあるいは請求項３の近
磁界プローブユニットにアンプを接続し、さらに該アン
プを計測器に接続した構成としたので、引出し線への磁
束の鎖交による誤差を低減し、より高精度に近磁界の計
測を行うことができ、かつ、プローブあるいはプローブ
ユニットからの信号をアンプで増幅することで、微小信
号を検知することができる。

【００７６】請求項７記載の磁界計測システムでは、請
求項４の近磁界プローブアレーあるいは請求項５または
６の磁界計測システムに計算機を接続し、かつ測定した
データをマッピングし、ディスプレーに表示もしくは印
刷する構成としたので、引出し線への磁束の鎖交による
誤差を低減し、より高精度に近磁界の計測を行うことが
でき、かつ、プローブアレーまたは磁界計測システムか
らの信号をパーソナルコンピュータ等の計算機でデータ
処理を行って、マッピングした結果を得ることができ
る。

【００７７】請求項８記載の近磁界プローブでは、コイ
ルからの引出し線を、内部導体部と、絶縁層を介してそ
の内部導体部の上部、下部及び側面を囲むように覆う外
部導体層としたことにより、引出し線への磁束の鎖交を
防ぎ、引出し線への磁束の鎖交による誤差を低減し、よ
り高精度に近磁界の計測を行うことができる。

【００７８】請求項９記載の近磁界プローブでは、コイ
ルからの引出し線を、内部導体部と、絶縁層を介してそ
の内部導体部の上部、下部及び側面を囲むように覆う外
部導体層としたことにより、引出し線への磁束の鎖交を
防ぎ、引出し線への磁束の鎖交による誤差を低減し、よ
り高精度に近磁界の計測を行うことができ、かつ、同軸
ケーブルの内部導体接続のための第１のパッドを外部導
体層で覆うことができる構造としたことで、さらにパッ
ドとケーブルの接続部への磁束の鎖交を低減でき、より
高精度な計測を行うことができる。

【００７９】請求項１０記載の近磁界プローブでは、請
求項９の近磁界プローブに同軸ケーブルを接続した際
に、内部導体部用パッドと同軸ケーブルの内部導体の接
続部を導体で覆う構成としたので、さらにパッドとケー
ブルの接続部への磁束の鎖交による誤差を低減し、より
高精度な計測を行うことができる。

【００８０】請求項１１記載の近磁界プローブユニット
では、複数の面を持つ支持部材の少なくとも２つ以上の
面に、請求項８または９または１０の近磁界プローブを
張り付けた構造からなる構成としたので、引出し線への
磁束の鎖交による誤差を低減し、高精度に近磁界の計測
を行うことができ、かつ、コイルの軸方向がそれぞれ異
なる複数のプローブで磁界を検知することで、磁界のベ
クトル検知を行うことができる。

【００８１】請求項１２記載の近磁界プローブアレーで
は、支持部材上に請求項８または９または１０の近磁界
プローブあるいは請求項１１の近磁界プローブユニット
を複数設け、アレー化した構成としたので、引出し線へ
の磁束の鎖交による誤差を低減し、高精度に近磁界の計
測を行うことができ、かつ、アレー内の各プローブで検
知することで、磁界の分布測定を行うことができる。

【００８２】請求項１３記載の近磁界プローブアレーで
は、請求項１２の構成に加えて、近磁界プローブのコイ
ルの大きさが２種類以上である構成としたので、引出し
線への磁束の鎖交による誤差を低減し、高精度に近磁界
の計測を行うことができ、かつ、アレー内のコイル寸法
の大きさの異なる各プローブで検知することで、一連の
測定で、大まかな磁界の分布測定に引き続いて、磁界強
度の大きな領域だけを選んで、詳細な磁界の分布測定を
行うことができ、測定時間を短縮することができる。

【００８３】請求項１４記載の磁界計測システムでは、
請求項８または９または１０の近磁界プローブあるいは
請求項１１の近磁界プローブユニットあるいは請求項１
２または１３の近磁界プローブアレーにアンプを接続
し、さらに該アンプを計測器に接続した構成としたの
で、引出し線への磁束の鎖交による誤差を低減し、高精
度に近磁界の計測を行うことができ、かつ、プローブか
らの信号をアンプで増幅することで、微小信号を検知す
ることができる。

【００８４】請求項１５記載の磁界計測システムでは、
請求項１４の構成に加えて、各近磁界プローブを作製す
る基板上にパッドを設け、該パッド上にチップ部品でア
ンプを構成したので、引出し線への磁束の鎖交による誤
差を低減し、高精度に近磁界の計測を行うことができ、
かつ、磁界を検知する各プローブのコイルの近傍におい
て、プローブからの信号をアンプ部により増幅すること
で、さらにＳ／Ｎ比が向上でき、微小信号の測定を行う
ことができる。

【００８５】請求項１６記載の近磁界プローブユニット
では、支持部材上に請求項８または９または１０の近磁
界プローブあるいは請求項１１の近磁界プローブユニッ
トを複数個備え、かつ、その複数の近磁界プローブのコ
イルの大きさが少なくとも、２種類以上である構成とし
たので、引出し線への磁束の鎖交による誤差を低減し、
高精度に近磁界の計測を行うことができ、かつ、一連の
測定で、広い領域を測定できる大きなコイル寸法のプロ
ーブでの大まかな磁界分布の測定に引き続いて、より小
さなコイル寸法のプローブで、磁界強度の大きな分布領
域だけを選んで、詳細な磁界の分布計測を行うことで、
測定時間を短縮することができる。

【００８６】請求項１７記載の磁界計測システムでは、
請求項８または９または１０の近磁界プローブあるいは
請求項１１または１６の近磁界プローブユニットと、そ
の近磁界プローブあるいは近磁界プローブユニットを３
次元に移動する手段と、近磁界プローブあるいは近磁界
プローブユニットで得られた信号を検知する計測部から
構成されているので、引出し線への磁束の鎖交による誤
差を低減し、高精度に近磁界の計測を行うことができ、
かつ、プローブあるいはプローブユニットを移動するこ
とで、磁界の分布計測を行うことができる。

【００８７】以上のように、本発明の近磁界プローブ及
びその近磁界プローブを備えたプローブユニットやプロ
ーブアレー、及びその近磁界プローブ、プローブユニッ
ト、プローブアレーを備えた磁界計測システムによれ
ば、引出し線への磁束の鎖交による誤差を低減し、高精
度に近磁界の計測を行うことができ、高周波帯域の測定
も可能で、かつ、磁界のベクトル検知や、微小信号検知
が可能であり、さらに磁界分布の３次元計測も可能とな
る。従って、本発明の近磁界プローブ、プローブユニッ
ト、プローブアレー、磁界計測システムを用いることに
より、製品やプリント基板のＥＭＣ対策上有用な情報を
より高精度で得ることができ、ＥＭＣ対策がより容易と
なり、しいては製品開発期間を短縮することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】請求項１の一実施例を示す近磁界プローブの構
成説明図である。

【図２】請求項１の別の実施例を示す図であって、近磁
界プローブの構成及び作製方法の説明図である。

【図３】請求項２の一実施例を示す近磁界プローブの平
面図である。

【図４】請求項３の一実施例を示す近磁界プローブユニ
ットの要部斜視図である。

【図５】請求項４の一実施例を示す近磁界プローブアレ
ーの斜視図である。

【図６】請求項５の一実施例を示す磁界計測システムの
概略構成図である。

【図７】請求項６の一実施例を示す磁界計測システムの
概略構成図である。

【図８】請求項７の一実施例を示す磁界計測システムの
概略構成図である。

【図９】図８に示す磁界計測システムによる測定からマ
ッピング表示、印刷に至るまでの動作の一例を示したブ
ロックダイアグラムである。

【図１０】請求項８の一実施例を示す図であって、近磁
界プローブの構成及び作製方法の説明図である。

【図１１】請求項８の一実施例を示す図であって、近磁
界プローブの構成及び作製方法の説明図である。

【図１２】請求項８の別の実施例を示す図であって、近
磁界プローブの構成及び作製方法の説明図である。

【図１３】請求項８の別の実施例を示す図であって、近
磁界プローブの構成及び作製方法の説明図である。

【図１４】請求項９の一実施例を示す図であって、近磁
界プローブの構成及び作製方法の説明図である。

【図１５】請求項９の一実施例を示す図であって、近磁
界プローブの構成及び作製方法の説明図である。

【図１６】請求項１０の一実施例を示す図であって、近
磁界プローブの構成及び作製方法の説明図である。

【図１７】請求項１０の別の実施例を示す図であって、
近磁界プローブの構成及び作製方法の説明図である。

【図１８】請求項１１の一実施例を示す近磁界プローブ
ユニットの要部斜視図である。

【図１９】請求項１２の一実施例を示す近磁界プローブ
アレーの斜視図である。

【図２０】請求項１３の一実施例を示す近磁界プローブ
アレーの斜視図である。

【図２１】請求項１４の一実施例を示す磁界計測システ
ムの概略構成図である。

【図２２】請求項１５の一実施例を示す図であって、近
磁界プローブの構成及び作製方法の説明図である。

【図２３】請求項１５の一実施例を示す図であって、近
磁界プローブの構成及び作製方法の説明図である。

【図２４】請求項１６，１７の一実施例を示す磁界計測
システムの概略構成図である。

【図２５】図２４に示す磁界計測システムの測定動作の
一例を示すブロックダイアグラムである。

【図２６】請求項１６の別の実施例を示す近磁界プロー
ブユニットの平面図である。

【図２７】請求項１７の別の実施例を示す磁界計測シス
テムの概略構成図である。

【符号の説明】

１：近磁界プローブ １’：近磁界プローブ ２：基板 ３：薄膜コイル ４：引出し線 ５：パッド ６：絶縁層 ７：シールド用金属薄膜 ８：トランス ９：近磁界プローブユニット １０：プローブ支持部材 １１：近磁界プローブアレー １２：プローブ支持基板 １４：測定対象 １６：ＸＹＺステージ １９：アンプ ２０：検出器（スペクトラムアナライザー等） ２１：データ処理装置（パーソナルコンピュータ等） ２２：プリンター ２３：基板 ２４：第１の導電性薄膜 ２４Ａ：コイル ２４Ｂ：コープレーナ伝送路の内部導体部 ２４Ｃ：コープレーナ伝送路の外部導体部 ２４Ｄ：パッド部 ２５：絶縁層 ２６：第２の導電性薄膜（シールド層） ３０，３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ：近磁界プローブ ３０’：近磁界プローブ ３０-a：コイル寸法の小さな近磁界プローブ ３０-b：コイル寸法の大きな近磁界プローブ ３１：基板 ３２：第１の導電性薄膜 ３３：第１の絶縁層 ３４：第２の導電性薄膜 ３５：コイル ３６：引出し線の内部導体部 ３７：第１のパッド ３８：第２の絶縁層 ４１：第３の導電性薄膜 ４２：第２のパッド ４６：同軸ケーブル ４６ａ：同軸ケーブルの内部導体部 ４６ｂ：同軸ケーブルの外部導体部 ４７：アラルダイト接着剤（絶縁層） ４８：導電性部材 ４９：金属部材 ５０，６８，７０：近磁界プローブユニット ５１，６８ａ：プローブ支持部材 ５２，５７：近磁界プローブアレー ５３，７０ａ：プローブ支持基板 ５４：切り替えスイッチ ５５：測定対象物 ５８，６２：アンプ ５９：スペクトラムアナライザー ６０ａ，６０ｂ，６０ｃ：アンプ接続用のパッド ６３：ＤＣ電源 ６４：電源グラウンド ６７：ＸＹＺステージ

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に導電性薄膜からなる１ターンの巻
   き線もしくは巻き線間に絶縁層を介して複数ターンの巻
   き線を構成したコイルと、該コイルからの引出し線と、
   該引出し線が接続されるパッドとを有する近磁界プロー
   ブにおいて、 前記引出し線に絶縁層を介してシールド用導電性薄膜を
   設けたことを特徴とする近磁界プローブ。
2. 【請求項２】請求項１記載の近磁界プローブにおいて、
   前記パッドを介して引出し線にトランスを接続したこと
   を特徴とする近磁界プローブ。
3. 【請求項３】複数の面を持つ支持部材を備え、該支持部
   材の少なくとも２つ以上の面に、請求項１または２記載
   の近磁界プローブを張り付けた構造からなることを特徴
   とする近磁界プローブユニット。
4. 【請求項４】支持部材上に請求項１または２記載の近磁
   界プローブあるいは請求項３記載の近磁界プローブユニ
   ットを複数設け、アレー化したことを特徴とする近磁界
   プローブアレー。
5. 【請求項５】請求項１または２記載の近磁界プローブあ
   るいは請求項３記載の近磁界プローブユニットと、その
   近磁界プローブあるいは近磁界プローブユニットを３次
   元に移動する手段を備えたことを特徴とする磁界計測シ
   ステム。
6. 【請求項６】請求項１または２記載の近磁界プローブあ
   るいは請求項３記載の近磁界プローブユニットにアンプ
   を接続し、さらに該アンプを計測器に接続したことを特
   徴とする磁界計測システム。
7. 【請求項７】請求項４記載の近磁界プローブアレーある
   いは請求項５または６記載の磁界計測システムに計算機
   を接続し、かつ測定したデータをマッピングし、ディス
   プレーに表示もしくは印刷することを特徴とする磁界計
   測システム。
8. 【請求項８】基板上に導電性薄膜でコイルとその引出し
   線及び引出し線が接続されるパッドを構成した近磁界プ
   ローブにおいて、 前記引出し線の構造が基板上の一部分に第１の導電性薄
   膜を設け、その上に第１の絶縁層を設けた後、第２の導
   電性薄膜で引出し線の内部導体部を形成し、さらに、第
   ２の絶縁層を引出し線の内部導体部上に設け、第２の絶
   縁層の上部に、第３の導電性薄膜を設け、第１の導電性
   薄膜と第３の導電性薄膜が引出し線の内部導体部の両側
   で導通して引出し線の外部導体層を構成するものであっ
   て、かつ、前記コイルの一方の端を引出し線の内部導体
   部に接続し、もう一方の端を引出し線の第１あるいは第
   ３の導電性薄膜に接続するものであって、かつ、引出し
   線の内部導体部のもう一方の端を第１のパッドに接続
   し、かつ、第１あるいは第３の導電性薄膜のもう一方の
   端に第２のパッドを接続したことを特徴とする近磁界プ
   ローブ。
9. 【請求項９】請求項８記載の近磁界プローブにおいて、
   前記パッドの構造が、基板上に第１の導電性薄膜を設
   け、第１の導電性薄膜がその外縁で露出するように、そ
   れより小さな第１の絶縁層をその上に設け、かつ、さら
   にその上に第１の絶縁層よりも小さな第２の導電性薄膜
   で第１のパッドを構成するものであって、第１の導電性
   薄膜の外縁の露出している部分が第２のパッドを構成す
   るものであり、第１のパッドは引出し線の内部導体部に
   接続し、第２のパッドは引出し線を構成する第１の導電
   性薄膜に接続されることを特徴とする近磁界プローブ。
10. 【請求項１０】請求項９記載の近磁界プローブにおい
    て、第１のパッドに同軸ケーブルの内部導体部を接続
    し、第２のパッドに同軸ケーブルの外部導体部を接続す
    る際に、先に接続した内部導体部を、絶縁部材または空
    間を介して導電性部材で覆い、その導電性部材を第２の
    パッド及び、同軸ケーブルの外部導体部に切れ目なく接
    続したことを特徴とする近磁界プローブ。
11. 【請求項１１】複数の面を持つ支持部材を備え、該支持
    部材の少なくとも２つ以上の面に、請求項８または９ま
    たは１０記載の近磁界プローブを張り付けた構造からな
    ることを特徴とする近磁界プローブユニット。
12. 【請求項１２】支持部材上に請求項８または９または１
    ０記載の近磁界プローブあるいは請求項１１記載の近磁
    界プローブユニットを複数設け、アレー化したことを特
    徴とする近磁界プローブアレー。
13. 【請求項１３】請求項１２記載の近磁界プローブアレー
    において、近磁界プローブのコイルの大きさが２種類以
    上であることを特徴とする近磁界プローブアレー。
14. 【請求項１４】請求項８または９または１０記載の近磁
    界プローブあるいは請求項１１記載の近磁界プローブユ
    ニットあるいは請求項１２または１３記載の近磁界プロ
    ーブアレーにアンプを接続し、さらに該アンプを計測器
    に接続したことを特徴とする磁界計測システム。
15. 【請求項１５】請求項１４記載の磁界計測システムにお
    いて、各近磁界プローブを作製する基板上にパッドを設
    け、該パッド上にチップ部品でアンプを構成したことを
    特徴とする磁界計測システム。
16. 【請求項１６】支持部材上に請求項８または９または１
    ０記載の近磁界プローブあるいは請求項１１記載の近磁
    界プローブユニットを複数個備え、かつ、その複数の近
    磁界プローブのコイルの大きさが少なくとも、２種類以
    上であることを特徴とする近磁界プローブユニット。
17. 【請求項１７】請求項８または９または１０記載の近磁
    界プローブあるいは請求項１１または１６記載の近磁界
    プローブユニットと、その近磁界プローブあるいは近磁
    界プローブユニットを３次元に移動する手段と、近磁界
    プローブあるいは近磁界プローブユニットで得られた信
    号を検知する計測部から構成されたことを特徴とする磁
    界計測システム。