JP5017827B2

JP5017827B2 - 電磁波発生源探査方法及びそれに用いる電流プローブ

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Inventors: 裕樹船戸; 卓須賀
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Description

本発明は，電子機器と電子機器又は電子機器と回路基板の接合部に流れる電流の強度・位相を測定するプローブに関する。

電子機器等において、不要電磁輻射の発生原因となる電流の位置や、誤動作・性能劣化等の原因となる電子機器または電子回路間の電磁的な相互干渉経路を特定する為に、電子機器近傍の磁界分布測定技術は有効である。

これまで発明者らは例えば特許文献１、特許文献２に記されるように、磁界プローブまたは計測手法及び装置を開示してきた。このうち、前者は磁界プローブに関するものであり、後者は測定手法及び装置に関するものである。

一般に、回路基板単体が放射する不要電磁波の放射部位を特定する為には回路基板上近傍の磁界分布を測定する事で、放射原因となっている電流の位置を特定する事が出来る。また、電子機器筐体が放射する不要電磁波の放射部位を特定する為には筐体の近傍磁界分布を測定する事で基板単体と同様の検討が可能となる。

特開２００２−１５６４３０特開２００３−２７９６１１

一般に、基板単体が放射する不要電磁波の放射源は近傍磁界測定用のループアンテナを用いて位置を特定する事ができる。この時、励振源はLSIや水晶発振器等の素子であり、アンテナは信号やGNDのパターンの事が多く、不要電磁放射低減対策は回路基板（PCB;Printed Circuit Board)のレイアウト変更や回路変更等によって行われ、基板単体としてEMI（ElectroMagnetic Interference）対策が行われる。

しかし、このように基板単体のEMI対策を完遂したとしても、基板を格納する筐体（フレームやシャーシ等）に実装した時点で、不要電磁放射のレベルが変化してしまい、筐体全体として新たに不要電磁波が発生してしまうという問題が生じる。これは、基板全体が励振源として働き、筐体がアンテナとして機能してしまう為に起こるものである。この筐体全体が放射する電磁波の測定法としては、遠方界測定があるが、原因となる部位を特定できないため、一旦基板を取り外し、近傍磁界を測定し直して基板にEMI対策を施した後、再び筐体に取り付けて筐体全体の遠方電磁界を測定し直すことが繰り返されて改善を図っている。しかし、基板上の近傍磁界測定結果は筐体実装時の遠方界と相関が得られない事が多く、上記のような対策では時間がかかる場合が多い。また、筐体側でEMI対策を施そうとしても、一般的に筐体は3次元的に複雑な形状である事が多い為、電流分布測定が困難であり、結果的に時間とコストがかかってしまうという問題がある。

本発明の目的は、このような問題を解決し、回路基板又は回路基板を実装した電子機器が接続された筐体のEMI対策をより迅速に行う測定方法、筐体レベルでの電磁波発生源を探査する方法を提供することである。また、本発明の他の目的は、これを実現するプローブを提供することである。

本発明者は、基板を実装した筐体が放射する遠方での電磁界の支配的な原因であるコモンモード電流は基板に接続されたケーブルなどを介して基板外部へ流れるが、このコモンモード電流のリターン電流は基板のGNDへ戻るために必ず基板と筐体との接合部に流れるであろう点に着目した。また、基板を実装した筐体は、基板が励振源として機能し、筐体がアンテナとして機能することから、基板を実装した筐体が放射する遠方での電磁界の原因である電流は、必ず上記励振源とアンテナとの接続部を流れるであろう点にも着目し、基板と筐体との各接合部の接合部電流を測定し遠方界の原因電流が流れる経路を特定することが筐体全体での不要電磁波対策に有効であることを見出した。

すなわち、上記した目的を達成するために本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を説明すると次の通りである。
（１）基板が実装された筐体の電磁波発生源探査方法であって、
前記基板と前記筐体とを接続する複数の接合部材を流れる電流を測定して探査することを特徴とする電磁波発生源探査方法。
（２）（１）に記載された電磁波発生源探査方法であって、
前記電流の測定は、円形の穴を有する電流プローブの前記穴に前記接合部材を通して測定されることを特徴とする電磁波発生源探査方法。
（３）（１）又は（２）に記載された電磁波発生源探査方法であって、
前記電流の測定は、前記接合部材により基板と筐体とを接合した状態で測定されることを特徴とする電磁波発生源探査方法。
（４）（２）に記載の電磁波発生源探査方法であって、
前記電流プローブは前記穴を有する絶縁体に導体をコイル状に複数回撒きつけたものであることを特徴とする電磁波発生源探査方法。
（５）（４）に記載の電磁波発生源探査方法であって、
前記絶縁体の一方の面の穴周縁部及び前記絶縁体の他方の面の穴周縁部には導体が設けられており、前記導体は前記絶縁体の穴内部を介して電気的に接続されていることを特徴とする電磁波発生源探査方法。
（６）筐体と基板との接合部材における電流を測定する電流プローブであって、
円形の穴を有する絶縁体に導体をコイル状に複数回巻きつけたものであることを特徴とする電流プローブ。
（７）（６）記載の電流プローブであって、
前記絶縁体の一方の面の穴周縁部及び前記絶縁体の他方の面の穴周縁部には導体が設けられており、前記導体は前記絶縁体の穴内部を介して電気的に接続されていることを特徴とする電流プローブ。
（８）筐体と基板との接合部材における電流を測定する電流プローブであって、
穴を有する絶縁体と、前記絶縁体にコイル状に撒きつけられた導体と、前記導体のうち少なくとも前記穴内部に撒きつけられた部分を覆うように形成された絶縁膜とを有することを特徴とする電流プローブ。
（９）筐体と基板との接合部材における電流を測定する電流プローブであって、
回路基板で設けられており、前記回路基板の第一の面に設けられた第一のパターン配線と、前記回路基板の第二の面に設けられ前記前記第一のパターン配線とスルーホールを介して電気的に接続された第二のパターン配線とにより、コイルを形成したものであることを特徴とする電流プローブ。

本発明によれば、回路基板又は回路基板を実装した電子機器が接続された筐体のEMI対策をより迅速に行う測定方法を提供することができる。また、本発明によれば、これを実現するプローブを提供することができる。

以下、本発明の測定装置、測定原理及び測定方法について具体的に説明する。

図２に示す通り、回路基板201と筐体202の接合部を流れる電流を測定する為の本発明の測定装置は、回路基板201と筐体202の接合部であるネジ208を流れる電流を測定する為の電流プローブ203と、プローブ203からの信号を測定する測定器204と、電流プローブ203の信号を所望の大きさへ増幅又は周波数成分のみ抽出する為のアンプ又はフィルタ205と、電圧又は電力測定結果から、電流強度及び位相を計算する為のＣＰＵ及びメモリ及びこれらを計算するプログラム等を記憶した記憶装置等を備えるコンピュータ206と、測定結果を表示する為の表示装置207を有する。

ここで、電流プローブ203は、円形又は矩形の中心に穴があいた絶縁体に電流測定用のコイルを巻きつけた構造のものを用いる。すなわち、図１に示す通り、円形若しくは矩形の中心に穴があいた絶縁体101に、コイル状導体102を巻き付ける構造であり、導体の両端に形成された引き出し部103は測定器へと接続する為のケーブル104若しくはコネクタに接続されている。

この電流プローブ203の中心の穴にネジ208等の接合部品を通した状態で回路基板又は電子機器を筐体に実装し、実際のシステムとして動作させる事で、実際の動作状態において基板から筐体等の外部へ流れ出る電流を測定することが可能となる。

すなわち、電流プローブ203に接続されたケーブルに誘起する電圧をフィルタ又はアンプ205を通して所望の周波数f成分または所望の信号強度へ増幅し、測定器204へ取り込み、その測定位置及び測定結果はコンピュータ206の記憶装置に記憶され、これら記憶した接合部電流の測定結果を遠方での電磁界測定結果と比較し、これらの相関を検討することで遠方界の原因となる電流が流れている接合部を特定することが可能となる。なお、実際の回路基板等と筐体の実装状態を変化させてはならないため、電流プローブはワッシャー程度（10mm以下）まで極めて薄い構造を有していることが好ましい。

なお、フィルタ205は、バンドパスフィルタでなくともよく、可変ハイパスフィルタや可変ローパスフィルタを組み合わせることで測定周波数を任意に設定できるようにすることが好ましい。また、測定対象近傍の空間的電磁界分布を擾乱させないために、電磁界的に近傍とならないように電流プローブ203とフィルタ又はアンプ205を含む測定装置との間には距離を置く必要がある。電磁界的に近傍となる距離とは測定対象である回路基板201や筐体202〜電流プローブ203がr≦λ/(2π)を満たす距離rを指す。

次に、接合部電流プローブ203の測定原理の詳細について、図３を用いて具体的に説明する。

接合部電流プローブ203が回路基板201と筐体202を接続するネジ301を中心に通すように設置された状態でネジ301を締めたとき、回路基板201から筐体202へ流れる電流若しくは筐体202から回路基板201へ流れる電流は接合部であるネジ301を通る。ネジ301を電流が流れると周囲に磁界303が生じ、これが電流プローブ203のコイル状導体102を鎖交する。コイル状導体102を磁界が鎖交すると、コイル状導体102の両端には電圧が誘起するため、これを測定器104によって測定し、電流値へ変換する計算を行うことで接合部電流302を求める事が出来る。

このような電流プローブ203を用いて接合部の電流を測定した場合、絶縁体101断面積をS、周波数をｆ、透磁率をμ、磁界強度をH、巻き数をNとするとコイル状導体102両端に誘起する電圧VはV=2・π・f・μ・S・H・Nで表される。巻き数Nを大きくすると誘起電圧が大きくなる為、電流に対する感度が高くなるが、巻き線同士の容量結合やコイル状導体102自身のインダクタンスによって高周波における出力電圧の低下が生じる為、必要に応じて変更することが好ましい。

次に、試作した接合部電流プローブ203を用いて実際に接合部の電流を測定した実験結果について示す。ここでは、回路基板201には擬似雑音源として８MHｚの水晶発振器とフリップフロップICを搭載した擬似雑音基板を用い、筐体202には3.5インチのハードディスクドライブ（HDD）を用い、接合部品にはネジ301を用いた。ネジ301は３箇所あり、これらをネジA208, ネジB209, ネジC210として各々の接合部電流を測定した結果を各々図4、5、6に示す。また、ネジA208のみを締めたときの３ｍ遠方での電磁波強度スペクトラムを測定した結果を図16に、ネジB209のみを締めたときの３ｍ遠方での電磁波強度スペクトラムを測定した結果を図17に、ネジC210のみを締めたときの３ｍ遠方での電磁波強度スペクトラムを測定した結果を図18に示す。

図5に示すネジBの接合部電流測定結果と図17に示すネジBのみを締めた場合の３ｍ遠方での電磁波強度スペクトラムは、他のネジA,Bのものに比較してレベルが高く、回路基板201から筐体202へ流れる電流は主にネジBを流れている事が分かる。そこで、ネジBのみを外し、ネジA及びネジCのみを締める事によって擬似雑音基板を筐体202へ実装した時の遠方スペクトラム1302を図7に示す。ネジA,B,C全てを締めている場合の遠方スペクトラム1301に比較して電磁放射レベルが10dB程度下がっている事が分かる。このようにして、遠方界の原因電流が流れる経路を特定することができ、回路基板201を筐体202へ実装した時に増加してしまった不要電磁放射の原因究明及び対策を迅速化することが可能となる。

次に、本測定装置で用いる電流プローブの構造の実施形態について説明する。

まず、上記した第一の実施形態である接合部電流プローブを図１を用いて改めて詳述する。

図１に示すように、接合部電流プローブ203は、円形又は矩形状の中心に穴があいた絶縁体101と、鎖交磁束を電圧に変換する為のコイル状の導体102と、導体の両端とケーブルを接続する引き出し部103と、測定器へ接続する為のケーブル104を有する。ここで絶縁体101の形状に制限は無く、回路基板201や筐体202の実装状態を変化させない範囲で接合部に適した形状とすれば良い。一般的に回路基板201は筐体202にネジ止めされるケースが多く、この場合は元から組み込まれているワッシャーと同形状とし、ワッシャーの代わりに電流プローブ203を設置することが好ましい。なお、中心部の穴は接合部品を通す為の穴であり、円形又は矩形状に限られず、四角形状、多角形状のいずれでもよく適宜変更可能である。一般的な接合部品であるネジ301に対しては円形が好ましい。また、コイル状導体102は周囲の導体と電気的接触をしない為に、絶縁体に覆われていることが好ましい。この時、引き出し部103も同様に絶縁体で覆われていることが好ましい。更に、引き出し部103は周囲の電磁的外乱が混入しないようにケーブル104のGNDと電気的に接続された導体によって覆われていることが好ましい。ケーブル104は同軸ケーブルが好ましいが、これに限られるものではない。引き出し部の長さは出来るだけ短くすることが好ましい。

次に、第二の実施形態である接合部電流プローブ203について、図8を用いて説明する。

第一の実施形態の接合部電流プローブとの相違点はコイル状巻き線の周囲の絶縁体の上下及び中心円表面に導体1401を設けている点であり、このようにすることによって、回路基板201と筐体202の導体が物理的な接触によって導通しており、ネジ等の接合部品が絶縁体の場合であっても、図14に示すように、電流プローブ203の円状の導体1401が電流経路となって接合部電流302を測定することが可能となる。

すなわち、上記した第一の実施形態の接合部電流プローブでは、図13に示す通り、回路基板201上のGND211等のパターンと接合部であるネジ301は電気的に導通し、筐体202と接合部であるネジ301についても同様に電気的に導通していること、すなわち接合部品が導体であることが条件となっていたが、第二の実施形態の接合部電流プローブでは接合部品が絶縁体であっても対応可能となる点で有効である。

次に、第三の実施形態である接合部電流プローブ203について、図9を用い説明する。

第一の実施形態の接合部電流プローブとの相違点は円状又は矩形等の絶縁体101若しくは絶縁体101内部に磁性体1501を有している点であり、このようにすることで、コイル状導体102の内部に磁束を閉じ込め、誘起電圧を大きく出来るので接合部電流302に対する感度を高くすること可能となる。

次に、第四の実施形態である接合部電流プローブ203について、図10を用い説明する。

第一の実施形態の接合部電流プローブとの相違点はコイル状導体102の周囲の絶縁体の更に周囲を導体1601で覆っている点であり、このようにすることで、周囲の電磁的外乱に対して雑音成分が混入し難くなり、測定精度の向上を図る事が可能となる。なお、覆っている導体1601はケーブル及び測定器のGNDに接続し、この導体が周囲と電気的に接触しないよう、更に周囲を絶縁体で覆うことが好ましい。

なお、上記実施形態の接合部電流プローブにおいては、そのコイル状導体102の自己インダクタンスLを打ち消す為に電気的容量を直列に入れても良い。具体的には、チップコンデンサの組み込み等が考えられる。また、引き出し部103と測定器204の間、又は測定器204においてダイオードや整流器素子などを用いて測定電圧または電流を整流・検波し、直流電圧として電流・電圧強度を測定しても良い。なお、これらダイオードや整流器の形態に限定は無く、絶縁体101に組み込む等しても良い。

次に、第五の実施形態である接合部電流プローブ203について、図11を用い説明する。

第一の実施形態の接合部電流プローブとの相違点は絶縁体101、コイル状の導体102、引き出し部103、導体1401等を全てPCB1701を用いて形成されている点である。この場合、コイル状の導体102としては配線パターン1702とスルーホール1703によって擬似的に形成することが可能であり、一括形成、薄型等の点で有効である。また、PCBを多層構造とすることで、第二の実施形態の接合電流プローブのように上下層及び中心円内表面に導体を設けることで、接合部品が絶縁体である場合の測定にも適用することができる。さらに、本構造体は、その材料はPCB1701に限られず、セラミック基板等を用いることも可能であるため高周波特性における損失低減も図ることができる。

第五の実施形態の応用として、絶縁体101、コイル状の導体102、引き出し部103、導体141等を全てシリコン等の半導体基板及び銅等のパターンを用いて実現してもよく、抵抗素子や容量素子やダイオード等を集積化が図れるため、電流プローブ203のサイズの小型化も図ることができる。なお、強度を向上する為に周囲を誘電体で覆う等してもよい。

次に、第六の実施形態である接合部電流プローブ203について、図12を用い説明する。

これまでの実施形態では接合部または接合部品を電流プローブ203中心の穴に通す事を想定していたが、図に示すように接合部または接合部品1901の中にコイル状導体102を形成し、接合部品の外部へ引き出し部103を引き出す構造としても良い。このようにすることで、より実際の実装状態に近い状態で接合部電流302を測定する事が可能となる。ただし、この場合には、接合部品1901内に形成するコイル状導体102は絶縁体101等によって接合部品と電気的に絶縁されている必要がある。

以上、いくつかの実施の形態について説明したが、引き出し部103について、電流プローブ203とケーブル104の接続方法に制限は無く、鉛フリー半田による接続や小型コネクタを用いた脱着式接続構造としても良い。このようにすることで接合部電流プローブ203を組み込んだ状態での実装がより簡易になる。また、これまではコイル状導体102によって磁界303を検出する事を想定していたが、コイル状導体102の代わりにホール素子等の磁界303検出素子を用いてもよい。また、接合部品が導体である場合には、導体接合部と電気的に接触させないように、いずれの実施形態の電流プローブも絶縁膜で覆うことが好ましい。

次に、これらの電流プローブを用いた測定装置の他の実施の形態について図15を用いて説明する。

上記した図２の測定装置では一つの測定器304に対して一つの電流プローブ203を接続する事を想定していたが、図15に示すように電流プローブ203部分を複数個用意し、セレクタ1801等を用いる事によって複数箇所の接合部電流302を切り替えながら測定する構造としてもよい。一般的に、回路基板201を筐体202に実装する際の接合部は複数箇所有り、各々の接合部電流302を測定する毎に再組み立てを行う事は、接合箇所が多い程工程数が多くなる。そこで、このように複数の接合部電流プローブ203を組み込んだ状態で筐体実装を行い、セレクタ1801の切り替えのみによって測定を行うことで測定時間を大幅に短縮することが可能となる。なお、この場合、上記したいくつかの実施形態の接合部電流プローブうち、同じ形態のものを複数用いてもよいし、別の形態を組み合わせて用いても構わない。

以上、本発明の測定装置等の説明において、主に基板と筐体との実装を測定対象の例にとって説明したがこれに限られるもので、基板を実装した電子機器と筐体との実装した場合の接合部に本測定を用いても構わない。

上記実施例において開示した観点の代表的なものは次の通りである。
（１）電子機器の筐体とPCB(Printed Circuit Board)または電子機器のモジュールを接続する部位における電流を測定する電流プローブにおいて、各々の機器を接続した実際の動作状態において接合部の電流を測定可能とする接合部電流プローブ。
（２））（１）記載の接合部電流プローブにおいて、中心に穴を有する円形又は接合部の電流を測定する接合部電流プローブ。
（３）（１）または（２）記載の接合部電流プローブにおいて、プローブの厚さを1cm以下の薄型とする事で回路基板と電子機器、又は電子機器と電子機器の実装状態の距離を変化させない事を特徴とする接合部電流プローブ。
（４）（１）から（３）のいずれかに記載の接合部電流プローブにおいて、絶縁体及び導体や電子部品をPCB及びそのパターンによって実現する事を特徴とする接合部電流プローブ。
（５）（１）から（４）のいずれかに記載の接合部電流プローブおよび測定装置において、プローブ上、又はプローブと測定器を接続する間に抵抗や容量やインダクタやダイオード等の電子部品又はそれに相当する機能をもつ電気的部位を有する事を特徴とする接合部電流プローブ。
（６）（１）から（５）のいずれかに記載の接合部電流プローブおよび測定装置において、プローブ部分を複数個有し、複数箇所の接合部電流を同時に又はセレクタ等によって切り替える事で夫々の接合部電流を測定可能とする接合部電流プローブ。
（７）（１）から（６）のいずれかに記載の接合部電流プローブおよび装置において、絶縁体及び導体や電子部品をシリコンや銅等の半導体及び半導体プロセスによって実現する事を特徴とする接合部電流プローブ。
（８）（１）から（７）のいずれかに記載の接合部電流プローブにおいて、中心に穴を有する円形又は矩形の絶縁体に巻きつけたコイル状導体の周囲を絶縁体で覆うことを特徴とする接合部電流プローブ。
（９）（１）から（８）のいずれかに記載の接合部電流プローブにおいて、中心に穴を有する円形又は矩形の絶縁体に巻きつけたコイル状導体の周囲の絶縁体の上下及び中心円表面に導体を有していることを特徴とする接合部電流プローブ。
（１０）（１）から（９）のいずれかに記載の接合部電流プローブにおいて、中心に穴を有する矩形等の絶縁体若しくは絶縁体内部に磁性体を有していることを特徴とする接合部電流プローブ。
（１１）（１）から（１０）のいずれかに記載の接合部電流プローブにおいて、中心に穴を有する円形又は矩形の絶縁体に巻きつけたコイル状導体の周囲の絶縁体の更に周囲を導体で覆う構造を特徴とする接合部電流プローブ。
（１２）（１）から（１１）のいずれかに記載の接合部電流プローブにおいて、接合部または接合部品の中にコイル状導体を形成し、接合部品の外部へ引き出し部を引き出す構造を特徴とする接合部電流プローブ。
（１３）（１）から（１２）のいずれかに記載の接合部電流プローブにおいて、接合部または接合部品の中にコイル状導体とケーブルを接続する引き出し部又はプローブ上に脱着可能なコネクタを有することを特徴とする接合部電流プローブ。
（１４）（１）から（１３）のいずれかに記載の接合部電流プローブにおいて、ホール素子等の磁界検出素子及び測定器と接続する為のケーブル及び引き出し部を有することを特徴とする接合部電流プローブ。

本発明に係る電流プローブの構造を示す図である。本発明に係る測定装置の構造を示す図である。本発明に係る電流プローブの測定原理を示す図である。本発明に係る電流プローブを用いて測定したネジＡの接合部電流の実験結果を示す図である。本発明に係る電流プローブを用いて測定したネジＢの接合部電流の実験結果を示す図である。本発明に係る電流プローブを用いて測定したネジＣの接合部電流の実験結果を示す図である。筐体実装された回路基板の３ｍ遠方で測定した電磁波強度の実験結果を示す図である。本発明に係る電流プローブの第二の実施形態の構造を示す図である。本発明に係る電流プローブの第三の実施形態の構造を示す図である。本発明に係る電流プローブの第四の実施形態の構造を示す図である。本発明に係る電流プローブの第五の実施形態の構造を示す図である。本発明に係る電流プローブの第六の実施形態の構造を示す図である。接合部品が導体の場合の接続部における電流の流れを示す図である。接合部品が絶縁体の場合の接続部における電流の流れを示す図である。本発明に係る測定装置の他の構造を示す図である。ネジＡのみを用いて筐体実装された回路基板の３ｍ遠方で測定した電磁波強度の実験結果を示す図である。ネジＢのみを用いて筐体実装された回路基板の３ｍ遠方で測定した電磁波強度の実験結果を示す図である。ネジＣのみを用いて筐体実装された回路基板の３ｍ遠方で測定した電磁波強度の実験結果を示す図である。

符号の説明

101 絶縁体、102 コイル状導体、103 引き出し部、104ケーブル、201 回路基板、202 筐体、203 接合部電流プローブ、204 測定器、205 アンプ又はフィルタ、206 コンピュータ、207 表示装置、208 ネジＡ、209 ネジＢ、210 ネジＣ、301 ネジ、302 接合部電流、303 磁界、1301ネジＡ，Ｂ，Ｃを締めた場合、1302 ネジＡ，Ｃのみ締めた場合、1401 導体、1501 磁性体、1601 導体、1701 ＰＣＢ、1702 配線パターン、1703 スルーホール、1704 接続用パッド、1801 セレクタ、1901 接合

Claims

基板が実装された筐体の電磁波発生源探査方法であって、
前記基板のＧＮＤと前記筐体とを接続する複数の接合部材を流れる電流を測定し、
前記電流の測定は、電流プローブの穴に前記接合部材を通し、前記基板と前記筐体との間で前記電流プローブが前記基板と前記筐体とに接し、前記接合部材により前記基板と前記筐体とを接合させた状態で測定して探査することを特徴とする電磁波発生源探査方法。
請求項１に記載された電磁波発生源探査方法であって、
前記電流の測定は、前記複数の接合部材を流れるコモンモード電流のリターン電流を測定することを特徴とする電磁波発生源探査方法。
請求項１に記載された電磁波発生源探査方法であって、
前記基板を励振源、前記筐体をアンテナとしたときに発生し、前記複数の接合部材を流れる電流を測定することを特徴とする電磁波発生源探査方法。
請求項１に記載の電磁波発生源探査方法であって、
前記電流プローブは前記穴を有する絶縁体に導体をコイル状に複数回撒きつけたものであることを特徴とする電磁波発生源探査方法。
請求項４に記載の電磁波発生源探査方法であって、
前記絶縁体の一方の面の穴周縁部及び前記絶縁体の他方の面の穴周縁部には導体が設けられており、前記導体は前記絶縁体の穴内部を介して電気的に接続されていることを特徴とする電磁波発生源探査方法。
請求項４に記載の電磁波発生源探査方法であって、
前記絶縁体の内部には磁性体が備えられていることを特徴とする電磁波発生源探査方法。
請求項４に記載の電磁波発生源探査方法であって、
前記絶縁体の周囲は導体で覆われていることを特徴とする電磁波発生源探査方法。