JPH0952760A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH0952760A JPH0952760A JP7205752A JP20575295A JPH0952760A JP H0952760 A JPH0952760 A JP H0952760A JP 7205752 A JP7205752 A JP 7205752A JP 20575295 A JP20575295 A JP 20575295A JP H0952760 A JPH0952760 A JP H0952760A
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- dielectric constant
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Abstract
(57)【要約】
【課題】アルミナ主成分の磁器において、高周波領域に
おいて低誘電損失で周波数の温度係数を小さくすること
が難しかった。 【解決手段】Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＴａ2 Ｏ5 を
主成分とし、各成分のモル比による組成比が、図１のＡ
ｌ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｔａ2 Ｏ5 ３成分組成図における
下記点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ａの点を結ぶ線分で表した範囲
内なるように調製し、結晶相として、少なくともα−Ａ
ｌ2 Ｏ3 とＴｉＯ2 を析出させることにより、誘電率１
１〜３０、測定周波数８ＧＨｚにおける誘電損失が１×
１０-3以下、共振周波数の２５〜８５℃における温度係
数の絶対値｜τｆ｜が３０ｐｐｍ以下の優れた誘電特性
を得る。
おいて低誘電損失で周波数の温度係数を小さくすること
が難しかった。 【解決手段】Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＴａ2 Ｏ5 を
主成分とし、各成分のモル比による組成比が、図１のＡ
ｌ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｔａ2 Ｏ5 ３成分組成図における
下記点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ａの点を結ぶ線分で表した範囲
内なるように調製し、結晶相として、少なくともα−Ａ
ｌ2 Ｏ3 とＴｉＯ2 を析出させることにより、誘電率１
１〜３０、測定周波数８ＧＨｚにおける誘電損失が１×
１０-3以下、共振周波数の２５〜８５℃における温度係
数の絶対値｜τｆ｜が３０ｐｐｍ以下の優れた誘電特性
を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体共振器、マ
イクロ波導波路、マイクロ波コンデンサ、マイクロ波Ｉ
Ｃ基板、ＩＣパッケージ、誘電体アンテナ等の電気通信
分野またはマイクロ波透過窓等の核融合関係設備分野な
どの高周波用として好適に利用される磁器組成物に関す
る。
イクロ波導波路、マイクロ波コンデンサ、マイクロ波Ｉ
Ｃ基板、ＩＣパッケージ、誘電体アンテナ等の電気通信
分野またはマイクロ波透過窓等の核融合関係設備分野な
どの高周波用として好適に利用される磁器組成物に関す
る。
【０００２】
【従来技術】近年、通信網の急激な発展に伴って、通信
に使用する周波数が拡大すると同時に、マイクロ波領域
やミリ波領域などの高周波領域にまで及びつつある。一
方、誘電体磁器は、コンデンサなどの他に、誘電体共振
器や集積回路基板、誘電体アンテナ、各種高周波回路の
インピーダンス整合等に応用されており、これらについ
てもマイクロ波やミリ波に対しても適応可能なものが望
まれている。例えば、フィルタやガンまたはＦＥＴマイ
クロ波発振器の周波数安定化のために必要となり、その
需要が増大している。
に使用する周波数が拡大すると同時に、マイクロ波領域
やミリ波領域などの高周波領域にまで及びつつある。一
方、誘電体磁器は、コンデンサなどの他に、誘電体共振
器や集積回路基板、誘電体アンテナ、各種高周波回路の
インピーダンス整合等に応用されており、これらについ
てもマイクロ波やミリ波に対しても適応可能なものが望
まれている。例えば、フィルタやガンまたはＦＥＴマイ
クロ波発振器の周波数安定化のために必要となり、その
需要が増大している。
【０００３】マイクロ波回路素子の大きさは、電磁波の
波長が基準となっており、誘電体を用いたマイクロ波立
体回路内を電磁波が伝搬するときの真空中の波長を
λ0 、比誘電率をεとするとλ0 ／εとなるため、誘電
率が高いほど小型化が可能である。しかし、あまり誘電
率が高すぎると、マイクロ波領域以上の高周波領域にお
いては、加工精度が低下するため、適当な誘電率が必要
である。
波長が基準となっており、誘電体を用いたマイクロ波立
体回路内を電磁波が伝搬するときの真空中の波長を
λ0 、比誘電率をεとするとλ0 ／εとなるため、誘電
率が高いほど小型化が可能である。しかし、あまり誘電
率が高すぎると、マイクロ波領域以上の高周波領域にお
いては、加工精度が低下するため、適当な誘電率が必要
である。
【０００４】一方、セラミックスとして最も一般的に使
用されているアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3）は、サファイアの
場合、誘電率が１０、誘電損失が１０-5（８ＧＨｚ）と
低損失であるが非常に高価である。これに対して、アル
ミナ粉末に各種の添加物を添加し焼結した磁器は、機械
的強度が高く、低コストであるためサファイアと同レベ
ルの電気特性を有するように改善が進められている。
用されているアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3）は、サファイアの
場合、誘電率が１０、誘電損失が１０-5（８ＧＨｚ）と
低損失であるが非常に高価である。これに対して、アル
ミナ粉末に各種の添加物を添加し焼結した磁器は、機械
的強度が高く、低コストであるためサファイアと同レベ
ルの電気特性を有するように改善が進められている。
【０００５】例えば、特公平２−６１０８２号によれ
ば、Ａｌ2 Ｏ3 にＣａＴｉＯ3 を添加した低誘電率、高
Ｑ値の組成物が提案されている。また、特公平２−１１
１０号によれば、Ａｌ2 Ｏ3 にＳｉＯ2 、ＣａＯ、Ｍｇ
Ｏを添加したマイクロ波領域で低誘電損失の磁器組成物
が提案されている。
ば、Ａｌ2 Ｏ3 にＣａＴｉＯ3 を添加した低誘電率、高
Ｑ値の組成物が提案されている。また、特公平２−１１
１０号によれば、Ａｌ2 Ｏ3 にＳｉＯ2 、ＣａＯ、Ｍｇ
Ｏを添加したマイクロ波領域で低誘電損失の磁器組成物
が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アルミ
ナを主成分とする磁器は、そもそも共振周波数の温度係
数（以下、τｆと記す）が約−５５ｐｐｍ／℃と大きい
ため使用用途が極めて制限されるという問題があった。
共振周波数を制御する方法としては、τｆが正の成分、
あるいは負の成分を適宜組み合わせることにより調整す
ることが可能であるが、誘電損失が大きくなるなど、高
周波における低損失を維持しつつ、τｆを小さくするこ
とは困難であった。
ナを主成分とする磁器は、そもそも共振周波数の温度係
数（以下、τｆと記す）が約−５５ｐｐｍ／℃と大きい
ため使用用途が極めて制限されるという問題があった。
共振周波数を制御する方法としては、τｆが正の成分、
あるいは負の成分を適宜組み合わせることにより調整す
ることが可能であるが、誘電損失が大きくなるなど、高
周波における低損失を維持しつつ、τｆを小さくするこ
とは困難であった。
【０００７】また、誘電損失については、Ａｌ2 Ｏ3 は
サファイアなどの単結晶の場合には誘電損失は非常に小
さいが、それ自体非常に高価であるため、安価なものが
要求される。しかし、助剤等を添加したアルミナ質焼結
体では、誘電損失が大きくなり優れた特性が得られない
のが現状であった。
サファイアなどの単結晶の場合には誘電損失は非常に小
さいが、それ自体非常に高価であるため、安価なものが
要求される。しかし、助剤等を添加したアルミナ質焼結
体では、誘電損失が大きくなり優れた特性が得られない
のが現状であった。
【０００８】さらに、特公平２−６１０８２号の組成物
によれば、共振周波数の温度係数については何等検討さ
れておらず、また、また、特公平２−１１１０号に記載
の磁器によれば、誘電率が１０以下と低く、素子の小型
化には不向きである。
によれば、共振周波数の温度係数については何等検討さ
れておらず、また、また、特公平２−１１１０号に記載
の磁器によれば、誘電率が１０以下と低く、素子の小型
化には不向きである。
【０００９】従って、本発明は、マイクロ波領域におい
て、アルミナを主たる成分とし、高誘電率化を図るとと
もに、マイクロ波領域において低誘電損失および共振周
波数の温度係数の小さい磁器組成物を提供することを目
的とするものである。
て、アルミナを主たる成分とし、高誘電率化を図るとと
もに、マイクロ波領域において低誘電損失および共振周
波数の温度係数の小さい磁器組成物を提供することを目
的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、まず、ア
ルミナのτｆの絶対値を低下させるためには、アルミナ
と逆の温度係数を持つ化合物を添加する必要があること
を前提に種々検討した結果、アルミナへの添加物とし
て、ＴｉＯ2 とＴａ2 Ｏ5 とを特定の範囲で組み合わせ
て添加した結果、誘電率を１１〜３０に制御できると同
時に、低誘電損失とτｆの絶対値を低減できることを見
いだし、本発明に至った。
ルミナのτｆの絶対値を低下させるためには、アルミナ
と逆の温度係数を持つ化合物を添加する必要があること
を前提に種々検討した結果、アルミナへの添加物とし
て、ＴｉＯ2 とＴａ2 Ｏ5 とを特定の範囲で組み合わせ
て添加した結果、誘電率を１１〜３０に制御できると同
時に、低誘電損失とτｆの絶対値を低減できることを見
いだし、本発明に至った。
【００１１】即ち、本発明の誘電体磁器組成物は、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＴａ2 Ｏ5を主成分とし、各成
分のモル比による組成比が、図１のＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＯ
2 −Ｔａ2 Ｏ5 ３成分組成図における の各点による線分Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａで囲まれた組成領
域にあることを特徴とするものであり、さらには、この
誘電体磁器は、結晶相として、少なくともα−Ａｌ２
Ｏ3 とＴｉＯ2 を含み、誘電率が１１以上、測定周波数
８ＧＨｚにおける誘電損失が１×１０-3以下、共振周波
数の２５〜８５℃における温度係数の絶対値｜τｆ｜が
３０ｐｐｍ以下の優れた誘電特性を有するものである。
2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＴａ2 Ｏ5を主成分とし、各成
分のモル比による組成比が、図１のＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＯ
2 −Ｔａ2 Ｏ5 ３成分組成図における の各点による線分Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａで囲まれた組成領
域にあることを特徴とするものであり、さらには、この
誘電体磁器は、結晶相として、少なくともα−Ａｌ２
Ｏ3 とＴｉＯ2 を含み、誘電率が１１以上、測定周波数
８ＧＨｚにおける誘電損失が１×１０-3以下、共振周波
数の２５〜８５℃における温度係数の絶対値｜τｆ｜が
３０ｐｐｍ以下の優れた誘電特性を有するものである。
【００１２】
【作用】Ａｌ2 Ｏ3 のτｆの絶対値を低下させるためＡ
ｌ2 Ｏ3 と逆の正の温度係数を持つＴｉＯ2 と複合化さ
せることがよい。しかし、Ａｌ2 Ｏ3 にＴｉＯ2 を添加
し焼成すると、ＴｉＯ2 はＡｌ2 Ｏ3 と反応しＡｌ2 Ｔ
ｉＯ5 が析出する。このＡｌ2 ＴｉＯ5 が多量に析出す
ると、誘電損失が増加し、τｆの絶対値の減少効果は望
めない。
ｌ2 Ｏ3 と逆の正の温度係数を持つＴｉＯ2 と複合化さ
せることがよい。しかし、Ａｌ2 Ｏ3 にＴｉＯ2 を添加
し焼成すると、ＴｉＯ2 はＡｌ2 Ｏ3 と反応しＡｌ2 Ｔ
ｉＯ5 が析出する。このＡｌ2 ＴｉＯ5 が多量に析出す
ると、誘電損失が増加し、τｆの絶対値の減少効果は望
めない。
【００１３】ところが、本発明に基づき、Ａｌ2 Ｏ3 −
ＴｉＯ2 の系に対して、さらにＴａ2 Ｏ5 を添加する
と、Ａｌ2 ＴｉＯ5 の析出を抑制しＴｉＯ2 を優先的に
析出させることができる。その結果、ＴｉＯ2 相の析出
によって温度係数τｆを正側に移行させることができる
とともに、誘電率も１１以上に高めることができる。し
かも、測定周波数８ＧＨｚにおいて誘電損失が１×１０
-3以下を維持しつつ、τｆの絶対値を３０ｐｐｍ／℃以
下に制御することが可能となり、これにより高周波領域
の電気通信分野での広範囲の利用できるようになり、特
に誘電率が高いことから素子の小型化を促進できる。
ＴｉＯ2 の系に対して、さらにＴａ2 Ｏ5 を添加する
と、Ａｌ2 ＴｉＯ5 の析出を抑制しＴｉＯ2 を優先的に
析出させることができる。その結果、ＴｉＯ2 相の析出
によって温度係数τｆを正側に移行させることができる
とともに、誘電率も１１以上に高めることができる。し
かも、測定周波数８ＧＨｚにおいて誘電損失が１×１０
-3以下を維持しつつ、τｆの絶対値を３０ｐｐｍ／℃以
下に制御することが可能となり、これにより高周波領域
の電気通信分野での広範囲の利用できるようになり、特
に誘電率が高いことから素子の小型化を促進できる。
【００１４】なお、Ａｌ2 Ｏ3 量が、上記の組成範囲よ
りも過剰となるとτｆが負に大きくなるとともに誘電率
がアルミナ固有値（誘電率１０）に近くなるため高誘電
率化が望めず、逆に上記の組成範囲よりもＡｌ2 Ｏ3 量
が少ないとτｆは正に大きくなるか、あるいは比誘電率
が３０を越え大きくなりすぎてしまう。また、アルミナ
含有量が範囲内であっても、Ｔａ2 Ｏ5 とＴｉＯ2 との
比率が上記組成範囲を逸脱すると、Ａｌ2 ＴｉＯ5 の析
出またはＡｌＴａＯ4 が過剰に析出し、誘電損失が１×
１０-3を越えてしまうか、共振周波数の温度係数の絶対
値が３０ｐｐｍ／℃を越えてしまう。
りも過剰となるとτｆが負に大きくなるとともに誘電率
がアルミナ固有値（誘電率１０）に近くなるため高誘電
率化が望めず、逆に上記の組成範囲よりもＡｌ2 Ｏ3 量
が少ないとτｆは正に大きくなるか、あるいは比誘電率
が３０を越え大きくなりすぎてしまう。また、アルミナ
含有量が範囲内であっても、Ｔａ2 Ｏ5 とＴｉＯ2 との
比率が上記組成範囲を逸脱すると、Ａｌ2 ＴｉＯ5 の析
出またはＡｌＴａＯ4 が過剰に析出し、誘電損失が１×
１０-3を越えてしまうか、共振周波数の温度係数の絶対
値が３０ｐｐｍ／℃を越えてしまう。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器組成物は、Ａ
ｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＴａ2 Ｏ5 、あるいは焼成に
より前記酸化物を形成しえる炭酸塩、硝酸塩などの塩を
用いて、図１の組成範囲になるように秤量混合した後、
これを所望の成形手段、例えば、ドクターブレード法な
どのシート成形法、金型プレス法、冷間静水圧プレス
法、押出し成形法、圧延法等により任意の形状に成形す
る。その後、この成形体を、大気などの酸化性雰囲気中
で１４００〜１６００℃の温度で焼成することにより相
対密度９８％以上に緻密化することができる。
ｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＴａ2 Ｏ5 、あるいは焼成に
より前記酸化物を形成しえる炭酸塩、硝酸塩などの塩を
用いて、図１の組成範囲になるように秤量混合した後、
これを所望の成形手段、例えば、ドクターブレード法な
どのシート成形法、金型プレス法、冷間静水圧プレス
法、押出し成形法、圧延法等により任意の形状に成形す
る。その後、この成形体を、大気などの酸化性雰囲気中
で１４００〜１６００℃の温度で焼成することにより相
対密度９８％以上に緻密化することができる。
【００１６】なお、本発明の磁器組成物においては、上
記Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 の成分以外に、例
えば、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃａ、Ｎａ、Ｇａなどの元素
が不可避不純物あるいは製造工程中において混入する場
合があるが、これらの成分は、酸化物換算で全量中０．
２％以下であれば、とりわけ本発明の効果に影響を及ぼ
すことはない。
記Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 の成分以外に、例
えば、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃａ、Ｎａ、Ｇａなどの元素
が不可避不純物あるいは製造工程中において混入する場
合があるが、これらの成分は、酸化物換算で全量中０．
２％以下であれば、とりわけ本発明の効果に影響を及ぼ
すことはない。
【００１７】
【実施例】純度９９．９％のＡｌ2 Ｏ3 粉末、ＴｉＯ2
粉末およびＴａ2 Ｏ5 粉末を表１、表２の組成となるよ
うに秤量し、この混合粉末を、純度９９．９％のアルミ
ナボール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）と共に５
００ｍｌポリポットに投入し、２４時間回転ミルにて混
合した。混合後のスラリーを８０℃大気中にて乾燥し８
０メッシュを通し評価粉末を得た。
粉末およびＴａ2 Ｏ5 粉末を表１、表２の組成となるよ
うに秤量し、この混合粉末を、純度９９．９％のアルミ
ナボール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）と共に５
００ｍｌポリポットに投入し、２４時間回転ミルにて混
合した。混合後のスラリーを８０℃大気中にて乾燥し８
０メッシュを通し評価粉末を得た。
【００１８】この粉末を金型プレスにて１０００ｋｇ／
ｃｍ2 で直径２０ｍｍ、厚み１０ｍｍに成形し、その後
３０００ｋｇ／ｃｍ2 で冷間静水圧成形（ＣＩＰ）を行
って成形した。そして、成形体は大気中、１５５０℃で
２時間保持して焼成した。
ｃｍ2 で直径２０ｍｍ、厚み１０ｍｍに成形し、その後
３０００ｋｇ／ｃｍ2 で冷間静水圧成形（ＣＩＰ）を行
って成形した。そして、成形体は大気中、１５５０℃で
２時間保持して焼成した。
【００１９】得られた焼結体を直径１５ｍｍ、厚み７．
５ｍｍに加工研磨した。そして、測定周波数８ＧＨｚで
の測定によって、誘電率（εｒ）、誘電損失（ｔａｎ
δ）、および２５〜８５℃における共振周波数の温度係
数（τｆ）を測定した。また、波長λ＝１．５４１８Å
のＣｕＫα線によるＸ線回折により試料の結晶相を同定
した。これらの測定結果は、表１、表２に示した。
５ｍｍに加工研磨した。そして、測定周波数８ＧＨｚで
の測定によって、誘電率（εｒ）、誘電損失（ｔａｎ
δ）、および２５〜８５℃における共振周波数の温度係
数（τｆ）を測定した。また、波長λ＝１．５４１８Å
のＣｕＫα線によるＸ線回折により試料の結晶相を同定
した。これらの測定結果は、表１、表２に示した。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】表１、表２の結果から明らかなように、Ａ
ｌ2 Ｏ3 含有量が過多の試料Ｎo.９では、誘電率が１１
より低く、またτｆの絶対値が３０ｐｐｍ／℃を越え、
Ａｌ2 Ｏ3 含有量が上記組成範囲より少ない試料Ｎo.１
３、１４、１５はいずれも誘電率が３０を越えるもので
あった。また、Ａｌ2 Ｏ3 ７２モル％およびＡｌ2 Ｏ3
８８モル％におけるＴｉＯ2 とＴａ2 Ｏ5 の比率が本発
明の範囲を逸脱する試料Ｎo.１０、１２、１６、２０、
２１では、τｆの絶対値がいずれも３０ｐｐｍ／℃を越
えるものであった。
ｌ2 Ｏ3 含有量が過多の試料Ｎo.９では、誘電率が１１
より低く、またτｆの絶対値が３０ｐｐｍ／℃を越え、
Ａｌ2 Ｏ3 含有量が上記組成範囲より少ない試料Ｎo.１
３、１４、１５はいずれも誘電率が３０を越えるもので
あった。また、Ａｌ2 Ｏ3 ７２モル％およびＡｌ2 Ｏ3
８８モル％におけるＴｉＯ2 とＴａ2 Ｏ5 の比率が本発
明の範囲を逸脱する試料Ｎo.１０、１２、１６、２０、
２１では、τｆの絶対値がいずれも３０ｐｐｍ／℃を越
えるものであった。
【００２３】これに対して、本発明における組成範囲の
試料は、いずれも結晶相としてα−Ａｌ2 Ｏ3 と、Ｔｉ
Ｏ2 が析出しており、誘電率１１〜３０、測定周波数８
ＧＨｚにおける誘電損失が１×１０-3以下、共振周波数
の２５〜８５℃における温度係数の絶対値｜τｆ｜が３
０ｐｐｍ以下の優れた特性を示した。
試料は、いずれも結晶相としてα−Ａｌ2 Ｏ3 と、Ｔｉ
Ｏ2 が析出しており、誘電率１１〜３０、測定周波数８
ＧＨｚにおける誘電損失が１×１０-3以下、共振周波数
の２５〜８５℃における温度係数の絶対値｜τｆ｜が３
０ｐｐｍ以下の優れた特性を示した。
【００２４】これらの中でも、図１における線分Ｅ−Ｆ
−Ｇ−Ｈ−Ｅで囲まれる組成領域内では、誘電率１５〜
３０、測定周波数８ＧＨｚにおける誘電損失が８×１０
-4以下、共振周波数の２５〜８５℃における温度係数の
絶対値｜τｆ｜が１０ｐｐｍ以下の優れた特性を示し
た。
−Ｇ−Ｈ−Ｅで囲まれる組成領域内では、誘電率１５〜
３０、測定周波数８ＧＨｚにおける誘電損失が８×１０
-4以下、共振周波数の２５〜８５℃における温度係数の
絶対値｜τｆ｜が１０ｐｐｍ以下の優れた特性を示し
た。
【００２５】なお、上記の焼結体中には、ＩＣＰ発光分
析結果によれば、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｎａ、Ｇａ
などの元素が酸化物換算で０．２％以下含まれていた。
析結果によれば、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｎａ、Ｇａ
などの元素が酸化物換算で０．２％以下含まれていた。
【００２６】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の磁器組成
物は、Ａｌ2 Ｏ3 に対して、ＴｉＯ2およびＴａ2 Ｏ5
を所定の関係を満足するように配合することにより、高
誘電率化とともに、マイクロ波領域での低誘電損失、共
振周波数の温度係数の絶対値を低減することができ、こ
れにより、マイクロ波やミリ波に適応した誘電体共振
器、マイクロ波導波路、マイクロ波コンデンサ、マイク
ロ波ＩＣ基板、ＩＣパッケージ、誘電体アンテナ等の小
型化が可能となった。
物は、Ａｌ2 Ｏ3 に対して、ＴｉＯ2およびＴａ2 Ｏ5
を所定の関係を満足するように配合することにより、高
誘電率化とともに、マイクロ波領域での低誘電損失、共
振周波数の温度係数の絶対値を低減することができ、こ
れにより、マイクロ波やミリ波に適応した誘電体共振
器、マイクロ波導波路、マイクロ波コンデンサ、マイク
ロ波ＩＣ基板、ＩＣパッケージ、誘電体アンテナ等の小
型化が可能となった。
【図１】本発明の誘電体磁器組成物のＡｌ2 Ｏ3 、Ｔｉ
Ｏ2 、Ｔａ2 Ｏ5 の含有量を表す三成分系組成図であ
る。
Ｏ2 、Ｔａ2 Ｏ5 の含有量を表す三成分系組成図であ
る。
Claims (2)
- 【請求項１】Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＴａ2 Ｏ5 を
主成分とし、各成分のモル比による組成比が、図１のＡ
ｌ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｔａ2 Ｏ5 ３成分組成図における
線分Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａで囲まれる範囲内にあることを
特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】結晶相として、少なくともα−Ａｌ2 Ｏ3
とＴｉＯ2 を含み、誘電率が１１〜３０、測定周波数８
ＧＨｚにおける誘電損失が１×１０-3以下、共振周波数
の２５〜８５℃における温度係数の絶対値｜τｆ｜が３
０ｐｐｍ以下の請求項１記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7205752A JPH0952760A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7205752A JPH0952760A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0952760A true JPH0952760A (ja) | 1997-02-25 |
Family
ID=16512078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7205752A Pending JPH0952760A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0952760A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6549094B2 (en) | 2000-09-08 | 2003-04-15 | Murata Manufacturing Co. Ltd | High frequency ceramic compact, use thereof, and method of producing the same |
| US6660674B2 (en) | 2000-10-25 | 2003-12-09 | Ube Electronics, Ltd. | Dielectric ceramic composition for high frequency wave |
| KR100415219B1 (ko) * | 2001-03-21 | 2004-01-16 | 한국과학기술연구원 | 마이크로파용 유전체 세라믹 조성물 |
| KR20150095712A (ko) * | 2012-12-11 | 2015-08-21 | 지티에이티 코포레이션 | 개량된 사파이어를 포함하는 휴대용 전자장치 |
-
1995
- 1995-08-11 JP JP7205752A patent/JPH0952760A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6549094B2 (en) | 2000-09-08 | 2003-04-15 | Murata Manufacturing Co. Ltd | High frequency ceramic compact, use thereof, and method of producing the same |
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| JP2016509246A (ja) * | 2012-12-11 | 2016-03-24 | ジーティーエイティー コーポレーションＧｔａｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 改質サファイアを含有してなる携帯用電子機器 |
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