JP3356253B2

JP3356253B2 - 帯電装置

Info

Publication number: JP3356253B2
Application number: JP02269196A
Authority: JP
Inventors: 雅史門永; 知己加藤; 雅之平野
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK; Ricoh Co Ltd
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK; Ricoh Co Ltd
Priority date: 1996-02-08
Filing date: 1996-02-08
Publication date: 2002-12-16
Anticipated expiration: 2016-02-08
Also published as: JPH09218563A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複写機、ファクシ
ミリ、プリンタ等の電子写真技術を利用した画像形成装
置の帯電ユニットに用いられる帯電装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真技術を利用した複写機、ファク
シミリ、プリンタ等における作像プロセスでは、静電潜
像担持体である感光体上を帯電させるプロセスが存在す
る。この帯電プロセスとして、従来は、非接触で帯電安
定性にも優れているコロナチャージャーによって行われ
ていたが、この方式ではオゾンが多く発生するため、最
近では接触帯電方式が検討されており、例えば、特開昭
６３−１４９６６９号公報に開示されているような接触
帯電方法（導電性ローラを用いたローラ帯電方式であ
り、ＤＣ電圧にＡＣ電圧を重畳させて導電性ローラに印
加する方法）や、特開平６−１７５４６９号公報に開示
されているようなブラシ帯電装置（導電性ブラシを用い
たブラシ帯電方式であり、導電性ブラシと芯金の間に低
抵抗の中間導電部材を設けて、帯電の環境依存性を無く
し、被帯電物を一定に帯電させる）、が実用化されてき
ている。

【０００３】しかし、接触帯電方式では、帯電部材が感
光体に接触しているために帯電部材がトナーなどで汚れ
やすく、その結果、帯電ムラ等の帯電性能の劣化が生じ
てしまう。以上のことから、オゾンレスの非接触帯電が
帯電手段としては理想的であると言える。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みなされたものであって、オゾンレスの非接触帯電方式
の帯電装置を提供することを課題（目的）としている。
以下に、個々の請求項の発明が解決しようとする課題を
列挙する。

【０００５】(1) 請求項１の発明が解決しようとする課
題：電磁波によって生成されたイオンを、静電潜像担持
体に付着させるための電界を、効率よく空間に形成する
ことを課題（目的）とする。

【０００６】(2) 請求項２の発明が解決しようとする課
題：電磁波によって生成されたイオンを、静電潜像担持
体に付着させるための電界を、効率よく空間に形成する
ことを課題（目的）とする。

【０００７】(3) 請求項３の発明が解決しようとする課
題：電磁波によって生成されたイオンを、静電潜像担持
体に付着させるための電界を、効率よく空間に形成する
ことを課題（目的）とする。

【０００８】(4) 請求項４の発明が解決しようとする課
題：電磁波照射装置の少なくとも静電潜像担持体に対向
する面に電圧を印加した際に、電磁波照射装置全体が高
電位となると、電磁波照射に悪影響を与え、また人体が
接触した際に危険であるため、これを防止することを課
題（目的）とする。

【０００９】(5) 請求項５の発明が解決しようとする課
題：電磁波照射装置と静電潜像担持体間で放電が発生す
ると、静電潜像担持体上の帯電が不均一となり画像に悪
影響を与える。また放電によってオゾンが発生するた
め、環境や人体に悪影響を与える。よって電磁波照射装
置と静電潜像担持体間で、放電が発生しないようなバイ
アスを印加して、上記の問題を解決することを課題（目
的）とする。

【００１０】(6) 請求項６の発明が解決しようとする課
題：静電潜像担持体移動方向の下流側で、十分な強度の
電界が形成されないと、静電潜像担持体が除電されてし
まい、所望の帯電電位が得られないため、この下流側で
の除電を防止することを課題（目的）とする。

【００１１】(7) 請求項７の発明が解決しようとする課
題：静電潜像担持体が曲率をもち、かつその曲率が大き
い場合には、電磁波照射装置表面のバイアスが印加され
た面と、静電潜像担持体の空隙幅が、静電潜像担持体の
移動に伴って変化し、電界強度も変化してしまう。電界
強度が変化すると効率的な帯電が行われないため、静電
潜像担持体と電磁波照射装置表面との空隙幅を略一定、
または下流側の空隙幅が狭くなるようにする必要があ
る。そこでこのような要求を満たす構成を提供すること
を課題（目的）とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、静電潜像担持体上に均一な初期
帯電を行った後、部分的に初期帯電を消去し、画像信号
に応じて変調した静電荷のパターンを形成し、該静電荷
のパターンをトナーにより現像して記録紙あるいは中間
転写体に転写し画像を得る画像形成装置の帯電装置であ
り、電磁波照射装置と電界形成手段を備え、該電磁波照
射装置と電界形成手段により、前記静電潜像担持体上の
空間に電磁波を照射すると共に電界を形成することによ
って、静電潜像担持体を所望の電位Ｖs に帯電させる帯
電装置において、前記電界形成手段として、静電潜像担
持体を挾んで電磁波照射装置と対向する位置に対向電極
を設け、該対向電極に所望の帯電電位Ｖs と逆極性でＶ
s の絶対値を上まわる電位を印加し、電磁波照射装置の
少なくとも静電潜像担持体に対向する面に０Ｖを印加す
る構成とした。

【００１３】請求項２の発明は、静電潜像担持体上に均
一な初期帯電を行った後、部分的に初期帯電を消去し、
画像信号に応じて変調した静電荷のパターンを形成し、
該静電荷のパターンをトナーにより現像して記録紙ある
いは中間転写体に転写し画像を得る画像形成装置の帯電
装置であり、電磁波照射装置と電界形成手段を備え、該
電磁波照射装置と電界形成手段により、前記静電潜像担
持体上の空間に電磁波を照射すると共に電界を形成する
ことによって、静電潜像担持体を所望の電位Ｖs に帯電
させる帯電装置において、前記電界形成手段として、静
電潜像担持体を挾んで電磁波照射装置と対向する位置に
対向電極を設け、該対向電極に所望の帯電電位Ｖs と逆
極性の適当な電位を印加し、電磁波照射装置の少なくと
も静電潜像担持体に対向する面にＶs と同極性の適当な
電位を印加し、かつ両電極間の電位差がＶs の絶対値よ
りも大きい構成とした。

【００１４】請求項３の発明は、静電潜像担持体上に均
一な初期帯電を行った後、部分的に初期帯電を消去し、
画像信号に応じて変調した静電荷のパターンを形成し、
該静電荷のパターンをトナーにより現像して記録紙ある
いは中間転写体に転写し画像を得る画像形成装置の帯電
装置であり、電磁波照射装置と電界形成手段を備え、該
電磁波照射装置と電界形成手段により、前記静電潜像担
持体上の空間に電磁波を照射すると共に電界を形成する
ことによって、静電潜像担持体を所望の電位Ｖs に帯電
させる帯電装置において、前記電界形成手段として、静
電潜像担持体を挾んで電磁波照射装置と対向する位置に
対向電極を設け、該対向電極に０Ｖを印加し、電磁波照
射装置の少なくとも静電潜像担持体に対向する面にＶs
と同極性でＶs の絶対値を上まわる電位を印加する構成
とした。

【００１５】請求項４の発明は、請求項１，２，３記載
の帯電装置において、電磁波照射装置の静電潜像担持体
と対向する面または対向する面上に設けられた電極が、
電磁波照射装置の他の構成部材と電気的に絶縁されてい
る構成とした。

【００１６】請求項５の発明は、請求項１，２，３記載
の帯電装置において、電磁波照射装置と静電潜像担持体
間の距離をｈとしたときに、電磁波照射装置の静電潜像
担持体と対向する面または対向する面上に設けられた電
極と、対向電極間の電位差が、空隙幅ｈでの空気の絶縁
破壊電圧よりも小さくなる構成とした。

【００１７】請求項６の発明は、請求項１，２，３記載
の帯電装置において、電磁波照射装置の静電潜像担持体
と対向する面または対向する面上に設けられた電極が、
静電潜像担持体移動方向下流側に適当な幅Ｌを有してい
る構成とした。

【００１８】請求項７の発明は、請求項６記載の帯電装
置において、電磁波照射装置の静電潜像担持体と対向す
る面が、静電潜像担持体との空隙幅が略一定または静電
潜像担持体移動方向下流側で狭くなるような曲率を有し
ている構成とした。

【００１９】

【発明の実施の形態】まず本発明による非接触帯電方式
の原理について述べる。電磁波が空気中に照射される
と、照射された領域の空気が電離され、正負両極性のイ
オンが生成される。したがって、静電潜像担持体（感光
体等）上の空間に電磁波照射装置により電磁波を照射し
て電離を行い、その空間に電界を作用させることで、所
望の極性のイオンのみを感光体に付着させることができ
る。このような原理で、感光体を非接触で帯電させるこ
とができる。本発明における電磁波としては、紫外線、
軟Ｘ線、Ｘ線、γ線等が使用できるが、電離効率や安全
性の面を考慮すると、軟Ｘ線かＸ線が好ましい。以下、
本発明の実施の形態を図示の実施例に基づいて詳細に説
明する。

【００２０】図１は本発明に係る帯電装置の基本構成の
一例を示す図であり、符号１は電磁波照射装置、２は静
電潜像担持体である。静電潜像担持体２の裏側には対向
電極３が配置されている。また静電潜像担持体２は図中
の矢印の方向に移動する。電磁波照射装置１により電磁
波を照射して電離を行い、静電潜像担持体２を表面電位
Ｖs に帯電させる場合には、Ｖs が正の場合には図２に
示すように電界の方向は電磁波照射装置１から静電潜像
担持体２へ向かい、Ｖs が負の場合には図３に示すよう
に電界の方向は電磁波照射装置１から静電潜像担持体２
へと向かう必要がある。

【００２１】静電潜像担持体上の空間に電界を形成する
電界形成手段としては、幾つかの方法が挙げられる。例
えばＶs が負の場合には、図４に示す実施例のように、
対向電極３に直流電圧電源９を接続して、対向電極３に
Ｖs と逆極性でＶs の絶対値を上まわる正電圧を印加
し、電磁波照射装置１の静電潜像担持体２に対向する面
４を接地する（請求項１）。これにより電界は図３のよ
うになり、電磁波照射により電離されたイオンのうち、
負のイオンが静電潜像担持体２に向かって移動する。こ
の構成では、静電潜像担持体下の対向電極３にバイアス
電圧を印加するために、電子写真プロセスにおける帯電
の後行程である露光、現像、転写プロセスが複雑になる
欠点があるが、電磁波照射装置１はケースを接地するだ
けでよいため、構成は簡単になる。

【００２２】また図５に示す実施例のように、図４の構
成に加えて、電磁波照射装置１の静電潜像担持体２に対
向する面４に直流電圧電源１０を接続して、面４に負の
バイアス電圧を印加してもよい（請求項２）。この場
合、電源が２つ必要となり、両電源の電圧の和がＶs の
絶対値を上まわる必要があるが、空隙にかかる電界が強
くなり、イオンを効率よく静電潜像担持体２へ移動させ
ることができる。また同じ電界であるならば、静電潜像
担持体下側の対向電極３に印加するバイアス電圧が小さ
くてすみ、電子写真プロセスにおける帯電の後行程であ
る露光、現像、転写等のプロセスへの負荷が少なくな
る。

【００２３】図６に示す実施例は、静電潜像担持体下側
の対向電極３を接地し、電磁波照射装置１の静電潜像担
持体２に対向する面４に直流電圧電源１０を接続して、
面４に負のバイアス電圧を印加した場合の構成例である
（請求項３）。この場合、対向電極３の電位が０Ｖであ
るため、電子写真プロセスにおける帯電の後行程である
露光、現像、転写等のプロセスへの影響がなく、好適で
ある。また図５の構成に比べて、面４に高電圧を印加す
る必要があるが、電源は１つですむ。

【００２４】尚、図４、図６の構成の場合には、所望の
帯電電位Ｖs に対してＶs より高電圧な電源が必要とな
るが、図５の構成の場合には、各電源９，１０は、必ず
しもＶs よりも高い電圧が必要ではない。また図５，６
の構成の場合には、電磁波照射装置１の静電潜像担持体
２に対向する面４にバイアス電圧を印加するため、面４
と電磁波照射装置全体とを絶縁する必要がある（請求項
４）。もし絶縁しない場合には装置全体が電位をもって
しまい、電磁波照射に悪影響を与える。また万が一、人
が触った場合には危険である。

【００２５】図４〜６に示した構成例では、電磁波照射
装置１と静電潜像担持体２間の空隙で放電が発生する
と、静電潜像担持体２に帯電ムラがあらわれ、画像劣化
を生じる。また放電によってオゾンが発生する。オゾン
は静電潜像担持体である感光体や周囲の部材を劣化させ
たり人体に有害であるため、放電を発生させないように
すべきである。ここで、電磁波照射装置１と静電潜像担
持体２間の空隙幅をｈとしたとき、絶縁破壊電圧Ｖt す
なわち放電が発生する電圧は、空隙幅ｈが１００μｍ以
下の場合にはパッシェンの法則から次式で与えられる。Ｖt＝３１２＋６．２×１０⁶ｈまた、空隙幅ｈが１００μｍ以上の場合には、絶縁破壊
電圧Ｖt は次式で与えられる。

【００２６】

【数１】但し、δは空気の相対密度であり、単位は、ｈは[ｍ]、
Ｖt は[Ｖ]である。

【００２７】静電潜像担持体２と電磁波照射装置１の面
４との間の電位差をΔＶとすると、 ΔＶ＞Ｖt のとき放電が発生する。よって放電が発生しないために
はΔＶは空隙幅ｈで決まる絶縁破壊電圧Ｖt 以下である
必要がある（請求項５）。

【００２８】次に図７に示すように、電磁波照射装置１
の下の台形状の領域が電磁波照射領域である。図７のよ
うに電磁波照射装置１の静電潜像担持体２に対向する面
４が電磁波照射領域よりも小さい場合には、電磁波照射
領域の静電潜像担持体移動方向下流側５では電界が弱く
なる。このため電磁波照射装置１直下で静電潜像担持体
２が帯電しても、出口側で除電され、帯電電位が低下す
るといった不具合が生じる。これは上述のように、静電
潜像担持体下流側での電界が、電磁波照射装置１直下で
の電界に比べて弱いために起こると考えられる。そこで
例えば図８に示すように、電磁波照射装置１の静電潜像
担持体２に対向する面４の下流側に電極（下流側電極）
６を設け、電磁波照射装置直下と同等の電界を下流側に
も形成してやる必要がある。電磁波照射装置１と静電潜
像担持体２間の距離をｈ、電磁波照射角度をθとしたと
き、下流側電極６の静電潜像担持体移動方向の幅Ｌは、Ｌ＞ｈtan(θ／２) ・・・(１) であれば、下流側でも十分な電界が形成される（請求項
６）。

【００２９】尚、図８では、電磁波照射装置１の静電潜
像担持体２に対向する面４に、新たに電極６を設けてい
るが、図９に示すように、電磁波照射装置１の静電潜像
担持体２に対向する面７を電磁波照射孔よりも静電潜像
担持体移動方向に長く形成し、電極６の代わりに用いて
もよい。この面７は、電磁波照射孔から下流側に長さＬ
を持ち、Ｌは上記の(１)式を満たす必要がある。また電
極６に印加するバイアスは、請求項５を満たす必要があ
るのは言うまでもない。本発明では電極６を電磁波照射
領域よりも外側に配置し、電界を形成するため、電極６
は電磁波に対して透明である必要がなく、よって電極６
の構成材料の選択の幅が広がる。むしろ電磁波を装置外
部に漏らさないために、電磁波を吸収しやすい材質で構
成するのがよい。

【００３０】次に、以下に示す実験結果（表１）は、図
８に示す構成で静電潜像担持体２として片面をアルミニ
ウム蒸着したポリエチレンテレフタレートのシートを用
い、電磁波照射装置１として軟Ｘ線源を用いて行った結
果である。より具体的には、軟Ｘ線のエネルギーは中心
で６ｋｅＶ、照射角度θは１１０度であり、ポリエチレ
ンテレフタレートシートのアルミニウム蒸着した面に＋
１ｋＶを印加し、ポリエチレンテレフタレートのシート
面を電磁波照射装置１に対向させた。また電磁波照射装
置１の電磁波照射孔の下流側にアルミニウム製の下流側
電極６を設け、電磁波照射装置１並びに下流側電極６を
接地した。そして電磁波照射装置１と静電潜像担持体２
間の距離ｈを１０ｍｍ、電磁波照射孔の直径を１２ｍｍ
としたときに、下流側電極６の幅Ｌを変えて電磁波を照
射し、静電潜像担持体２を線速４ｍｍ／ｓで移動させて
帯電を行い、帯電電位を測定した結果が表１である。

【００３１】

【表１】

【００３２】前記の式(１)によるとＬ＞１４ｍｍであれ
ば、十分な帯電電位が得られることになる。一方、実験
結果（表１）によるとＬ＝１５ｍｍ以上であれば、ほぼ
−６５０Ｖ一定の帯電電位が得られることがわかる。

【００３３】以上は、電磁波照射装置１の電磁波照射孔
より静電潜像担持体移動方向下流側について注目して述
べてきたが、静電潜像担持体２の移動線速が速くなる
と、帯電能力が追いつかなくなり、十分な帯電電位が得
られなくなる。下記の表２は静電潜像担持体２の移動速
度と帯電電位の関係を示したものであり、図８の構成
で、下流側電極６を幅２０ｍｍとし、その他の条件は表
１の実験と同じにして実験した結果を示すものである。

【００３４】

【表２】

【００３５】表２に示すように静電潜像担持体の移動速
度が速くなると帯電電位が低下するが、この原因は、静
電潜像担持体の移動速度が速く、電磁波によるイオン生
成速度が追いつかない、電荷を静電潜像担持体に引き付
ける力が弱い等の理由が上げられる。この場合には電磁
波照射装置と静電潜像担持体間の電界を強くする、電磁
波強度を強くする等の手段が考えられるが、その他に上
流側にも電極８を設ける方法がある。すなわち、図８の
ように下流側にのみ電極を設けた場合には、上流側で生
成されたイオンは有効に利用されないが、図１０に示す
ように、電磁波照射装置１の静電潜像担持体２と対向す
る面の電磁波照射孔より上流側にも電極（上流側電極）
８を設置することで、上流側で生成されたイオンも静電
潜像担持体に引き付けられるため、帯電効率が向上す
る。ここで下記の表３は、図１０の構成で上流側電極
８、下流側電極６共に幅Ｌ＝２０ｍｍとした場合の、静
電潜像担持体の線速と帯電電位の関係である。

【００３６】

【表３】

【００３７】表３の実験結果より明らかなように、電磁
波照射装置１の静電潜像担持体２と対向する面に上流側
電極８を設置することによって、帯電効率が向上し、静
電潜像担持体２の線速が速くなっても帯電効率の低下が
少ないことがわかる。

【００３８】次に静電潜像担持体２が円筒状の場合に
は、静電潜像担持体２の径が小さくなると、図１１に示
すように、電磁波照射装置１との空隙が一定とならず、
静電潜像担持体２の移動に伴って変化する。電磁波照射
装置１の直下では、空隙がｈ1であっても下流側ではｈ2
となり、電界強度が弱くなり静電潜像担持体２が除電
される恐れがある。したがって、空隙幅を静電潜像担持
体２が移動しても略一定になるように下流側電極６を配
置することが好ましく、図１２に示すように静電潜像担
持体２の曲率と略等しくすることが望ましい。電極６の
形状の精度は、それほど高精度である必要はなく、また
帯電効率を上げるために図１３のように、下流側の電界
を強くする目的でｈ1＞ｈ2となるようにしてもよい（請
求項７）。但しこの場合には、空隙ｈ2 の所で放電が発
生しないように注意する必要がある。また上流側電極８
の配置も同様であるが、静電潜像担持体２の線速がそれ
ほど速くない場合には影響は少ない。

【００３９】

【実施例】次に本発明のより具体的な実施例について述
べる。（実施例１）静電潜像担持体２として直径１００ｍｍ、
軸方向の長さ３０ｃｍの円筒状の有機感光体（ＯＰＣ）
を用い、電磁波照射装置１として軟Ｘ線のエネルギーが
平均６ｋｅＶの軟Ｘ線源を用いた。軟Ｘ線源１の照射孔
は直径１０ｍｍのスリットを用いた。さらに照射孔には
ベリリウム金属がはめこまれており、軟Ｘ線管内部を高
真空に保っている。軟Ｘ線の照射角度は図８に示すθで
１１０度であり、軟Ｘ線源１の感光体２と対向する面の
感光体回転方向上流側、下流側には、図１２に示したよ
うに感光体２と略平行になる曲率を持ち、幅１０ｍｍの
下流側電極６と上流側電極８を配置した。この電極６、
電極８は照射孔のベリリウムとは導通しているが、他の
軟Ｘ線源１の部材とは電気的に絶縁されている。また、
感光体２の芯金を接地し、電極６と電極８に−２ｋＶの
バイアスを印加した。次に、軟Ｘ線源１を感光体２から
５ｍｍ離した位置に固定し、感光体２を線速２０ｍｍ／
ｓで回転させながら軟Ｘ線を照射したところ、感光体は
約−７５０Ｖに帯電した。次に、帯電箇所に正帯電トナ
ーをふりかけたところ、帯電部分にはトナーの付着がな
く、よって帯電ムラが全くないことが確認された。

【００４０】（実施例２）実施例１と同じ構成で、軟Ｘ
線源の感光体と対向する面を接地し、感光体の芯金に＋
２ｋＶのバイアスを印加して、軟Ｘ線を照射した場合に
も同様の結果が得られた。

【００４１】（実施例３）実施例１と同じ構成で、軟Ｘ
線源の感光体と対向する面に−１ｋＶ、感光体の芯金に
＋１ｋＶのバイアスを印加して、軟Ｘ線を照射した場合
にも同様の結果が得られた。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明
は、電磁波照射装置と電界形成手段を備え、該電磁波照
射装置と電界形成手段により、前記静電潜像担持体上の
空間に電磁波を照射すると共に電界を形成することによ
って、静電潜像担持体を所望の電位Ｖs に帯電させる帯
電装置において、前記電界形成手段として、静電潜像担
持体を挾んで電磁波照射装置と対向する位置に対向電極
を設け、該対向電極に所望の帯電電位Ｖs と逆極性でＶ
s の絶対値を上まわる電位を印加し、電磁波照射装置の
少なくとも静電潜像担持体に対向する面に０Ｖを印加す
る構成としたので、電磁波によって生成されたイオンを
静電潜像担持体に付着させるための電界を、効率良く空
間に形成することが可能となり、オゾンレスで非接触帯
電方式の帯電装置を提供できる。

【００４３】請求項２の発明は、電磁波照射装置と電界
形成手段を備え、該電磁波照射装置と電界形成手段によ
り、前記静電潜像担持体上の空間に電磁波を照射すると
共に電界を形成することによって、静電潜像担持体を所
望の電位Ｖs に帯電させる帯電装置において、前記電界
形成手段として、静電潜像担持体を挾んで電磁波照射装
置と対向する位置に対向電極を設け、該対向電極に所望
の帯電電位Ｖs と逆極性の適当な電位を印加し、電磁波
照射装置の少なくとも静電潜像担持体に対向する面にＶ
s と同極性の適当な電位を印加し、かつ両電極間の電位
差がＶs の絶対値よりも大きい構成としたので、電磁波
によって生成されたイオンを静電潜像担持体に付着させ
るための電界を、効率良く空間に形成することが可能と
なり、オゾンレスで非接触帯電方式の帯電装置を提供で
きる。

【００４４】請求項３の発明は、電磁波照射装置と電界
形成手段を備え、該電磁波照射装置と電界形成手段によ
り、前記静電潜像担持体上の空間に電磁波を照射すると
共に電界を形成することによって、静電潜像担持体を所
望の電位Ｖs に帯電させる帯電装置において、前記電界
形成手段として、静電潜像担持体を挾んで電磁波照射装
置と対向する位置に対向電極を設け、該対向電極に０Ｖ
を印加し、電磁波照射装置の少なくとも静電潜像担持体
に対向する面にＶs と同極性でＶs の絶対値を上まわる
電位を印加する構成としたので、電磁波によって生成さ
れたイオンを静電潜像担持体に付着させるための電界
を、効率良く空間に形成することが可能となり、オゾン
レスで非接触帯電方式の帯電装置を提供できる。

【００４５】請求項１〜３の帯電装置において、電磁波
照射装置の少なくと静電潜像担持体に対向する面に電圧
を印加した際に、電磁波照射装置全体が高電位となる
と、電磁波照射に悪影響を与え、また人体が接触した際
に危険であるが、請求項４の発明では、電磁波照射装置
の静電潜像担持体と対向する面と、対向する面上に設け
られた電極が、電磁波照射装置の他の構成部材と電気的
に絶縁されている構成としたので、上記の問題を防止す
ることができる。

【００４６】請求項１〜３の帯電装置において、電磁波
照射装置と静電潜像担持体間で放電が発生すると、静電
潜像担持体上の帯電が不均一となり画像に悪影響を与
え、また放電によってオゾンが発生するため、環境や人
体に悪影響を与えるが、請求項５の発明では、電磁波照
射装置と静電潜像担持体間の距離をｈとしたときに、電
磁波照射装置の静電潜像担持体と対向する面または対向
する面上に設けられた電極と、対向電極間の電位差が、
空隙幅ｈでの空気の絶縁破壊電圧よりも小さくなる構成
としたので、電磁波照射装置と静電潜像担持体間で、放
電が発生しなくなり、上記の問題を防止することができ
る。

【００４７】請求項１〜３の帯電装置において、静電潜
像担持体移動方向の下流側で、十分な強度の電界が形成
されないと、静電潜像担持体が除電されてしまい、所望
の帯電電位が得られないが、請求項６の発明では、電磁
波照射装置の静電潜像担持体と対向する面または対向す
る面上に設けられた電極が、静電潜像担持体移動方向下
流側に適当な幅Ｌを有している構成としたので、上記の
下流側の除電の問題を防止することができる。

【００４８】請求項６の帯電装置において、静電潜像担
持体が曲率を持ち、かつその曲率が大きい場合には、電
磁波照射装置表面のバイアスが印加された面と、静電潜
像担持体の空隙幅が、静電潜像担持体の移動に伴って変
化し、電界強度も変化してしまい、下流側で電界強度が
弱くなると効率的な帯電が行われないが、請求項７の発
明は、電磁波照射装置の静電潜像担持体と対向する面
が、静電潜像担持体との空隙幅が略一定または静電潜像
担持体移動方向下流側で狭くなるような曲率を有してい
る構成としたので、上記の問題を解消でき、効率的な帯
電が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る帯電装置の基本構成の一例を示す
構成説明図である。

【図２】図１に示す帯電装置において静電潜像担持体を
正極性に帯電させる場合の電界方向の説明図である。

【図３】図１に示す帯電装置において静電潜像担持体を
負極性に帯電させる場合の電界方向の説明図である。

【図４】本発明の請求項１の実施例を示す帯電装置の構
成説明図である。

【図５】本発明の請求項２の実施例を示す帯電装置の構
成説明図である。

【図６】本発明の請求項３の実施例を示す帯電装置の構
成説明図である。

【図７】本発明による帯電装置の電磁波照射領域の説明
図である。

【図８】本発明の請求項６の実施例を示す帯電装置の構
成説明図である。

【図９】本発明の請求項６の別の実施例を示す帯電装置
の構成説明図である。

【図１０】本発明の請求項６のさらに別の実施例を示す
帯電装置の構成説明図である。

【図１１】本発明の請求項６のさらに別の実施例を示す
帯電装置の構成説明図である。

【図１２】本発明の請求項７の実施例を示す帯電装置の
構成説明図である。

【図１３】本発明の請求項７の別の実施例を示す帯電装
置の構成説明図である。

【符号の説明】

１電磁波照射装置２静電潜像担持体（感光体等）３対向電極４，７電磁波照射装置の静電潜像担持体に対向する面５電磁波照射領域の静電潜像担持体移動方向下流
側６下流側電極８上流側電極９，１０直流電圧電源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者平野雅之静岡県浜松市市野町1126番地の１・浜松ホトニクス株式会社内 (56)参考文献特開昭48−82791（ＪＰ，Ａ) 特開平８−262845（ＪＰ，Ａ) 特開平５−312998（ＪＰ，Ａ) 特開平８−262844（ＪＰ，Ａ) 米国特許2701764（ＵＳ，Ａ) 米国特許2900515（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03G 15/02 H01T 19/00 G03G 15/00 115 G03G 15/22 - 15/32

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】静電潜像担持体上に均一な初期帯電を行っ
た後、部分的に初期帯電を消去し、画像信号に応じて変
調した静電荷のパターンを形成し、該静電荷のパターン
をトナーにより現像して記録紙あるいは中間転写体に転
写し画像を得る画像形成装置の帯電装置であり、電磁波
照射装置と電界形成手段を備え、該電磁波照射装置と電
界形成手段により、前記静電潜像担持体上の空間に電磁
波を照射すると共に電界を形成することによって、静電
潜像担持体を所望の電位Ｖs に帯電させる帯電装置にお
いて、前記電界形成手段として、静電潜像担持体を挾んで電磁
波照射装置と対向する位置に対向電極を設け、該対向電
極に所望の帯電電位Ｖs と逆極性でＶs の絶対値を上ま
わる電位を印加し、電磁波照射装置の少なくとも静電潜
像担持体に対向する面に０Ｖを印加することを特徴とす
る帯電装置。
【請求項２】静電潜像担持体上に均一な初期帯電を行っ
た後、部分的に初期帯電を消去し、画像信号に応じて変
調した静電荷のパターンを形成し、該静電荷のパターン
をトナーにより現像して記録紙あるいは中間転写体に転
写し画像を得る画像形成装置の帯電装置であり、電磁波
照射装置と電界形成手段を備え、該電磁波照射装置と電
界形成手段により、前記静電潜像担持体上の空間に電磁
波を照射すると共に電界を形成することによって、静電
潜像担持体を所望の電位Ｖs に帯電させる帯電装置にお
いて、前記電界形成手段として、静電潜像担持体を挾んで電磁
波照射装置と対向する位置に対向電極を設け、該対向電
極に所望の帯電電位Ｖs と逆極性の適当な電位を印加
し、電磁波照射装置の少なくとも静電潜像担持体に対向
する面にＶs と同極性の適当な電位を印加し、かつ両電
極間の電位差がＶs の絶対値より大きいことを特徴とす
る帯電装置。
【請求項３】静電潜像担持体上に均一な初期帯電を行っ
た後、部分的に初期帯電を消去し、画像信号に応じて変
調した静電荷のパターンを形成し、該静電荷のパターン
をトナーにより現像して記録紙あるいは中間転写体に転
写し画像を得る画像形成装置の帯電装置であり、電磁波
照射装置と電界形成手段を備え、該電磁波照射装置と電
界形成手段により、前記静電潜像担持体上の空間に電磁
波を照射すると共に電界を形成することによって、静電
潜像担持体を所望の電位Ｖs に帯電させる帯電装置にお
いて、前記電界形成手段として、静電潜像担持体を挾んで電磁
波照射装置と対向する位置に対向電極を設け、該対向電
極に０Ｖを印加し、電磁波照射装置の少なくとも静電潜
像担持体に対向する面にＶs と同極性でＶs の絶対値を
上まわる電位を印加することを特徴とする帯電装置。
【請求項４】請求項１，２，３記載の帯電装置におい
て、電磁波照射装置の静電潜像担持体と対向する面また
は対向する面上に設けられた電極が、電磁波照射装置の
他の構成部材と電気的に絶縁されていることを特徴とす
る帯電装置。
【請求項５】請求項１，２，３記載の帯電装置におい
て、電磁波照射装置と静電潜像担持体間の距離をｈとし
たときに、電磁波照射装置の静電潜像担持体と対向する
面または対向する面上に設けられた電極と、対向電極間
の電位差が、空隙幅ｈでの空気の絶縁破壊電圧よりも小
さいことを特徴とする帯電装置。
【請求項６】請求項１，２，３記載の帯電装置におい
て、電磁波照射装置の静電潜像担持体と対向する面また
は対向する面上に設けられた電極が、静電潜像担持体移
動方向下流側に適当な幅Ｌを有していることを特徴とす
る帯電装置。
【請求項７】請求項６記載の帯電装置において、電磁波
照射装置の静電潜像担持体と対向する面が、静電潜像担
持体との空隙幅が略一定または静電潜像担持体移動方向
下流側で狭くなるような曲率を有していることを特徴と
する帯電装置。