JP3386311B2 - 帯電装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複写機、ファクシ
ミリ、プリンタ等の電子写真技術を利用した画像形成装
置の帯電ユニットに用いられる帯電装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真技術を利用した複写機、ファク
シミリ、プリンタ等における作像プロセスでは、静電潜
像担持体である感光体上を帯電させるプロセスが存在す
る。この帯電プロセスとして、従来は、非接触で帯電安
定性にも優れているコロナチャージャーによって行われ
ていたが、この方式ではオゾンが多く発生するため、最
近では接触帯電方式が検討されており、例えば、特開昭
６３−１４９６６９号公報に開示されているような接触
帯電方法（導電性ローラを用いたローラ帯電方式であ
り、ＤＣ電圧にＡＣ電圧を重畳させて導電性ローラに印
加する方法）や、特開平６−１７５４６９号公報に開示
されているようなブラシ帯電装置（導電性ブラシを用い
たブラシ帯電方式であり、導電性ブラシと芯金の間に低
抵抗の中間導電部材を設けて、帯電の環境依存性を無く
し、被帯電物を一定に帯電させる）、が実用化されてき
ている。

【０００３】しかし、接触帯電方式では、帯電部材が感
光体に接触しているために帯電部材がトナーなどで汚れ
やすく、その結果、帯電ムラ等の帯電性能の劣化が生じ
てしまう。以上のことから、オゾンレスの非接触帯電方
式が帯電手段としては理想的であると言える。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みなされたものであって、オゾンレスの非接触帯電方式
の帯電装置を提供することを課題（目的）としている。
以下に、個々の請求項の発明が解決しようとする課題
(目的)を列挙する。

【０００５】

【０００６】

【０００７】請求項１，２の発明が解決しようとする課
題(目的)は、電磁波によって生成されたイオンを、静電
潜像担持体に付着させるための電界を、効率よく空間に
形成すると共に、感光体が電磁波によって劣化すること
を防止し、かつ、電磁波が装置外部に漏れることを防止
することである。

【０００８】請求項３の発明が解決しようとする課題
(目的)は、請求項１，２の課題に加え、電磁波遮蔽板を
設けることによって、帯電効率が低下することを防止す
ることである。

【０００９】請求項４の発明が解決しようとする課題
(目的)は、請求項１，２の課題に加え、電磁波遮蔽板を
設けることによって、帯電効率が低下することを防止す
ることである。

【００１０】請求項５の発明が解決しようとする課題 （目的）は、請求項１，２の課題に加え、電磁波遮蔽板
と電界形成電極を一体化することによって、部品点数を
減らし、組み立てを容易にしコストを低減すると共に、
電磁波漏れを防止することである。

【００１１】請求項６の発明が解決しようとする課題 （目的）は、請求項４または５の課題に加え、電磁波遮
蔽板が金属の場合に、電磁波遮蔽板と潜像担持体間での
放電を防止し、帯電ムラを少なくすることである。

【００１２】請求項７の発明が解決しようとする課題 （目的）は、請求項１，２の課題に加え、電磁波を装置
外部に漏らさないように、確実に遮蔽することである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、静電潜像担持体上に均一な初期
帯電を行った後、部分的に初期帯電を消去し、画像信号
に応じて変調した静電荷のパターンを形成し、該静電荷
のパターンをトナーにより現像して記録紙あるいは中間
転写体に転写し、画像を得る画像形成装置の帯電装置で
あり、電磁波照射装置と電界形成用電極を備え、該電磁
波照射装置により前記静電潜像担持体上の空間に電磁波
を照射すると共に該電界形成用電極で電界を形成するこ
とによって、静電潜像担持体を所望の電位に帯電させる
構成であり、電磁波照射方向と電界の向きが異なる帯電
装置において、電磁波照射方向下流側に、電磁波遮蔽板
を設けた構成としたものである。

【００１４】請求項２の発明は、請求項１記載の帯電装
置において、電磁波照射方向を静電潜像担持体の進行方
向と略平行とし、電界方向を静電潜像担持体に対して略
垂直方向としたものである。

【００１５】

【００１６】請求項３の発明は、請求項１または２記載
の帯電装置において、電磁波遮蔽板が絶縁体でできてい
る構成としたものである。

【００１７】請求項４の発明は、請求項１または２記載
の帯電装置において、電磁波遮蔽板を電界形成用電極と
略同電位である良導体で構成したものである。

【００１８】請求項５の発明は、請求項１または２記載
の帯電装置において、電磁波遮蔽板と電界形成用電極が
一体である構成としたものである。

【００１９】請求項６の発明は、請求項４または５記載
の帯電装置において、電磁波遮蔽板の静電潜像担持体側
近傍が絶縁体で覆われている構成としたものである。

【００２０】請求項７の発明は、請求項１または２記載
の帯電装置において、電磁波照射角度をθ、電磁波照射
装置から電磁波遮蔽板までの距離をＬ、電磁波遮蔽板の
高さをＨとしたとき、 Ｈ＞２×Ｌtan(θ／２)＋Ｄ （ただし、Ｄは電磁波照射孔の高さ方向の幅） である構成としたものである。

【００２１】

【発明の実施の形態】まず本発明による非接触帯電方式
の原理について述べる。電磁波が空気中に照射される
と、照射された領域の空気が電離され、正負両極性のイ
オンが生成される。したがって、静電潜像担持体（例え
ば感光体）上の空間に電磁波照射装置により電磁波を照
射して電離を行い、その空間に電界を作用させること
で、所望の極性のイオンのみを静電潜像担持体に付着さ
せることができる。このような原理で、静電潜像担持体
を非接触で帯電させることができる。本発明における電
磁波としては、紫外線、軟Ｘ線、Ｘ線、γ線等が使用で
きるが、電離効率や安全性の面を考慮すると、軟Ｘ線か
Ｘ線が好ましい。

【００２２】本発明の帯電装置の基本的な構成として
は、例えば図１に示すような構成が考えられる。図１に
おいて、符号１は電磁波照射装置、２は静電潜像担持体
である。静電潜像担持体２の裏側には、対向電極３が配
置されている。また静電潜像担持体は図中矢印の方向に
移動する。電磁波照射装置１から照射された電磁波によ
って、空気中に多数のイオンが形成され、対向電極３と
逆極性のイオンが静電潜像担持体２に引き付けられ、静
電潜像担持体２が帯電される。しかしながら図１の構成
では、静電潜像担持体２に直接電磁波が照射されるた
め、電磁波の波長や静電潜像担持体の材質によっては、
静電潜像担持体２の劣化が起こり、ひいては画像劣化を
まねく恐れがある。そこで電磁波が直接静電潜像担持体
２に照射されない構成が望ましい。

【００２３】以下、本発明の実施の形態を図面を参照し
て詳細に説明する。図２は本発明の実施の形態の１例を
示す帯電装置の概略構成図である。図２に示す帯電装置
では、電磁波照射装置１の電磁波照射方向と電界の方向
を異なる方向とし、電磁波が静電潜像担持体２に照射さ
れない配置とする。また、電界形成用電極として、静電
潜像担持体２を挾んで対向電極３と対向電極４を配置す
ることで、電磁波照射領域に効率的に電界を形成する。
電磁波照射の方向は、静電潜像担持体２の移動方向と略
平行、またはやや上向きが好適である。何故なら、電磁
波は電磁波照射装置内部の構成によってある幅（照射角
度）をもって照射されるため、下流側で静電潜像担持体
２に電磁波が当ってしまう恐れがあるからである。一
方、電界の向きは、効率的に電界を形成するためには、
静電潜像担持体２に対して垂直である方が好適である。

【００２４】電磁波は、外部に漏れると悪影響を与える
恐れがあるため、図３のように電磁波遮蔽板５を配置し
て、電磁波照射方向下流側で遮蔽する必要がある。電磁
波遮蔽板５の材質は電磁波の波長によって異なるが、例
えばＸ線や軟Ｘ線を用いる場合には、鉛、アルミ、ガラ
ス、塩化ビニル、アクリル等の、使用する電磁波を効果
的に吸収する元素を多量に含む材料があげられる。電磁
波遮蔽板５の大きさは、電磁波が外に漏れないようにす
る目的から、十分に大きくする必要がある。

【００２５】ここで、図４に示すように、電磁波照射装
置１から電磁波遮蔽板５までの距離をＬ、電磁波照射孔
の高さ方向の幅をＤとすると、電磁波遮蔽板の高さＨ
は、 Ｈ＞２×Ｌtan(θ／２)＋Ｄ であることが好ましい。Ｈが上記の式を満たせば、電磁
波が直接後方に漏れる心配がない。尚、上記の説明で
は、電磁波遮蔽板５の高さ方向について記述している
が、電磁波遮蔽板５の奥行き方向（幅方向）についても
同様である。この場合には電磁波照射孔の奥行き方向の
幅がＤ、電磁波遮蔽板５の幅がＨとなる。

【００２６】電磁波遮蔽板５に塩化ビニル、アクリル
板、ガラス等の絶縁体を用いた場合には、電磁波遮蔽板
にもイオンが吸着し帯電する。よって電磁波遮蔽板５が
充分に帯電するまでは、静電潜像担持体２の帯電効率は
若干低くなるため、電磁波を照射してからしばらくは帯
電電位の低い領域が発生する。しかし電磁波遮蔽板５が
十分に帯電した後は、静電潜像担持体２の帯電効率は安
定となる。よって電磁波を照射してしばらくは静電潜像
担持体２の空回しをする必要がある。ただしこの時間は
数秒で十分である。また、電磁波遮蔽板５が塩化ビニル
やアクリル等の絶縁体であれば、加工が容易であり、金
属に比べて軽量で、コストも少なくてすむ。また、帯電
した静電潜像担持体２との間での放電が起こりにくいた
め、設計も容易である。

【００２７】一方、電磁波遮蔽板５に鉛板やアルミ板等
の良導体を用いた場合には、対向電極４と電磁波遮蔽板
５は略同電位とすると好適である。これは対向電極４と
電磁波遮蔽板５間の放電を防止すると共に、対向電極４
から発生した電界が効率良く静電潜像担持体２に向かう
からである。ただしこの場合には電磁波遮蔽板５と静電
潜像担持体２間での放電を防止する必要がある。放電が
発生すると、静電潜像担持体上に不要な放電パターンが
形成され、帯電ムラとなる。この放電を防止するには、
例えば電磁波遮蔽板５の静電潜像担持体２に対向するエ
ッジ部を、十分に静電潜像担持体から離すことが効果的
である。ただしこの場合には電磁波が漏れないように注
意する必要がある。また、電磁波遮蔽板５の静電潜像担
持体２に対向するエッジ部を絶縁体で覆う、あるいは折
り曲げてＲをつけることで、放電を防止することが可能
である。

【００２８】図３，４の例では対向電極４と電磁波遮蔽
板５は別々に形成された２つの部品であるが、図５のよ
うに一体化した電極６としてもよい。この場合には対向
電極４と電磁波遮蔽板５の間の隙間が無くなるため、電
磁波が漏れる恐れがなくなり、また、対向電極４と電磁
波遮蔽板５が同電位となるため好適であるが、電磁波遮
蔽板５にもバイアスがかかっているため、静電潜像担持
体２との間の放電を防止するために、前述のような処置
を施す（例えば、電磁波遮蔽板５の静電潜像担持体２に
対向するエッジ部を絶縁体で覆う）必要があるのは言う
までもない。また対向電極４並びに電磁波遮蔽板５を一
枚の板で形成した、図１４の構成でもよい。この構成で
も電界は形成され、電磁波遮蔽の効果も期待される。ま
たこの場合、対向電極の静電潜像担持体側は、エッジ部
を絶縁体等で覆う処置を施した方がよいのは、言うまで
もない。さらに電磁波遮蔽板兼対向電極（４，５）の長
さは、電磁波が後方に漏れないように十分に長くする必
要がある。

【００２９】

【実施例】以下、本発明のより具体的な実施例について
説明する。

【００３０】（実施例１）静電潜像担持体２として直径
１００ｍｍの有機感光体（ＯＰＣ）、電磁波照射装置１
として平均６ｋｅＶの軟Ｘ線源を用いた。感光体線速
は、６４ｍｍ／ｓと１５０ｍｍ／ｓの２つの条件で駆動
した。また軟Ｘ線の照射角度θは５３度、照射孔は円形
で直径Ｄ＝５ｍｍである。この軟Ｘ線照射装置１を有機
感光体（ＯＰＣ）２の上に、図６に示すように配置し
た。尚、図示していないが、感光体裏面は、金属の芯が
ねを通して接地されている。感光体２から軟Ｘ線照射軸
までの距離ｈは１０ｍｍである。軟Ｘ線照射孔から距離
Ｌ＝１２ｍｍの位置に高さ２０ｍｍの塩化ビニルの電磁
波遮蔽板５を配置した。この電磁波遮蔽板５の高さＨは
２０ｍｍであり、前述の式から得られる値、 ２×Ｌtan(θ／２)＋Ｄ≒１７ｍｍ よりも大きく、よって軟Ｘ線を十分に遮蔽していると考
えられる。また、電磁波遮蔽板５の厚さは５ｍｍであ
る。

【００３１】感光体２から高さ２０ｍｍのところに対向
電極４を配置し、印加バイアスＶpを印加した。図７は
横軸に印加バイアスＶp を、縦軸に感光体２の帯電電位
をプロットした結果を示すグラフである。この結果から
線速が遅いほど帯電電位が高く、また、印加バイアスが
大きいほど帯電電位が高くなることがわかる。ただし、
印加バイアス−４ｋＶ以上では、帯電電位が飽和してお
り、これ以上バイアスを上げても帯電効率の向上は期待
できないことが予想される。

【００３２】図８は、感光体２の線速６４ｍｍ／ｓ、印
加バイアス−３ｋＶの場合に、電磁波を照射してからの
感光体帯電電位の立ち上がりをプロットしたものであ
り、横軸は照射開始からの時刻、縦軸は感光体帯電電位
である。電磁波を照射してから、約５秒間は、空間のイ
オン生成が十分ではなく、また電磁波遮蔽板５が帯電す
るためにイオンを消費することから、感光体２の帯電が
十分に行われないことがわかる。ただしこの値は線速や
印加バイアスによって変わってくるものである。

【００３３】下記の表１、表２は、電磁波遮蔽板５の厚
さを変えたときに、遮蔽板裏側で放射線強度を測定した
結果である。電磁波遮蔽板５として、塩化ビニル板とア
クリル板の２つで比較した。２つの結果から明らかなよ
うに、アクリル板で８ｍｍ、塩化ビニル板で１ｍｍ以上
の厚さであれば、軟Ｘ線は十分に遮蔽することができ
る。ただしこの結果は軟Ｘ線の場合の実験結果であり、
Ｘ線、紫外線等の波長の異なる電磁波ではこの限りでは
ない。

【００３４】

【表１】

【００３５】

【表２】

【００３６】（実施例２）静電潜像担持体２として直径
１００ｍｍの有機感光体（ＯＰＣ）、電磁波照射装置１
として平均６ｋｅＶの軟Ｘ線源を用いた。感光体線速
は、６４ｍｍ／ｓと１５０ｍｍ／ｓの２つの条件で駆動
した。また軟Ｘ線の照射角度θは５３度である。この軟
Ｘ線照射装置１を有機感光体（ＯＰＣ）２の上に、図９
に示すように配置した。尚、図示していないが、感光体
裏面は、金属の芯がねを通して接地されている。感光体
２から軟Ｘ線照射軸までの距離ｈは１０ｍｍである。軟
Ｘ線照射孔から距離Ｌ＝１２ｍｍの位置に高さＨ＝２０
ｍｍ、厚さ１ｍｍのアルミ板の電磁波遮蔽板５を配置し
た。電磁波遮蔽板５の感光体近傍のエッジ部は、図９に
示すように厚さ１ｍｍの絶縁性ゴム７で被覆し、放電が
発生しないようにした。また、感光体２から高さ２０ｍ
ｍのところにアルミの対向電極４を配置し、アルミ遮蔽
板５ならびに対向電極４に印加バイアスＶp を印加し
た。

【００３７】印加バイアスと帯電電位の関係は図１０と
なり、実施例１より若干帯電効率は向上した。また、図
１１は、感光体２の線速６４ｍｍ／ｓ、遮蔽板５と対向
電極４の印加バイアス−３ｋＶの場合に、電磁波を照射
してからの感光体帯電電位の立ち上がりをプロットした
ものであり、横軸は照射開始からの時刻、縦軸は感光体
帯電電位である。電磁波を照射してから、約１秒間は、
空間のイオン生成が十分ではないため、感光体の帯電が
十分に行われないことがわかる。しかしながら、実施例
１の場合に比べて、電磁波遮蔽板５を帯電させる必要が
ないため、立ち上がり時間は少なくてすむ。

【００３８】図１２は、対向電極印加バイアス−３ｋＶ
の場合に、電磁波遮蔽板５への印加バイアスを変えた場
合の、感光体帯電電位をプロットしたものである。図１
２を見ると明らかなように、電磁波遮蔽板５のバイアス
は大きいほど帯電効率が良くなるが、電源が１つですむ
ことから電磁波遮蔽板５は対向電極４と同電位にするの
が最も好適である。

【００３９】（実施例３）静電潜像担持体２として直径
１００ｍｍの有機感光体（ＯＰＣ）、電磁波照射装置１
としてＸ線源（波長１０~¹²〜１０~¹¹ｍ）を用いた。感
光体線速は、６４ｍｍ／ｓと１５０ｍｍ／ｓの２つの条
件で駆動した。また、Ｘ線の照射角度は５３度である。
このＸ線照射装置１を有機感光体（ＯＰＣ）２の上に、
図９に示すように配置した。尚、図示していないが、感
光体裏面は、金属の芯がねを通して接地されている。感
光体２からＸ線照射軸までの距離ｈは１０ｍｍである。
Ｘ線照射孔から距離１２ｍｍの位置に高さ２０ｍｍ、厚
さ１０ｍｍの鉛板の電磁波遮蔽板５を配置した。電磁波
遮蔽板５の感光体近傍のエッジ部は図９に示すように厚
さ１ｍｍの絶縁性ゴム７で被覆し、放電が発生しないよ
うにした。また、感光体２から高さ２０ｍｍのところに
鉛製の対向電極４を配置し、アルミ遮蔽板５ならびに対
向電極４に印加バイアスＶp を印加した。印加バイアス
と帯電電位の関係は図１３となり、実施例２よりもさら
に帯電効率が向上した。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の帯
電装置によれば、電磁波によって生成されたイオンを、
静電潜像担持体に付着させるための電界を、効率良く空
間に形成することが可能となる。また、電磁波によって
静電潜像担持体が劣化することを防止することができ、
画像形成装置の寿命を延ばすことができる。また、電磁
波が装置から外に漏れるのを防止することができ、安全
性を向上することができる。

【００４１】請求項２記載の帯電装置によれば、請求項
１の効果に加え、電磁波によって静電潜像担持体が劣化
することを防止することができ、画像形成装置の寿命を
延ばすことができる。

【００４２】

【００４３】請求項３記載の帯電装置によれば、請求項
１または２の効果に加え、帯電効率が低下することな
く、電磁波遮蔽板を設けることが可能となる。また、電
磁波遮蔽板が軽量で加工も容易であるため、コストの安
い軽量な装置が実現できる。

【００４４】請求項４記載の帯電装置によれば、請求項
１または２の効果に加え、電磁波遮蔽板を金属とし、バ
イアスを印加することで、イオンを移動させる電界が強
まり、帯電効率が向上する。また、帯電の立ち上がり時
間が短くてすむ。

【００４５】請求項５記載の帯電装置によれば、請求項
１または２の効果に加え、部品点数が減り、組み立てが
容易となる。また、効果的に電磁波の漏れ防止ができ
る。

【００４６】請求項６記載の帯電装置によれば、請求項
４、請求項５の効果に加え、電磁波遮蔽板と静電潜像担
持体間の放電を防止でき、静電潜像担持体の帯電ムラを
防止できる。

【００４７】請求項７記載の帯電装置によれば、請求項
１または２の効果に加え、確実に電磁波の漏れを防止す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の帯電装置の基本的な構成例を示す帯電
装置の概略構成図である。

【図２】本発明の実施の形態の１例を示す帯電装置の概
略構成図である。

【図３】本発明の実施の形態の別の例を示す帯電装置の
概略構成図である。

【図４】図３に示す帯電装置における電磁波遮蔽板の高
さＨと、電磁波照射角度θ、電磁波照射装置から遮蔽板
までの距離Ｌ、電磁波照射孔の高さ方向の幅Ｄとの関係
の説明図である。

【図５】本発明の実施の形態のさらに別の例を示す帯電
装置の概略構成図である。

【図６】本発明の一実施例を示す帯電装置の概略構成図
である。

【図７】図６に示す帯電装置で実施例１の構成としたと
きの印加バイアスと感光体帯電電位の関係を示すグラフ
である。

【図８】図６に示す帯電装置で実施例１の構成とし、感
光体線速６４ｍｍ／ｓ、印加バイアス−３ｋＶとした場
合の、電磁波照射開始からの時間と感光体帯電電位の関
係を示すグラフである。

【図９】本発明の別の実施例を示す帯電装置の概略構成
図である。

【図１０】図９に示す帯電装置で実施例２の構成とした
ときの印加バイアスと感光体帯電電位の関係を示すグラ
フである。

【図１１】図９に示す帯電装置で実施例２の構成とし、
感光体線速６４ｍｍ／ｓ、印加バイアス−３ｋＶとした
場合の、電磁波照射開始からの時間と感光体帯電電位の
関係を示すグラフである。

【図１２】図９に示す帯電装置で実施例２の構成とし、
対向電極印加バイアス−３ｋＶとした場合の、遮蔽板印
加バイアスと感光体帯電電位の関係を示すグラフであ
る。

【図１３】図９に示す帯電装置で実施例３の構成とした
ときの印加バイアスと感光体帯電電位の関係を示すグラ
フである。

【図１４】本発明のさらに別の実施例を示す帯電装置の
概略構成図である。

【符号の説明】

１ 電磁波照射装置 ２ 静電潜像担持体（感光体等） ３ 対向電極（感光体裏面電極） ４ 対向電極（電界形成用電極） ５ 電磁波遮蔽板 ６ 対向電極と電磁波遮蔽板を一体化した電極 ７ 絶縁性ゴム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平野 雅之 静岡県浜松市市野町1126番地の１・浜松 ホトニクス株式会社内 (56)参考文献 特開 平８−262845（ＪＰ，Ａ) 米国特許2701764（ＵＳ，Ａ) 米国特許2900515（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03G 15/02 G03G 15/22 107

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】静電潜像担持体上に均一な初期帯電を行っ
   た後、部分的に初期帯電を消去し、画像信号に応じて変
   調した静電荷のパターンを形成し、該静電荷のパターン
   をトナーにより現像して記録紙あるいは中間転写体に転
   写し、画像を得る画像形成装置の帯電装置であり、電磁
   波照射装置と電界形成用電極を備え、該電磁波照射装置
   により前記静電潜像担持体上の空間に電磁波を照射する
   と共に該電界形成用電極で電界を形成することによっ
   て、静電潜像担持体を所望の電位に帯電させる構成であ
   り、電磁波照射方向と電界の向きが異なる帯電装置にお
   いて、 電磁波照射方向下流側に、電磁波遮蔽板を設けた ことを
   特徴とする帯電装置。
2. 【請求項２】請求項１記載の帯電装置において、電磁波
   照射方向を静電潜像担持体の進行方向と略平行とし、電
   界方向を静電潜像担持体に対して略垂直方向としたこと
   を特徴とする帯電装置。
3. 【請求項３】請求項１または２記載の帯電装置におい
   て、電磁波遮蔽板が絶縁体でできていることを特徴とす
   る帯電装置。
4. 【請求項４】請求項１または２記載の帯電装置におい
   て、電磁波遮蔽板が電界形成用電極と略同電位である良
   導体であることを特徴とする帯電装置。
5. 【請求項５】請求項１または２記載の帯電装置におい
   て、電磁波遮蔽板と電界形成用電極が一体であることを
   特徴とする帯電装置。
6. 【請求項６】請求項４または５記載の帯電装置におい
   て、電磁波遮蔽板の静電潜像担持体側近傍が絶縁体で覆
   われていることを特徴とする帯電装置。
7. 【請求項７】請求項１または２記載の帯電装置におい
   て、電磁波照射角度をθ、電磁波照射装置から電磁波遮
   蔽板までの距離をＬ、電磁波遮蔽板の高さをＨとしたと
   き、 Ｈ＞２×Ｌtan(θ／２)＋Ｄ （ただし、Ｄは電磁波照射孔の高さ方向の幅） である ことを特徴とする帯電装置。