JPWO2010050514A1 - 誘電体セラミックス、およびその誘電体セラミックスを用いた共振器 - Google Patents

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Abstract

誘電体セラミックスは、イットリウム、マンガンおよびアルミニウムを含有し、組成式をαBaO・βNd2O3・γTiO2と表したとき、モル比α,β,γが、14≦α≦21、4≦β≦21、65≦γ≦75を満足する。なお、この場合、式α+β+γ=100が成り立つ。【選択図】 図1

Description

本発明は、誘電体セラミックス、およびその誘電体セラミックスを用いた共振器に関する。
近年の携帯電話、又はパソコン等のモバイル通信市場の急速な技術の進展に伴い、それらの製品に使用される部品および材料に要求される特性も益々厳しくなってきている。一般に、コンデンサーなどに使用される誘電体材料は、高い誘電率が要求される。さらに、かかる誘電体材料は、誘電損失が小さく、且つ温度係数が良好であるなど諸条件を同時に満足する必要がある。最近では、使用機能の多様化により使用周波数もより高周波帯へシフトし、特に高周波領域(800MHz〜2GHz)での誘電特性が要求されるようになっている。
例えば比誘電率が60以上を示す誘電体セラミックスとして、BaO−Nd−TiO系の誘電体セラミックスが知られている。
しかし、これまでに知られているBaO−Nd−TiO系誘電体セラミックスでは、必要とされる比誘電率(εr)、誘電損失の逆数で表される品質係数(Q値)、および温度特性(τf)が得られていなかった。
よって、60以上の比誘電率を維持しつつ、高い品質係数(Q値)と0に近い安定した温度特性(τf)の得られるBaO−Nd−TiO系誘電体セラミックスが求められている。
本発明の一形態に係るBaO−Nd−TiO系誘電体セラミックスは、下記組成式の酸化物を有し、イットリウム、マンガンおよびアルミニウムを含有する。
αBaO・βNd・γTiO
(ただし、14≦α≦21,4≦β≦21,65≦γ≦75,α+β+γ=100)
また、本発明の一形態に係る共振器は、前記誘電体セラミックスを誘電体材料として用いている。
前記誘電体セラミックス、およびその誘電体セラミックスを用いた共振器によれば、高い比誘電率、および高い品質係数(Q値)が得られ、かつ温度依存性を安定化させることが可能となる。
本発明の一形態に係る共振器の一例を模式的に示す一部断面図である。
本発明の実施形態の詳細について以下に説明する。本実施形態の誘電体セラミックスは、αBaO・βNd・γTiO(ただし、14≦α≦21,4≦β≦21,65≦γ≦75,α+β+γ=100)の組成式で表される酸化物を有し、イットリウム,マンガンおよびアルミニウムを含有することを特徴とする。
ここで、本実施形態の誘電体セラミックスにおいて、各成分のモル比α,β,γを上記の範囲に限定した理由は以下の通りである。14≦α≦21としたのは、比誘電率(εr)が大きく、品質係数(Q値)が高く、共振周波数の温度係数(τf)の絶対値が小さくなるからである。特に、αの下限は15が好ましく、αの上限は19が好ましい。ここで、共振周波数の温度係数(τf)とは、共振周波数の温度に対する変化を示す。共振周波数の温度係数(τf)の絶対値が小さい場合には、誘電体セラミックスの温度依存性が小さく、温度差が激しい環境においても特性が安定している。
また、4≦β≦21としたのは、比誘電率(εr)が大きく、品質係数(Q値)が高く、τfの絶対値が小さくなるからである。特に、βの下限は11が好ましく、βの上限は15が好ましい。
さらに、65≦γ≦75としたのは、比誘電率(εr)が大きく、品質係数(Q値)が高く、τfの絶対値が小さくなるからである。特に、γの下限は68が好ましく、γの上限は72が好ましい。
また、本実施形態の誘電体セラミックスは、上記組成比率の範囲内にするとともに、イットリウムを酸化物換算で3質量%以上9質量%以下含有し、マンガンを酸化物換算で0.5質量%以下(0質量%を除く)含有し、かつアルミニウムを酸化物換算で0.25質量%以上1質量%以下含有することが好ましい。
ここで、本実施形態の誘電体セラミックスに含まれるイットリウムが、酸化物換算で3質量%以上9質量%以下である場合、誘電体セラミックスの比誘電率および共振周波数の温度依存性を改善することが可能である。
また、誘電体セラミックに含まれるマンガンが、酸化物換算で0.5質量%以下(0質量%を除く)である場合、マンガンの酸化物(MnO,MnO等)の価数変化に伴って生じる酸素が、誘電体セラミックス内の酸素欠陥に十分に供給される。その結果、誘電体セラミックス内の酸素欠陥の発生が主な要因となって生じる比誘電率の低下および共振周波数の温度依存性の上昇を抑制することができる。
なお、誘電体セラミックスに含まれるマンガンが、酸化物換算で0.5質量%以下である場合、マンガン酸化物は、不純物として作用することが抑制され、誘電体セラミックス内の格子欠陥に酸素を供給する役割を十分に果たすことができる。よって、マンガン酸化物が不純物として作用してしまい、Ba−Nd−Ti系材料の結晶構造自体に悪影響を及ぼすことを抑制することができる。その結果、誘電体セラミックスの機械的特性の低下、比誘電率の低下、および共振周波数の温度依存性の上昇等の不具合が生じることを抑制することができる。
さらに、誘電体セラミックスに含まれるアルミニウムが、酸化物換算で0.25質量%以上1質量%以下である場合、その誘電体セラミックスは、0により近い温度係数(τf)を有し、共振周波数の温度依存性をより安定化させることができる。なお、誘電体セラミックスにおけるアルミニウムの含有量が、0.25質量%以上および1質量%以下の場合、温度係数(τf)はより安定する。
また、本実施形態の誘電体セラミックスは、Ba4.5NdTi1854の結晶を有することが好ましい。Ba4.5NdTi1854の結晶は安定した誘電特性を示すため、この結晶を含む誘電体セラミックスは、所望の60以上の比誘電率(τf)、高い品質係数(Q値)、0に近い温度係数(τf)を同時に満たすことが可能となる。
また、Ba4.5NdTi1854の結晶は、X線回折チャートからリートベルト法によって算出される格子定数のaが22.29以上22.32以下、bが7.66以上7.69以下、cが12.14以上12.17以下であることが好ましい。これにより、本実施形態の誘電体セラミックスに含まれるBa4.5NdTi1854結晶の構造が最適化され、誘電特性、特に品質係数(Q値)の値が向上する。
なお、リートベルト法とは、物質のX線回折パターンを用いて結晶の構造パラメータを精密化する方法である。格子定数は、この構造パラメータの1つである。リートベルト法によって構造パラメータを算出する場合、結晶の構造モデルを使って回折強度を計算し、その計算された回折強度と実際にX線回折によって測定された回折強度とができるだけ一致するように構造モデルの構造パラメータを設定することにより、結晶の構造モデルを精密化する。リートベルト法によって算出された格子定数とは、この精密化された構造モデルの格子定数である。
例えば、酸化チタン(TiO)の格子定数の精密化を行おうとすれば、まず試料としてTiOの粉末を準備し、これを十分に粉砕した後、市販のX線回折装置を用いてX線回折測定を実施する。そして、TiOのX線回折パターン(実測値)を得た後、リートベルト解析プログラムを用いてパターン解析を実施する。解析では原子座標とともに格子定数が精密化されるため、装置誤差を極小化するために標準試料を用いてX線回折測定ピーク位置の補正を行う必要がある。また、計算による精密化には初期情報として複数の実測値が必要であり、この情報をもとにした最小自乗法により原子座標が精密化される。なお、TiOの格子定数等の結晶構造データ(結晶の構造モデルに関するデータ)は、JCPDS(Joint Committee for Pow−der Diffraction Standards)カードに基づく。JCPDSカードは国際回折データセンターICDDにより編集、および刊行されている。なお、Ba4.5NdTi1854の一般的な格子定数はa=22.3479,b=7.6955,c=12.2021である。
また、本実施形態の誘電体セラミックスにおいては、X線回折チャートの2θ=28.2°付近(28.2°±0.1°)のBa1.23Al2.46Ti5.516結晶の最大ピークをIとし、2θ=31.6°付近(31.6°±0.1°)のBa4.5NdTi1854結晶の最大ピークのピーク強度をIとしたとき、I/Iの値が0.04以下であることが好ましい。この誘電体セラミックスでは、Ba4.5NdTi1854結晶の割合が多いほど、より高く安定した誘電特性を得ることが可能である。すなわち、この誘電体セラミックスでは、Ba1.23Al2.46Ti5.516結晶が誘電特性を低下させる異相であるため、異相として存在するBa1.23Al2.46Ti5.516結晶の割合が少ない方がよい。このように、I/Iの値が0.04以下であれば、より高い、安定した誘電特性の得られる誘電体セラミックスとすることが可能となる。
なお、X線回折チャートは、例えばX線回折装置(BrukerAXS社製 ADVANCE)により、測定範囲2θ=10°〜90°およびCuKα測定の条件で測定することが可能である。また、結晶の判定は、誘電体セラミックスのX線回折チャートの2θ=28.2°付近(28.2°±0.1°)および2θ=31.6°付近(31.6°±0.1°)に存在するピークの角度2θの値が、Ba1.23Al2.46Ti5.516およびBa4.5NdTi1854のJCPDSカードに記載の回折角度と概略一致するかどうか、すなわち、上記JCPDSカードに記載の回折角度の値に対して±0.1°の範囲内に入るか否かにより判定する。
また、本実施形態の誘電体セラミックスは、ボイド率が4%以下であることが好ましい。本実施形態による誘電体セラミックスからなるセラミック体の表面および内部のボイド率が4%以下である場合、セラミック体の密度の低下を抑制し、そのセラミック体の機械的強度の低下を抑えることができる。また、セラミック体のボイド率が4%以下である場合、電気的特性の低下および電気的特性のばらつきを抑えることができる。これにより、セラミック体のハンドリング時、落下時、共振器内への取付け時、並びに各携帯電話基地局等への設置後にセラミック体にかかる衝撃等によって、セラミック体にカケ、割れ、又は破損等が生じることを抑制することができる。さらに、セラミック体のボイド率を3%以下とすると、機械的特性および電気的特性がより安定化する。
なお、ボイド率は、例えば100μm×100μmの範囲が観察できるように任意の倍率に調節した金属顕微鏡またはSEM等を用いて、セラミック体の表面および内部断面の数カ所を写真または画像として撮影し、この写真または画像を画像解析装置により解析することにより算出することができる。この解析では、例えば、上記写真又は画像を用いて数カ所のボイド率を算出し、これら算出されたボイド率の平均値を求めらことにより、セラミック体のボイド率を算出する。画像解析装置としては、例えばニレコ社製のLUZEX−FS等を用いればよい。
また、本実施形態の誘電体セラミックスは、不可避不純物として、Fe,Sr,Na,Ca,K,Si,Pb,Ni,CuまたはMgを酸化物換算で合計1質量%以下含んでいても良い。これにより、各種誘電特性の値が低下することが抑制され、焼結体としての機械的特性の低下が抑制される。なお、不可避不純物の量は、ICP(Inductively Coupled Plasma)発光分光分析装置(島津製作所製 ICPS−8100)によって測定することができる。具体的には、誘電体セラミックスの一部を粉砕し、得られた粉体を塩酸などの溶液に溶解した後、ICP発光分光分析装置を用いてFe,Sr,Na,Ca,K,Si,Pb,Ni,CuまたはMgの量を測定し酸化物換算することにより得られる。測定装置の誤差は分析値をnとするとn±√nである。
次に、本実施形態の誘電体セラミックスの製造方法について以下に詳細を説明する。
本実施形態の誘電体セラミックスの製造方法は、具体的には、例えば以下の工程(1)〜(5)を含む。
(1)出発原料として、純度99質量%以上の高純度の炭酸バリウム、酸化ネオジウム、酸化チタニウム、酸化イットリウムおよび酸化アルミニウムの各種類の粉末を準備する。そして、それぞれが所望の割合となるように各種類の粉末を秤量する。その後、これらの粉末に純水を加えて、各粉末の平均粒径が2.0μm以下となるまで1〜50時間、ジルコニアボール等を使用したボールミルにより混合及び粉砕を行い、混合物を得る。
(2)この混合物を乾燥後、大気雰囲気中1000〜1200℃で1〜10時間仮焼し、仮焼物を得る。
(3)得られた仮焼物を軽く解砕する。これに、平均粒径2μm以下の炭酸マンガン、有機バインダー、および水を加え、ジルコニアボールなどを使用したボールミルにより湿式混合および粉砕を行う。
(4)その後、公知の例えばスプレードライ法等により造粒または整粒し、得られた造粒体又は整粒粉体等を、公知の成形法、例えば金型プレス法、又は冷間静水圧プレス法等により任意の形状に成形する。なお、造粒体又は整粒粉体等の形態は、粉体等の固体のみならず、固体と液体との混合物、例えばスラリー等でもよい。この場合、溶媒は水以外の液体、例えばIPA(イソプロピルアルコール)、メタノ−ル、エタノ−ル、トルエンまたはアセトン等でもよい。
(5)得られた成形体を、大気雰囲気中1300℃〜1450℃で、1時間を超え10時間以内保持して焼成する。なお、焼成用棚板としては高純度ジルコニア製のものを用いることができる。また、この焼成棚板上に必要に応じて平均粒径10μm以下のジルコニア粉体を敷いても良い。得られた焼結体に対しては、所望の形状を得るために、必要に応じて研削加工を施してもよい。
次に、本実施形態の誘電体セラミックスを使用した誘電体共振器の一例について以下に説明する。図1に示すTEモ−ド型の誘電体共振器1は、金属ケース2、入力端子3、出力端子4、セラミック体5、および載置台6を有する。金属ケース2は、軽量なアルミニウム等の金属からなる。入力端子3および出力端子4は、金属ケース2の内壁の相対向する両側に設けられている。セラミック体5は、載置台6上で入出力端子3と出力端子4の間に配置され、フィルタとして用いられている。このような誘電体共振器1において、入力端子3からマイクロ波が入力されると、入力されたマイクロ波は、セラミック体5と自由空間との境界における反射によってセラミック体5内に閉じこめられ、特定の周波数で共振を起こす。そしてこの共振した信号が出力端子4と電磁界結合することにより、金属ケース2の外部に出力される。
また、図示しないが、本実施形態の誘電体セラミックスを、TEMモードを用いた同軸型共振器、ストリップ線路共振器、TMモードの誘電体磁器共振器、またはその他の共振器に適用してよいことは勿論である。さらには、入力端子3及び出力端子4をセラミック体5に直接設けてもよい。
また、セラミック体5は、本実施形態の誘電体セラミックスからなる所定形状の共振媒体である。セラミック体5の形状は、直方体、立方体、板状体、円板、円柱、多角柱、およびその他共振が可能な立体形状のいずれかであればよい。また、入力される高周波信号の周波数は、500MHz〜500GHz程度であり、共振周波数としては2GHz〜80GHz程度が実用上好ましい。
なお、本実施の形態による誘電体セラミックスは、アンテナ共用器にも使用することができる。
本実施の形態による誘電体セラミックスは、マイクロ波および/またはミリ波等を含む高周波領域において、高い比誘電率εr(真空の誘電率εとの比)および共振の先鋭度(品質係数)Q値を有する。よって、高周波領域(例えば500MHz〜500GHz)において使用される種々の共振器用材料、MIC(Monolithic IC)用誘電体基板材料、誘電体導波路用材料または積層型セラミックコンデンサーの誘電体材料等に使用することが可能である。この誘電体セラミックスを用いた共振器は、特に800MHz以上の周波数帯の携帯電話基地局フィルタ等に用いられる。
<実施例1>
本発明の誘電体セラミックスについて適正な組成を検討した。
まず、出発原料として、純度99.9質量%の各BaCO,Nd,TiO,Y,Alの粉末を準備した。そして、各組成に応じてそれぞれの種類の粉末を秤量し、秤量後の粉末を混合した。そして、その混合物に水を加えて粉砕を行った後、大気雰囲気中1100℃の温度で2時間仮焼を行った。さらに、この仮焼物に対しMnCO、並びに適量の有機バインダー及び水を加えたものをジルコニアボールで粉砕した後、噴霧乾燥により造粒した。さらに、この造粒された原料を1000kg/cmのプレス圧でプレスして成形を行い、12mmφ×10mmt(厚さ)の円板状の成形体を得た。
次に、この成形体を大気雰囲気中、1300〜1450℃の温度で、2時間焼成した。最後に、焼成により得られた焼結体を約9mmφ×6mmt(厚さ)の円板状になるように研磨して、試料No.1〜32とした。
次に、これらの試料の誘電特性を測定した。誘電特性は、誘電体円柱共振器法(国際規格IEC61338-1-3(1999))により、測定周波数800MHzで比誘電率εr,品質係数(Q値)、および共振周波数の温度係数τfをそれぞれ測定した。Q値は、マイクロ波誘電体において一般的に成立する(品質係数Q)×(測定周波数f)=一定の関係から、4GHzでの品質係数(Q値)に換算した。共振周波数の温度係数は、25℃における共振周波数を基準にして25〜85℃の温度係数(τf)を算出した。
Figure 2010050514
なお、表中の*印は、実施例とは異なる比較例の試料の各組成値およびその性能値を示したものである。
これらの結果によれば、αが13.5の場合(No.1)は、品質係数Qが6411であり低い値であった。また、αが21.5の場合(No.6)は、温度係数τfが20.6であり大きな正の値であった。また、αが21.5で、βが3.5の場合(No.7)は、温度係数τfが40.2であり大きな正の値であった。また、βが21.5の場合(No.13)は、品質係数Qが5947であり低い値であった。γが64.5の場合(No.14)は、温度係数τfが20.4であり大きな正の値であった。また、γが75.5の場合(No.18)は、品質係数Qが6423と低く、温度係数τfが16.5と大きな正の値であった。
の添加量が2.5質量%の場合(No.19)は、温度係数τfが31.8であり大きな正の値であった。Yの添加量が9.5質量%の場合(No.22)は、品質係数Q値が6211となり低い値であった。Alの添加量が0.2質量%の場合(No.23)は、品質係数Q値が6452となり低い値であった。Alの添加量が1.5質量%の場合(No.26)は、品質係数Q値が6321となり低い値であった。MnCOが0.6質量%の場合(No.29)は、温度係数τfが15.3であり大きな正の値であった。Yの添加量が0.0質量%の場合(No.30)は、温度係数τfが48.0であり大きな正の値であった。Alの添加量が0.0質量%の場合(No.31)は、温度係数τfが33.0であり大きな正の値であった。MnCOが0.0質量%の場合(No.32)は、品質係数Qが6112であり低い値であった。
これらの試料と比較して、試料No.2〜5,8〜12,15〜17,20,21,24,25,27,28は、比誘電率の値が60〜80、品質係数Q値が6500以上、および温度係数τfの絶対値が15以下であった。
その中でも、試料No.3,4,9〜11,16は、α,β,γの値がそれぞれ15〜19,14〜21,68〜72の範囲内にあるため、品質係数Q値が8000以上,温度係数τfの絶対値が10以下と良好な値を示す。また試料No.9〜11,16については、β,γの値が14〜21,68〜72のより良好な範囲内にあるため、品質係数Q値が9000以上あるいは温度係数τfが5以下の0に近い値のいずれかの条件をクリアする良好な値を示していた。
<実施例2>
次に、誘電体セラミックスの主成分の適正な格子定数を検討した。
まず、出発原料として、純度99.9質量%の各BaCO,Nd,TiO,Y,Alを準備した。そして、各組成に応じてそれぞれの種類の粉末を秤量し、秤量後の粉末を混合した。その後、水を加えて粉末の粉砕を行った後、粉砕を行った後の粉末を大気雰囲気中1100℃の温度で2時間仮焼した。さらに、この仮焼物に対しMnCO、並びに適量の有機バインダーおよび水を加え、ジルコニアボールで仮焼物を粉砕した。その後、噴霧乾燥により造粒し、この造粒された原料を用いて1000kg/cmのプレス圧でプレスして成形を行い、12mmφ×10mmt(厚さ)の円形状の成形体を得た。
次に、この成形体を大気雰囲気中、1300〜1450℃の温度で、2時間焼成し、その後、約9mmφ×6mmt(厚さ)の円板状になるように研磨して、試料No.33〜40とした。
次にこれらの試料について、X線回折測定装置(PANalytical社製 X’PertPRO)にて測定範囲2θ=10°〜90°,CuKα測定の条件でX線回折測定を実施した。その後、リートベルト解析プログラムRIETANを用いて、Ba4.5NdTi1854の格子定数の解析を実施した。なお、格子定数をより精度良く求めるために、格子定数の測定では各々の試料に標準試料Siを添加して実施し、格子定数の解析時には標準試料Siの格子定数をa=5.43119°に固定して測定を実施した。
また、各試料につき誘電特性を測定した。具体的には、円柱共振器法により測定周波数800MHzで、各試料の比誘電率εr、品質係数Q値、および共振周波数の温度係数τfを測定した。Q値は、マイクロ波誘電体において一般的に成立する(Q値)×(測定周波数f)=一定の関係から、4GHzでのQ値に換算した。共振周波数の温度係数は、25℃における共振周波数を基準にして25〜85℃の温度係数τfを算出した。
これらの結果を表2に示す。
Figure 2010050514
表2から、格子定数aの値が22.333を示す試料No.33は、品質係数Qが6521と低めの値を示し、温度係数τfが14.9と大きめの値を示した。また、格子定数cの値が12.177を示す試料No.34は、温度係数τfが13.4であり大きめの値を示した。また、格子定数bの値が7.652を示す試料No.39は、品質係数Qが6542であり低めの値を示した。格子定数aの値が22.282、格子定数bの値が7.655、格子定数cの値が12.137を示す試料No.40は、比誘電率εrが60.8であり低めの値を示した。
これらの試料と比較して、試料No.35〜38については、格子定数がaの値が22.29以上22.32以下、bの値が7.66以上7.69以下、cの値が12.14以上12.17以下の範囲内を示し、比誘電率が69〜78,品質係数Q値が7000以上,温度係数τfの絶対値が10以下の値を示した。これにより、格子定数がaの値が22.29以上22.32以下、bの値が7.66以上7.69以下、cの値が12.14以上12.17以下の範囲内を示す場合は、誘電特性が向上することがわかった。
<実施例3>
次に、誘電体セラミックス中のAlの添加効果について検討した。
まず、出発原料として、純度99.9質量%の各BaCO,Nd,TiO,Y,Alの粉末を準備した。そして、各組成に応じてそれぞれの種類の粉末を秤量し、秤量後の粉末を混合した。そして、その混合物に水を加えて粉砕を行った後、大気雰囲気中1100℃の温度で2時間仮焼を行った。さらに、この仮焼物に対しMnCO、並びに適量の有機バインダー及び水を加えたものをジルコニアボールで粉砕した後、噴霧乾燥により造粒した。さらに、この造粒された原料を1000kg/cmのプレス圧でプレスして成形を行い、12mmφ×10mmt(厚さ)の円板状の成形体を得た。
次に、この成形体を大気雰囲気中、1300〜1450℃の温度で、2時間焼成した。そして、その焼結体を約9mmφ×6mmt(厚さ)の円板状になるように研磨して、試料No.41〜45とした。
各試料につき、誘電特性を測定した。具体的には、円柱共振器法により測定周波数800MHzで各試料の比誘電率εr,品質係数Q値,および共振周波数の温度係数τfを測定した。品質係数Q値は、マイクロ波誘電体において一般的に成立する(Q値)×(測定周波数f)=一定の関係から、4GHzでのQ値に換算した。共振周波数の温度係数は、25℃における共振周波数を基準にして25〜85℃の温度係数τfを算出した。
また、X線回折装置(BrukerAXS社製 ADVANCE)を用いて、測定範囲2θ=10°〜90°,CuKα測定の条件で、各試料に対してX線回折を実施した。そして、そのX線回折により得られたX線回折チャートから、2θ=28.2°付近のBa1.23Al2.46Ti5.516結晶の最大ピークIと、2θ=31.6°付近のBa4.5NdTi1854結晶の最大ピークのピーク強度をIの値を求め、I/Iの値を算出した。これらの結果を表3に示す。
Figure 2010050514
表3から、Alの添加量が0.25質量%以上1.0質量%以下である試料No.41〜44については、I/Iの値が0.04以下であり、比誘電率εrが70以上、品質係数Q値が8000以上、温度係数τfの絶対値が15以下であった。特に温度係数τfについては、−0.3〜10.2であり、0近辺の値を含む安定した数値になることが確認された。なお、試料No.45については、I/Iの値が0.04を超えており、他の試料41〜44と比較して、比誘電率が68.2と低めの値であり、品質係数Q値が7800と低めの値であった。
<実施例4>
次に、本発明の誘電体セラミックスのボイド率について検討した。
まず、出発原料として、純度99.9質量%の各BaCO,Nd,TiO,Y,Alの粉末を準備した。そして、各組成に応じてそれぞれの種類の粉末を秤量し、秤量後の粉末を混合した。そして、その混合物に水を加えて粉砕を行った後、大気雰囲気中1100℃の温度で2時間仮焼を行った。さらに、この仮焼物に対しMnCO、並びに適量の有機バインダー及び水を加えたものをジルコニアボールで粉砕した後、噴霧乾燥により造粒した。さらに、この造粒された原料を1000kg/cmのプレス圧でプレスして成形を行い、12mmφ×10mmt(厚さ)の円形状の成形体を得た。
次に、この成形体を大気雰囲気中、1250〜1450℃の温度で、2時間焼成した。そして、最後に、その焼結体を約9mmφ×6mmt(厚さ)の円板状になるように研磨して、試料No.46〜50とした。
そして、各試料46〜50の誘電特性を測定した。具体的には、円柱共振器法により測定周波数800MHzで、各試料の比誘電率εr、品質係数Q値、および共振周波数の温度係数τfを測定した。Q値は、マイクロ波誘電体において一般的に成立する(Q値)×(測定周波数f)=一定の関係から、4GHzでのQ値に換算した。共振周波数の温度係数は、25℃における共振周波数を基準にして25〜85℃の温度係数τfを算出した。
また、各試料表面の任意の数カ所を任意の倍率で100μm×100μmの範囲が観察できるように金属顕微鏡を調整した後、写真撮影した。そして、この写真の画像を画像解析装置(ニレコ社製 LUZEX−FS)を用いて解析することにより、任意の数カ所のボイド率を算出した。最後に、これらのボイド率を平均化することにより、各試料のボイド率を算出した。これらの結果を表4に示す。
Figure 2010050514
表4から、試料No.47〜50はいずれもボイド率が4.0%以下であり、比誘電率εrが68以上、品質係数Q値が7000以上、温度係数τfの絶対値が15以下であることが確認された。なお、試料46については、ボイド率が4.0%を超えており、他の試料47〜50と比較して、比誘電率εrが65.8と低めの値であり、品質係数Q値が6978と低めの値であった。

Claims (8)

  1. 下記組成式の酸化物を有し、イットリウム、マンガンおよびアルミニウムを含有することを特徴とする誘電体セラミックス。
    αBaO・βNd・γTiO
    (ただし、
    14≦α≦21
    4≦β≦21
    65≦γ≦75
    α+β+γ=100)
  2. α,β,γの値がそれぞれ15≦α≦19,14≦β≦21,68≦γ≦72である請求項1に記載の誘電体セラミックス。
  3. イットリウムを酸化物換算で3質量%以上9質量%以下含有し、マンガンを酸化物換算で0.5質量%以下(0質量%を除く)含有し、かつアルミニウムを酸化物換算で0.25質量%以上1質量%以下含有することを特徴とする請求項1に記載の誘電体セラミックス。
  4. Ba4.5NdTi1854の結晶を有することを特徴とする請求項1に記載の誘電体セラミックス。
  5. 前記結晶は、X線回折チャートからリートベルト法によって算出される格子定数a、bおよびcが下記式を満足することを特徴とする請求項4に記載の誘電体セラミックス。
    22.29≦a≦22.32
    7.66≦b≦7.69
    12.14≦c≦12.17
  6. X線回折チャートにおいて、2θ=28.1〜28.3°のBa1.23Al2.46Ti5.516結晶の最大ピーク強度をIとし、2θ=31.5〜31.7°のBa4.5NdTi1854結晶の最大ピーク強度をIとしたとき、I/Iの値が0.04以下であることを特徴とする請求項5に記載の誘電体セラミックス。
  7. ボイド率が4%以下であることを特徴とする請求項1に記載の誘電体セラミックス。
  8. 請求項1に記載の誘電体セラミックスを誘電体材料として用いたことを特徴とする共振器。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5247561B2 (ja) * 2009-03-30 2013-07-24 京セラ株式会社 誘電体セラミックスおよび誘電体共振器
EP2599761A4 (en) * 2010-07-29 2014-07-16 Kyocera Corp DIELECTRIC CERAMIC AND DIELECTRIC FILTER COMPRISING IT
JP5761341B2 (ja) * 2011-05-19 2015-08-12 株式会社村田製作所 ガラスセラミック組成物
US9755293B2 (en) 2013-12-05 2017-09-05 Skyworks Solutions, Inc. Enhanced Q high dielectric constant material for microwave applications

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63117958A (ja) * 1986-11-04 1988-05-21 富士電気化学株式会社 マイクロ波用誘電体磁器組成物
JPH04362061A (ja) * 1991-06-07 1992-12-15 Ngk Spark Plug Co Ltd マイクロ波誘電体磁器組成物
JP2000335965A (ja) * 1998-09-28 2000-12-05 Daiken Kagaku Kogyo Kk マイクロ波誘電体磁器組成物及びその製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04310565A (ja) * 1991-04-09 1992-11-02 Ngk Spark Plug Co Ltd マイクロ波誘電体磁器組成物
GB2284416B (en) * 1993-12-02 1997-09-17 Kyocera Corp Dielectric ceramic composition
JP5332807B2 (ja) * 2009-03-30 2013-11-06 Tdk株式会社 誘電体磁器組成物

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63117958A (ja) * 1986-11-04 1988-05-21 富士電気化学株式会社 マイクロ波用誘電体磁器組成物
JPH04362061A (ja) * 1991-06-07 1992-12-15 Ngk Spark Plug Co Ltd マイクロ波誘電体磁器組成物
JP2000335965A (ja) * 1998-09-28 2000-12-05 Daiken Kagaku Kogyo Kk マイクロ波誘電体磁器組成物及びその製造方法

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