JP2005075708A

JP2005075708A - 高周波用誘電体磁器組成物、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信機装置

Info

Publication number: JP2005075708A
Application number: JP2003311608A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Tachikawa; 勉立川
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2003-09-03
Filing date: 2003-09-03
Publication date: 2005-03-24

Abstract

【課題】高い比誘電率ε_rと高いＱ値を有し、共振周波数の温度係数τ_fが０ｐｐｍ／℃を中心に任意に制御でき、また工業的に安価である高周波用誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】組成式：Ｂａ｛（Ｓｎ_aＺｒ_1-a）_x（Ｚｎ_bＭｇ_1-b）_y（Ｎｂ_cＴａ_1-c）_z｝_vＯ_w（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１、ｗは磁器としての電気的中性を保つのに必要な正の数）で表わされ、｛（Ｓｎ_aＺｒ_1-a）_x（Ｚｎ_bＭｇ_1-b）_y（Ｎｂ_cＴａ_1-c）_z｝の組成比を表わす３成分組成図において、（ｘ、ｙ、ｚ）がＡ（０．０５０、０．３００、０．６５０）、Ｂ（０．４００、０．１９０、０．４１０）、Ｃ（０．４００、０．２１０、０．３９０）、Ｄ（０．０５０、０．３３０、０．６２０）を結ぶ多角形Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄで囲まれた範囲内にあり、かつａ、ｂ、ｃ、およびｖが、０．５≦ａ≦１．０、０．２≦ｂ≦１．０、０．３≦ｃ＜１．０、０．９８≦ｖ≦１．０３の範囲内にある。
【選択図】図１

Description

この発明は、マイクロ波やミリ波等の高周波領域において利用される高周波用誘電体磁器組成物、ならびにそれを用いて構成される誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信機装置に関する。

マイクロ波やミリ波等の高周波領域において、誘電体共振器や回路基板等を構成する材料として、誘電体磁器が広く利用されている。

このような高周波用誘電体磁器が、特に誘電体共振器や誘電体フィルタ等の用途に向けられる場合、要求される誘電特性としては、（１）誘電体中では電磁波の波長が１／（ε_r）^1/2に短縮されるので、小型化の要求への対応として比誘電率ε_rが高いこと、（２）誘電損失が小さい、すなわちＱ値が高いこと、（３）共振周波数の温度安定性が優れている、すなわち共振周波数の温度係数τ_fが０ｐｐｍ／℃付近であること等が挙げられる。

ここで、共振周波数の温度係数τ_f［ｐｐｍ／℃］は、２５℃における共振周波数ｆ₂₅と、５５℃における共振周波数ｆ₅₅の値とを用いて、共振周波数温度曲線を直線近似したときの傾き（１次微係数）を表わすものであり、τ_f＝（ｆ₅₅−ｆ₂₅）／（ｆ₂₅・（５５−２５））×１０⁶の式によって求められる。

従来、上述したような要求を満たし得る高周波用誘電体磁器組成物として、例えば（Ｚｒ、Ｓｎ）ＴｉＯ₄系（特許文献１参照）、Ｂａ₂Ｔｉ₉Ｏ₂₀系（特許文献２参照）、Ｂａ（Ｓｎ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｔａ）Ｏ₃系（特許文献３参照）、Ｂａ（Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｔａ）Ｏ₃系（特許文献４参照）、Ｂａ（Ｚｒ、Ｍｇ、Ｔａ）Ｏ₃系（特許文献５参照）等の磁器組成物が、既に多数提案されている。
特公平４−５９２６７号公報特開昭６１−１０８０６号公報特公平６−７４１６２号公報特公平７−２１９７０号公報特許第２９６５４１７号公報

近年、電子機器の低損失化、かつ小型化の要求が高まり、誘電体共振器や誘電体フィルタ等の用途に向けられる高周波用誘電体磁器に要求される誘電特性に関して、より優れたものが必要とされるようになっている。特に、高周波領域で使用しても、高い比誘電率ε_rと高いＱ値を併せ持つ、安価な材料に対する要求が高まってきている。

しかしながら、前記特許文献１および２に記載された組成系を有する誘電体磁器にあっては、比誘電率ε_rは３６〜４０と高いものの、Ｑ×ｆ値が５０、０００〜７０、０００ＧＨｚと比較的小さく、１０ＧＨｚを超えるような高周波領域で使用するにはＱ値が不足する。他方、前記特許文献３から５に記載された組成系を有する誘電体磁器にあっては、比誘電率ε_rは２０〜３０と比較的高く、Ｑ×ｆ値も１００、０００〜２５０、０００ＧＨｚと高いが、高価なＴａを主成分とする組成物であるために、工業的に安価に製品を供給するには問題があった。

そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る、すなわち１０ＧＨｚを超えるような高周波領域で使用しても、高い比誘電率ε_rと高いＱ値を有し、また共振周波数の温度係数τ_fが０ｐｐｍ／℃を中心に任意に制御できるばかりでなく、工業的に安価であるといった要求を同時に満たし得る、高周波用誘電体磁器組成物を提供しようとすることである。

上述した技術的課題を解決するため、この発明の高周波用誘電体磁器組成物は、組成式：Ｂａ｛（Ｓｎ_aＺｒ_1-a）_x（Ｚｎ_bＭｇ_1-b）_y（Ｎｂ_cＴａ_1-c）_z｝_vＯ_w（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、ｗは磁器としての電気的中性を保つのに必要な正の数）で表わされ、｛（Ｓｎ_aＺｒ_1-a）_x（Ｚｎ_bＭｇ_1-b）_y（Ｎｂ_cＴａ_1-c）_z｝の組成比を表わす３成分組成図において、（ｘ、ｙ、ｚ）がＡ（０．０５０、０．３００、０．６５０）、Ｂ（０．４００、０．１９０、０．４１０）、Ｃ（０．４００、０．２１０、０．３９０）、Ｄ（０．０５０、０．３３０、０．６２０）の各組成点を頂点とする多角形Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄで囲まれた範囲内にあり、かつａ、ｂ、ｃ、およびｖが、０．５≦ａ≦１．０、０．２≦ｂ≦１．０、０．３≦ｃ＜１．０、０．９８≦ｖ≦１．０３の範囲内にある。

また、前記（ｘ、ｙ、ｚ）がＡ’（０．２００、０．２５３、０．５４７）、Ｂ（０．４００、０．１９０、０．４１０）、Ｃ（０．４００、０．２１０、０．３９０）、Ｄ’（０．２００、０．２７９、０．５２１）の各組成点を頂点とする多角形Ａ'、Ｂ、Ｃ、Ｄ’で囲まれた範囲内（ただし、線分Ａ’Ｄ’上を除く）にあることが好ましい。

さらに、前記ｖが１．００＜ｖ≦１．０２の範囲内にあることが好ましい。

また、この発明の誘電体共振器は、誘電体磁器が入出力端子に電磁界結合して作動するものである誘電体共振器であって、前記誘電体磁器は、上述したこの発明の高周波用誘電体磁器組成物からなる。

また、この発明の誘電体フィルタは、上述した誘電体共振器と、この誘電体共振器の入出力端子に接続される外部結合手段とを備える。

また、この発明の誘電体デュプレクサは、少なくとも２つの誘電体フィルタと、前記誘電体フィルタのそれぞれに接続される入出力接続手段と、前記誘電体フィルタに共通に接続されるアンテナ接続手段とを備える誘電体デュプレクサであって、前記誘電体フィルタの少なくとも１つが、上述したこの発明に係る誘電体フィルタである。

さらに、この発明の通信機装置は、上述の誘電体デュプレクサと、この誘電体デュプレクサの少なくとも１つの入出力接続手段に接続される送信用回路と、この送信用回路に接続される上述の入出力手段とは異なる、少なくとも１つの入出力接続手段に接続される受信用回路と、前記誘電体デュプレクサのアンテナ接続手段に接続されるアンテナとを備える。

この発明によれば、組成式：Ｂａ｛（Ｓｎ_aＺｒ_1-a）_x（Ｚｎ_bＭｇ_1-b）_y（Ｎｂ_cＴａ_1-c）_z｝_vＯ_w（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、ｗは磁器としての電気的中性を保つのに必要な正の数）で表わされ、｛（Ｓｎ_aＺｒ_1-a）_x（Ｚｎ_bＭｇ_1-b）_y（Ｎｂ_cＴａ_1-c）_z｝の組成比を表わす３成分組成図において、（ｘ、ｙ、ｚ）がＡ（０．０５０、０．３００、０．６５０）、Ｂ（０．４００、０．１９０、０．４１０）、Ｃ（０．４００、０．２１０、０．３９０）、Ｄ（０．０５０、０．３３０、０．６２０）の各組成点を頂点とする多角形Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄで囲まれた範囲内にあり、かつａ、ｂ、ｃ、およびｖが、０．５≦ａ≦１．０、０．２≦ｂ≦１．０、０．３≦ｃ＜１．０、０．９８≦ｖ≦１．０３の範囲内にあるようにしているので、比誘電率ε_rが２６以上であって、Ｑ×ｆ値で１００、０００ＧＨｚ以上の高いＱ値を示し、また共振周波数の温度係数τ_fが０ｐｐｍ／℃を中心に任意に制御できるばかりでなく、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｍｇ、およびＮｂの含有量を増やすことで、高価なＴａの含有量を低減することができ、工業的に安価な高周波用誘電体磁器組成物を得ることができる。

そして、この発明の誘電体磁器組成物において、前記（ｘ、ｙ、ｚ）がＡ’（０．２００、０．２５３、０．５４７）、Ｂ（０．４００、０．１９０、０．４１０）、Ｃ（０．４００、０．２１０、０．３９０）、Ｄ’（０．２００、０．２７９、０．５２１）の各組成点を頂点とする多角形Ａ'、Ｂ、Ｃ、Ｄ’で囲まれた範囲内（ただし、線分Ａ’Ｄ’上を除く）にあるようにすることにより、Ｑ値をさらに高くすることができる。

また、この発明の誘電体磁器組成物において、前記ｖが１．００＜ｖ≦１．０２の範囲内にあるようにすることにより、Ｑ値をさらに高くすることができる。

したがって、例えば基地局、携帯電話、パーソナル無線機、衛星放送受信機等に搭載される誘電体共振器を小型化し、誘電損失を小さいものとし、また共振周波数の温度安定性を優れたものとすることができる。その結果、このような誘電体共振器を用いれば、小型化され、かつ優れた特性を有する誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信機装置を有利に構成することができる。

まず、この発明の高周波用誘電体磁器組成物が適用される誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信機装置について説明する。

図２は、この発明の高周波用誘電体磁器組成物を用いて構成される誘電体共振器１の基本的構造を図解的に示す断面図である。

図２を参照して、誘電体共振器１は、金属ケース２を備え、金属ケース２内の空間には、支持台３によって支持された柱状の誘電体磁器４が配置されている。そして、同軸ケーブル７の中心導体と外導体との間に結合ループ５を形成して入力端子とする。また、同軸ケーブル８の中心導体と外導体との間に結合ループ６を形成して出力端子とする。それぞれの端子は、外導体と金属ケース２とが電気的に接合された状態で、金属ケース２によって保持されている。

誘電体磁器４は、入力端子および出力端子に電磁界結合して作動するもので、入力端子から入力された所定の周波数の信号だけが出力端子から出力される。

このような誘電体共振器１に備える誘電体磁器４が、この発明の高周波用誘電体磁器組成物から構成される。

なお、図２に示した誘電体共振器１は、基地局等で用いられるＴＥ０１δモード共振器であるが、この発明の高周波用誘電体磁器組成物は、他のＴＥモード、ＴＭモード、およびＴＥＭモードなどを利用する誘電体共振器にも同様に適用することができる。

図３は、上述した誘電体共振器１を用いて構成される通信機装置の一例を示すブロック図である。

図３に示した通信機装置１０は、誘電体デュプレクサ１２、送信用回路１４、受信用回路１６およびアンテナ１８を含む。

送信用回路１４は、誘電体デュプレクサ１２の入力接続手段２０に接続され、受信用回路１６は、誘電体デュプレクサ１２の出力接続手段２２に接続される。

また、アンテナ１８は、誘電体デュプレクサ１２のアンテナ接続手段２４に接続される。

この誘電体デュプレクサ１２は、２つの誘電体フィルタ２６、２８を含む。誘電体フィルタ２６、２８は、この発明の誘電体共振器に外部結合手段を接続して構成されるものである。図示の実施形態では、例えば図２に示した誘電体共振器１の入出力端子にそれぞれ外部結合手段３０を接続して、誘電体フィルタ２６および２８のそれぞれが構成される。そして、一方の誘電体フィルタ２６は、入力接続手段２０と他方の誘電体フィルタ２８との間に接続され、他方の誘電体フィルタ２８は、一方の誘電体フィルタ２６と出力接続手段２２との間に接続される。

次に、図２に示した誘電体共振器１に備える誘電体磁器４のように、高周波領域において有利に用いられる、この発明の高周波用誘電体磁器組成物について説明する。

この発明の高周波用誘電体磁器組成物は、組成式：Ｂａ｛（Ｓｎ_aＺｒ_1-a）_x（Ｚｎ_bＭｇ_1-b）_y（Ｎｂ_cＴａ_1-c）_z｝_vＯ_w（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、ｗは磁器としての電気的中性を保つのに必要な正の数）で表わされる組成を有している。ここで上記組成式における（ｘ、ｙ、ｚ）は、｛（Ｓｎ_aＺｒ_1-a）_x（Ｚｎ_bＭｇ_1-b）_y（Ｎｂ_cＴａ_1-c）_z｝の組成比を表わす３成分組成図において、Ａ（０．０５０、０．３００、０．６５０）、Ｂ（０．４００、０．１９０、０．４１０）、Ｃ（０．４００、０．２１０、０．３９０）、Ｄ（０．０５０、０．３３０、０．６２０）の各組成点を頂点とする多角形Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄで囲まれた範囲内にあり、かつａ、ｂ、ｃ、およびｖが、０．５≦ａ≦１．０、０．２≦ｂ≦１．０、０．３≦ｃ＜１．０、０．９８≦ｖ≦１．０３の範囲内にあるように選ばれる。

そして、この発明の高周波用誘電体磁器組成物は、Ｑ値をさらに高くするため、前記（ｘ、ｙ、ｚ）がＡ’（０．２００、０．２５３、０．５４７）、Ｂ（０．４００、０．１９０、０．４１０）、Ｃ（０．４００、０．２１０、０．３９０）、Ｄ’（０．２００、０．２７９、０．５２１）の各組成点を頂点とする多角形Ａ'、Ｂ、Ｃ、Ｄ’で囲まれた範囲内（ただし、線分Ａ’Ｄ’上を除く）にあるように選ばれる。

さらに、この発明の高周波用誘電体磁器組成物は、Ｑ値をさらに高くするため、前記ｖが１．００＜ｖ≦１．０２の範囲内にあるように選ばれる。

この発明において、上述のような特定的な組成を選んだ根拠となる実験例について、以下に説明する。

出発原料として、高純度の炭酸バリウム（ＢａＣＯ₃）、酸化スズ（ＳｎＯ₂）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ₃）、酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）、および酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）の各粉末を準備した。

次に、表１に示すｘ、ｙ、ｚ、ａ、ｂ、ｃ、およびｖにそれぞれ選ばれた、組成式：Ｂａ｛（Ｓｎ_aＺｒ_1-a）_x（Ｚｎ_bＭｇ_1-b）_y（Ｎｂ_cＴａ_1-c）_z｝_vＯ_wで表わされる組成が得られるように、前記の各出発原料粉末を調合した。

次に、この調合粉末を、ボールミルを用いて１６時間湿式混合し、均一に分散させた後、脱水および乾燥処理を施して調整粉末を得た。

次に、この調整粉末を、１１００〜１３００℃の温度で３時間仮焼し、得られた仮焼粉末に適量のバインダを加えて、再びボールミルを用いて１６時間湿式粉砕することにより、焼成用粉末を得た。

そして、この焼成用粉末を、１．４７×１０²〜２．４５×１０²ＭＰａの圧力で円板状にプレス成形した後、１５００〜１５５０℃の温度で４〜１０時間、大気中において焼成し、直径８．５ｍｍ、厚さ４．２ｍｍの円板状の焼結体を得た。

得られた各試料に係る焼結体について、測定周波数ｆが１０〜１１ＧＨｚにおける比誘電率ε_rとＱ値を、ＴＥ０１１モードによる両端短絡型誘電体共振器法にて測定し、Ｑ×ｆ値に換算した。また、ＴＥ０１δモードによるキャビティ法にて共振周波数を測定し、２５〜５５℃の温度範囲での共振周波数の温度係数τ_fを測定した。

以上の比誘電率ε_r、Ｑ×ｆ値、およびτ_fが、表１、および表２に示されている。

表１、および表２において、試料番号に＊を付したものは、この発明の範囲外の試料である。

表１、および表２に示すように、この発明の範囲内にある試料２〜７、１０〜１４、１６〜２０、２４、２９、３１〜３６、３８〜４４、４６、４７、４９、５１〜５６、および５８〜６０に係る誘電体磁器組成物によれば、ε_rを２６〜３２と大きく、Ｑ値をＱ×ｆ値で１００、０００（ＧＨｚ）以上と高く、τ_fを０ｐｐｍ／℃を中心に任意に変化させることができ、優れたマイクロ波誘電特性を得ることができるばかりでなく、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｍｇ、およびＮｂの含有量を増やすことで、高価なＴａの含有量を低減することができ、工業的に安価に製品を供給することができる。

特に、ａ、ｂ、およびｃが同一組成比である試料６、１２、１４、１８、３８、５２および５９の比較から分かるように、前記（ｘ、ｙ、ｚ）はＡ’（０．２００、０．２５３、０．５４７）、Ｂ（０．４００、０．１９０、０．４１０）、Ｃ（０．４００、０．２１０、０．３９０）、Ｄ’（０．２００、０．２７９、０．５２１）の各組成点を頂点とする多角形Ａ'、Ｂ、Ｃ、Ｄ’で囲まれた範囲内（ただし、線分Ａ’Ｄ’上を除く）にあるようにすることにより、Ｑ×ｆ値をさらに高くすることができる。

また、ｘ、ｙ、ｚ、ａ、ｂ、およびｃが同一組成比である試料３１〜３６の比較から分かるように、前記ｖが１．００＜ｖ≦１．０２の範囲内にあるようにすることにより、Ｑ×ｆ値をさらに高くすることができる。

これらに対して、この発明の範囲外にある試料について考察する。

まず、図１に示した３成分組成図において、多角形Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの頂点Ａ、およびＤを結ぶ線分ＡＤの外側、すなわちｘ＜０．０５０の場合は、試料１に示すように、Ｑ×ｆ値が１００、０００ＧＨｚ未満となる。他方、頂点Ｂ、およびＣを結ぶ線分ＢＣの外側、すなわちｘ＞０．４００の場合は、試料６１に示すように、Ｑ×ｆ値が１００、０００ＧＨｚ未満となる。

次に、頂点Ａ、およびＢを結ぶ線分ＡＢの外側では、試料９、および４８に示すように、焼結が不安定となる。

次に、頂点Ｃ、およびＤを結ぶ線分ＣＤの外側では、試料１５、および５７に示すように、Ｑ×ｆ値が１００、０００ＧＨｚ未満となる。

次に、ａ＜０．５の場合は、試料８、および２１〜２３に示すように、τ_fの絶対値が２０ｐｐｍ／℃を超える。

次に、ｂ＜０．２の場合は、試料２６、および５０に示すように、ε_rが２６未満となる。

次に、ｃ＜０．３の場合は、試料２７、および２８に示すように、焼結が不安定になったり、Ｑ×ｆ値が１００、０００ＧＨｚ未満となる。他方、ｃ＝１の場合は、試料２２、２３、２５、および４５に示すように、Ｑ×ｆ値が１００、０００ＧＨｚ未満となる。

次に、ｖ＜０．９８の場合は、試料３０に示すように、Ｑ×ｆ値が１００、０００ＧＨｚ未満となる。他方、ｖ＞１．０３の場合は、試料３７に示すように、Ｑ×ｆ値が１００、０００ＧＨｚ未満となる。

なお、この発明の高周波用誘電体磁器組成物は、この発明の目的を損なわない範囲で、わずかな不純物を含有していてもよい。例えば、ＮｉＯ，Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｃｒ₂Ｏ₃、Ｂ₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＭｎＯ₂、Ｓｂ₂Ｏ₅、ＷＯ₃等を０．０１〜０．５０重量％程度含有していても、誘電体磁器の特性が大きく影響されることはない。

この発明の高周波用誘電体磁器組成物における、｛（Ｓｎ_aＺｒ_1-a）_x（Ｚｎ_bＭｇ_1-b）_y（Ｎｂ_cＴａ_1-c）_z｝で表わされる組成を規定するｘ、ｙ、およびｚの範囲を示す３成分組成図である。この発明の高周波用誘電体磁器組成物を用いて構成される誘電体共振器１の基本的構造を図解的に示す断面図である。図２に示した誘電体共振器１を用いて構成される通信機装置の一例を示すブロック図である。

符号の説明

１誘電体共振器
２金属ケース
３支持台
４誘電体磁器
５、６結合ループ
７、８同軸ケーブル
１０通信機装置
１２誘電体デュプレクサ
１４送信用回路
１６受信用回路
１８アンテナ
２０入力接続手段
２２出力接続手段
２４アンテナ接続手段
２６、２８誘電体フィルタ
３０外部結合手段

Claims

組成式：Ｂａ｛（Ｓｎ_aＺｒ_1-a）_x（Ｚｎ_bＭｇ_1-b）_y（Ｎｂ_cＴａ_1-c）_z｝_vＯ_w（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、ｗは磁器としての電気的中性を保つのに必要な正の数）で表わされ、｛（Ｓｎ_aＺｒ_1-a）_x（Ｚｎ_bＭｇ_1-b）_y（Ｎｂ_cＴａ_1-c）_z｝の組成比を表わす３成分組成図において、（ｘ、ｙ、ｚ）がＡ（０．０５０、０．３００、０．６５０）、Ｂ（０．４００、０．１９０、０．４１０）、Ｃ（０．４００、０．２１０、０．３９０）、Ｄ（０．０５０、０．３３０、０．６２０）の各組成点を頂点とする多角形Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄで囲まれた範囲内にあり、かつａ、ｂ、ｃ、およびｖが、
０．５≦ａ≦１．０、
０．２≦ｂ≦１．０、
０．３≦ｃ＜１．０、
０．９８≦ｖ≦１．０３
の範囲内にある、高周波用誘電体磁器組成物。
前記（ｘ、ｙ、ｚ）がＡ’（０．２００、０．２５３、０．５４７）、Ｂ（０．４００、０．１９０、０．４１０）、Ｃ（０．４００、０．２１０、０．３９０）、Ｄ’（０．２００、０．２７９、０．５２１）の各組成点を頂点とする多角形Ａ'、Ｂ、Ｃ、Ｄ’で囲まれた範囲内（ただし、線分Ａ’Ｄ’上を除く）にある、請求項１に記載の高周波用誘電体磁器組成物。
前記ｖが１．００＜ｖ≦１．０２の範囲内にある、請求項１または２に記載の高周波用誘電体磁器組成物。
誘電体磁器が入出力端子に電磁界結合して作動するものである誘電体共振器であって、前記誘電体磁器は、請求項１から３のうちのいずれか１つに記載の高周波用誘電体磁器組成物からなる、誘電体共振器。
請求項４に記載の誘電体共振器と、前記誘電体共振器の入出力端子に接続される外部結合手段とを備える、誘電体フィルタ。
少なくとも２つの誘電体フィルタと、前記誘電体フィルタのそれぞれに接続される入出力接続手段と、前記誘電体フィルタに共通に接続されるアンテナ接続手段とを備える誘電体デュプレクサであって、前記誘電体フィルタの少なくとも１つが請求項５に記載の誘電体フィルタである、誘電体デュプレクサ。
請求項６に記載の誘電体デュプレクサと、前記誘電体デュプレクサの少なくとも１つの入出力接続手段に接続される送信用回路と、前記送信用回路に接続される前記入出力手段とは異なる少なくとも１つの入出力接続手段に接続される受信用回路と、前記誘電体デュプレクサのアンテナ接続手段に接続されるアンテナとを備える、通信機装置。