JP3391234B2 - バンプ形成用キャピラリおよびバンプ形成装置およびバンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成用キャピラリおよびバンプ形成装置およびバンプ形成方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バンプ形成用キャ
ピラリおよびバンプ形成装置およびバンプ形成方法に関
し、特に、キャピラリ内部に形成されたテーパ部に貫通
孔を設けることにより、バンプの剥離を容易にするバン
プ形成用キャピラリおよびバンプ形成装置およびバンプ
形成方法に関する。
ピラリおよびバンプ形成装置およびバンプ形成方法に関
し、特に、キャピラリ内部に形成されたテーパ部に貫通
孔を設けることにより、バンプの剥離を容易にするバン
プ形成用キャピラリおよびバンプ形成装置およびバンプ
形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体チップの電極上にボンディ
ング用の金属バンプを形成する方法として、Ａｕ、Ｓ
ｎ、Ａｇ、Ｐｂ−Ｓｎ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属からなるワ
イヤを用い、このワイヤの先端をアーク放電またはスパ
ーク放電等で加熱、溶融してボールを形成し、このボー
ルを半導体チップの電極上に圧着する方法が知られてい
る。
ング用の金属バンプを形成する方法として、Ａｕ、Ｓ
ｎ、Ａｇ、Ｐｂ−Ｓｎ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属からなるワ
イヤを用い、このワイヤの先端をアーク放電またはスパ
ーク放電等で加熱、溶融してボールを形成し、このボー
ルを半導体チップの電極上に圧着する方法が知られてい
る。
【０００３】このような従来のバンプ形成方法を図５お
よび図６を使用して説明する。
よび図６を使用して説明する。
【０００４】図５は、従来のバンプ形成方法において、
キャピラリの先端にイニシャルボールを形成するまでの
工程を示す断面図である。同図に示すように、従来のバ
ンプ形成方法では、まず、キャピラリ１の内部に形成さ
れたワイヤホール２にＡｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｂ−Ｓｎ、
Ａｌ、Ｃｕ等の金属からなるワイヤ１０を挿入し、キャ
ピラリ１の先端であるワイヤ導出部から突出させる（図
５（ａ））。
キャピラリの先端にイニシャルボールを形成するまでの
工程を示す断面図である。同図に示すように、従来のバ
ンプ形成方法では、まず、キャピラリ１の内部に形成さ
れたワイヤホール２にＡｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｂ−Ｓｎ、
Ａｌ、Ｃｕ等の金属からなるワイヤ１０を挿入し、キャ
ピラリ１の先端であるワイヤ導出部から突出させる（図
５（ａ））。
【０００５】ここで、このキャピラリ１の先端には、ワ
イヤ導出部に向かってワイヤホール２の開口径が徐々に
大きくなるように形成されたテーパ部が設けられてい
る。また、この時、金属バンプが形成される半導体チッ
プ２０は、所定の温度に加熱されている。
イヤ導出部に向かってワイヤホール２の開口径が徐々に
大きくなるように形成されたテーパ部が設けられてい
る。また、この時、金属バンプが形成される半導体チッ
プ２０は、所定の温度に加熱されている。
【０００６】次に、図５（ｂ）に示すように、トーチ電
極３２をキャピラリ１の先端に近接させながら、ワイヤ
１０をさらに突出させる。その後、このトーチ電極３２
に高電圧を印可してワイヤ１０の先端にスパークを飛ば
し、当該先端を加熱、溶融することにより、図５（ｃ）
に示すようなイニシャルボール１２を形成する。
極３２をキャピラリ１の先端に近接させながら、ワイヤ
１０をさらに突出させる。その後、このトーチ電極３２
に高電圧を印可してワイヤ１０の先端にスパークを飛ば
し、当該先端を加熱、溶融することにより、図５（ｃ）
に示すようなイニシャルボール１２を形成する。
【０００７】図６は、従来のバンプ形成方法において、
キャピラリの先端にイニシャルボールを形成してから半
導体チップの電極上に金属バンプを圧着するまでの工程
を示す断面図である。同図に示すように、図５に示す工
程でイニシャルボール１２が形成されたキャピラリ１を
半導体チップ２０の電極パッド２１上に下降させ、当該
電極パッド２１上に接触させる（図６（ｄ））。
キャピラリの先端にイニシャルボールを形成してから半
導体チップの電極上に金属バンプを圧着するまでの工程
を示す断面図である。同図に示すように、図５に示す工
程でイニシャルボール１２が形成されたキャピラリ１を
半導体チップ２０の電極パッド２１上に下降させ、当該
電極パッド２１上に接触させる（図６（ｄ））。
【０００８】その後、図６（ｅ）に示すように、キャピ
ラリ１に上方から力を加えてイニシャルボール１２を電
極パッド２１に押圧する。このとき、イニシャルボール
１２には、キャピラリ１を介して超音波が印可される。
ラリ１に上方から力を加えてイニシャルボール１２を電
極パッド２１に押圧する。このとき、イニシャルボール
１２には、キャピラリ１を介して超音波が印可される。
【０００９】イニシャルボール１２は、キャピラリ１か
ら加えられる圧力と超音波の振動により、電極パッド２
１と接合する。その後、図６（ｆ）に示すように、キャ
ピラリ１を引き上げて上昇させ、ワイヤ１０を金属バン
プ１１から分離する。
ら加えられる圧力と超音波の振動により、電極パッド２
１と接合する。その後、図６（ｆ）に示すように、キャ
ピラリ１を引き上げて上昇させ、ワイヤ１０を金属バン
プ１１から分離する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来のバンプ形成方法においては、６（ｅ）に示す圧着
工程で金属バンプ１１がキャピラリ１の内壁にも密着
し、この密着性が高い場合には、図７に示すように、金
属バンプ１１が半導体チップ２０の電極パッド２１から
剥離してしまう場合があった。
従来のバンプ形成方法においては、６（ｅ）に示す圧着
工程で金属バンプ１１がキャピラリ１の内壁にも密着
し、この密着性が高い場合には、図７に示すように、金
属バンプ１１が半導体チップ２０の電極パッド２１から
剥離してしまう場合があった。
【００１１】ここで、図７は、金属バンプ１１が半導体
チップ２０の電極パッド２１から剥離し、キャピラリ１
に密着した状態を示す断面図である。
チップ２０の電極パッド２１から剥離し、キャピラリ１
に密着した状態を示す断面図である。
【００１２】上記のように、金属バンプ１１が電極パッ
ド２１から剥離しない場合であっても、金属バンプ１１
と電極パッド２１との接合部には、キャピラリ１の引き
上げ方向に力がかかっているため、接合強度の低下やク
ラックの発生という問題が生じる。
ド２１から剥離しない場合であっても、金属バンプ１１
と電極パッド２１との接合部には、キャピラリ１の引き
上げ方向に力がかかっているため、接合強度の低下やク
ラックの発生という問題が生じる。
【００１３】そこで、本発明は、キャピラリ引き上げ時
にバンプがキャピラリ内壁に密着することを防止し、電
極パッドへの圧着工程を確実に行うことができるバンプ
形成用キャピラリおよびバンプ形成装置およびバンプ形
成方法を提供することを目的とする。
にバンプがキャピラリ内壁に密着することを防止し、電
極パッドへの圧着工程を確実に行うことができるバンプ
形成用キャピラリおよびバンプ形成装置およびバンプ形
成方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、ワイヤを通過させるための
ワイヤホールと、該ワイヤホールを通過するワイヤを外
部に導出するワイヤ導出部と、該ワイヤホールに接続さ
れ該ワイヤ導出部に向かって開口径が広がったテーパ部
を有するバンプ形成用キャピラリにおいて、前記テーパ
部の壁面に外部に通じる少なくとも１つの貫通孔を有す
ることを特徴とするバンプ形成用キャピラリ。
め、請求項１記載の発明は、ワイヤを通過させるための
ワイヤホールと、該ワイヤホールを通過するワイヤを外
部に導出するワイヤ導出部と、該ワイヤホールに接続さ
れ該ワイヤ導出部に向かって開口径が広がったテーパ部
を有するバンプ形成用キャピラリにおいて、前記テーパ
部の壁面に外部に通じる少なくとも１つの貫通孔を有す
ることを特徴とするバンプ形成用キャピラリ。
【００１５】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の発明において、前記貫通孔は、前記テーパ部の壁面
に対し直交方向に形成されていることを特徴とする。
載の発明において、前記貫通孔は、前記テーパ部の壁面
に対し直交方向に形成されていることを特徴とする。
【００１６】
【請求項３】 ワイヤを通過させるためのワイヤホール
と、該ワイヤホールを通過するワイヤを外部に導出する
ワイヤ導出部と、該ワイヤホールに接続され該ワイヤ導
出部に向かって開口径が広がったテーパ部とを設けたバ
ンプ形成用キャピラリを具備するバンプ形成装置におい
て、前記バンプ形成用キャピラリは、前記テーパ部の壁
面に外部に通じる少なくとも１つの貫通孔を有し、該貫
通孔を通して前記テーパ部の内部に気体を噴出すること
を特徴とする。
と、該ワイヤホールを通過するワイヤを外部に導出する
ワイヤ導出部と、該ワイヤホールに接続され該ワイヤ導
出部に向かって開口径が広がったテーパ部とを設けたバ
ンプ形成用キャピラリを具備するバンプ形成装置におい
て、前記バンプ形成用キャピラリは、前記テーパ部の壁
面に外部に通じる少なくとも１つの貫通孔を有し、該貫
通孔を通して前記テーパ部の内部に気体を噴出すること
を特徴とする。
【００１７】また、請求項４記載の発明は、キャピラリ
の内部に形成されたワイヤホールにワイヤを供給し、該
キャピラリの先端に形成されたワイヤ導出部からワイヤ
を突出させるワイヤ突出工程と、前記ワイヤ突出工程に
より突出したワイヤの先端を溶融し、イニシャルボール
を形成するイニシャルボール形成工程と、前記イニシャ
ルボール形成工程によって形成されたイニシャルボール
を被処理基体に押圧し、該被処理基体にバンプを圧着す
る圧着工程と、前記圧着工程により圧着したバンプの壁
面に気体を噴出し、該バンプを前記キャピラリから分離
するバンプ分離工程とを含むことを特徴とする。
の内部に形成されたワイヤホールにワイヤを供給し、該
キャピラリの先端に形成されたワイヤ導出部からワイヤ
を突出させるワイヤ突出工程と、前記ワイヤ突出工程に
より突出したワイヤの先端を溶融し、イニシャルボール
を形成するイニシャルボール形成工程と、前記イニシャ
ルボール形成工程によって形成されたイニシャルボール
を被処理基体に押圧し、該被処理基体にバンプを圧着す
る圧着工程と、前記圧着工程により圧着したバンプの壁
面に気体を噴出し、該バンプを前記キャピラリから分離
するバンプ分離工程とを含むことを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るバンプ形成用
キャピラリおよびバンプ形成装置およびバンプ形成方法
の一実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
キャピラリおよびバンプ形成装置およびバンプ形成方法
の一実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】まず、図１を使用して本発明の概要を説明
する。図１は、本発明に係るバンプ形成用キャピラリの
構造を示す断面図である。
する。図１は、本発明に係るバンプ形成用キャピラリの
構造を示す断面図である。
【００２０】本発明は、同図に示すように、キャピラリ
１の先端に形成されたテーパ部３の壁面に外部と通じる
貫通孔４を形成することにより、キャピラリ引き上げ時
にバンプがキャピラリ内壁に密着することを防止し、電
極パッドへの圧着工程を確実に行うことができるバンプ
形成用キャピラリおよびバンプ形成装置およびバンプ形
成方法を提供するものである。
１の先端に形成されたテーパ部３の壁面に外部と通じる
貫通孔４を形成することにより、キャピラリ引き上げ時
にバンプがキャピラリ内壁に密着することを防止し、電
極パッドへの圧着工程を確実に行うことができるバンプ
形成用キャピラリおよびバンプ形成装置およびバンプ形
成方法を提供するものである。
【００２１】以下、本発明の内容をさらに詳細に説明す
る。
る。
【００２２】図１に示す貫通孔４は、金属バンプ１１が
テーパ部３の壁面に密着しないように、空気孔として使
用するか、または、外部から積極的に気体を送り込む場
合の通気孔として使用する。
テーパ部３の壁面に密着しないように、空気孔として使
用するか、または、外部から積極的に気体を送り込む場
合の通気孔として使用する。
【００２３】この貫通孔４は、テーパ部３の開口径に沿
って同心円状に９０℃の間隔で４つ形成し、かつ、テー
パ部３の壁面に対して直交する方向に形成することが好
ましい。貫通孔４の個数は多ければ多いほどテーパ部３
壁面への密着を防止できるが、同心円状に４つ程度で十
分良好な結果を得ることができる。尚、貫通孔４は１つ
でもその効果を奏する。
って同心円状に９０℃の間隔で４つ形成し、かつ、テー
パ部３の壁面に対して直交する方向に形成することが好
ましい。貫通孔４の個数は多ければ多いほどテーパ部３
壁面への密着を防止できるが、同心円状に４つ程度で十
分良好な結果を得ることができる。尚、貫通孔４は１つ
でもその効果を奏する。
【００２４】また、上記のように、貫通孔をテーパ部３
の壁面に対して直交する方向に形成すれば、金属バンプ
１１に対して気体が垂直に当たるため、より効果的にテ
ーパ部３壁面への密着を防止することができる。
の壁面に対して直交する方向に形成すれば、金属バンプ
１１に対して気体が垂直に当たるため、より効果的にテ
ーパ部３壁面への密着を防止することができる。
【００２５】上記のように構成されるバンプ形成用キャ
ピラリを使用して、金属バンプを形成する方法を図２か
ら図４までを使用して説明する。
ピラリを使用して、金属バンプを形成する方法を図２か
ら図４までを使用して説明する。
【００２６】図２は、図１に示すキャピラリを使用した
金属バンプ形成装置の要部を示す斜視図である。同図に
示す金属バンプ形成装置は、超音波を発生しこの超音波
をキャピラリ１に印可する超音波アーム３０と、半導体
チップを加熱する加熱装置３１と、キャピラリ１に挿入
されるワイヤ１０の先端にスパークを放電するトーチ電
極３２と、キャピラリ１内部に気体を供給する気体供給
部３３と、この気体供給部３３に気体を送り込む気体供
給路３４と、その他図示しないワイヤを保持するワイヤ
保持部やトーチ電極に高電圧を印可する高電圧印可装
置、また、気体供給路３４に高圧の気体を送り込むコン
プレッサー等から構成される。
金属バンプ形成装置の要部を示す斜視図である。同図に
示す金属バンプ形成装置は、超音波を発生しこの超音波
をキャピラリ１に印可する超音波アーム３０と、半導体
チップを加熱する加熱装置３１と、キャピラリ１に挿入
されるワイヤ１０の先端にスパークを放電するトーチ電
極３２と、キャピラリ１内部に気体を供給する気体供給
部３３と、この気体供給部３３に気体を送り込む気体供
給路３４と、その他図示しないワイヤを保持するワイヤ
保持部やトーチ電極に高電圧を印可する高電圧印可装
置、また、気体供給路３４に高圧の気体を送り込むコン
プレッサー等から構成される。
【００２７】上記のように構成される金属バンプ形成装
置は、図２に示すように、超音波アーム３０でキャピラ
リ１を狭持し、気体供給部３３で前述した貫通孔４を密
封するとともに、加熱装置３１上に半導体チップ２０を
載置し、超音波アーム３０を移動させることにより、金
属バンプを形成する位置を決定する。
置は、図２に示すように、超音波アーム３０でキャピラ
リ１を狭持し、気体供給部３３で前述した貫通孔４を密
封するとともに、加熱装置３１上に半導体チップ２０を
載置し、超音波アーム３０を移動させることにより、金
属バンプを形成する位置を決定する。
【００２８】ここで、気体供給部３３に送り込む気体は
一般には空気を使用するがその他不活性ガス等を圧縮し
て供給してもよい。不活性ガスを使用すれば金属バンプ
の酸化を防止することもできる。この気体供給部に送り
込まれる気体は、図示しない制御装置によって、気体を
噴出するタイミング、時間および噴出量がコントロール
され、コンプレッサーで圧縮された気体が供給される。
尚、貫通孔に気体を噴出せず、空気孔としてのみ使用す
る場合には、上記のような気体供給部３３および気体供
給路３４は使用しない。
一般には空気を使用するがその他不活性ガス等を圧縮し
て供給してもよい。不活性ガスを使用すれば金属バンプ
の酸化を防止することもできる。この気体供給部に送り
込まれる気体は、図示しない制御装置によって、気体を
噴出するタイミング、時間および噴出量がコントロール
され、コンプレッサーで圧縮された気体が供給される。
尚、貫通孔に気体を噴出せず、空気孔としてのみ使用す
る場合には、上記のような気体供給部３３および気体供
給路３４は使用しない。
【００２９】上記のように貫通孔に気体を送り込む構成
および送り込まない構成の双方を考慮して説明するた
め、以下の図面では、この気体供給部３３を省略して記
載するが、貫通孔に気体を送り込み構成においては、当
該貫通孔が密封されるように取り付けられているものと
する。
および送り込まない構成の双方を考慮して説明するた
め、以下の図面では、この気体供給部３３を省略して記
載するが、貫通孔に気体を送り込み構成においては、当
該貫通孔が密封されるように取り付けられているものと
する。
【００３０】図３は、従来のバンプ形成方法において、
キャピラリの先端にイニシャルボールを形成するまでの
工程を示す断面図である。同図に示すように、従来のバ
ンプ形成方法では、まず、キャピラリ１の内部に形成さ
れたワイヤホール２にＡｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｂ−Ｓｎ、
Ａｌ、Ｃｕ等の金属からなるワイヤ１０を挿入し、キャ
ピラリ１の先端であるワイヤ導出部から突出させる（図
３（ａ））。
キャピラリの先端にイニシャルボールを形成するまでの
工程を示す断面図である。同図に示すように、従来のバ
ンプ形成方法では、まず、キャピラリ１の内部に形成さ
れたワイヤホール２にＡｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｂ−Ｓｎ、
Ａｌ、Ｃｕ等の金属からなるワイヤ１０を挿入し、キャ
ピラリ１の先端であるワイヤ導出部から突出させる（図
３（ａ））。
【００３１】ここで、このキャピラリ１は前述したよう
に、テーパ部３の壁面に貫通孔が形成されている。ま
た、この時、金属バンプが形成される半導体チップ２０
は、図２に示す加熱装置３１によって、所定の温度に加
熱されている。
に、テーパ部３の壁面に貫通孔が形成されている。ま
た、この時、金属バンプが形成される半導体チップ２０
は、図２に示す加熱装置３１によって、所定の温度に加
熱されている。
【００３２】次に、図３（ｂ）に示すように、トーチ電
極３２をキャピラリ１の先端に近接させながら、ワイヤ
１０をさらに突出させる。その後、このトーチ電極３２
に高電圧を印可してワイヤ１０の先端にスパークを飛ば
し、当該先端を加熱、溶融することにより、図３（ｃ）
に示すようなイニシャルボール１２を形成する。
極３２をキャピラリ１の先端に近接させながら、ワイヤ
１０をさらに突出させる。その後、このトーチ電極３２
に高電圧を印可してワイヤ１０の先端にスパークを飛ば
し、当該先端を加熱、溶融することにより、図３（ｃ）
に示すようなイニシャルボール１２を形成する。
【００３３】図４は、従来のバンプ形成方法において、
キャピラリの先端にイニシャルボールを形成してから半
導体チップの電極上に金属バンプを圧着するまでの工程
を示す断面図である。同図に示すように、図３に示す工
程でイニシャルボール１２が形成されたキャピラリ１を
半導体チップ２０の電極パッド２１上に下降させ、当該
電極パッド２１上に接触させる（図４（ｄ））。
キャピラリの先端にイニシャルボールを形成してから半
導体チップの電極上に金属バンプを圧着するまでの工程
を示す断面図である。同図に示すように、図３に示す工
程でイニシャルボール１２が形成されたキャピラリ１を
半導体チップ２０の電極パッド２１上に下降させ、当該
電極パッド２１上に接触させる（図４（ｄ））。
【００３４】その後、図４（ｅ）に示すように、キャピ
ラリ１に上方から力を加えてイニシャルボール１２を電
極パッド２１に押圧する。このとき、イニシャルボール
１２には、超音波アーム３０から発生する超音波がキャ
ピラリ１を介して印可される。
ラリ１に上方から力を加えてイニシャルボール１２を電
極パッド２１に押圧する。このとき、イニシャルボール
１２には、超音波アーム３０から発生する超音波がキャ
ピラリ１を介して印可される。
【００３５】イニシャルボール１２は、キャピラリ１か
ら加えられる圧力と超音波の振動により、電極パッド２
１と接合する。このとき、図２に示す気体供給部から気
体を噴出し、図４（ｅ）に示すように、テーパ部の壁面
と金属バンプ１１との間に隙間を作る。
ら加えられる圧力と超音波の振動により、電極パッド２
１と接合する。このとき、図２に示す気体供給部から気
体を噴出し、図４（ｅ）に示すように、テーパ部の壁面
と金属バンプ１１との間に隙間を作る。
【００３６】その後、図４（ｆ）に示すように、キャピ
ラリ１を引き上げて上昇させ、図示しないワイヤ保持部
を作動させることにより、ワイヤ１０を金属バンプ１１
から分離する。
ラリ１を引き上げて上昇させ、図示しないワイヤ保持部
を作動させることにより、ワイヤ１０を金属バンプ１１
から分離する。
【００３７】尚、上記各実施例では、貫通孔から気体を
送り込む構成としたが、キャピラリ１に形成されたワイ
ヤホールの上部から気体を送り込むように構成してもよ
い。
送り込む構成としたが、キャピラリ１に形成されたワイ
ヤホールの上部から気体を送り込むように構成してもよ
い。
【００３８】また、気体に代えて、金属バンプとキャピ
ラリとの剥離を促進するような剥離材を貫通孔４に注入
するように構成してもよい。
ラリとの剥離を促進するような剥離材を貫通孔４に注入
するように構成してもよい。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
キャピラリ引き上げ時にバンプがキャピラリ内壁に密着
することを防止し、電極パッドへの圧着工程を確実に行
うことができるバンプ形成用キャピラリおよびバンプ形
成装置およびバンプ形成方法を提供することができる。
キャピラリ引き上げ時にバンプがキャピラリ内壁に密着
することを防止し、電極パッドへの圧着工程を確実に行
うことができるバンプ形成用キャピラリおよびバンプ形
成装置およびバンプ形成方法を提供することができる。
【００４０】また、貫通孔をテーパ部３の壁面に対して
直交する方向に形成すれば、金属バンプ１１に対して気
体が垂直に当たるため、より効果的にテーパ部３壁面へ
の密着を防止することができる。
直交する方向に形成すれば、金属バンプ１１に対して気
体が垂直に当たるため、より効果的にテーパ部３壁面へ
の密着を防止することができる。
【図１】本発明に係るバンプ形成用キャピラリの構造を
示す断面図。
示す断面図。
【図２】図１に示すキャピラリを使用した金属バンプ形
成装置の要部を示す斜視図。
成装置の要部を示す斜視図。
【図３】従来のバンプ形成方法において、キャピラリの
先端にイニシャルボールを形成するまでの工程を示す断
面図。
先端にイニシャルボールを形成するまでの工程を示す断
面図。
【図４】従来のバンプ形成方法において、キャピラリの
先端にイニシャルボールを形成してから半導体チップの
電極上に金属バンプを圧着するまでの工程を示す断面
図。
先端にイニシャルボールを形成してから半導体チップの
電極上に金属バンプを圧着するまでの工程を示す断面
図。
【図５】従来のバンプ形成方法において、キャピラリの
先端にイニシャルボールを形成するまでの工程を示す断
面図。
先端にイニシャルボールを形成するまでの工程を示す断
面図。
【図６】従来のバンプ形成方法において、キャピラリの
先端にイニシャルボールを形成してから半導体チップの
電極上に金属バンプを圧着するまでの工程を示す断面
図。
先端にイニシャルボールを形成してから半導体チップの
電極上に金属バンプを圧着するまでの工程を示す断面
図。
【図７】金属バンプ１１が半導体チップ２０の電極パッ
ド２１から剥離し、キャピラリ１に密着した状態を示す
断面図。
ド２１から剥離し、キャピラリ１に密着した状態を示す
断面図。
１…キャピラリ、２…ワイヤホール、３…テーパ部、４
…貫通孔、１０…ワイヤ、１１…金属バンプ、１２…イ
ニシャルボール、２０…半導体チップ、２１…電極パッ
ド、３０…超音波アーム、３１…加熱装置、３２…トー
チ電極、３３…気体供給部、３４…気体供給路。
…貫通孔、１０…ワイヤ、１１…金属バンプ、１２…イ
ニシャルボール、２０…半導体チップ、２１…電極パッ
ド、３０…超音波アーム、３１…加熱装置、３２…トー
チ電極、３３…気体供給部、３４…気体供給路。
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(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60
H01L 21/60 301
Claims (4)
- 【請求項１】 ワイヤを通過させるためのワイヤホール
と、該ワイヤホールを通過するワイヤを外部に導出する
ワイヤ導出部と、該ワイヤホールに接続され該ワイヤ導
出部に向かって開口径が広がったテーパ部を有するバン
プ形成用キャピラリにおいて、 前記テーパ部の壁面に外部に通じる少なくとも１つの貫
通孔を有することを特徴とするバンプ形成用キャピラ
リ。 - 【請求項２】 前記貫通孔は、 前記テーパ部の壁面に対し直交方向に形成されているこ
とを特徴とする請求項１記載のバンプ形成用キャピラ
リ。 - 【請求項３】 ワイヤを通過させるためのワイヤホール
と、該ワイヤホールを通過するワイヤを外部に導出する
ワイヤ導出部と、該ワイヤホールに接続され該ワイヤ導
出部に向かって開口径が広がったテーパ部とを設けたバ
ンプ形成用キャピラリを具備するバンプ形成装置におい
て、 前記バンプ形成用キャピラリは、 前記テーパ部の壁面に外部に通じる少なくとも１つの貫
通孔を有し、 該貫通孔を通して前記テーパ部の内部に気体を噴出する
ことを特徴とするバンプ形成装置。 - 【請求項４】 キャピラリの内部に形成されたワイヤホ
ールにワイヤを供給し、該キャピラリの先端に形成され
たワイヤ導出部からワイヤを突出させるワイヤ突出工程
と、 前記ワイヤ突出工程により突出したワイヤの先端を溶融
し、イニシャルボールを形成するイニシャルボール形成
工程と、 前記イニシャルボール形成工程によって形成されたイニ
シャルボールを被処理基体に押圧し、該被処理基体にバ
ンプを圧着する圧着工程と、 前記圧着工程により圧着したバンプの壁面に気体を噴出
し、該バンプを前記キャピラリから分離するバンプ分離
工程とを含むことを特徴とするバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28654497A JP3391234B2 (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | バンプ形成用キャピラリおよびバンプ形成装置およびバンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28654497A JP3391234B2 (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | バンプ形成用キャピラリおよびバンプ形成装置およびバンプ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121492A JPH11121492A (ja) | 1999-04-30 |
| JP3391234B2 true JP3391234B2 (ja) | 2003-03-31 |
Family
ID=17705796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28654497A Expired - Fee Related JP3391234B2 (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | バンプ形成用キャピラリおよびバンプ形成装置およびバンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3391234B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000150560A (ja) * | 1998-11-13 | 2000-05-30 | Seiko Epson Corp | バンプ形成方法及びバンプ形成用ボンディングツール、半導体ウエーハ、半導体チップ及び半導体装置並びにこれらの製造方法、回路基板並びに電子機器 |
| JP4760736B2 (ja) * | 2007-03-02 | 2011-08-31 | 株式会社デンソー | ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置 |
-
1997
- 1997-10-20 JP JP28654497A patent/JP3391234B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11121492A (ja) | 1999-04-30 |
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