JP2000143336A - 誘電体磁器組成物及びその製造方法とそれを用いた誘電体共振器と誘電体フィルタ - Google Patents
誘電体磁器組成物及びその製造方法とそれを用いた誘電体共振器と誘電体フィルタInfo
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- JP2000143336A JP2000143336A JP10314260A JP31426098A JP2000143336A JP 2000143336 A JP2000143336 A JP 2000143336A JP 10314260 A JP10314260 A JP 10314260A JP 31426098 A JP31426098 A JP 31426098A JP 2000143336 A JP2000143336 A JP 2000143336A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 適度な誘電率と高い無負荷Ｑ値を有する温度
特性に優れた誘電体磁器組成物を提供することを目的と
する。 【解決手段】 一般式として （ＭｇxＣａyＣｏz）nＯn−（Ｔｉ1-sＳｎs）Ｏ2 （ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）で表され、ｘ，ｙ，
ｚ，ｓ及びｎはモル比を表し、 ０．８７≦ｘ＜０．９５ ０．０５≦ｙ≦０．０９ ０＜ｚ≦０．０４ ０＜ｓ≦０．１０ ０．８５≦ｎ＜１．００ の範囲にある誘電体磁器組成物である。
特性に優れた誘電体磁器組成物を提供することを目的と
する。 【解決手段】 一般式として （ＭｇxＣａyＣｏz）nＯn−（Ｔｉ1-sＳｎs）Ｏ2 （ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）で表され、ｘ，ｙ，
ｚ，ｓ及びｎはモル比を表し、 ０．８７≦ｘ＜０．９５ ０．０５≦ｙ≦０．０９ ０＜ｚ≦０．０４ ０＜ｓ≦０．１０ ０．８５≦ｎ＜１．００ の範囲にある誘電体磁器組成物である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は特に、マイクロ波、
ミリ波などの高周波領域において誘電体共振器として利
用される誘電体磁器組成物及びその製造方法とそれを用
いた誘電体共振器と誘電体フィルタに関するものであ
る。
ミリ波などの高周波領域において誘電体共振器として利
用される誘電体磁器組成物及びその製造方法とそれを用
いた誘電体共振器と誘電体フィルタに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、自動車電話、携帯電話、衛星放送
等、マイクロ波領域の電磁波を利用する通信機器におい
て誘電体共振器や誘電体フィルタ等に誘電体部品が使用
されている。このような誘電体部品に誘電体磁器組成物
を使用するには、用途やデバイスに合う適切な誘電率を
有することの他に、マイクロ波領域で低損失であること
及び共振周波数の温度変化が小さいこと、すなわち誘電
率の温度変化が小さいことが重要である。従来、このよ
うな用途に関係あるものとして、例えば特公昭６３−１
３８６０５号公報のＭｇＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｎｄ2
Ｔｉ2Ｏ7系、特公平６−９２７２７号公報のＭｇＴｉＯ
3−ＣａＴｉＯ3−Ｔａ2Ｏ5系が知られている。
等、マイクロ波領域の電磁波を利用する通信機器におい
て誘電体共振器や誘電体フィルタ等に誘電体部品が使用
されている。このような誘電体部品に誘電体磁器組成物
を使用するには、用途やデバイスに合う適切な誘電率を
有することの他に、マイクロ波領域で低損失であること
及び共振周波数の温度変化が小さいこと、すなわち誘電
率の温度変化が小さいことが重要である。従来、このよ
うな用途に関係あるものとして、例えば特公昭６３−１
３８６０５号公報のＭｇＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｎｄ2
Ｔｉ2Ｏ7系、特公平６−９２７２７号公報のＭｇＴｉＯ
3−ＣａＴｉＯ3−Ｔａ2Ｏ5系が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ｍ
ｇＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｎｄ2Ｔｉ2Ｏ7系、ＭｇＴｉ
Ｏ3−ＣａＴｉＯ3−Ｔａ2Ｏ5系は、Ｑ値が十分とはいえ
ず更に高いＱ値の誘電体が望まれていた。また、
ｇＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｎｄ2Ｔｉ2Ｏ7系、ＭｇＴｉ
Ｏ3−ＣａＴｉＯ3−Ｔａ2Ｏ5系は、Ｑ値が十分とはいえ
ず更に高いＱ値の誘電体が望まれていた。また、
【０００４】
【外１】
【０００５】モードの共振を利用した大型の共振器の場
合、空気中での焼成の際にその焼結体が還元されやす
く、素子内部が青銅色になってＱ値が低くなる欠点を有
していた。このため焼成後更にアニール処理をしたりす
る特殊で複雑な製造プロセスが必要である。
合、空気中での焼成の際にその焼結体が還元されやす
く、素子内部が青銅色になってＱ値が低くなる欠点を有
していた。このため焼成後更にアニール処理をしたりす
る特殊で複雑な製造プロセスが必要である。
【０００６】そして誘電体磁器の表面に直接Ａｇまたは
Ｃｕ電極を形成する同軸誘電体共振器やストリップライ
ン共振器などへの応用の場合、誘電体の表面の粗度が大
きいと電極による導体損失が増加して共振器のＱ値が低
下してしまう。従って、このような用途において誘電体
磁器のＱ値を十分に引き出すには、電極による導体損失
をできるだけ小さくすることが重要であり、微細な結晶
粒子より構成された表面粗度の小さい誘電体磁器組成物
が望まれていた。
Ｃｕ電極を形成する同軸誘電体共振器やストリップライ
ン共振器などへの応用の場合、誘電体の表面の粗度が大
きいと電極による導体損失が増加して共振器のＱ値が低
下してしまう。従って、このような用途において誘電体
磁器のＱ値を十分に引き出すには、電極による導体損失
をできるだけ小さくすることが重要であり、微細な結晶
粒子より構成された表面粗度の小さい誘電体磁器組成物
が望まれていた。
【０００７】本発明は上記問題点を解決するものであ
り、適度な誘電率、高い無負荷Ｑ値及び小さい共振周波
数の温度係数を有する誘電体磁器組成物を提供すること
を目的とするものである。
り、適度な誘電率、高い無負荷Ｑ値及び小さい共振周波
数の温度係数を有する誘電体磁器組成物を提供すること
を目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の誘電体磁器組成物は、一般式として （ＭｇxＣａyＣｏz）nＯn−（Ｔｉ1-sＳｎs）Ｏ2 （ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）で表され、ｘ，ｙ，
ｚ，ｓ及びｎはモル比を表し、 ０．８７≦ｘ＜０．９５ ０．０５≦ｙ≦０．０９ ０＜ｚ≦０．０４ ０＜ｓ≦０．１０ ０．８５≦ｎ＜１．００ の範囲にある誘電体磁器組成物である。
に本発明の誘電体磁器組成物は、一般式として （ＭｇxＣａyＣｏz）nＯn−（Ｔｉ1-sＳｎs）Ｏ2 （ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）で表され、ｘ，ｙ，
ｚ，ｓ及びｎはモル比を表し、 ０．８７≦ｘ＜０．９５ ０．０５≦ｙ≦０．０９ ０＜ｚ≦０．０４ ０＜ｓ≦０．１０ ０．８５≦ｎ＜１．００ の範囲にある誘電体磁器組成物である。
【０００９】この構成により適度な誘電率、高い無負荷
Ｑ値及び小さい共振周波数の温度係数の誘電体磁器組成
物を得ることができる。
Ｑ値及び小さい共振周波数の温度係数の誘電体磁器組成
物を得ることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、一般式として （ＭｇxＣａyＣｏz）nＯn−（Ｔｉ1-sＳｎs）Ｏ2 （ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）で表され、ｘ，ｙ，
ｚ，ｓ及びｎはモル比を表し、 ０．８７≦ｘ＜０．９５ ０．０５≦ｙ≦０．０９ ０＜ｚ≦０．０４ ０＜ｓ≦０．１０ ０．８５≦ｎ＜１．００ の範囲にある誘電体磁器組成物であり、共振周波数が負
の温度係数をもつＭｇＴｉＯ3に正の温度係数のＣａＴ
ｉＯ3を加えて中間の温度係数を得るのが従来材料の温
度特性の改善方法であるがＣａＴｉＯ3量に伴ってＱ値
が低下する欠点を有しており、この解決策としてＭｇ及
びＣａの一部をＣｏで置換すると同時に限定した（Ｍｇ
ＣａＣｏ）Ｏと（ＴｉＳｎ）Ｏ2のモル比にすることで
従来材料の欠点であったＱ値の低下を防止して高いＱ値
と小さい温度係数を両立できることを見いだした。また
主成分の組成比によって、高いＱ値を維持しつつ必要に
応じて誘電率と共振周波数の温度係数を調整できる。
は、一般式として （ＭｇxＣａyＣｏz）nＯn−（Ｔｉ1-sＳｎs）Ｏ2 （ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）で表され、ｘ，ｙ，
ｚ，ｓ及びｎはモル比を表し、 ０．８７≦ｘ＜０．９５ ０．０５≦ｙ≦０．０９ ０＜ｚ≦０．０４ ０＜ｓ≦０．１０ ０．８５≦ｎ＜１．００ の範囲にある誘電体磁器組成物であり、共振周波数が負
の温度係数をもつＭｇＴｉＯ3に正の温度係数のＣａＴ
ｉＯ3を加えて中間の温度係数を得るのが従来材料の温
度特性の改善方法であるがＣａＴｉＯ3量に伴ってＱ値
が低下する欠点を有しており、この解決策としてＭｇ及
びＣａの一部をＣｏで置換すると同時に限定した（Ｍｇ
ＣａＣｏ）Ｏと（ＴｉＳｎ）Ｏ2のモル比にすることで
従来材料の欠点であったＱ値の低下を防止して高いＱ値
と小さい温度係数を両立できることを見いだした。また
主成分の組成比によって、高いＱ値を維持しつつ必要に
応じて誘電率と共振周波数の温度係数を調整できる。
【００１１】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の誘電体磁器組成物が、ＭｇＴｉ2Ｏ5，ＣｏＴｉ2Ｏ5或
いはこれらが固溶した（ＭｇＣｏ）Ｔｉ2Ｏ5相と、Ｍｇ
ＴｉＯ3相及びＣａＴｉＯ3相或いはこれらが固溶した
（ＭｇＣａ）ＴｉＯ3相から成る誘電体磁器組成物であ
り、共振周波数の温度係数が正に大きいＣｏＴｉ2Ｏ5或
いはＭｇＯを固溶した（ＭｇＣｏ）Ｔｉ2Ｏ5相によっ
て、ＭｇＴｉＯ3の負の温度特性を補償することで従来
材料のＣａＴｉＯ3によるＱ値の低下を防止し、小さい
温度特性と高いＱ値を得ることができる。
の誘電体磁器組成物が、ＭｇＴｉ2Ｏ5，ＣｏＴｉ2Ｏ5或
いはこれらが固溶した（ＭｇＣｏ）Ｔｉ2Ｏ5相と、Ｍｇ
ＴｉＯ3相及びＣａＴｉＯ3相或いはこれらが固溶した
（ＭｇＣａ）ＴｉＯ3相から成る誘電体磁器組成物であ
り、共振周波数の温度係数が正に大きいＣｏＴｉ2Ｏ5或
いはＭｇＯを固溶した（ＭｇＣｏ）Ｔｉ2Ｏ5相によっ
て、ＭｇＴｉＯ3の負の温度特性を補償することで従来
材料のＣａＴｉＯ3によるＱ値の低下を防止し、小さい
温度特性と高いＱ値を得ることができる。
【００１２】請求項３に記載の発明は、請求項１または
２に記載の誘電体磁器組成物を主成分とした１００重量
部に対して、副成分としてニオブ酸化物をＮｂ2Ｏ5に換
算して、０．３重量部以下（ただし０重量部を除く）の
範囲で含有させた誘電体磁器組成物であり、ニオブ酸化
物を含有させることによって、磁器の結晶粒子が微細に
なり焼結体磁器表面の粗度は小さくなる。従って誘電体
磁器表面に直接Ａｇ，Ｃｕ等の電極を形成する同軸共振
器やストリップライン共振器の導体損失を小さくでき、
高いＱ値の共振器を得ることができる。
２に記載の誘電体磁器組成物を主成分とした１００重量
部に対して、副成分としてニオブ酸化物をＮｂ2Ｏ5に換
算して、０．３重量部以下（ただし０重量部を除く）の
範囲で含有させた誘電体磁器組成物であり、ニオブ酸化
物を含有させることによって、磁器の結晶粒子が微細に
なり焼結体磁器表面の粗度は小さくなる。従って誘電体
磁器表面に直接Ａｇ，Ｃｕ等の電極を形成する同軸共振
器やストリップライン共振器の導体損失を小さくでき、
高いＱ値の共振器を得ることができる。
【００１３】請求項４に記載の発明は、請求項１または
２に記載の誘電体磁器組成物を主成分とした１００重量
部に対して、副成分としてＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉから
選ばれる一種以上の酸化物をＣｒ2Ｏ3，ＭｎＯ2，Ｆｅ2
Ｏ3，ＮｉＯに換算して０．３重量部以下（ただし０重
量部を除く）の範囲で含有させた誘電体磁器組成物であ
り、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉの添加によってＱ値を低下
させずに共振周波数の温度係数を若干正側へ調整でき、
さらに高いＱ値が得られる。また焼成温度のバラツキに
よって生じる誘電特性のバラツキを低減する効果を有
し、量産時の特性が安定化する。
２に記載の誘電体磁器組成物を主成分とした１００重量
部に対して、副成分としてＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉから
選ばれる一種以上の酸化物をＣｒ2Ｏ3，ＭｎＯ2，Ｆｅ2
Ｏ3，ＮｉＯに換算して０．３重量部以下（ただし０重
量部を除く）の範囲で含有させた誘電体磁器組成物であ
り、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉの添加によってＱ値を低下
させずに共振周波数の温度係数を若干正側へ調整でき、
さらに高いＱ値が得られる。また焼成温度のバラツキに
よって生じる誘電特性のバラツキを低減する効果を有
し、量産時の特性が安定化する。
【００１４】請求項５に記載の発明は、請求項１または
２に記載の誘電体磁器組成物を主成分とした１００重量
部に対して、副成分としてＡｌ2Ｏ3に換算して０．３重
量部以下（ただし０重量部を除く）の範囲で含有させた
誘電体磁器組成物であり、磁器の結晶粒子が微細になる
と同時に粒界部のＡｌ固溶相が粒子間の結合を強化させ
て機械的強度が増す作用を有し、熱衝撃、落下などに対
して高い信頼性を得ることができ、また共振器の生産に
おいては周波数調整のための研磨加工等に対して生産性
が良好となる。また微細な磁器表面のため同軸共振器や
ストリップライン共振器等の導体損失を低下できるので
高いＱ値の共振器を得ることができる。
２に記載の誘電体磁器組成物を主成分とした１００重量
部に対して、副成分としてＡｌ2Ｏ3に換算して０．３重
量部以下（ただし０重量部を除く）の範囲で含有させた
誘電体磁器組成物であり、磁器の結晶粒子が微細になる
と同時に粒界部のＡｌ固溶相が粒子間の結合を強化させ
て機械的強度が増す作用を有し、熱衝撃、落下などに対
して高い信頼性を得ることができ、また共振器の生産に
おいては周波数調整のための研磨加工等に対して生産性
が良好となる。また微細な磁器表面のため同軸共振器や
ストリップライン共振器等の導体損失を低下できるので
高いＱ値の共振器を得ることができる。
【００１５】請求項６に記載の発明は、請求項１または
２に記載の誘電体磁器組成物を主成分とした１００重量
部に対し含まれる不純物として、ＮａをＮａ2Ｏに換算
して０．０３重量部以下の範囲の含有量とする誘電体磁
器組成物であり、不純物Ｎａの含有量が前記限定した範
囲内において一層高いＱ値を得ることができる。
２に記載の誘電体磁器組成物を主成分とした１００重量
部に対し含まれる不純物として、ＮａをＮａ2Ｏに換算
して０．０３重量部以下の範囲の含有量とする誘電体磁
器組成物であり、不純物Ｎａの含有量が前記限定した範
囲内において一層高いＱ値を得ることができる。
【００１６】請求項７に記載の発明は、請求項１または
２に記載の誘電体磁器組成物を主成分とした１００重量
部に対し含まれる不純物として、ＫをＫ2Ｏに換算して
０．０３重量部以下の範囲の含有量の誘電体磁器組成物
であり、不純物Ｋの含有量が限定した範囲内において一
層高いＱ値を得ることができる。
２に記載の誘電体磁器組成物を主成分とした１００重量
部に対し含まれる不純物として、ＫをＫ2Ｏに換算して
０．０３重量部以下の範囲の含有量の誘電体磁器組成物
であり、不純物Ｋの含有量が限定した範囲内において一
層高いＱ値を得ることができる。
【００１７】請求項８に記載の発明は、請求項１，２，
３，４及び５のうちいずれか一つに記載の誘電体磁器組
成物をＭｇＴｉ2Ｏ5，ＣｏＴｉ2Ｏ5或いは（ＭｇＣｏ）
Ｔｉ 2Ｏ5を出発原料として製造する誘電体磁器組成物の
製造方法であり、磁器の均質化が図られるので高いＱ値
と結晶粒子の微細化に効果があり、高いＱ値の共振器を
得ることができる。
３，４及び５のうちいずれか一つに記載の誘電体磁器組
成物をＭｇＴｉ2Ｏ5，ＣｏＴｉ2Ｏ5或いは（ＭｇＣｏ）
Ｔｉ 2Ｏ5を出発原料として製造する誘電体磁器組成物の
製造方法であり、磁器の均質化が図られるので高いＱ値
と結晶粒子の微細化に効果があり、高いＱ値の共振器を
得ることができる。
【００１８】請求項９に記載の発明は、請求項１，２，
３，４及び５のうちいずれか一つに記載の誘電体磁器組
成物を使用した誘電体共振器であり、高い誘電体のＱ値
と微細な磁器表面を有しているので、金属製の空胴容器
内に素子を載置する
３，４及び５のうちいずれか一つに記載の誘電体磁器組
成物を使用した誘電体共振器であり、高い誘電体のＱ値
と微細な磁器表面を有しているので、金属製の空胴容器
内に素子を載置する
【００１９】
【外２】
【００２０】モードの共振を利用した共振器の場合や、
磁器に直接電極を形成する同軸共振器、ストリップライ
ン共振器の場合でも高いＱ値が得られる。
磁器に直接電極を形成する同軸共振器、ストリップライ
ン共振器の場合でも高いＱ値が得られる。
【００２１】請求項１０に記載の発明は、請求項９に記
載の誘電体共振器によって構成された誘電体フィルタで
あり、高いＱ値の誘電体共振器を使用することによって
フィルタの挿入損失を小さくできる。
載の誘電体共振器によって構成された誘電体フィルタで
あり、高いＱ値の誘電体共振器を使用することによって
フィルタの挿入損失を小さくできる。
【００２２】（実施の形態１）以下、本発明の第１の実
施の形態について詳細に説明する。
施の形態について詳細に説明する。
【００２３】出発原料には化学的に高純度で粒子径が１
μｍ以下のＭｇＯ，ＣａＯ，ＭｇＴｉ2Ｏ5，ＣｏＴｉ2
Ｏ5，ＴｉＯ2，ＳｎＯ2，Ｎｂ2Ｏ5，Ｃｒ2Ｏ3，Ｍｎ
Ｏ2，Ｆｅ2Ｏ3，ＮｉＯ及びＡｌ2Ｏ3粉末を所定の組成
比になるように秤量し、これらの粉末をポリエチレン製
のボールミルに入れ、安定化ジルコニア製の玉石及びエ
タノールを加え約２０時間湿式混合した。
μｍ以下のＭｇＯ，ＣａＯ，ＭｇＴｉ2Ｏ5，ＣｏＴｉ2
Ｏ5，ＴｉＯ2，ＳｎＯ2，Ｎｂ2Ｏ5，Ｃｒ2Ｏ3，Ｍｎ
Ｏ2，Ｆｅ2Ｏ3，ＮｉＯ及びＡｌ2Ｏ3粉末を所定の組成
比になるように秤量し、これらの粉末をポリエチレン製
のボールミルに入れ、安定化ジルコニア製の玉石及びエ
タノールを加え約２０時間湿式混合した。
【００２４】ここで使用する出発原料の粒子径が１μｍ
より大きい場合、最終焼結体磁器の結晶粒子径が大きく
なったり、異常粒成長したりするので同軸共振器やスト
リップラインの導体損失が増して共振器のＱ値が低くな
る問題が生じる。このため粒子径が１μｍ以下の出発原
料とした。
より大きい場合、最終焼結体磁器の結晶粒子径が大きく
なったり、異常粒成長したりするので同軸共振器やスト
リップラインの導体損失が増して共振器のＱ値が低くな
る問題が生じる。このため粒子径が１μｍ以下の出発原
料とした。
【００２５】そして湿式混合後、乾燥し、この乾燥粉末
を高アルミナ質のルツボに入れ、空気中で８００〜１１
００℃にて２時間仮焼した。次に、この仮焼粉末を混合
時と同じボールミルにエタノールとともに入れ、約２０
時間の湿式粉砕後乾燥した。次に、この粉砕粉末に有機
バインダーを加え、均質に混合した後３２メッシュのふ
るいを通して整粒し、金型と油圧プレスを用いて成形圧
力２ｔｏｎ／ｃｍ2で直径１７ｍｍ、厚み６〜８ｍｍに
成形した。
を高アルミナ質のルツボに入れ、空気中で８００〜１１
００℃にて２時間仮焼した。次に、この仮焼粉末を混合
時と同じボールミルにエタノールとともに入れ、約２０
時間の湿式粉砕後乾燥した。次に、この粉砕粉末に有機
バインダーを加え、均質に混合した後３２メッシュのふ
るいを通して整粒し、金型と油圧プレスを用いて成形圧
力２ｔｏｎ／ｃｍ2で直径１７ｍｍ、厚み６〜８ｍｍに
成形した。
【００２６】次いで、成形体をアルミナ質のサヤに入
れ、空気中にて１２００〜１４００℃の焼成温度で２〜
５０時間焼成し、（表１）の試料番号１〜３８に示す組
成の誘電体磁器を得た。
れ、空気中にて１２００〜１４００℃の焼成温度で２〜
５０時間焼成し、（表１）の試料番号１〜３８に示す組
成の誘電体磁器を得た。
【００２７】次に、得られた焼結体について両面を研磨
し、マイクロ波での誘電特性を測定した。測定は誘電体
共振器法によって行い、誘電率（εr）、ｆ・Ｑ積、共
振周波数の温度係数τf（ｐｐｍ／℃）を算出した。誘
電率（εr）はＴＥ011モードの共振から求め、Ｑ値はＡ
ｇメッキ製のφ５５ｍｍ、ｔ３０ｍｍのキャビティを使
用して反射法によって
し、マイクロ波での誘電特性を測定した。測定は誘電体
共振器法によって行い、誘電率（εr）、ｆ・Ｑ積、共
振周波数の温度係数τf（ｐｐｍ／℃）を算出した。誘
電率（εr）はＴＥ011モードの共振から求め、Ｑ値はＡ
ｇメッキ製のφ５５ｍｍ、ｔ３０ｍｍのキャビティを使
用して反射法によって
【００２８】
【外３】
【００２９】モードの共振を測定した。キャビティ壁面
とは十分離れているので、この測定のＱ値を誘電体のＱ
値とした。誘電率（εr）誘電率及びＱ値の測定におい
て、共振周波数は５．０〜６．５ＧＨｚであった。共振
周波数の温度係数（τf）は−２５〜８５℃の範囲で測
定した。
とは十分離れているので、この測定のＱ値を誘電体のＱ
値とした。誘電率（εr）誘電率及びＱ値の測定におい
て、共振周波数は５．０〜６．５ＧＨｚであった。共振
周波数の温度係数（τf）は−２５〜８５℃の範囲で測
定した。
【００３０】上記測定結果を１〜３８の試料番号別に
（表１）に示す。（表１）において、＊印を付したもの
は本発明の請求の範囲外の比較例である。
（表１）に示す。（表１）において、＊印を付したもの
は本発明の請求の範囲外の比較例である。
【００３１】
【表１】
【００３２】本発明の誘電体磁器組成物の組成範囲を限
定した理由を（表１）と図１を参照しながら説明する。
定した理由を（表１）と図１を参照しながら説明する。
【００３３】（表１）と図１から明らかなように、Ｃａ
Ｏのモル比（ｙ）が０．０９より多い場合の（領域Ａ）
は、Ｑ値が低下したり共振周波数の温度係数（τf）が
正側へ大きくなり実用的でなくなる。そしてＣａＯのモ
ル比（ｙ）が０．０５より少ない（領域Ｃ）は誘電率が
低下し、共振周波数の温度係数（τf）が負側へ大きく
なる。
Ｏのモル比（ｙ）が０．０９より多い場合の（領域Ａ）
は、Ｑ値が低下したり共振周波数の温度係数（τf）が
正側へ大きくなり実用的でなくなる。そしてＣａＯのモ
ル比（ｙ）が０．０５より少ない（領域Ｃ）は誘電率が
低下し、共振周波数の温度係数（τf）が負側へ大きく
なる。
【００３４】また、ＣｏＯのモル比（ｚ）が０．０４よ
り多い場合の（領域Ｂ）はＱ値が低下し、共振周波数の
温度係数（τf）が正側へ大きくなるので本発明の範囲
から除外した。そして（ＭｇＣａＣｏ）nＯn−（ＴｉＳ
ｎ）Ｏ2の（ｎ）は、このｎの値の増加に伴ってＱ値を
低下させずに温度特性を正側へとシフトさせる効果があ
るので、温度特性調整用のＱ値を低下させるＣａＯの含
有量を減らすことができ、高いＱ値が得られることとな
る。しかし、（ｎ）が０．８５より小さい場合はＱ値の
低下を招くので（ｎ）の範囲は限られる。
り多い場合の（領域Ｂ）はＱ値が低下し、共振周波数の
温度係数（τf）が正側へ大きくなるので本発明の範囲
から除外した。そして（ＭｇＣａＣｏ）nＯn−（ＴｉＳ
ｎ）Ｏ2の（ｎ）は、このｎの値の増加に伴ってＱ値を
低下させずに温度特性を正側へとシフトさせる効果があ
るので、温度特性調整用のＱ値を低下させるＣａＯの含
有量を減らすことができ、高いＱ値が得られることとな
る。しかし、（ｎ）が０．８５より小さい場合はＱ値の
低下を招くので（ｎ）の範囲は限られる。
【００３５】また、Ｔｉ位置へのＳｎの置換（ｓ）は、
共振周波数の温度係数（τf）を約２ｍｏｌ％で１ｐｐ
ｍ／℃マイナス側へシフトさせる効果がある。従って、
温度特性の微調整にはＳｎの置換が有効で便利である。
ただし１０ｍｏｌ％を越えるとＱ値が低下するので発明
の範囲から除外した。これらの高いＱ値と小さい温度特
性の試料をＸ線回折で分析した結果、共振周波数の温度
係数が正に大きいＣｏＴｉ2Ｏ5（Ｍｇも固溶）相が生成
していた。この相を温度特性の調整に利用することでＱ
値を大きく低下させるＣａＴｉＯ3だけで調整した場合
よりも、Ｑ値の低下を防止できるので同じ温度係数で比
較すると高いＱ値が得られる。
共振周波数の温度係数（τf）を約２ｍｏｌ％で１ｐｐ
ｍ／℃マイナス側へシフトさせる効果がある。従って、
温度特性の微調整にはＳｎの置換が有効で便利である。
ただし１０ｍｏｌ％を越えるとＱ値が低下するので発明
の範囲から除外した。これらの高いＱ値と小さい温度特
性の試料をＸ線回折で分析した結果、共振周波数の温度
係数が正に大きいＣｏＴｉ2Ｏ5（Ｍｇも固溶）相が生成
していた。この相を温度特性の調整に利用することでＱ
値を大きく低下させるＣａＴｉＯ3だけで調整した場合
よりも、Ｑ値の低下を防止できるので同じ温度係数で比
較すると高いＱ値が得られる。
【００３６】尚、このとき他にＭｇＴｉＯ3，ＣａＴｉ
Ｏ3が生成していた。したがって本実施の形態のように
Ｍｇ，ＣｏソースをＭｇＴｉ2Ｏ5，ＣｏＴｉ2Ｏ5を出発
原料に使用することによって、高いＱ値と小さい温度係
数の両立に必須の結晶相であるＣｏＴｉ2Ｏ5（Ｍｇも固
溶）を均質かつ安定に生成させることが可能になる。そ
して（ｎ）が１以上のときはＣｏＴｉ2Ｏ5相が生成せず
ＭｇＴｉＯ3，ＣａＴｉＯ3の混相（Ｃｏを固溶）にな
り、温度特性の改善効果がなくＱ値も低いものになる。
また（ｎ）が０．８５より小さい場合はＱ値が低下した
り温度特性が悪化するので発明の範囲から除外した。こ
のようにして主成分の組成範囲が限定されるのである。
尚、ＳｎはＴｉと同じ四価をとるのでＣｏＴｉ2Ｏ5（Ｍ
ｇも固溶）相等以上で述べたＴｉを含む化合物中に固溶
していることは言うまでもない。
Ｏ3が生成していた。したがって本実施の形態のように
Ｍｇ，ＣｏソースをＭｇＴｉ2Ｏ5，ＣｏＴｉ2Ｏ5を出発
原料に使用することによって、高いＱ値と小さい温度係
数の両立に必須の結晶相であるＣｏＴｉ2Ｏ5（Ｍｇも固
溶）を均質かつ安定に生成させることが可能になる。そ
して（ｎ）が１以上のときはＣｏＴｉ2Ｏ5相が生成せず
ＭｇＴｉＯ3，ＣａＴｉＯ3の混相（Ｃｏを固溶）にな
り、温度特性の改善効果がなくＱ値も低いものになる。
また（ｎ）が０．８５より小さい場合はＱ値が低下した
り温度特性が悪化するので発明の範囲から除外した。こ
のようにして主成分の組成範囲が限定されるのである。
尚、ＳｎはＴｉと同じ四価をとるのでＣｏＴｉ2Ｏ5（Ｍ
ｇも固溶）相等以上で述べたＴｉを含む化合物中に固溶
していることは言うまでもない。
【００３７】次に副成分の添加効果の説明をする。Ｎｂ
2Ｏ5の添加は、磁器の結晶粒子径の微細化に効果があ
る。無添加のとき７〜１０μｍの結晶粒子径がＮｂ添加
によって３〜６μｍの結晶粒子径で均一に焼結できるよ
うになる。磁器に直接ＡｇやＣｕ電極を形成する同軸共
振器やストリップライン共振器の場合は電極による導体
損失が大きい。これを低損失にするには磁器表面の粗度
を低下させて電極の表面抵抗を小さくする必要がある。
Ｎｂ添加による磁器表面の結晶粒子径の微細化は導体損
失を小さくできるので誘電体磁器の高いＱ値を引き出せ
高いＱ値（低損失）の共振器が得られる。しかし過剰に
添加するとＱ値の低下を招くのでその添加量は０．３重
量部以下（ただし０重量部を除く）に限られる。
2Ｏ5の添加は、磁器の結晶粒子径の微細化に効果があ
る。無添加のとき７〜１０μｍの結晶粒子径がＮｂ添加
によって３〜６μｍの結晶粒子径で均一に焼結できるよ
うになる。磁器に直接ＡｇやＣｕ電極を形成する同軸共
振器やストリップライン共振器の場合は電極による導体
損失が大きい。これを低損失にするには磁器表面の粗度
を低下させて電極の表面抵抗を小さくする必要がある。
Ｎｂ添加による磁器表面の結晶粒子径の微細化は導体損
失を小さくできるので誘電体磁器の高いＱ値を引き出せ
高いＱ値（低損失）の共振器が得られる。しかし過剰に
添加するとＱ値の低下を招くのでその添加量は０．３重
量部以下（ただし０重量部を除く）に限られる。
【００３８】また、Ｃｒ2Ｏ3，ＭｎＯ2，Ｆｅ2Ｏ3，Ｎ
ｉＯを添加した場合、共振周波数の温度係数（τf）
は、若干正に変化する傾向がある。これを利用すること
で微妙な温度特性の調整も可能であるし、Ｑ値を低下さ
せるＣａＯ含有量（τfの正側への調整成分）を若干減
らせるので高いＱ値が得られる効果もある。しかし副成
分の添加量が０．３０重量％より増加させるとｆ・Ｑ積
を低下させるので発明の範囲から除外した。そしてＡｌ
2Ｏ3の添加は磁器の微細化と機械的強度を向上させる効
果がある。磁器の微細化による効果についてはＮｂと同
じ効果が得られる。
ｉＯを添加した場合、共振周波数の温度係数（τf）
は、若干正に変化する傾向がある。これを利用すること
で微妙な温度特性の調整も可能であるし、Ｑ値を低下さ
せるＣａＯ含有量（τfの正側への調整成分）を若干減
らせるので高いＱ値が得られる効果もある。しかし副成
分の添加量が０．３０重量％より増加させるとｆ・Ｑ積
を低下させるので発明の範囲から除外した。そしてＡｌ
2Ｏ3の添加は磁器の微細化と機械的強度を向上させる効
果がある。磁器の微細化による効果についてはＮｂと同
じ効果が得られる。
【００３９】一方、機械的強度についてはＡｌ2Ｏ3の高
強度によって、粒界部の主成分とＡｌとの固溶相が微細
な結晶粒子間の結合力を強化させるので機械的強度が向
上する。例えば、Ａｌ無添加の場合は約１．２〜１．５
ｔ／ｃｍ2の抗折強度であるが、Ａｌを添加した場合
１．８〜２．２ｔ／ｃｍ2の高い強度が得られるように
なる。従って、共振器の熱衝撃、落下等に対する信頼性
が向上する。また製造工程での周波数調整等の素子の研
磨や加工などでの素子の欠けや割れを防ぐ効果もある。
しかし、その添加量を０．３０重量部より増加させると
Ｑ値を低下させるので本発明の範囲から除外した。この
ようにして本発明の主成分の組成範囲、副成分とその添
加量等が限定されるのである。
強度によって、粒界部の主成分とＡｌとの固溶相が微細
な結晶粒子間の結合力を強化させるので機械的強度が向
上する。例えば、Ａｌ無添加の場合は約１．２〜１．５
ｔ／ｃｍ2の抗折強度であるが、Ａｌを添加した場合
１．８〜２．２ｔ／ｃｍ2の高い強度が得られるように
なる。従って、共振器の熱衝撃、落下等に対する信頼性
が向上する。また製造工程での周波数調整等の素子の研
磨や加工などでの素子の欠けや割れを防ぐ効果もある。
しかし、その添加量を０．３０重量部より増加させると
Ｑ値を低下させるので本発明の範囲から除外した。この
ようにして本発明の主成分の組成範囲、副成分とその添
加量等が限定されるのである。
【００４０】以上より本発明の実施の形態の中には、例
えばεrが２０．５、ｆ・Ｑ積が７１６３０で共振周波
数の温度係数（τf）が＋２．７ｐｐｍ／℃の優れたマ
イクロ波誘電特性を有する組成がある（試料２１）。
えばεrが２０．５、ｆ・Ｑ積が７１６３０で共振周波
数の温度係数（τf）が＋２．７ｐｐｍ／℃の優れたマ
イクロ波誘電特性を有する組成がある（試料２１）。
【００４１】（実施の形態２）以下、本発明の第２の実
施の形態について詳細に説明する。
施の形態について詳細に説明する。
【００４２】出発原料には化学的に高純度なもの（純度
９９．９９％以上）と工業用の原料（純度９８．０〜９
９．９％）を使用し、ＭｇＯ，ＣａＯ，ＭｇＴｉ2Ｏ5，
ＣｏＴｉ2Ｏ5，ＴｉＯ2，ＳｎＯ2粉末を所定の組成比に
なるように秤量し、次に、実施の形態１と同様にして焼
結体を作成し、マイクロ波誘電特性を評価した。そして
各々の焼結体に含まれる不純物の含有量を蛍光Ｘ線を分
析を行い、予め組成及びＮａ2Ｏ，Ｋ2Ｏの含有量の判明
している試料を標準試料として磁器の組成と不純物含有
量を求めた。各試料の誘電特性と磁器中の不純物である
Ｎａ2Ｏ，Ｋ2Ｏの含有量を（表２）に示す。
９９．９９％以上）と工業用の原料（純度９８．０〜９
９．９％）を使用し、ＭｇＯ，ＣａＯ，ＭｇＴｉ2Ｏ5，
ＣｏＴｉ2Ｏ5，ＴｉＯ2，ＳｎＯ2粉末を所定の組成比に
なるように秤量し、次に、実施の形態１と同様にして焼
結体を作成し、マイクロ波誘電特性を評価した。そして
各々の焼結体に含まれる不純物の含有量を蛍光Ｘ線を分
析を行い、予め組成及びＮａ2Ｏ，Ｋ2Ｏの含有量の判明
している試料を標準試料として磁器の組成と不純物含有
量を求めた。各試料の誘電特性と磁器中の不純物である
Ｎａ2Ｏ，Ｋ2Ｏの含有量を（表２）に示す。
【００４３】
【表２】
【００４４】（表２）より明らかなように、出発原料の
中に含まれる極微量の不純物であるＮａ2Ｏ，Ｋ2Ｏの含
有量が最終焼結体磁器の誘電特性へ多大な影響を与えて
いる。Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏの含有量が０．０３重量部より
多くなると、ｆ・Ｑ積が急激に低下してしまう。また誘
電率と温度特性にも変化を与える。更に、焼結体磁器に
異常粒成長を招き磁器強度も低下してしまう。特に基地
局フィルタへの応用の場合は低損失もさることながら素
子の発熱や耐環境性等高い信頼性が求められる。従っ
て、特に磁器中のＮａ2Ｏ及びＫ2Ｏの含有量を０．０３
重量部以下になるような出発原料の使用や誘電体磁器の
製造工程のなかで使用される純水、分散剤及びバインダ
ー等についてＮａ，Ｋを含まない、或いは本発明の範囲
内の不純物含有量にすることによって高いｆ・Ｑ積と高
信頼性を得ることができる。
中に含まれる極微量の不純物であるＮａ2Ｏ，Ｋ2Ｏの含
有量が最終焼結体磁器の誘電特性へ多大な影響を与えて
いる。Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏの含有量が０．０３重量部より
多くなると、ｆ・Ｑ積が急激に低下してしまう。また誘
電率と温度特性にも変化を与える。更に、焼結体磁器に
異常粒成長を招き磁器強度も低下してしまう。特に基地
局フィルタへの応用の場合は低損失もさることながら素
子の発熱や耐環境性等高い信頼性が求められる。従っ
て、特に磁器中のＮａ2Ｏ及びＫ2Ｏの含有量を０．０３
重量部以下になるような出発原料の使用や誘電体磁器の
製造工程のなかで使用される純水、分散剤及びバインダ
ー等についてＮａ，Ｋを含まない、或いは本発明の範囲
内の不純物含有量にすることによって高いｆ・Ｑ積と高
信頼性を得ることができる。
【００４５】以上のように本発明の範囲内にＮａ，Ｋの
含有量を管理した出発原料及び製造工程を採用すること
により、従来、出発原料の原料ロットや製造工程に敏感
であったり不安定であった高いＱ値と高い信頼性を有す
る誘電体磁器の誘電特性を再現性よく安定化できる。
含有量を管理した出発原料及び製造工程を採用すること
により、従来、出発原料の原料ロットや製造工程に敏感
であったり不安定であった高いＱ値と高い信頼性を有す
る誘電体磁器の誘電特性を再現性よく安定化できる。
【００４６】
【発明の効果】以上のように本発明は、一般式として （ＭｇxＣａyＣｏz）nＯn−（Ｔｉ1-sＳｎs）Ｏ2 （ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）で表され、ｘ，ｙ，
ｚ，ｓ及びｎはモル比を表し、 ０．８７≦ｘ＜０．９５ ０．０５≦ｙ≦０．０９ ０＜ｚ≦０．０４ ０＜ｓ≦０．１０ ０．８５≦ｎ＜１．００ の範囲にある誘電体磁器組成物であり、Ｍｇ及びＣａの
一部をＣｏで置換すると同時に限定した（ＭｇＣａＣ
ｏ）Ｏと（Ｔｉ1-sＳｎs）Ｏ2のモル比にすることで従
来材料の欠点であったＱ値の低下を防止して高いＱ値と
小さい温度係数を両立できる。また主成分の組成比によ
って、高いＱ値を維持しつつ誘電率と共振周波数の温度
係数を調整できる。
ｚ，ｓ及びｎはモル比を表し、 ０．８７≦ｘ＜０．９５ ０．０５≦ｙ≦０．０９ ０＜ｚ≦０．０４ ０＜ｓ≦０．１０ ０．８５≦ｎ＜１．００ の範囲にある誘電体磁器組成物であり、Ｍｇ及びＣａの
一部をＣｏで置換すると同時に限定した（ＭｇＣａＣ
ｏ）Ｏと（Ｔｉ1-sＳｎs）Ｏ2のモル比にすることで従
来材料の欠点であったＱ値の低下を防止して高いＱ値と
小さい温度係数を両立できる。また主成分の組成比によ
って、高いＱ値を維持しつつ誘電率と共振周波数の温度
係数を調整できる。
【００４７】さらに誘電体磁器の表面は微細な結晶粒子
により構成されているので、この誘電体磁器組成物を用
いて例えば素子に直接電極を形成させる同軸誘電体共振
器を形成した際電極部の導体損失を小さくできるため共
振器のＱ値を高くすることができる。また素体と電極と
の接着強度を大きくできるので高信頼性の誘電体共振器
を得ることができる。
により構成されているので、この誘電体磁器組成物を用
いて例えば素子に直接電極を形成させる同軸誘電体共振
器を形成した際電極部の導体損失を小さくできるため共
振器のＱ値を高くすることができる。また素体と電極と
の接着強度を大きくできるので高信頼性の誘電体共振器
を得ることができる。
【００４８】その上、本発明の誘電体磁器組成物を用い
たマイクロ波用誘電体共振器及び温度補償用磁器コンデ
ンサは、通信機器、電気機器の小型化及び高性能化に寄
与するところが大であり工業的利用価値が大きいもので
ある。
たマイクロ波用誘電体共振器及び温度補償用磁器コンデ
ンサは、通信機器、電気機器の小型化及び高性能化に寄
与するところが大であり工業的利用価値が大きいもので
ある。
【図１】本発明の誘電体磁器組成物の主成分の組成範囲
を示す図
を示す図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G031 AA03 AA04 AA11 AA14 AA16 AA19 AA21 AA22 AA23 AA29 AA31 BA09 CA01 5G303 AA02 AA10 AB06 AB08 AB11 AB20 BA12 CA01 CB01 CB06 CB09 CB10 CB13 CB17 CB18 CB21 CB23 CB31 CB35 5J006 HC07
Claims (10)
- 【請求項１】 一般式として （ＭｇxＣａyＣｏz）nＯn−（Ｔｉ1-sＳｎs）Ｏ2 （ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）で表され、ｘ，ｙ，
ｚ，ｓ及びｎはモル比を表し、 ０．８７≦ｘ＜０．９５ ０．０５≦ｙ≦０．０９ ０＜ｚ≦０．０４ ０＜ｓ≦０．１０ ０．８５≦ｎ＜１．００ の範囲にある誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 請求項１に記載の誘電体磁器組成物が、
ＭｇＴｉ2Ｏ5，ＣｏＴｉ2Ｏ5或いはこれらが固溶した
（ＭｇＣｏ）Ｔｉ2Ｏ5相と、ＭｇＴｉＯ3相及びＣａＴ
ｉＯ3相或いはこれらが固溶した（ＭｇＣａ）ＴｉＯ3相
から成る誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の誘電体磁器組
成物を主成分とした１００重量部に対して、副成分とし
てニオブ酸化物をＮｂ2Ｏ5に換算して、０．３重量部以
下（ただし０重量部を除く）の範囲で含有させた誘電体
磁器組成物。 - 【請求項４】 請求項１または２に記載の誘電体磁器組
成物を主成分とした１００重量部に対して、副成分とし
てＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉから選ばれる一種以上の酸化
物をＣｒ2Ｏ3，ＭｎＯ2，Ｆｅ2Ｏ3，ＮｉＯに換算して
０．３重量部以下（ただし０重量部を除く）の範囲で含
有させた誘電体磁器組成物。 - 【請求項５】 請求項１または２に記載の誘電体磁器組
成物を主成分とした１００重量部に対して、副成分とし
てＡｌ2Ｏ3に換算して０．３重量部以下（ただし０重量
部を除く）の範囲で含有させた誘電体磁器組成物。 - 【請求項６】 請求項１または２に記載の誘電体磁器組
成物を主成分とした１００重量部に対し含まれる不純物
として、ＮａをＮａ2Ｏに換算して０．０３重量部以下
の範囲の含有量とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項７】 請求項１または２に記載の誘電体磁器組
成物を主成分とした１００重量部に対し含まれる不純物
として、ＫをＫ2Ｏに換算して０．０３重量部以下の範
囲の含有量とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項８】 請求項１，２，３，４及び５のうちいず
れか一つに記載の誘電体磁器組成物をＭｇＴｉ2Ｏ5，Ｃ
ｏＴｉ2Ｏ5或いは（ＭｇＣｏ）Ｔｉ2Ｏ5を出発原料とし
て製造する誘電体磁器組成物の製造方法。 - 【請求項９】 請求項１，２，３，４及び５のうちいず
れか一つに記載の誘電体磁器組成物を使用した誘電体共
振器。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の誘電体共振器によっ
て構成された誘電体フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31426098A JP3598851B2 (ja) | 1998-11-05 | 1998-11-05 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法とそれを用いた誘電体共振器と誘電体フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31426098A JP3598851B2 (ja) | 1998-11-05 | 1998-11-05 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法とそれを用いた誘電体共振器と誘電体フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000143336A true JP2000143336A (ja) | 2000-05-23 |
| JP3598851B2 JP3598851B2 (ja) | 2004-12-08 |
Family
ID=18051218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31426098A Expired - Fee Related JP3598851B2 (ja) | 1998-11-05 | 1998-11-05 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法とそれを用いた誘電体共振器と誘電体フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3598851B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010061842A1 (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-03 | 宇部興産株式会社 | 高周波用誘電体磁器組成物及びその製造方法、高周波用誘電体磁器並びにその製造方法およびそれを用いた高周波回路素子 |
| JP2011162418A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Ube Industries Ltd | 高周波用誘電体磁器並びにその製造方法およびそれを用いた高周波回路素子 |
| JP2018036920A (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 学校法人早稲田大学 | 視野外障害物検知システム |
| CN111747745A (zh) * | 2020-05-20 | 2020-10-09 | 四会市康荣新材料有限公司 | 一种5g滤波器用介质粉体及其制备方法 |
| CN114736012A (zh) * | 2022-05-10 | 2022-07-12 | 武汉纺织大学 | 具有超高q值的低介微波介质陶瓷及其ltcc材料 |
-
1998
- 1998-11-05 JP JP31426098A patent/JP3598851B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010061842A1 (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-03 | 宇部興産株式会社 | 高周波用誘電体磁器組成物及びその製造方法、高周波用誘電体磁器並びにその製造方法およびそれを用いた高周波回路素子 |
| JPWO2010061842A1 (ja) * | 2008-11-25 | 2012-04-26 | 宇部興産株式会社 | 高周波用誘電体磁器組成物及びその製造方法、高周波用誘電体磁器並びにその製造方法およびそれを用いた高周波回路素子 |
| US8765621B2 (en) | 2008-11-25 | 2014-07-01 | Ube Industries, Ltd. | Dielectric ceramic composition for high-frequency use and method for producing the same, as well as dielectric ceramic for high-frequency use and method for producing the same and high-frequency circuit element using the same |
| JP5582406B2 (ja) * | 2008-11-25 | 2014-09-03 | 宇部興産株式会社 | 高周波用誘電体磁器組成物及びその製造方法、高周波用誘電体磁器並びにその製造方法およびそれを用いた高周波回路素子 |
| JP2011162418A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Ube Industries Ltd | 高周波用誘電体磁器並びにその製造方法およびそれを用いた高周波回路素子 |
| JP2018036920A (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 学校法人早稲田大学 | 視野外障害物検知システム |
| CN111747745A (zh) * | 2020-05-20 | 2020-10-09 | 四会市康荣新材料有限公司 | 一种5g滤波器用介质粉体及其制备方法 |
| CN114736012A (zh) * | 2022-05-10 | 2022-07-12 | 武汉纺织大学 | 具有超高q值的低介微波介质陶瓷及其ltcc材料 |
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|---|---|
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