JP3376855B2 - 誘電体磁器組成物及びその製造方法とそれを用いた誘電体共振器と誘電体フィルタ - Google Patents
誘電体磁器組成物及びその製造方法とそれを用いた誘電体共振器と誘電体フィルタInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は特に、マイクロ波、
ミリ波などの高周波領域において誘電体共振器として利
用される誘電体磁器組成物及びその製造方法とそれを用
いた誘電体共振器と誘電体フィルタに関するものであ
る。
ミリ波などの高周波領域において誘電体共振器として利
用される誘電体磁器組成物及びその製造方法とそれを用
いた誘電体共振器と誘電体フィルタに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、自動車電話、携帯電話、衛星放送
等、マイクロ波領域の電磁波を利用する通信機器におい
て誘電体共振器や誘電体フィルタ等に誘電体部品が使用
されている。このような誘電体部品に誘電体磁器組成物
を使用するには、用途やデバイスにあう適切な誘電率を
有することの他に、マイクロ波領域で低損失であるこ
と、及び共振周波数の温度変化が小さいこと、すなわち
誘電率の温度変化が小さいことが重要である。従来、こ
のような用途に関係あるものとして、例えば特公昭６３
−１３８６０５号公報のＭｇＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｎ
ｄ2Ｔｉ2Ｏ7系、特公平６−９２７２７号公報のＭｇＴ
ｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｔａ2Ｏ5系が知られている。
等、マイクロ波領域の電磁波を利用する通信機器におい
て誘電体共振器や誘電体フィルタ等に誘電体部品が使用
されている。このような誘電体部品に誘電体磁器組成物
を使用するには、用途やデバイスにあう適切な誘電率を
有することの他に、マイクロ波領域で低損失であるこ
と、及び共振周波数の温度変化が小さいこと、すなわち
誘電率の温度変化が小さいことが重要である。従来、こ
のような用途に関係あるものとして、例えば特公昭６３
−１３８６０５号公報のＭｇＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｎ
ｄ2Ｔｉ2Ｏ7系、特公平６−９２７２７号公報のＭｇＴ
ｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｔａ2Ｏ5系が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ｍ
ｇＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｎｄ2Ｔｉ2Ｏ7系、ＭｇＴｉ
Ｏ3−ＣａＴｉＯ3−Ｔａ2Ｏ5系は、Ｑ値が充分とはいえ
ず更に高いＱ値の誘電体が望まれていた。また
ｇＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｎｄ2Ｔｉ2Ｏ7系、ＭｇＴｉ
Ｏ3−ＣａＴｉＯ3−Ｔａ2Ｏ5系は、Ｑ値が充分とはいえ
ず更に高いＱ値の誘電体が望まれていた。また
【０００４】
【外１】
【０００５】の共振を利用した大型の共振器の場合、空
気中での焼成の際に、その焼結体が還元されやすく、素
子内部が青銅色になってＱ値が低くなる欠点を有してい
た。このため焼成後更にアニール処理をしたりする特殊
で複雑な製造プロセスが必要である。そして誘電体磁器
表面に直接ＡｇまたはＣｕ電極を形成する同軸誘電体共
振器やストリップライン共振器などへの応用の場合、誘
電体表面の粗度が大きいと電極による導体損失が増加し
て共振器のＱ値が低下してしまう。従って、このような
用途において誘電体磁器のＱ値を十分に引き出すには、
電極による導体損失をできるだけ小さくすることが重要
であり、微細な結晶粒子より構成された表面粗度の小さ
い誘電体磁器組成物が望まれていた。
気中での焼成の際に、その焼結体が還元されやすく、素
子内部が青銅色になってＱ値が低くなる欠点を有してい
た。このため焼成後更にアニール処理をしたりする特殊
で複雑な製造プロセスが必要である。そして誘電体磁器
表面に直接ＡｇまたはＣｕ電極を形成する同軸誘電体共
振器やストリップライン共振器などへの応用の場合、誘
電体表面の粗度が大きいと電極による導体損失が増加し
て共振器のＱ値が低下してしまう。従って、このような
用途において誘電体磁器のＱ値を十分に引き出すには、
電極による導体損失をできるだけ小さくすることが重要
であり、微細な結晶粒子より構成された表面粗度の小さ
い誘電体磁器組成物が望まれていた。
【０００６】本発明は上記問題点を解決するものであ
り、適度な誘電率、高い無負荷Ｑ値及び小さい共振周波
数の温度係数を有する誘電体磁器組成物を提供すること
を目的とするものである。
り、適度な誘電率、高い無負荷Ｑ値及び小さい共振周波
数の温度係数を有する誘電体磁器組成物を提供すること
を目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の誘電体磁器組成物は、一般式として（Ｍｇ x
ＣａyＣｏz）nＯ−ＴｉＯ2（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．
０）で表され、ｘ、ｙ、ｚ及びｎはモル比を表し、 ０．８７≦ｘ＜０．９５ ０．０５≦ｙ≦０．０９ ０＜ｚ≦０．０４ ０．８５≦ｎ＜１．００ の範囲にある誘電体磁器組成物である。
に本発明の誘電体磁器組成物は、一般式として（Ｍｇ x
ＣａyＣｏz）nＯ−ＴｉＯ2（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．
０）で表され、ｘ、ｙ、ｚ及びｎはモル比を表し、 ０．８７≦ｘ＜０．９５ ０．０５≦ｙ≦０．０９ ０＜ｚ≦０．０４ ０．８５≦ｎ＜１．００ の範囲にある誘電体磁器組成物である。
【０００８】この構成により上記の目的が達成できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、一般式として（ＭｇxＣａyＣｏz）nＯ−ＴｉＯ
2（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）で表され、ｘ、ｙ、
ｚ及びｎはモル比を表し、 ０．８７≦ｘ＜０．９５ ０．０５≦ｙ≦０．０９ ０＜ｚ≦０．０４ ０．８５≦ｎ＜１．００ の範囲にある誘電体磁器組成物であり、共振周波数が負
の温度係数のＭｇＴｉＯ 3に正の温度係数のＣａＴｉＯ3
を加えて零の温度特性を得るのが従来材料の温度特性の
改善方法だがＣａＴｉＯ3量に伴ってＱ値が低下する欠
点を有しており、この解決策としてＭｇ及びＣａの一部
をＣｏで置換すると同時に限定した（ＭｇＣａＣｏ）Ｏ
とＴｉＯ2のモル比にすることで従来材料の欠点であっ
たＱ値の低下を防止して高いＱ値と小さい温度係数を両
立できることを見いだした。また主成分の組成比によっ
て、高いＱ値を維持しつつ誘電率と共振周波数の温度係
数を調整できる。
は、一般式として（ＭｇxＣａyＣｏz）nＯ−ＴｉＯ
2（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）で表され、ｘ、ｙ、
ｚ及びｎはモル比を表し、 ０．８７≦ｘ＜０．９５ ０．０５≦ｙ≦０．０９ ０＜ｚ≦０．０４ ０．８５≦ｎ＜１．００ の範囲にある誘電体磁器組成物であり、共振周波数が負
の温度係数のＭｇＴｉＯ 3に正の温度係数のＣａＴｉＯ3
を加えて零の温度特性を得るのが従来材料の温度特性の
改善方法だがＣａＴｉＯ3量に伴ってＱ値が低下する欠
点を有しており、この解決策としてＭｇ及びＣａの一部
をＣｏで置換すると同時に限定した（ＭｇＣａＣｏ）Ｏ
とＴｉＯ2のモル比にすることで従来材料の欠点であっ
たＱ値の低下を防止して高いＱ値と小さい温度係数を両
立できることを見いだした。また主成分の組成比によっ
て、高いＱ値を維持しつつ誘電率と共振周波数の温度係
数を調整できる。
【００１０】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の誘電体磁器組成物が、ＭｇＴｉ2Ｏ5、ＣｏＴｉ2Ｏ5或
いはこれらが固溶した（ＭｇＣｏ）Ｔｉ2Ｏ5相と、Ｍｇ
ＴｉＯ3相及びＣａＴｉＯ3相或いはこれらが固溶した
（ＭｇＣａ）ＴｉＯ3相から成る誘電体磁器組成物であ
り、共振周波数の温度係数が正に大きいＣｏＴｉ2Ｏ5或
いはＭｇＯを固溶した（ＭｇＣｏ）Ｔｉ2Ｏ5相によっ
て、ＭｇＴｉＯ3の負の温度特性を補償することで従来
材料のＣａＴｉＯ3によるＱ値の低下を防止し、小さい
温度特性と高いＱ値を得ることができる。
の誘電体磁器組成物が、ＭｇＴｉ2Ｏ5、ＣｏＴｉ2Ｏ5或
いはこれらが固溶した（ＭｇＣｏ）Ｔｉ2Ｏ5相と、Ｍｇ
ＴｉＯ3相及びＣａＴｉＯ3相或いはこれらが固溶した
（ＭｇＣａ）ＴｉＯ3相から成る誘電体磁器組成物であ
り、共振周波数の温度係数が正に大きいＣｏＴｉ2Ｏ5或
いはＭｇＯを固溶した（ＭｇＣｏ）Ｔｉ2Ｏ5相によっ
て、ＭｇＴｉＯ3の負の温度特性を補償することで従来
材料のＣａＴｉＯ3によるＱ値の低下を防止し、小さい
温度特性と高いＱ値を得ることができる。
【００１１】請求項３に記載の発明は、請求項１または
２に記載の誘電体磁器組成物１００重量部に対して、副
成分としてニオブ酸化物をＮｂ2Ｏ5に換算して、０．３
重量部以下（ただし０重量部を除く）の範囲で含有させ
た誘電体磁器組成物であり、ニオブ酸化物を含有させる
ことによって、磁器の結晶粒子が微細になり焼結体磁器
表面の粗度は小さくなる。従って誘電体磁器表面に直接
Ａｇ、Ｃｕ等の電極を形成する同軸共振器やストリップ
ライン共振器の導体損失を小さくでき、高いＱ値の共振
器を得ることができる。
２に記載の誘電体磁器組成物１００重量部に対して、副
成分としてニオブ酸化物をＮｂ2Ｏ5に換算して、０．３
重量部以下（ただし０重量部を除く）の範囲で含有させ
た誘電体磁器組成物であり、ニオブ酸化物を含有させる
ことによって、磁器の結晶粒子が微細になり焼結体磁器
表面の粗度は小さくなる。従って誘電体磁器表面に直接
Ａｇ、Ｃｕ等の電極を形成する同軸共振器やストリップ
ライン共振器の導体損失を小さくでき、高いＱ値の共振
器を得ることができる。
【００１２】請求項４に記載の発明は、請求項１，２及
び３のうちいずれか一つに記載の誘電体磁器組成物１０
０重量部に対して、副成分としてＣｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎ
ｉから選ばれる一種以上の酸化物をＣｒ2Ｏ3、Ｍｎ
Ｏ2、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯに換算して、０．３重量部以下
（ただし０重量部を除く）の範囲で含有させた誘電体磁
器組成物であり、共振周波数の温度係数を若干正側へ調
整できる。このためＱ値を低下させるＣａＴｉＯ3含有
量を減らせるため高いＱ値が得られる。また誘電特性の
焼成温度依存性の安定化効果も有しているので量産時の
特性が安定化する。
び３のうちいずれか一つに記載の誘電体磁器組成物１０
０重量部に対して、副成分としてＣｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎ
ｉから選ばれる一種以上の酸化物をＣｒ2Ｏ3、Ｍｎ
Ｏ2、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯに換算して、０．３重量部以下
（ただし０重量部を除く）の範囲で含有させた誘電体磁
器組成物であり、共振周波数の温度係数を若干正側へ調
整できる。このためＱ値を低下させるＣａＴｉＯ3含有
量を減らせるため高いＱ値が得られる。また誘電特性の
焼成温度依存性の安定化効果も有しているので量産時の
特性が安定化する。
【００１３】請求項５に記載の発明は、請求項１，２，
３及び４のうちいずれか一つに記載の誘電体磁器組成物
１００重量部に対して、副成分としてアルミニウム酸化
物をＡｌ2Ｏ3に換算して０．３重量部以下（ただし０重
量部を除く）の範囲で含有させた誘電体磁器組成物であ
り、磁器の結晶粒子が微細になると同時に粒界部のＡｌ
固溶相が粒子間の結合を強化させて機械的強度が増すの
で熱衝撃、落下、共振器の周波数調整の研磨加工等に対
して高い信頼性を得ることができる。また微細な磁器表
面のため同軸共振器やストリップライン共振器等の導体
損失を低下でき、高いＱ値の共振器を得ることができ
る。
３及び４のうちいずれか一つに記載の誘電体磁器組成物
１００重量部に対して、副成分としてアルミニウム酸化
物をＡｌ2Ｏ3に換算して０．３重量部以下（ただし０重
量部を除く）の範囲で含有させた誘電体磁器組成物であ
り、磁器の結晶粒子が微細になると同時に粒界部のＡｌ
固溶相が粒子間の結合を強化させて機械的強度が増すの
で熱衝撃、落下、共振器の周波数調整の研磨加工等に対
して高い信頼性を得ることができる。また微細な磁器表
面のため同軸共振器やストリップライン共振器等の導体
損失を低下でき、高いＱ値の共振器を得ることができ
る。
【００１４】請求項６に記載の発明は、請求項１，２，
３，４及び５のうちいずれか一つに記載の誘電体磁器組
成物中に含まれる不純物として、ＮａをＮａ2Ｏに換算
して、前記誘電体磁器組成物１００重量部中、０．０３
重量部以下の範囲の含有量とする誘電体磁器組成物であ
り、不純物Ｎａの含有量が限定した範囲内において優れ
た誘電特性が得られる。
３，４及び５のうちいずれか一つに記載の誘電体磁器組
成物中に含まれる不純物として、ＮａをＮａ2Ｏに換算
して、前記誘電体磁器組成物１００重量部中、０．０３
重量部以下の範囲の含有量とする誘電体磁器組成物であ
り、不純物Ｎａの含有量が限定した範囲内において優れ
た誘電特性が得られる。
【００１５】請求項７に記載の発明は、請求項１，２，
３，４及び５のうちいずれか一つに記載の誘電体磁器組
成物中に含まれる不純物として、ＫをＫ2Ｏに換算し
て、前記誘電体磁器組成物１００重量部中、０．０３重
量部以下の範囲の含有量とする誘電体磁器組成物であ
り、不純物Ｋの含有量が限定した範囲内において優れた
誘電特性が得られる。
３，４及び５のうちいずれか一つに記載の誘電体磁器組
成物中に含まれる不純物として、ＫをＫ2Ｏに換算し
て、前記誘電体磁器組成物１００重量部中、０．０３重
量部以下の範囲の含有量とする誘電体磁器組成物であ
り、不純物Ｋの含有量が限定した範囲内において優れた
誘電特性が得られる。
【００１６】請求項８に記載の発明は、請求項１，２，
３，４及び５のうちいずれか一つに記載の誘電体磁器組
成物を、ＭｇＴｉ2Ｏ5、ＣｏＴｉ2Ｏ5或いは（ＭｇＣ
ｏ）Ｔｉ2Ｏ5を出発原料として製造する誘電体磁器組成
物の製造方法であり、磁器の均質化が図られるので、高
いＱ値と結晶粒子の微細化に効果があり、高いＱ値の共
振器を得ることができる。
３，４及び５のうちいずれか一つに記載の誘電体磁器組
成物を、ＭｇＴｉ2Ｏ5、ＣｏＴｉ2Ｏ5或いは（ＭｇＣ
ｏ）Ｔｉ2Ｏ5を出発原料として製造する誘電体磁器組成
物の製造方法であり、磁器の均質化が図られるので、高
いＱ値と結晶粒子の微細化に効果があり、高いＱ値の共
振器を得ることができる。
【００１７】請求項９に記載の発明は、請求項８に記載
の出発原料の粒子径が１μｍ以下のものであり、磁器の
結晶粒子の微細化と均一化が図られるので磁器の表面粗
度が低下し、直接電極を形成する形態の共振器（例えば
同軸共振器やストリップライン共振器）の導体損失を低
下させ、高いＱ値の共振器を得ることができる。
の出発原料の粒子径が１μｍ以下のものであり、磁器の
結晶粒子の微細化と均一化が図られるので磁器の表面粗
度が低下し、直接電極を形成する形態の共振器（例えば
同軸共振器やストリップライン共振器）の導体損失を低
下させ、高いＱ値の共振器を得ることができる。
【００１８】請求項１０に記載の発明は、請求項１，
２，３，４及び５のうちいずれか一つに記載の誘電体磁
器組成物を酸素雰囲気中で焼成する誘電体磁器組成物の
製造方法であり、大型の共振器素子の内部、外部の特性
分布の均一化によって高い信頼性と高いＱ値が得られる
効果がある。
２，３，４及び５のうちいずれか一つに記載の誘電体磁
器組成物を酸素雰囲気中で焼成する誘電体磁器組成物の
製造方法であり、大型の共振器素子の内部、外部の特性
分布の均一化によって高い信頼性と高いＱ値が得られる
効果がある。
【００１９】請求項１１に記載の発明は、請求項１，
２，３，４及び５のうちいずれか一つに記載の誘電体磁
器組成物を使用した誘電体共振器であり、高い誘電体の
Ｑ値と微細な磁器表面を有しているので、金属製の空胴
容器内に素子を載置する
２，３，４及び５のうちいずれか一つに記載の誘電体磁
器組成物を使用した誘電体共振器であり、高い誘電体の
Ｑ値と微細な磁器表面を有しているので、金属製の空胴
容器内に素子を載置する
【００２０】
【外２】
【００２１】の共振を利用した共振器の場合や、磁器に
直接電極を形成する同軸共振器、ストリップライン共振
器の場合でも高いＱ値が得られる。
直接電極を形成する同軸共振器、ストリップライン共振
器の場合でも高いＱ値が得られる。
【００２２】請求項１２に記載の発明は、請求項１１記
載の誘電体共振器によって構成された誘電体フィルタで
あり、高いＱ値の誘電体共振器を使用することによって
フィルタの挿入損失を小さくできる。
載の誘電体共振器によって構成された誘電体フィルタで
あり、高いＱ値の誘電体共振器を使用することによって
フィルタの挿入損失を小さくできる。
【００２３】
（実施例１）以下、本発明の第１の実施例について詳細
に説明する。
に説明する。
【００２４】出発原料には化学的に高純度で粒子径が１
μｍ以下のＭｇＯ、ＣａＯ、ＭｇＴｉ2Ｏ5、ＣｏＴｉ2
Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｃｒ2Ｏ3、ＭｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ
3、ＮｉＯ及びＡｌ2Ｏ3粉末を所定の組成比になるよう
に秤量し、これらの粉末をポリエチレン製のボールミル
に入れ、安定化ジルコニア製の玉石及びエタノールを加
え約２０時間湿式混合した。ここで使用する出発原料の
粒子径が１μｍより大きい場合、最終焼結体磁器の結晶
粒子径が大きくなったり、異常粒成長したりするので同
軸共振器やストリップラインの導体損失が増して共振器
のＱ値が低くなる問題が生じる。このため粒子径が１μ
ｍ以下の出発原料の使用は必須である。そして湿式混合
後、乾燥し、この乾燥粉末を高アルミナ質のルツボに入
れ、空気中で８００〜１１００℃にて２時間仮焼した。
次に、この仮焼粉末を、混合時と同じボールミルにエタ
ノールとともに入れ、約２０時間の湿式粉砕後、乾燥し
た。次に、この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均
質に混合した後３２メッシュのふるいを通して整粒し、
金型と油圧プレスを用いて成形圧力２ｔｏｎ／ｃｍ2で
直径１７ｍｍ、厚み６〜８ｍｍに成形した。次いで、成
形体をアルミナ質のサヤに入れ、空気中にて１２００〜
１４００℃の焼成温度で２〜５０時間焼成し、（表１）
の試料番号１〜３１に示す組成の誘電体磁器を得た。
μｍ以下のＭｇＯ、ＣａＯ、ＭｇＴｉ2Ｏ5、ＣｏＴｉ2
Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｃｒ2Ｏ3、ＭｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ
3、ＮｉＯ及びＡｌ2Ｏ3粉末を所定の組成比になるよう
に秤量し、これらの粉末をポリエチレン製のボールミル
に入れ、安定化ジルコニア製の玉石及びエタノールを加
え約２０時間湿式混合した。ここで使用する出発原料の
粒子径が１μｍより大きい場合、最終焼結体磁器の結晶
粒子径が大きくなったり、異常粒成長したりするので同
軸共振器やストリップラインの導体損失が増して共振器
のＱ値が低くなる問題が生じる。このため粒子径が１μ
ｍ以下の出発原料の使用は必須である。そして湿式混合
後、乾燥し、この乾燥粉末を高アルミナ質のルツボに入
れ、空気中で８００〜１１００℃にて２時間仮焼した。
次に、この仮焼粉末を、混合時と同じボールミルにエタ
ノールとともに入れ、約２０時間の湿式粉砕後、乾燥し
た。次に、この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均
質に混合した後３２メッシュのふるいを通して整粒し、
金型と油圧プレスを用いて成形圧力２ｔｏｎ／ｃｍ2で
直径１７ｍｍ、厚み６〜８ｍｍに成形した。次いで、成
形体をアルミナ質のサヤに入れ、空気中にて１２００〜
１４００℃の焼成温度で２〜５０時間焼成し、（表１）
の試料番号１〜３１に示す組成の誘電体磁器を得た。
【００２５】
【表１】
【００２６】この実施例で示す試料の特性は、空気中で
焼成した時の特性であるが、酸素雰囲気中で焼成した場
合は特にＱ値が空気中焼成に比較して約２０％向上する
効果を有している。そして本発明の磁器組成物は酸素雰
囲気中で焼成する事によって、磁器の均質な焼結化が図
られて高い信頼性が得られると同時に高いＱ値の共振器
が得られる。次に、得られた焼結体について両面を研磨
し、マイクロ波での誘電特性を測定した。測定は、誘電
体共振器法によって行い、誘電率（εr）、Ｑ・ｆ積、
共振周波数の温度係数τf（ｐｐｍ／℃）を算出した。
誘電率及びＱ値の測定において、共振周波数は５．０〜
６．５ＧＨｚであった。共振周波数の温度係数（τf）
は−２５〜８５℃の範囲で測定した。
焼成した時の特性であるが、酸素雰囲気中で焼成した場
合は特にＱ値が空気中焼成に比較して約２０％向上する
効果を有している。そして本発明の磁器組成物は酸素雰
囲気中で焼成する事によって、磁器の均質な焼結化が図
られて高い信頼性が得られると同時に高いＱ値の共振器
が得られる。次に、得られた焼結体について両面を研磨
し、マイクロ波での誘電特性を測定した。測定は、誘電
体共振器法によって行い、誘電率（εr）、Ｑ・ｆ積、
共振周波数の温度係数τf（ｐｐｍ／℃）を算出した。
誘電率及びＱ値の測定において、共振周波数は５．０〜
６．５ＧＨｚであった。共振周波数の温度係数（τf）
は−２５〜８５℃の範囲で測定した。
【００２７】上記測定結果を１〜３１の試料番号別に
（表１）に示す。（表１）において、＊印を付したもの
は本発明の請求の範囲外の比較例である。
（表１）に示す。（表１）において、＊印を付したもの
は本発明の請求の範囲外の比較例である。
【００２８】本発明の誘電体磁器組成物の組成範囲を限
定した理由を（表１）と（図１）を参照しながら説明す
る。
定した理由を（表１）と（図１）を参照しながら説明す
る。
【００２９】（表１）と（図１）から明らかなように、
ＣａＯのモル比（ｙ）が０．０９より多い場合の（領域
Ａ）は、Ｑ値が低下したり共振周波数の温度係数
（τf）が正側へ大きくなり実用的でなくなる。そして
ＣａＯのモル比（ｙ）が０．０５より少ない（領域Ｃ）
は共振周波数の温度係数（τf）が負側へ大きくなる。
また、ＣｏＯのモル比（ｚ）が０．０４より多い場合の
（領域Ｂ）はＱ値が低下するので本発明の範囲から除外
した。そして（ＭｇＣａＣｏ）nＯとＴｉＯ2の比の
（ｎ）を１．０より小さくすると、Ｑ値の向上と温度特
性を正側へとシフトさせる効果があるのでＱ値を低下さ
せるＣａＯの含有量を減らすことができる。しかし、
（ｎ）が０．８５より小さい場合はＱ値の低下を招くの
で（ｎ）の範囲は限られる。これらの高いＱ値と小さい
温度特性の試料をＸ線回折で分析した結果、共振周波数
の温度係数が正に大きいＣｏＴｉ2Ｏ5（Ｍｇも固溶）相
の生成による効果であることがわかった。つまり温度係
数が正に大きいＣｏＴｉ2Ｏ5（Ｍｇも固溶）相を温度特
性の調整に利用することでＣａＴｉＯ3だけで調整した
場合よりも同じ温度係数で比較すると高いＱ値が得られ
る。尚、このとき他にＭｇＴｉＯ 3、ＣａＴｉＯ3が生成
していた。したがって本実施例のようにＭｇ、Ｃｏソー
スをＭｇＴｉ2Ｏ5、ＣｏＴｉ2Ｏ5を出発原料に使用する
ことによって、高いＱ値と小さい温度係数の両立に必須
の結晶相であるＣｏＴｉ2Ｏ5（Ｍｇも固溶）を均質かつ
安定に生成させることが可能になる。そして（ｎ）が１
以上のときはＣｏＴｉ2Ｏ5相が生成せずＭｇＴｉＯ3、
ＣａＴｉＯ3の混相（Ｃｏを固溶）になり、温度特性の
改善効果がなくＱ値も低いものになる。また（ｎ）が
０．８５より小さい場合はＱ値が低下したり温度特性が
悪化するので本発明の範囲から除外した。このようにし
て主成分の組成範囲が限定されるのである。次に副成分
の添加効果の説明をする。Ｎｂ2Ｏ5の添加は、磁器の結
晶粒子径の微細化に効果がある。無添加のとき７〜１０
μｍの結晶粒子径がＮｂ添加によって３〜６μｍの結晶
粒子径で均一に焼結できるようになる。磁器に直接Ａｇ
やＣｕ電極を形成する同軸共振器やストリップライン共
振器の場合は電極による導体損失が大きい。これを低損
失にするには磁器表面の粗度を低下させて電極の表面抵
抗を小さくする必要がある。Ｎｂ添加による磁器表面の
結晶粒子径の微細化は導体損失を小さくできるので誘電
体磁器の高いＱ値を引き出せ高いＱ値（低損失）の共振
器が得られる。しかし過剰に添加するとＱ値の低下を招
くので、その添加量は０．３重量部以下に限られる。ま
た、Ｃｒ2Ｏ3、ＭｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯを添加した
場合、共振周波数の温度係数（τf）は、若干正に変化
する傾向がある。これを利用することで微妙な温度特性
の調整も可能であるし、Ｑ値を低下させるＣａＯ含有量
（τfの正側への調整成分）を若干減らせるので高いＱ
値が得られる効果もある。しかし副成分の添加量が０．
３０重量％より増加させるとｆ・Ｑ積を低下させるので
本発明の範囲から除外した。そしてＡｌ2Ｏ3の添加は磁
器の微細化と機械的強度を向上させる効果がある。磁器
の微細化による効果についてはＮｂと同じ効果が得られ
る。一方、機械的強度についてはＡｌ2Ｏ3の高強度によ
って、粒界部の主成分とＡｌとの固溶相が微細な結晶粒
子間の結合力を強化させるので機械的強度が向上する。
例えば、Ａｌ無添加の場合は約１．２〜１．５ｔ／ｃｍ
2の抗折強度であるが、Ａｌを添加した場合１．８〜
２．２ｔ／ｃｍ2の高い強度が得られるようになる。従
って、共振器の熱衝撃、落下等に対する信頼性が向上す
る。また製造工程での周波数調整等の素子の研磨や加工
などでの素子の欠けや割れを防ぐ効果もある。しかし、
その添加量を０．３０重量部より増加させるとＱ値を低
下させるので本発明の範囲から除外した。このようにし
て本発明の組成範囲と副成分とその添加量が限定される
のである。以上より本発明の実施例の中には、例えばε
rが２１、Ｑ・ｆ積が７１４３０で共振周波数の温度係
数（τf）が＋２．５ｐｐｍ／℃の優れたマイクロ波誘
電特性を有する組成がある（試料５）。
ＣａＯのモル比（ｙ）が０．０９より多い場合の（領域
Ａ）は、Ｑ値が低下したり共振周波数の温度係数
（τf）が正側へ大きくなり実用的でなくなる。そして
ＣａＯのモル比（ｙ）が０．０５より少ない（領域Ｃ）
は共振周波数の温度係数（τf）が負側へ大きくなる。
また、ＣｏＯのモル比（ｚ）が０．０４より多い場合の
（領域Ｂ）はＱ値が低下するので本発明の範囲から除外
した。そして（ＭｇＣａＣｏ）nＯとＴｉＯ2の比の
（ｎ）を１．０より小さくすると、Ｑ値の向上と温度特
性を正側へとシフトさせる効果があるのでＱ値を低下さ
せるＣａＯの含有量を減らすことができる。しかし、
（ｎ）が０．８５より小さい場合はＱ値の低下を招くの
で（ｎ）の範囲は限られる。これらの高いＱ値と小さい
温度特性の試料をＸ線回折で分析した結果、共振周波数
の温度係数が正に大きいＣｏＴｉ2Ｏ5（Ｍｇも固溶）相
の生成による効果であることがわかった。つまり温度係
数が正に大きいＣｏＴｉ2Ｏ5（Ｍｇも固溶）相を温度特
性の調整に利用することでＣａＴｉＯ3だけで調整した
場合よりも同じ温度係数で比較すると高いＱ値が得られ
る。尚、このとき他にＭｇＴｉＯ 3、ＣａＴｉＯ3が生成
していた。したがって本実施例のようにＭｇ、Ｃｏソー
スをＭｇＴｉ2Ｏ5、ＣｏＴｉ2Ｏ5を出発原料に使用する
ことによって、高いＱ値と小さい温度係数の両立に必須
の結晶相であるＣｏＴｉ2Ｏ5（Ｍｇも固溶）を均質かつ
安定に生成させることが可能になる。そして（ｎ）が１
以上のときはＣｏＴｉ2Ｏ5相が生成せずＭｇＴｉＯ3、
ＣａＴｉＯ3の混相（Ｃｏを固溶）になり、温度特性の
改善効果がなくＱ値も低いものになる。また（ｎ）が
０．８５より小さい場合はＱ値が低下したり温度特性が
悪化するので本発明の範囲から除外した。このようにし
て主成分の組成範囲が限定されるのである。次に副成分
の添加効果の説明をする。Ｎｂ2Ｏ5の添加は、磁器の結
晶粒子径の微細化に効果がある。無添加のとき７〜１０
μｍの結晶粒子径がＮｂ添加によって３〜６μｍの結晶
粒子径で均一に焼結できるようになる。磁器に直接Ａｇ
やＣｕ電極を形成する同軸共振器やストリップライン共
振器の場合は電極による導体損失が大きい。これを低損
失にするには磁器表面の粗度を低下させて電極の表面抵
抗を小さくする必要がある。Ｎｂ添加による磁器表面の
結晶粒子径の微細化は導体損失を小さくできるので誘電
体磁器の高いＱ値を引き出せ高いＱ値（低損失）の共振
器が得られる。しかし過剰に添加するとＱ値の低下を招
くので、その添加量は０．３重量部以下に限られる。ま
た、Ｃｒ2Ｏ3、ＭｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯを添加した
場合、共振周波数の温度係数（τf）は、若干正に変化
する傾向がある。これを利用することで微妙な温度特性
の調整も可能であるし、Ｑ値を低下させるＣａＯ含有量
（τfの正側への調整成分）を若干減らせるので高いＱ
値が得られる効果もある。しかし副成分の添加量が０．
３０重量％より増加させるとｆ・Ｑ積を低下させるので
本発明の範囲から除外した。そしてＡｌ2Ｏ3の添加は磁
器の微細化と機械的強度を向上させる効果がある。磁器
の微細化による効果についてはＮｂと同じ効果が得られ
る。一方、機械的強度についてはＡｌ2Ｏ3の高強度によ
って、粒界部の主成分とＡｌとの固溶相が微細な結晶粒
子間の結合力を強化させるので機械的強度が向上する。
例えば、Ａｌ無添加の場合は約１．２〜１．５ｔ／ｃｍ
2の抗折強度であるが、Ａｌを添加した場合１．８〜
２．２ｔ／ｃｍ2の高い強度が得られるようになる。従
って、共振器の熱衝撃、落下等に対する信頼性が向上す
る。また製造工程での周波数調整等の素子の研磨や加工
などでの素子の欠けや割れを防ぐ効果もある。しかし、
その添加量を０．３０重量部より増加させるとＱ値を低
下させるので本発明の範囲から除外した。このようにし
て本発明の組成範囲と副成分とその添加量が限定される
のである。以上より本発明の実施例の中には、例えばε
rが２１、Ｑ・ｆ積が７１４３０で共振周波数の温度係
数（τf）が＋２．５ｐｐｍ／℃の優れたマイクロ波誘
電特性を有する組成がある（試料５）。
【００３０】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について詳細に説明する。
について詳細に説明する。
【００３１】実施例１の試料５の組成を、同じく配合、
混合、仮焼、粉砕、整粒した後、外形３５ｍｍ、内径
７．６ｍｍで高さが２２ｍｍの円筒形状に１〜２ｔ／ｃ
ｍ2の成形圧力で成形した。その後、空気中及び酸素雰
囲気中で１２００〜１４００℃の温度において２〜５０
時間焼成を行った。そしてＡｇメッキしたキャビティ内
のアルミナ支持台上に試料を置き
混合、仮焼、粉砕、整粒した後、外形３５ｍｍ、内径
７．６ｍｍで高さが２２ｍｍの円筒形状に１〜２ｔ／ｃ
ｍ2の成形圧力で成形した。その後、空気中及び酸素雰
囲気中で１２００〜１４００℃の温度において２〜５０
時間焼成を行った。そしてＡｇメッキしたキャビティ内
のアルミナ支持台上に試料を置き
【００３２】
【外３】
【００３３】の共振周波数とＱ値の測定を行った。また
アルキメデス法で磁器密度の測定も行った。
アルキメデス法で磁器密度の測定も行った。
【００３４】その結果を３２〜３３の試料番号別に（表
２）に示す。
２）に示す。
【００３５】
【表２】
【００３６】この（表２）から明らかなように、酸素雰
囲気中で焼成した実施例の試料のＱ・ｆ積が比較例より
も約２０％程高いことがわかる。また共振周波数が実施
例のほうが低い。これは試料の磁器密度が大きいために
誘電率が高くなった結果であるが、酸素雰囲気中で焼成
すると素子内部まで均一に焼結できるからである。大気
中で焼成した比較例の試料は素子の内外部で磁器の密度
が異なり、特に内部はポーラスになっている。大型素子
の主な用途である基地局フィルタには高い信頼性が要求
されるが、素子が不均質の場合は信頼性（熱衝撃、耐湿
性等）が低下するので均質な高い信頼性の素子が求めら
れる。
囲気中で焼成した実施例の試料のＱ・ｆ積が比較例より
も約２０％程高いことがわかる。また共振周波数が実施
例のほうが低い。これは試料の磁器密度が大きいために
誘電率が高くなった結果であるが、酸素雰囲気中で焼成
すると素子内部まで均一に焼結できるからである。大気
中で焼成した比較例の試料は素子の内外部で磁器の密度
が異なり、特に内部はポーラスになっている。大型素子
の主な用途である基地局フィルタには高い信頼性が要求
されるが、素子が不均質の場合は信頼性（熱衝撃、耐湿
性等）が低下するので均質な高い信頼性の素子が求めら
れる。
【００３７】以上より酸素雰囲気中で大型素子を焼成す
ることによって高い信頼性の高いＱ値の共振器を提供で
きる。
ることによって高い信頼性の高いＱ値の共振器を提供で
きる。
【００３８】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
について詳細に説明する。
について詳細に説明する。
【００３９】出発原料には化学的に高純度なもの（純度
９９．９９％以上）と工業用の原料（純度９８．０〜９
９．９％）を使用し、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＭｇＴｉ2Ｏ5、
ＣｏＴｉ2Ｏ5、ＴｉＯ2粉末を所定の組成比になるよう
に秤量し、次に、実施例１と同様にして、焼結体を作成
し、マイクロ波誘電特性を評価した。そして各々の焼結
体に含まれる不純物の含有量を蛍光Ｘ線分析を行い、予
め組成及びＮａ2Ｏ、Ｋ2Ｏの含有量の判明している試料
を標準試料として磁器の組成と不純物含有量を求めた。
各試料の誘電特性と磁器中の不純物であるＮａ2Ｏ、Ｋ2
Ｏの含有量を（表３）に示す。
９９．９９％以上）と工業用の原料（純度９８．０〜９
９．９％）を使用し、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＭｇＴｉ2Ｏ5、
ＣｏＴｉ2Ｏ5、ＴｉＯ2粉末を所定の組成比になるよう
に秤量し、次に、実施例１と同様にして、焼結体を作成
し、マイクロ波誘電特性を評価した。そして各々の焼結
体に含まれる不純物の含有量を蛍光Ｘ線分析を行い、予
め組成及びＮａ2Ｏ、Ｋ2Ｏの含有量の判明している試料
を標準試料として磁器の組成と不純物含有量を求めた。
各試料の誘電特性と磁器中の不純物であるＮａ2Ｏ、Ｋ2
Ｏの含有量を（表３）に示す。
【００４０】
【表３】
【００４１】（表３）より明らかなように、我々は出発
原料の中に含まれる極微量の不純物であるＮａ2Ｏ、Ｋ2
Ｏの含有量が最終焼結体磁器の誘電特性へ多大な影響を
与えていることを突き止めた。Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏの含有
量が０．０３重量部より多くなると、ｆ・Ｑ積が急激に
低下してしまう。また誘電率と温度特性にも変化を与え
る。更に、焼結体磁器に異常粒成長を招き磁器強度も低
下してしまう。特に基地局フィルタへの応用の場合は低
損失もさることながら素子の発熱や耐環境性等高い信頼
性が求められる。従って、特に磁器中のＮａ2Ｏ及びＫ2
Ｏの含有量を０．０３重量部以下になるように出発原料
の使用や誘電体磁器の製造工程のなかで使用される純
水、分散剤及びバインダー等についてＮａ、Ｋを含まな
い、或いは本発明の範囲内の不純物含有量にすることに
よって高いｆ・Ｑ積と高信頼性を得ることができる。以
上のように本発明の範囲内にＮａ、Ｋの含有量を管理し
た出発原料及び製造工程を採用することにより、従来、
出発原料の原料ロットや製造工程に敏感であったり不安
定であった高いＱ値と高い信頼性を有する誘電体磁器の
誘電特性を再現性よく安定化できる。
原料の中に含まれる極微量の不純物であるＮａ2Ｏ、Ｋ2
Ｏの含有量が最終焼結体磁器の誘電特性へ多大な影響を
与えていることを突き止めた。Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏの含有
量が０．０３重量部より多くなると、ｆ・Ｑ積が急激に
低下してしまう。また誘電率と温度特性にも変化を与え
る。更に、焼結体磁器に異常粒成長を招き磁器強度も低
下してしまう。特に基地局フィルタへの応用の場合は低
損失もさることながら素子の発熱や耐環境性等高い信頼
性が求められる。従って、特に磁器中のＮａ2Ｏ及びＫ2
Ｏの含有量を０．０３重量部以下になるように出発原料
の使用や誘電体磁器の製造工程のなかで使用される純
水、分散剤及びバインダー等についてＮａ、Ｋを含まな
い、或いは本発明の範囲内の不純物含有量にすることに
よって高いｆ・Ｑ積と高信頼性を得ることができる。以
上のように本発明の範囲内にＮａ、Ｋの含有量を管理し
た出発原料及び製造工程を採用することにより、従来、
出発原料の原料ロットや製造工程に敏感であったり不安
定であった高いＱ値と高い信頼性を有する誘電体磁器の
誘電特性を再現性よく安定化できる。
【００４２】
【発明の効果】以上のように本発明は、一般式として
（ＭｇxＣａyＣｏz）nＯ−ＴｉＯ2（ただし、ｘ＋ｙ＋
ｚ＝１．０）で表され、ｘ、ｙ、ｚ及びｎはモル比を表
し、 ０．８７≦ｘ＜０．９５ ０．０５≦ｙ≦０．０９ ０＜ｚ≦０．０４ ０．８５≦ｎ＜１．００ の範囲にある誘電体磁器組成物であり、Ｍｇ及びＣａの
一部をＣｏで置換すると同時に限定した（ＭｇＣａＣ
ｏ）ＯとＴｉＯ2のモル比にすることで従来材料の欠点
であったＱ値の低下を防止して高いＱ値と小さい温度係
数を両立できる。また主成分の組成比によって、高いＱ
値を維持しつつ誘電率と共振周波数の温度係数を調整で
きる。
（ＭｇxＣａyＣｏz）nＯ−ＴｉＯ2（ただし、ｘ＋ｙ＋
ｚ＝１．０）で表され、ｘ、ｙ、ｚ及びｎはモル比を表
し、 ０．８７≦ｘ＜０．９５ ０．０５≦ｙ≦０．０９ ０＜ｚ≦０．０４ ０．８５≦ｎ＜１．００ の範囲にある誘電体磁器組成物であり、Ｍｇ及びＣａの
一部をＣｏで置換すると同時に限定した（ＭｇＣａＣ
ｏ）ＯとＴｉＯ2のモル比にすることで従来材料の欠点
であったＱ値の低下を防止して高いＱ値と小さい温度係
数を両立できる。また主成分の組成比によって、高いＱ
値を維持しつつ誘電率と共振周波数の温度係数を調整で
きる。
【００４３】さらに誘電体磁器の表面は微細な結晶粒子
により構成されているので、この誘電体磁器組成物を用
いて例えば素子に直接電極を形成させる同軸誘電体共振
器を形成した際電極部の導体損失を小さくできるため共
振器のＱ値を高くすることができる。また素体と電極と
の接着強度を大きくできるので高信頼性の誘電体共振器
を得ることができる。
により構成されているので、この誘電体磁器組成物を用
いて例えば素子に直接電極を形成させる同軸誘電体共振
器を形成した際電極部の導体損失を小さくできるため共
振器のＱ値を高くすることができる。また素体と電極と
の接着強度を大きくできるので高信頼性の誘電体共振器
を得ることができる。
【００４４】その上、本発明の誘電体磁器組成物を用い
たマイクロ波用誘電体共振器及び温度補償用磁器コンデ
ンサは、通信機器、電気機器の小型化及び高性能化に寄
与するところが大であり工業的利用価値が大きいもので
ある。
たマイクロ波用誘電体共振器及び温度補償用磁器コンデ
ンサは、通信機器、電気機器の小型化及び高性能化に寄
与するところが大であり工業的利用価値が大きいもので
ある。
【図１】本発明の誘電体磁器組成物の主成分の組成範囲
を示す図
を示す図
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平８−167327（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−199568（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−118807（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−131568（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C04B 35/42 - 35/50
ＣＡ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (12)
- 【請求項１】 一般式として（ＭｇxＣａyＣｏz）nＯ−
ＴｉＯ2（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）で表され、
ｘ、ｙ、ｚ及びｎはモル比を表し、 ０．８７≦ｘ＜０．９５ ０．０５≦ｙ≦０．０９ ０＜ｚ≦０．０４ ０．８５≦ｎ＜１．００ の範囲にある誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 請求項１に記載の誘電体磁器組成物が、
ＭｇＴｉ2Ｏ5、ＣｏＴｉ2Ｏ5或いはこれらが固溶した
（ＭｇＣｏ）Ｔｉ2Ｏ5相と、ＭｇＴｉＯ3相及びＣａＴ
ｉＯ3相或いはこれらが固溶した（ＭｇＣａ）ＴｉＯ3相
から成る誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の誘電体磁器組
成物１００重量部に対して、ニオブ酸化物をＮｂ2Ｏ5に
換算して、０．３重量部以下（ただし０重量部を除く）
の範囲で含有させた誘電体磁器組成物。 - 【請求項４】 請求項１，２及び３のうちいずれか一つ
に記載の誘電体磁器組成物１００重量部に対してＣｒ、
Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉから選ばれる一種以上の酸化物をＣｒ
2Ｏ3、ＭｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯに換算して０．３重
量部以下（ただし０重量部を除く）の範囲で含有させた
誘電体磁器組成物。 - 【請求項５】 請求項１，２，３及び４のうちいずれか
一つに記載の誘電体磁器組成物１００重量部に対してＡ
ｌ2Ｏ3に換算して０．３重量部以下（ただし０重量部を
除く）の範囲で含有させた誘電体磁器組成物。 - 【請求項６】 請求項１，２，３，４及び５のうちいず
れか一つに記載の誘電体磁器組成物中に含まれる不純物
として、ＮａをＮａ2Ｏに換算して、前記誘電体磁器組
成物１００重量部中、０．０３重量部以下の範囲の含有
量とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項７】 請求項１，２，３，４及び５のうちいず
れか一つに記載の誘電体磁器組成物中に含まれる不純物
として、ＫをＫ2Ｏに換算して、前記誘電体磁器組成物
１００重量部中、０．０３重量部以下の範囲の含有量と
する誘電体磁器組成物。 - 【請求項８】 請求項１，２，３，４及び５のうちいず
れか一つに記載の誘電体磁器組成物を、ＭｇＴｉ2Ｏ5、
ＣｏＴｉ2Ｏ5或いは（ＭｇＣｏ）Ｔｉ2Ｏ5を出発原料と
して製造する誘電体磁器組成物の製造方法。 - 【請求項９】 請求項８記載の出発原料の粒径が１μｍ
以下のものを使用する誘電体磁器組成物の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項１，２，３，４及び５のうちい
ずれか一つに記載の誘電体磁器組成物を酸素雰囲気中で
焼成する誘電体磁器組成物の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１，２，３，４及び５のうちい
ずれか一つに記載の誘電体磁器組成物を使用した誘電体
共振器。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の誘電体共振器によっ
て構成された誘電体フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12925597A JP3376855B2 (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法とそれを用いた誘電体共振器と誘電体フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12925597A JP3376855B2 (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法とそれを用いた誘電体共振器と誘電体フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10324566A JPH10324566A (ja) | 1998-12-08 |
| JP3376855B2 true JP3376855B2 (ja) | 2003-02-10 |
Family
ID=15005056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12925597A Expired - Fee Related JP3376855B2 (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法とそれを用いた誘電体共振器と誘電体フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3376855B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4614656B2 (ja) * | 2003-12-24 | 2011-01-19 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器および積層型電子部品、並びに積層型電子部品の製法 |
| JP5197559B2 (ja) * | 2009-12-11 | 2013-05-15 | 京セラ株式会社 | 高周波用誘電体磁器組成物およびこれを用いた誘電体共振器 |
| CN110903085B (zh) * | 2019-12-10 | 2022-03-08 | 电子科技大学 | TiO2基微波陶瓷基板材料及制备方法和应用 |
| CN111470861B (zh) * | 2020-04-22 | 2022-03-01 | 吴坚强 | 一种微波介质陶瓷材料及其利用该材料制备微波陶瓷滤波器器件的方法 |
-
1997
- 1997-05-20 JP JP12925597A patent/JP3376855B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10324566A (ja) | 1998-12-08 |
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