JPS63117958A - マイクロ波用誘電体磁器組成物 - Google Patents
マイクロ波用誘電体磁器組成物Info
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- JPS63117958A JPS63117958A JP61262111A JP26211186A JPS63117958A JP S63117958 A JPS63117958 A JP S63117958A JP 61262111 A JP61262111 A JP 61262111A JP 26211186 A JP26211186 A JP 26211186A JP S63117958 A JPS63117958 A JP S63117958A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 13
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
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- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、マイクロ波帯において誘電体共振器等に用い
られる磁器組成物に関し、更に詳しくは、Ba0−Ti
Oz −Ndz C1+系の誘電体磁器組成物に関する
ものである。
られる磁器組成物に関し、更に詳しくは、Ba0−Ti
Oz −Ndz C1+系の誘電体磁器組成物に関する
ものである。
[従来の技術]
自動車無線や衛星通信のようなマイクロ波を利用した通
信の分野においては、フィルタ等として誘電体磁器が多
用されていることは周知の通りである。このような分野
で使用される誘電体磁器の特性としては、装置を小型化
するため誘電率が高いこと、損失が低いこと、および安
定性に優れていることが望まれる。
信の分野においては、フィルタ等として誘電体磁器が多
用されていることは周知の通りである。このような分野
で使用される誘電体磁器の特性としては、装置を小型化
するため誘電率が高いこと、損失が低いこと、および安
定性に優れていることが望まれる。
マイクロ波用誘電体磁器組成物としては、Ba0−Ti
e2=希土類系が従来公知であり、例えばB a OT
i 02 N dz 03系あるいはBa0−Ti
Oz −3mz Os系などの三成分系組成物について
報告されている。。
e2=希土類系が従来公知であり、例えばB a OT
i 02 N dz 03系あるいはBa0−Ti
Oz −3mz Os系などの三成分系組成物について
報告されている。。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしこれら公知の組成は、マイクロ波用誘電体材料と
しては必ずしも十分満足のできるものではない。例えば
従来のB a OT i O2−NdzOi系の磁器組
成物は、共振周波数温度係数τfを小さくできるものの
、誘電率が低く(60程度)、誘電体のQも低い。
しては必ずしも十分満足のできるものではない。例えば
従来のB a OT i O2−NdzOi系の磁器組
成物は、共振周波数温度係数τfを小さくできるものの
、誘電率が低く(60程度)、誘電体のQも低い。
本発明者等は先に、上記三元系磁器組成物に適量のBt
zOsを添加することによって誘電特性を改善できるこ
とを見出した(特願昭61−26518号)。
zOsを添加することによって誘電特性を改善できるこ
とを見出した(特願昭61−26518号)。
本発明の目的は、上記の技術を更に発展させ、誘電率が
高く温度特性が良好で、且つ損失が小さいマイクロ波用
誘電体磁器組成物を提供することにある。
高く温度特性が良好で、且つ損失が小さいマイクロ波用
誘電体磁器組成物を提供することにある。
[問題点を解決するための手段]
上記のような目的を達成することのできる本発明は、B
a0−TiOz −Nd203系材料を主成分とし、そ
れに副成分として適量のBi2O3とAl2O3を添加
したマイクロ波用誘電体磁器組成物である。
a0−TiOz −Nd203系材料を主成分とし、そ
れに副成分として適量のBi2O3とAl2O3を添加
したマイクロ波用誘電体磁器組成物である。
本発明者等は13aO−Tie、−Nd、O。
系の組成物について種々試作実験を繰り返した結果、B
i2O3と共に711120sを適量添加することによ
って焼結性が増し、誘電率が高く且つ温度特性が良好で
低損失のマイクロ波用誘電体磁器組成物が得られること
を知得し、本発明を完成させるに至ったものである。
i2O3と共に711120sを適量添加することによ
って焼結性が増し、誘電率が高く且つ温度特性が良好で
低損失のマイクロ波用誘電体磁器組成物が得られること
を知得し、本発明を完成させるに至ったものである。
本発明において主成分となるBa0−TiO□Nd2O
3系の組成は、BaOが10〜16モル%、TiO2が
67.5〜72モル%、Nd2O3が15〜18モル%
の範囲であり、そのような主成分に対して副成分として
5〜11重景%重量i2O,と0.3〜1.0重量%の
A1□03が添加される。各組成の上限ならびに下限を
示す数値は、それらの値を含むものである。
3系の組成は、BaOが10〜16モル%、TiO2が
67.5〜72モル%、Nd2O3が15〜18モル%
の範囲であり、そのような主成分に対して副成分として
5〜11重景%重量i2O,と0.3〜1.0重量%の
A1□03が添加される。各組成の上限ならびに下限を
示す数値は、それらの値を含むものである。
ここでBaOを10〜16モル%としたのは、10モル
%未満では誘電率が小さくなり、逆に16モル%を超え
ると温度係数が大きくなるからである。またT i O
2を67.5〜72モル%としたのは、67.5モル%
未満では焼結性が悪くなるし、72モル%を超えると温
度係数が大きくなるからである。更にNd2O3を15
〜18モル%としたのは、15モル%未満では温度係数
が大きくなり、18モル%を超えると誘電率が小さくな
るからである。
%未満では誘電率が小さくなり、逆に16モル%を超え
ると温度係数が大きくなるからである。またT i O
2を67.5〜72モル%としたのは、67.5モル%
未満では焼結性が悪くなるし、72モル%を超えると温
度係数が大きくなるからである。更にNd2O3を15
〜18モル%としたのは、15モル%未満では温度係数
が大きくなり、18モル%を超えると誘電率が小さくな
るからである。
そして副成分の一つであるBi2O3を5〜11重量%
としたのは、5重量%未満では温度係数の改善の効果が
少なく、また11重量%を超えると焼結性が不十分とな
り誘電体のQが著しく低下してしまうからである。また
AIto。
としたのは、5重量%未満では温度係数の改善の効果が
少なく、また11重量%を超えると焼結性が不十分とな
り誘電体のQが著しく低下してしまうからである。また
AIto。
を0.3〜1.0重量%とじたのは2O.3重量%未満
ではQ並びに温度係数の改善の効果が少なく、1.0重
量%を超えると誘電率が小さくQが減少するからである
。
ではQ並びに温度係数の改善の効果が少なく、1.0重
量%を超えると誘電率が小さくQが減少するからである
。
[作用]
上記のようにBa0−Tie、−Nd、O。
系の主成分に対してBit’3とAI、O,を適量添加
すると、誘電率が高く且つ温度特性が良好で低損失のマ
イクロ波用誘電体磁器組成物が得られる。特に主成分の
比率を前記の範囲内で適当に変えることによって誘電率
を64から92程度までの間で任意に選定することがで
きる。誘電率が高くなれば小型化することができるけれ
ども加工精度が誘電体共振器の特性に微妙に影響を与え
るから、上記のように誘電率をある高い範囲内で適当に
選択できることは誘電体共振器を製作する上において極
めて好ましいことである。
すると、誘電率が高く且つ温度特性が良好で低損失のマ
イクロ波用誘電体磁器組成物が得られる。特に主成分の
比率を前記の範囲内で適当に変えることによって誘電率
を64から92程度までの間で任意に選定することがで
きる。誘電率が高くなれば小型化することができるけれ
ども加工精度が誘電体共振器の特性に微妙に影響を与え
るから、上記のように誘電率をある高い範囲内で適当に
選択できることは誘電体共振器を製作する上において極
めて好ましいことである。
またBi2O3の添加量を変えることにより共振周波数
の温度係数τfを所望の小さな値にすることができる。
の温度係数τfを所望の小さな値にすることができる。
更にA1.O,の添加によって安定な焼結体が得られ、
温度係数の微妙な調整など特性の改善ができる。
温度係数の微妙な調整など特性の改善ができる。
[実施例]
BaCO3、TfOz + Ndz 03 、B 1z
o3およびA1.03粉体を所定の組成となるように湿
式混合し、1100℃で3時間仮焼きした。次にこの仮
焼物をボールミルにより湿式微粉砕し乾燥した後、ポリ
ビニルアルコールを含む結合剤を加えて造粒し、3 t
on/cm2の圧力で成形した。この成形物を1280
〜1360℃で焼成した後、直径14mm、厚さ5mm
の円板に加工して試料を作製した。そして誘電体共振法
により4GHzにおいて誘電率ε、誘電体のQ(1/l
an δ)、共振周波数の低温側(−30〜+25℃)
温度係数τfl(ppm/℃)と高温側(+25〜80
℃)温度係数τfz (ppm/ ’C)とを測定した
。試作測定した試料の一部の組成並びにそのマイクロ波
誘電特性を第1表に示す。
o3およびA1.03粉体を所定の組成となるように湿
式混合し、1100℃で3時間仮焼きした。次にこの仮
焼物をボールミルにより湿式微粉砕し乾燥した後、ポリ
ビニルアルコールを含む結合剤を加えて造粒し、3 t
on/cm2の圧力で成形した。この成形物を1280
〜1360℃で焼成した後、直径14mm、厚さ5mm
の円板に加工して試料を作製した。そして誘電体共振法
により4GHzにおいて誘電率ε、誘電体のQ(1/l
an δ)、共振周波数の低温側(−30〜+25℃)
温度係数τfl(ppm/℃)と高温側(+25〜80
℃)温度係数τfz (ppm/ ’C)とを測定した
。試作測定した試料の一部の組成並びにそのマイクロ波
誘電特性を第1表に示す。
第1表
この第1表において*印を付した試料が本発明の範囲に
入るものである。主成分の比率並びに副成分の一方であ
るBi2O3の添加量を一定に保った場合、適量のA1
□03の添加によって特にQ並びに温度係数τfが改善
されることが判る。
入るものである。主成分の比率並びに副成分の一方であ
るBi2O3の添加量を一定に保った場合、適量のA1
□03の添加によって特にQ並びに温度係数τfが改善
されることが判る。
なかでも特に**印を付した試料H,1,M。
Nは誘電率ε、誘電体のQ、共振周波数の温度係数τf
l+ τf2のすべてにおいて極めて良好な特性を呈
している。従って本発明の組成範囲の中でもBaOが1
4〜15モル%、Ti0zが69〜70モル%、Ndz
03が16モル%近傍の組成を主成分とし、Bi、O
,を約8〜9重量%、A 120xを約0.3〜0.5
重量%添加した組成で最も好ましいマイクロ波誘電特性
が得られる。
l+ τf2のすべてにおいて極めて良好な特性を呈
している。従って本発明の組成範囲の中でもBaOが1
4〜15モル%、Ti0zが69〜70モル%、Ndz
03が16モル%近傍の組成を主成分とし、Bi、O
,を約8〜9重量%、A 120xを約0.3〜0.5
重量%添加した組成で最も好ましいマイクロ波誘電特性
が得られる。
[発明の効果]
本発明は上記のようにBa0−TiO□−NdzO3の
三成分系に適量のBigO+ とAl2O3を添加した
組成のマイクロ波用誘電体磁器組成物であるから、焼結
性が改善され、高い誘電率を有し、温度係数が良好で微
妙Gこ変えることができ、しかも損失の少ないマイクロ
波誘電体特性を呈する優れた効果を有する。
三成分系に適量のBigO+ とAl2O3を添加した
組成のマイクロ波用誘電体磁器組成物であるから、焼結
性が改善され、高い誘電率を有し、温度係数が良好で微
妙Gこ変えることができ、しかも損失の少ないマイクロ
波誘電体特性を呈する優れた効果を有する。
Claims (1)
- 1、BaOが10〜16モル%、TiO_2が67.5
〜72モル%、Nd_2O_3が15〜18モル%であ
る組成を主成分とし、それに対して5〜11重量%のB
i_2O_3と0.3〜1.0重量%のAl_2O_3
を添加することを特徴とするマイクロ波用誘電体磁器組
成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61262111A JP2554478B2 (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61262111A JP2554478B2 (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63117958A true JPS63117958A (ja) | 1988-05-21 |
JP2554478B2 JP2554478B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=17371189
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61262111A Expired - Fee Related JP2554478B2 (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2554478B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01227304A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Toko Inc | マイクロ波用誘電体磁器組成物とその製造方法 |
US5185304A (en) * | 1990-08-20 | 1993-02-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition of BaO, TiO2, Nd2 O3, Sm2 O3 and Bi2 O3 |
WO1997021642A1 (en) * | 1995-12-12 | 1997-06-19 | Institut 'jozef Stefan' | Microwave dielectric ceramics composed of barium, neodymium, gadolinium, titanium and bismuth oxides |
WO2010050514A1 (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-06 | 京セラ株式会社 | 誘電体セラミックス、およびその誘電体セラミックスを用いた共振器 |
WO2012015038A1 (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-02 | 京セラ株式会社 | 誘電体セラミックスおよびこれを用いた誘電体フィルタ |
-
1986
- 1986-11-04 JP JP61262111A patent/JP2554478B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01227304A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Toko Inc | マイクロ波用誘電体磁器組成物とその製造方法 |
US5185304A (en) * | 1990-08-20 | 1993-02-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition of BaO, TiO2, Nd2 O3, Sm2 O3 and Bi2 O3 |
WO1997021642A1 (en) * | 1995-12-12 | 1997-06-19 | Institut 'jozef Stefan' | Microwave dielectric ceramics composed of barium, neodymium, gadolinium, titanium and bismuth oxides |
WO2010050514A1 (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-06 | 京セラ株式会社 | 誘電体セラミックス、およびその誘電体セラミックスを用いた共振器 |
JPWO2010050514A1 (ja) * | 2008-10-30 | 2012-03-29 | 京セラ株式会社 | 誘電体セラミックス、およびその誘電体セラミックスを用いた共振器 |
US8426331B2 (en) | 2008-10-30 | 2013-04-23 | Kyocera Corporation | Dielectric ceramic, and resonator using the same |
WO2012015038A1 (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-02 | 京セラ株式会社 | 誘電体セラミックスおよびこれを用いた誘電体フィルタ |
JP5159961B2 (ja) * | 2010-07-29 | 2013-03-13 | 京セラ株式会社 | 誘電体セラミックスおよびこれを用いた誘電体フィルタ |
CN103038190A (zh) * | 2010-07-29 | 2013-04-10 | 京瓷株式会社 | 电介质瓷器以及使用其的电介质滤波器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2554478B2 (ja) | 1996-11-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |