JP3365250B2 - ステッピングモータ駆動装置 - Google Patents
ステッピングモータ駆動装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02P—CONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
- H02P8/00—Arrangements for controlling dynamo-electric motors rotating step by step
- H02P8/22—Control of step size; Intermediate stepping, e.g. microstepping
Landscapes
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- Power Engineering (AREA)
- Control Of Stepping Motors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はステッピングモータ
駆動装置に関し、特に駆動電流を疑似正弦波状のマイク
ロステップ波形でＰＷＭ制御するステッピングモータ駆
動装置に関する。
駆動装置に関し、特に駆動電流を疑似正弦波状のマイク
ロステップ波形でＰＷＭ制御するステッピングモータ駆
動装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のマイクロステップ駆動方式のステ
ッピングモータ駆動装置１００を図１０を参照して説明
する。駆動装置１００は半導体集積回路で構成され、端
子として電源端子２、センス抵抗接続端子３、接地端子
４、出力端子５，６、デレクション信号入力端子７が設
けられており、電源端子２には電源（図示せず）、セン
ス抵抗接続端子３と接地端子４間にはセンス抵抗８、接
地端子４にはＧＮＤ、出力端子５，６にはステッピング
モータ１、入力端子７にはデレクション信号発生回路
（図示せず）がそれぞれ外部接続される。
ッピングモータ駆動装置１００を図１０を参照して説明
する。駆動装置１００は半導体集積回路で構成され、端
子として電源端子２、センス抵抗接続端子３、接地端子
４、出力端子５，６、デレクション信号入力端子７が設
けられており、電源端子２には電源（図示せず）、セン
ス抵抗接続端子３と接地端子４間にはセンス抵抗８、接
地端子４にはＧＮＤ、出力端子５，６にはステッピング
モータ１、入力端子７にはデレクション信号発生回路
（図示せず）がそれぞれ外部接続される。
【０００３】ステッピングモータ１は、例えば２相励磁
方式の場合、図１２に示すように４極の固定子を持ち、
対抗する極にかけて、励磁コイルφ１，φ２が巻かれ、
各コイルに９０°の位相差を持った電流を流すと回転子
が回転する。従って、ステッピングモータ１を回転させ
るには駆動装置１００は２個必要であるが、説明を簡明
にするため、励磁コイルφ１又はφ２の片方を駆動する
場合について以下説明する。
方式の場合、図１２に示すように４極の固定子を持ち、
対抗する極にかけて、励磁コイルφ１，φ２が巻かれ、
各コイルに９０°の位相差を持った電流を流すと回転子
が回転する。従って、ステッピングモータ１を回転させ
るには駆動装置１００は２個必要であるが、説明を簡明
にするため、励磁コイルφ１又はφ２の片方を駆動する
場合について以下説明する。
【０００４】駆動装置１００の内部には、Ｈブリッジ回
路１０を構成する電源側スイッチ素子である第１，第２
ＭＯＳＦＥＴ１１，１２及びＧＮＤ側スイッチ素子であ
る第３，第４ＭＯＳＦＥＴ１３，１４と、２個のフライ
ホイールダイオード１５，１６と、ステップ基準電圧発
生回路１７と、三角波発生回路１８と、比較器１９と、
プリドライバ２０とを具備している。Ｈブリッジ回路１
０はＰチャネル型である第１及び第２ＭＯＳＦＥＴ１
１，１２のソースが電源端子２に共通接続され、Ｎチャ
ネル型である第３及び第４ＭＯＳＦＥＴ１３，１４のソ
ースがセンス抵抗接続端子３に共通接続されると共に、
ＭＯＳＦＥＴ１１，１３及びＭＯＳＦＥＴ１２，１４が
それぞれ直列接続され、それらの中点が出力端子５，６
にそれぞれ接続されている。ダイオード１５はＭＯＳＦ
ＥＴ１１，１３の中点と接地端子４間に、ダイオード１
６はＭＯＳＦＥＴ１２，１４の中点と接地端子４間接続
されている。
路１０を構成する電源側スイッチ素子である第１，第２
ＭＯＳＦＥＴ１１，１２及びＧＮＤ側スイッチ素子であ
る第３，第４ＭＯＳＦＥＴ１３，１４と、２個のフライ
ホイールダイオード１５，１６と、ステップ基準電圧発
生回路１７と、三角波発生回路１８と、比較器１９と、
プリドライバ２０とを具備している。Ｈブリッジ回路１
０はＰチャネル型である第１及び第２ＭＯＳＦＥＴ１
１，１２のソースが電源端子２に共通接続され、Ｎチャ
ネル型である第３及び第４ＭＯＳＦＥＴ１３，１４のソ
ースがセンス抵抗接続端子３に共通接続されると共に、
ＭＯＳＦＥＴ１１，１３及びＭＯＳＦＥＴ１２，１４が
それぞれ直列接続され、それらの中点が出力端子５，６
にそれぞれ接続されている。ダイオード１５はＭＯＳＦ
ＥＴ１１，１３の中点と接地端子４間に、ダイオード１
６はＭＯＳＦＥＴ１２，１４の中点と接地端子４間接続
されている。
【０００５】ステップ基準電圧発生回路１７からの山型
ステップ基準電圧に三角波発生回路１８からの三角波が
重畳された信号は比較器１９の正相入力に、センス抵抗
８により電圧検出した信号は負相入力に接続され、比較
器１９の出力はＰＷＭ制御信号としてプリドライバ２０
に接続されている。プリドライバ２０の入力Ｄは端子７
に接続され、出力Ａ１，Ｂ１，Ａ２，Ｂ２はＭＯＳＦＥ
Ｔ１１，１２，１４，１３のゲートにそれぞれ接続され
ている。
ステップ基準電圧に三角波発生回路１８からの三角波が
重畳された信号は比較器１９の正相入力に、センス抵抗
８により電圧検出した信号は負相入力に接続され、比較
器１９の出力はＰＷＭ制御信号としてプリドライバ２０
に接続されている。プリドライバ２０の入力Ｄは端子７
に接続され、出力Ａ１，Ｂ１，Ａ２，Ｂ２はＭＯＳＦＥ
Ｔ１１，１２，１４，１３のゲートにそれぞれ接続され
ている。
【０００６】次に、上記の駆動装置１００の動作を説明
する。モータ１を流れる駆動電流を制御する動作は、ス
テップ基準電圧発生回路１７からのステップ基準電圧に
三角波発生回路１８からの三角波を重畳させた信号を比
較器１９に正相入力し、センス抵抗８の両端で電圧検出
した信号を比較器１９に負相入力して比較することによ
り、比較器１９からプリドライバ２０にＰＷＭ制御信号
を供給し、端子７から入力されるデレクション信号とに
よりプリドライバ２０の出力Ａ１，Ｂ１，Ａ２，Ｂ２か
らＨブリッジ回路１０に各出力を供給してＭＯＳＦＥＴ
１１，１２，１３，１４をオン／オフ動作させることに
より行われ、駆動電流は疑似正弦波的に制御される。
する。モータ１を流れる駆動電流を制御する動作は、ス
テップ基準電圧発生回路１７からのステップ基準電圧に
三角波発生回路１８からの三角波を重畳させた信号を比
較器１９に正相入力し、センス抵抗８の両端で電圧検出
した信号を比較器１９に負相入力して比較することによ
り、比較器１９からプリドライバ２０にＰＷＭ制御信号
を供給し、端子７から入力されるデレクション信号とに
よりプリドライバ２０の出力Ａ１，Ｂ１，Ａ２，Ｂ２か
らＨブリッジ回路１０に各出力を供給してＭＯＳＦＥＴ
１１，１２，１３，１４をオン／オフ動作させることに
より行われ、駆動電流は疑似正弦波的に制御される。
【０００７】ＭＯＳＦＥＴ１１、１２、１３、１４のオ
ン／オフ動作は具体的には、モータ１に流れる駆動電流
ＩM が図１０に示す矢印方向で制御されている場合、Ｍ
ＯＳＦＥＴ１１は出力Ａ１によりＰＷＭ制御信号が印加
されてオン／オフ制御され、ＭＯＳＦＥＴ１４は出力Ａ
２によりオン状態、ＭＯＳＦＥＴ１２，１３は出力Ｂ
１，Ｂ２によりオフ状態に制御され、矢印と反対方向で
制御されている場合、ＭＯＳＦＥＴ１２は出力Ｂ１より
ＰＷＭ制御信号が印加されてオン／オフ制御され、ＭＯ
ＳＦＥＴ１３は出力Ｂ２によりオン状態、ＭＯＳＦＥＴ
１１，１４は出力Ａ１，Ａ２によりオフ状態に制御され
ている。
ン／オフ動作は具体的には、モータ１に流れる駆動電流
ＩM が図１０に示す矢印方向で制御されている場合、Ｍ
ＯＳＦＥＴ１１は出力Ａ１によりＰＷＭ制御信号が印加
されてオン／オフ制御され、ＭＯＳＦＥＴ１４は出力Ａ
２によりオン状態、ＭＯＳＦＥＴ１２，１３は出力Ｂ
１，Ｂ２によりオフ状態に制御され、矢印と反対方向で
制御されている場合、ＭＯＳＦＥＴ１２は出力Ｂ１より
ＰＷＭ制御信号が印加されてオン／オフ制御され、ＭＯ
ＳＦＥＴ１３は出力Ｂ２によりオン状態、ＭＯＳＦＥＴ
１１，１４は出力Ａ１，Ａ２によりオフ状態に制御され
ている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の従来
の駆動装置１００は、例えば、モータ１に流れる駆動電
流ＩM が図１０に示す矢印方向で制御されている場合、
ＭＯＳＦＥＴ１１のＰＷＭ制御信号によるオフ制御時に
モータ１に発生する逆起電力によりＭＯＳＦＥＴ１４、
センス抵抗８及びダイオード１５を含む電流経路に回生
電流が流れ、この電流経路がオフ制御時の駆動電流の経
路となる。この回生電流ｉ、モータコイルのインダクタ
ンスＬ［Ｈ］とこの電流経路内の抵抗成分Ｒ［Ω］とで
定義される電気的時定数τ＝Ｌ／Ｒで立ち下がり、 ｉ＝Ｉ×ｅｘｐ（−ｔ／τ） ……… （１） で表される。
の駆動装置１００は、例えば、モータ１に流れる駆動電
流ＩM が図１０に示す矢印方向で制御されている場合、
ＭＯＳＦＥＴ１１のＰＷＭ制御信号によるオフ制御時に
モータ１に発生する逆起電力によりＭＯＳＦＥＴ１４、
センス抵抗８及びダイオード１５を含む電流経路に回生
電流が流れ、この電流経路がオフ制御時の駆動電流の経
路となる。この回生電流ｉ、モータコイルのインダクタ
ンスＬ［Ｈ］とこの電流経路内の抵抗成分Ｒ［Ω］とで
定義される電気的時定数τ＝Ｌ／Ｒで立ち下がり、 ｉ＝Ｉ×ｅｘｐ（−ｔ／τ） ……… （１） で表される。
【０００９】駆動装置１００の場合、この電流経路内の
センス抵抗８を除く抵抗成分はＭＯＳＦＥＴ１４のオン
抵抗で決まり、このオン抵抗は通常低く設計されており
ステップ基準電圧のステップ幅が短くなると、ＰＷＭ制
御におけるオフ制御の時間が短くなり、その時間内で
（１）式に従う回生電流の立ち下がり量が少なくなり、
ステップ基準電圧の変化に対してセンス抵抗に発生する
電圧が追随しきれないためＰＷＭ状態に移行できず、図
１１に示すように駆動電流の波形が歪む。特に疑似正弦
波状の駆動電流のピーク時からの減少時に減少しきれず
に跳ね上がる形の波形となり、モータの振動、騒音の原
因となる。本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので
あり、ＰＷＭ制御信号によるモータのオフ制御時に回生
電流が流れる電流経路内のセンス抵抗を除く抵抗成分を
高くして電気的時定数を小さくすることにより回生電流
の立ち下がりを速くし、また、回生電流によるセンス抵
抗の初期電圧をセンス抵抗／（センス抵抗＋センス抵抗
以外の抵抗成分）により分圧して小さくすることによ
り、回生電流によるセンス抵抗に発生する電圧を速く下
げステップ高速化においても駆動電流波形に歪みを生じ
ない駆動装置を提供することを目的とする。
センス抵抗８を除く抵抗成分はＭＯＳＦＥＴ１４のオン
抵抗で決まり、このオン抵抗は通常低く設計されており
ステップ基準電圧のステップ幅が短くなると、ＰＷＭ制
御におけるオフ制御の時間が短くなり、その時間内で
（１）式に従う回生電流の立ち下がり量が少なくなり、
ステップ基準電圧の変化に対してセンス抵抗に発生する
電圧が追随しきれないためＰＷＭ状態に移行できず、図
１１に示すように駆動電流の波形が歪む。特に疑似正弦
波状の駆動電流のピーク時からの減少時に減少しきれず
に跳ね上がる形の波形となり、モータの振動、騒音の原
因となる。本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので
あり、ＰＷＭ制御信号によるモータのオフ制御時に回生
電流が流れる電流経路内のセンス抵抗を除く抵抗成分を
高くして電気的時定数を小さくすることにより回生電流
の立ち下がりを速くし、また、回生電流によるセンス抵
抗の初期電圧をセンス抵抗／（センス抵抗＋センス抵抗
以外の抵抗成分）により分圧して小さくすることによ
り、回生電流によるセンス抵抗に発生する電圧を速く下
げステップ高速化においても駆動電流波形に歪みを生じ
ない駆動装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１の駆動
装置は、センス抵抗の電圧に基づいて生成したＰＷＭ制
御信号によりマイクロステップ駆動するステッピングモ
ータの駆動装置において、電源端子および接地端子と、
ステッピングモータへの第１および第２の出力端子と、
電源端子と第１の出力端子間に接続された電源側スイッ
チ素子と、第２の出力端子と一端が接地端子に接続され
たセンス抵抗の他端間に接続されたＧＮＤ側スイッチ素
子と、ＧＮＤ側スイッチ素子に並列接続されたＧＮＤ側
スイッチ素子より高オン抵抗のスイッチ素子と、第１の
出力端子と接地端子間に接続された回生用スイッチ素子
とを具備し、前記ＰＷＭ制御信号によるオン制御時に、
前記電源側スイッチ素子、ＧＮＤ側スイッチ素子および
高オン抵抗のスイッチ素子がオン制御されるとともに、
前記回生用スイッチ素子がオフ制御され、前記ＰＷＭ制
御信号によるオフ制御時に、前記高オン抵抗のスイッチ
素子および回生用スイッチ素子がオン制御されるととも
に、前記電源側スイッチ素子およびＧＮＤ側スイッチ素
子がオフ制御されることを特徴とする。本構成により、
オフ制御時にモータに発生する逆起電力により駆動電流
の経路内に流れる回生電流は、高オン抵抗のスイッチ素
子により、経路内のセンス抵抗以外の抵抗成分を高くし
たことにより、電気的時定数が小さくなり回生電流の立
ち下がりが速くなり、また、回生電流によるセンス抵抗
の初期電圧もセンス抵抗／（センス抵抗＋センス抵抗以
外の抵抗成分）により分圧されて小さくなるので、セン
ス抵抗の電圧を急激に下げることができ、ステップ高速
化においてもステップ基準電圧の変化に対しセンス抵抗
の電圧が追随しＰＷＭ制御を精度よく実行できる。ま
た、本発明の請求項２の駆動装置は、請求項１の駆動装
置において、さらに、前記回生用スイッチ素子に直列接
続された抵抗素子を具備したことを特徴とする。 また、
本発明の請求項３の駆動装置は、請求項１の駆動装置に
おいて、さらに、前記高オン抵抗のスイッチ素子に直列
接続された抵抗素子を具備したことを特徴とする。 ま
た、本発明の請求項４の駆動装置は、請求項１の駆動装
置において、さらに、前記第２の出力端子とＧＮＤ側ス
イッチ素子間に接続された抵抗素子を具備したことを特
徴とする。 また、本発明の請求項５の駆動装置は、セン
ス抵抗の電圧に基づいて生成したＰＷＭ制御信号により
マイクロステップ駆動するステッピングモータの駆動装
置において、 電源端子および接地端子と、ステッピン
グモータへの第１および第２の出力端子と、電源端子と
第１の出力端子間に接続された電源側スイッチ素子と、
第２の出力端子と一端が接地端子に接続されたセンス抵
抗の他端間に接続されたＧＮＤ側スイッチ素子と、第１
の出力端子と接地端子間に接続された回生用スイッチ素
子とを具備し、前記ＰＷＭ制御信号によるオン制御時
に、前記電源側スイッチ素子がオン制御され、前記ＧＮ
Ｄ側スイッチ素子が低オン抵抗にオン制御されるととも
に、前記回生用スイッチ素子がオフ制御され、前記ＰＷ
Ｍ制御信号によるオフ制御時に、前記回生用スイッチ素
子がオン制御され、前記ＧＮＤ側スイッチ素子が高オン
抵抗にオン制御されるとともに、前記電源側スイッチ素
子がオフ制御されることを特徴とする。本構成により、
オフ制御時にモータに発生する逆起電力により駆動電流
の経路内に流れる回生電流は、ＧＮＤ側スイッチ素子が
高オン抵抗にオン制御されることにより、経路内のセン
ス抵抗以外の抵抗成分を高くしたことにより、電気的時
定数が小さくなり回生電流の立ち下がりが速くなり、ま
た、回生電流によるセンス抵抗の初期電圧もセンス抵抗
／（センス抵抗＋センス抵抗以外の抵抗成分）により分
圧されて小さくなるので、センス抵抗の電圧を急激に下
げることができ、ステップ高速化においてもステップ基
準電圧の変化に対しセンス抵抗の電圧が追随しＰＷＭ制
御を精度よく実行できる。
装置は、センス抵抗の電圧に基づいて生成したＰＷＭ制
御信号によりマイクロステップ駆動するステッピングモ
ータの駆動装置において、電源端子および接地端子と、
ステッピングモータへの第１および第２の出力端子と、
電源端子と第１の出力端子間に接続された電源側スイッ
チ素子と、第２の出力端子と一端が接地端子に接続され
たセンス抵抗の他端間に接続されたＧＮＤ側スイッチ素
子と、ＧＮＤ側スイッチ素子に並列接続されたＧＮＤ側
スイッチ素子より高オン抵抗のスイッチ素子と、第１の
出力端子と接地端子間に接続された回生用スイッチ素子
とを具備し、前記ＰＷＭ制御信号によるオン制御時に、
前記電源側スイッチ素子、ＧＮＤ側スイッチ素子および
高オン抵抗のスイッチ素子がオン制御されるとともに、
前記回生用スイッチ素子がオフ制御され、前記ＰＷＭ制
御信号によるオフ制御時に、前記高オン抵抗のスイッチ
素子および回生用スイッチ素子がオン制御されるととも
に、前記電源側スイッチ素子およびＧＮＤ側スイッチ素
子がオフ制御されることを特徴とする。本構成により、
オフ制御時にモータに発生する逆起電力により駆動電流
の経路内に流れる回生電流は、高オン抵抗のスイッチ素
子により、経路内のセンス抵抗以外の抵抗成分を高くし
たことにより、電気的時定数が小さくなり回生電流の立
ち下がりが速くなり、また、回生電流によるセンス抵抗
の初期電圧もセンス抵抗／（センス抵抗＋センス抵抗以
外の抵抗成分）により分圧されて小さくなるので、セン
ス抵抗の電圧を急激に下げることができ、ステップ高速
化においてもステップ基準電圧の変化に対しセンス抵抗
の電圧が追随しＰＷＭ制御を精度よく実行できる。ま
た、本発明の請求項２の駆動装置は、請求項１の駆動装
置において、さらに、前記回生用スイッチ素子に直列接
続された抵抗素子を具備したことを特徴とする。 また、
本発明の請求項３の駆動装置は、請求項１の駆動装置に
おいて、さらに、前記高オン抵抗のスイッチ素子に直列
接続された抵抗素子を具備したことを特徴とする。 ま
た、本発明の請求項４の駆動装置は、請求項１の駆動装
置において、さらに、前記第２の出力端子とＧＮＤ側ス
イッチ素子間に接続された抵抗素子を具備したことを特
徴とする。 また、本発明の請求項５の駆動装置は、セン
ス抵抗の電圧に基づいて生成したＰＷＭ制御信号により
マイクロステップ駆動するステッピングモータの駆動装
置において、 電源端子および接地端子と、ステッピン
グモータへの第１および第２の出力端子と、電源端子と
第１の出力端子間に接続された電源側スイッチ素子と、
第２の出力端子と一端が接地端子に接続されたセンス抵
抗の他端間に接続されたＧＮＤ側スイッチ素子と、第１
の出力端子と接地端子間に接続された回生用スイッチ素
子とを具備し、前記ＰＷＭ制御信号によるオン制御時
に、前記電源側スイッチ素子がオン制御され、前記ＧＮ
Ｄ側スイッチ素子が低オン抵抗にオン制御されるととも
に、前記回生用スイッチ素子がオフ制御され、前記ＰＷ
Ｍ制御信号によるオフ制御時に、前記回生用スイッチ素
子がオン制御され、前記ＧＮＤ側スイッチ素子が高オン
抵抗にオン制御されるとともに、前記電源側スイッチ素
子がオフ制御されることを特徴とする。本構成により、
オフ制御時にモータに発生する逆起電力により駆動電流
の経路内に流れる回生電流は、ＧＮＤ側スイッチ素子が
高オン抵抗にオン制御されることにより、経路内のセン
ス抵抗以外の抵抗成分を高くしたことにより、電気的時
定数が小さくなり回生電流の立ち下がりが速くなり、ま
た、回生電流によるセンス抵抗の初期電圧もセンス抵抗
／（センス抵抗＋センス抵抗以外の抵抗成分）により分
圧されて小さくなるので、センス抵抗の電圧を急激に下
げることができ、ステップ高速化においてもステップ基
準電圧の変化に対しセンス抵抗の電圧が追随しＰＷＭ制
御を精度よく実行できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明のステッピングモー
タ駆動装置の第１の実施例について図１及び図８を参照
して説明する。図１において本発明の駆動装置２００
は、半導体集積回路で構成され、端子として電源端子
２、センス抵抗接続端子３、接地端子４、出力端子５，
６、デレクション信号入力端子７が設けられており、電
源端子２には電源（図示せず）、センス抵抗接続端子３
と接地端子４間にはセンス抵抗８、接地端子４にはＧＮ
Ｄ、出力端子５，６にはステッピングモータ１、入力端
子７にはデレクション信号発生回路（図示せず）がそれ
ぞれ外部接続される。
タ駆動装置の第１の実施例について図１及び図８を参照
して説明する。図１において本発明の駆動装置２００
は、半導体集積回路で構成され、端子として電源端子
２、センス抵抗接続端子３、接地端子４、出力端子５，
６、デレクション信号入力端子７が設けられており、電
源端子２には電源（図示せず）、センス抵抗接続端子３
と接地端子４間にはセンス抵抗８、接地端子４にはＧＮ
Ｄ、出力端子５，６にはステッピングモータ１、入力端
子７にはデレクション信号発生回路（図示せず）がそれ
ぞれ外部接続される。
【００１２】駆動装置２００の内部には、従来の駆動装
置１００と同様に、Ｈブリッジ回路１０を構成する電源
側スイッチ素子である第１，第２ＭＯＳＦＥＴ１１，１
２及びＧＮＤ側スイッチ素子である第３，第４ＭＯＳＦ
ＥＴ１３，１４と、ステップ基準電圧発生回路１７と、
三角波発生回路１８と、比較器１９とを具備すると共
に、それ以外に、プリドライブ１２０と、ダイオード１
５，１６の替わりに回生用スイッチ素子としてＮ型であ
る第５及び第６ＭＯＳＦＥＴ２１，２２と、本発明の特
徴であるＰＷＭ制御信号によるオフ制御時に回生電流が
流れる電流経路の電気的時定数を小さくするためにセン
ス抵抗８以外の抵抗成分を高くするための高抵抗化手段
で高オン抵抗のスイッチ素子としてＮ型である第７及び
第８ＭＯＳＦＥＴ２３，２４とを具備している。
置１００と同様に、Ｈブリッジ回路１０を構成する電源
側スイッチ素子である第１，第２ＭＯＳＦＥＴ１１，１
２及びＧＮＤ側スイッチ素子である第３，第４ＭＯＳＦ
ＥＴ１３，１４と、ステップ基準電圧発生回路１７と、
三角波発生回路１８と、比較器１９とを具備すると共
に、それ以外に、プリドライブ１２０と、ダイオード１
５，１６の替わりに回生用スイッチ素子としてＮ型であ
る第５及び第６ＭＯＳＦＥＴ２１，２２と、本発明の特
徴であるＰＷＭ制御信号によるオフ制御時に回生電流が
流れる電流経路の電気的時定数を小さくするためにセン
ス抵抗８以外の抵抗成分を高くするための高抵抗化手段
で高オン抵抗のスイッチ素子としてＮ型である第７及び
第８ＭＯＳＦＥＴ２３，２４とを具備している。
【００１３】Ｈブリッジ回路１０は第１及び第２ＭＯＳ
ＦＥＴ１１，１２のソースが電源端子２に共通接続さ
れ、第３及び第４ＭＯＳＦＥＴ１３，１４のソースがセ
ンス抵抗接続端子３に共通接続されると共に、ＭＯＳＦ
ＥＴ１１，１３及びＭＯＳＦＥＴ１２，１４がそれぞれ
直列接続され、それらの中点が出力端子５，６にそれぞ
れ接続されている。第５ＭＯＳＦＥＴ２１は、ＭＯＳＦ
ＥＴ１１，１３の中点と接地端子４間に、第６ＭＯＳＦ
ＥＴ２２はＭＯＳＦＥＴ１２，１４の中点と接地端子４
間接続されている。第７ＭＯＳＦＥＴ２３はＭＯＳＦＥ
Ｔ１３に並列され、第８ＭＯＳＦＥＴ２４はＭＯＳＦＥ
Ｔ１４に並列接続されている。第７及び第８ＭＯＳＦＥ
Ｔ２３，２４のオン抵抗はＭＯＳＦＥＴ１３，１４より
例えば１０〜２０倍ほど高く設計している。
ＦＥＴ１１，１２のソースが電源端子２に共通接続さ
れ、第３及び第４ＭＯＳＦＥＴ１３，１４のソースがセ
ンス抵抗接続端子３に共通接続されると共に、ＭＯＳＦ
ＥＴ１１，１３及びＭＯＳＦＥＴ１２，１４がそれぞれ
直列接続され、それらの中点が出力端子５，６にそれぞ
れ接続されている。第５ＭＯＳＦＥＴ２１は、ＭＯＳＦ
ＥＴ１１，１３の中点と接地端子４間に、第６ＭＯＳＦ
ＥＴ２２はＭＯＳＦＥＴ１２，１４の中点と接地端子４
間接続されている。第７ＭＯＳＦＥＴ２３はＭＯＳＦＥ
Ｔ１３に並列され、第８ＭＯＳＦＥＴ２４はＭＯＳＦＥ
Ｔ１４に並列接続されている。第７及び第８ＭＯＳＦＥ
Ｔ２３，２４のオン抵抗はＭＯＳＦＥＴ１３，１４より
例えば１０〜２０倍ほど高く設計している。
【００１４】ステップ基準電圧発生回路１７からの山型
ステップ基準電圧に三角波発生回路１８からステップ幅
より小さい周期で微小振幅幅の三角波が重畳された信号
は比較器１９の正相入力に、センス抵抗８により電圧検
出した信号は負相入力に接続され、比較器１９の出力は
ＰＷＭ制御信号としてプリドライバ１２０の入力に接続
されている。端子７はプリドライバ１２０の入力Ｄに接
続されている。プリドライバ１２０は例えば、図６に示
す論理回路からなり、プリドライバ１２０の出力は、出
力Ａ１がＭＯＳＦＥＴ１１のゲートに、出力反転Ａ１が
ＭＯＳＦＥＴ１４のゲートに、出力Ｂ１がＭＯＳＦＥＴ
１２のゲートに、出力反転Ｂ１がＭＯＳＦＥＴ１３のゲ
ートに、出力Ａ２がＭＯＳＦＥＴ２４のゲートに、出力
Ｂ２がＭＯＳＦＥＴ２３のゲートに、出力Ａ３がＭＯＳ
ＦＥＴ２１のゲートに、出力Ｂ３がＭＯＳＦＥＴ２２の
ゲートにそれぞれ接続されている。
ステップ基準電圧に三角波発生回路１８からステップ幅
より小さい周期で微小振幅幅の三角波が重畳された信号
は比較器１９の正相入力に、センス抵抗８により電圧検
出した信号は負相入力に接続され、比較器１９の出力は
ＰＷＭ制御信号としてプリドライバ１２０の入力に接続
されている。端子７はプリドライバ１２０の入力Ｄに接
続されている。プリドライバ１２０は例えば、図６に示
す論理回路からなり、プリドライバ１２０の出力は、出
力Ａ１がＭＯＳＦＥＴ１１のゲートに、出力反転Ａ１が
ＭＯＳＦＥＴ１４のゲートに、出力Ｂ１がＭＯＳＦＥＴ
１２のゲートに、出力反転Ｂ１がＭＯＳＦＥＴ１３のゲ
ートに、出力Ａ２がＭＯＳＦＥＴ２４のゲートに、出力
Ｂ２がＭＯＳＦＥＴ２３のゲートに、出力Ａ３がＭＯＳ
ＦＥＴ２１のゲートに、出力Ｂ３がＭＯＳＦＥＴ２２の
ゲートにそれぞれ接続されている。
【００１５】次に、上記の駆動装置２００に電源、モー
タ１及びセンス抵抗８が接続され、電源電圧及びデレク
ション信号が印加されたときの動作を図８を併用して説
明する。モータ１を流れる駆動電流を制御する動作は、
ステップ基準電圧発生回路１７からのステップ基準電圧
に三角波発生回路１８から三角波を重畳させた信号を比
較器１９に正相入力し、センス抵抗８の両端により電圧
検出した信号を比較器１９に負相入力して比較すること
により、比較器１９からプリドライバ２０にＰＷＭ制御
信号を供給し、端子７から入力されるデレクション信号
とによりプリドライバ１２０からＨブリッジ回路１０及
びＭＯＳＦＥＴ２１〜２４のゲートに出力してＭＯＳＦ
ＥＴ１１〜１４，２１〜２４を選択的にオン／オフ動作
することにより行われ、駆動電流は疑似正弦波的に制御
される。
タ１及びセンス抵抗８が接続され、電源電圧及びデレク
ション信号が印加されたときの動作を図８を併用して説
明する。モータ１を流れる駆動電流を制御する動作は、
ステップ基準電圧発生回路１７からのステップ基準電圧
に三角波発生回路１８から三角波を重畳させた信号を比
較器１９に正相入力し、センス抵抗８の両端により電圧
検出した信号を比較器１９に負相入力して比較すること
により、比較器１９からプリドライバ２０にＰＷＭ制御
信号を供給し、端子７から入力されるデレクション信号
とによりプリドライバ１２０からＨブリッジ回路１０及
びＭＯＳＦＥＴ２１〜２４のゲートに出力してＭＯＳＦ
ＥＴ１１〜１４，２１〜２４を選択的にオン／オフ動作
することにより行われ、駆動電流は疑似正弦波的に制御
される。
【００１６】ＭＯＳＦＥＴ１１〜１４，２１〜２４のオ
ン／オフ動作を具体的に説明する。 モータ１に流れる
駆動電流ＩM は図１で示す矢印方向とその反対方向に交
互に制御されて疑似正弦波的波形となり、その両方向の
動作を図８に示すが、基本的には同一であるので、以
下、モータ１に流れる駆動電流ＩM が矢印方向で制御さ
れる場合について説明する。駆動電流が矢印方向で制御
される間、端子７にデレクション信号がレベル”Ｌ”で
供給され、そのときプリドライバ１２０の出力Ｂ１，反
転Ｂ１，Ａ２，Ｂ２，Ｂ３はレベル”Ｈ”，”Ｌ”，”
Ｈ”，”Ｌ”，”Ｌ”にそれぞれなり、ＭＯＳＦＥＴ１
２，１３，２４，２３，２２はオフ，オフ，オン，オ
フ，オフの状態にそれぞれ制御される。
ン／オフ動作を具体的に説明する。 モータ１に流れる
駆動電流ＩM は図１で示す矢印方向とその反対方向に交
互に制御されて疑似正弦波的波形となり、その両方向の
動作を図８に示すが、基本的には同一であるので、以
下、モータ１に流れる駆動電流ＩM が矢印方向で制御さ
れる場合について説明する。駆動電流が矢印方向で制御
される間、端子７にデレクション信号がレベル”Ｌ”で
供給され、そのときプリドライバ１２０の出力Ｂ１，反
転Ｂ１，Ａ２，Ｂ２，Ｂ３はレベル”Ｈ”，”Ｌ”，”
Ｈ”，”Ｌ”，”Ｌ”にそれぞれなり、ＭＯＳＦＥＴ１
２，１３，２４，２３，２２はオフ，オフ，オン，オ
フ，オフの状態にそれぞれ制御される。
【００１７】この状態でＰＷＭ制御信号がレベル”Ｌ”
のときプリドライバ１２０の出力Ａ１，反転Ａ１，Ａ３
はレベル”Ｌ”，”Ｈ”，”Ｌ”にそれぞれなり、ＭＯ
ＳＦＥＴ１１，１４，２１はオン，オン，オフの状態に
制御され、端子２，４間に印加されている電源電圧によ
りＭＯＳＦＥＴ１１、モータ１、ＭＯＳＦＥＴ１４及び
ＭＯＳＦＥＴ２４を含む電流経路に電流が流れ、モータ
１に図１の矢印方向に駆動電流ＩM が流れる。
のときプリドライバ１２０の出力Ａ１，反転Ａ１，Ａ３
はレベル”Ｌ”，”Ｈ”，”Ｌ”にそれぞれなり、ＭＯ
ＳＦＥＴ１１，１４，２１はオン，オン，オフの状態に
制御され、端子２，４間に印加されている電源電圧によ
りＭＯＳＦＥＴ１１、モータ１、ＭＯＳＦＥＴ１４及び
ＭＯＳＦＥＴ２４を含む電流経路に電流が流れ、モータ
１に図１の矢印方向に駆動電流ＩM が流れる。
【００１８】ＰＷＭ制御信号が”Ｌ”レベルから”Ｈ”
レベルに切り替わると、プリドライバ１２０の出力Ａ
１，反転Ａ１，Ａ３はレベル”Ｈ”，”Ｌ”，”Ｈ”に
それぞれなり、ＭＯＳＦＥＴ１１，１４，２１はオフ，
オフ，オンの状態に制御され、モータ１には電源電圧に
よる駆動電流は流れなくなるが、その時点でモータ１に
は逆起電力が発生するため、ＭＯＳＦＥＴ２４、センス
抵抗８及びＭＯＳＦＥＴ２１を含む電流経路に回生電流
が流れる。
レベルに切り替わると、プリドライバ１２０の出力Ａ
１，反転Ａ１，Ａ３はレベル”Ｈ”，”Ｌ”，”Ｈ”に
それぞれなり、ＭＯＳＦＥＴ１１，１４，２１はオフ，
オフ，オンの状態に制御され、モータ１には電源電圧に
よる駆動電流は流れなくなるが、その時点でモータ１に
は逆起電力が発生するため、ＭＯＳＦＥＴ２４、センス
抵抗８及びＭＯＳＦＥＴ２１を含む電流経路に回生電流
が流れる。
【００１９】この場合、回生電流が流れる電流経路内の
センス抵抗８を除く抵抗成分としてＭＯＳＦＥＴ２４の
オン抵抗をＭＯＳＦＥＴ１４のオン抵抗より高く設計し
ているため従来の駆動装置１００で回生電流が流れる電
流経路より電気的時定数τ＝Ｌ／Ｒが小さくなり、
（１）式に従う回生電流は従来の駆動装置１００の回生
電流より速く立ち下がり、また、回生電流によるセンス
抵抗の初期電圧も逆起電圧がセンス抵抗／（センス抵抗
＋センス抵抗以外の抵抗成分）により分圧されて更に小
さくなるので、従ってセンス抵抗に発生する電圧も従来
の駆動装置１００よりも急激に下がり、比較器１９にお
いて正相入力されるステップ基準電圧のステップ幅が小
さくなっても、ステップ基準電圧の変化に対して負相入
力されるセンス抵抗により電圧検出した信号が追随する
ためＰＷＭ制御を精度よく実行でき、従来の駆動装置１
００のように駆動電流の波形が歪むことはない。特に疑
似正弦波状の駆動電流のピークからの減少時に従来の駆
動装置１００で発生した跳ね上がる形の波形が改善さ
れ、モータの振動、騒音を低減できる。
センス抵抗８を除く抵抗成分としてＭＯＳＦＥＴ２４の
オン抵抗をＭＯＳＦＥＴ１４のオン抵抗より高く設計し
ているため従来の駆動装置１００で回生電流が流れる電
流経路より電気的時定数τ＝Ｌ／Ｒが小さくなり、
（１）式に従う回生電流は従来の駆動装置１００の回生
電流より速く立ち下がり、また、回生電流によるセンス
抵抗の初期電圧も逆起電圧がセンス抵抗／（センス抵抗
＋センス抵抗以外の抵抗成分）により分圧されて更に小
さくなるので、従ってセンス抵抗に発生する電圧も従来
の駆動装置１００よりも急激に下がり、比較器１９にお
いて正相入力されるステップ基準電圧のステップ幅が小
さくなっても、ステップ基準電圧の変化に対して負相入
力されるセンス抵抗により電圧検出した信号が追随する
ためＰＷＭ制御を精度よく実行でき、従来の駆動装置１
００のように駆動電流の波形が歪むことはない。特に疑
似正弦波状の駆動電流のピークからの減少時に従来の駆
動装置１００で発生した跳ね上がる形の波形が改善さ
れ、モータの振動、騒音を低減できる。
【００２０】以上に説明したように、ＭＯＳＦＥＴ１
３，１４にこれよりオン抵抗が高いＭＯＳＦＥＴ２３，
２４をそれぞれ並列接続し、ＰＷＭ制御信号によるモー
タ１のオフ制御時にＭＯＳＦＥＴ１３（又はＭＯＳＦＥ
Ｔ１４）をオフ状態とし、ＭＯＳＦＥＴ２３（又はＭＯ
ＳＦＥＴ２４）をオン状態とすることにより、逆起電力
による回生電流の流れる電流経路内のセンス抵抗８を除
く抵抗成分が高くなり、従来の駆動装置１００のように
駆動電流の波形が歪むことはない。
３，１４にこれよりオン抵抗が高いＭＯＳＦＥＴ２３，
２４をそれぞれ並列接続し、ＰＷＭ制御信号によるモー
タ１のオフ制御時にＭＯＳＦＥＴ１３（又はＭＯＳＦＥ
Ｔ１４）をオフ状態とし、ＭＯＳＦＥＴ２３（又はＭＯ
ＳＦＥＴ２４）をオン状態とすることにより、逆起電力
による回生電流の流れる電流経路内のセンス抵抗８を除
く抵抗成分が高くなり、従来の駆動装置１００のように
駆動電流の波形が歪むことはない。
【００２１】本発明の駆動装置の第２の実施例について
図２を参照して説明する。尚、図１に示す駆動装置２０
０と同一部分は同一符号を付したのでその説明を省略す
る。本発明の駆動装置３００は、図１に示す駆動装置２
００とは、図１のＭＯＳＦＥＴ２１，２２の替わりに第
２の高抵抗化手段としてこれらより合計のオン抵抗が高
くなる第５ＭＯＳＦＥＴ２７と抵抗２９との直列回路，
第６ＭＯＳＦＥＴ２８と抵抗３０との直列回路を接続し
た点で異なる構成としている。
図２を参照して説明する。尚、図１に示す駆動装置２０
０と同一部分は同一符号を付したのでその説明を省略す
る。本発明の駆動装置３００は、図１に示す駆動装置２
００とは、図１のＭＯＳＦＥＴ２１，２２の替わりに第
２の高抵抗化手段としてこれらより合計のオン抵抗が高
くなる第５ＭＯＳＦＥＴ２７と抵抗２９との直列回路，
第６ＭＯＳＦＥＴ２８と抵抗３０との直列回路を接続し
た点で異なる構成としている。
【００２２】この駆動装置３００の動作について図１の
駆動装置２００と異なる点を、モータ１に流れる駆動電
流ＩM が図２に示す矢印方向で制御される場合について
説明する。ＰＷＭ制御信号が”Ｌ”レベルから”Ｈ”レ
ベルに切り替わると、ＭＯＳＦＥＴ２４、センス抵抗
８、ＭＯＳＦＥＴ２７及び抵抗２９からなる電流経路に
回生電流が流れる。尚、モータ１に流れる駆動電流が図
２に示す矢印方向と反対方向で制御される場合、矢印方
向の場合に準じるので説明を省略する。以上の場合、回
生電流が流れる電流経路内のセンス抵抗８を除く抵抗成
分が駆動装置２００より更に高くなり、時定数は更に小
さくなり、また、回生電流によるセンス抵抗の初期電圧
も逆起電圧がセンス抵抗／（センス抵抗＋センス抵抗以
外の抵抗成分）により分圧されて更に小さくなるのでＰ
ＷＭの移行が更にしやすくなる。尚、抵抗２９，３０を
接続せずに、ＭＯＳＦＥＴ２７，２８のオン抵抗をＭＯ
ＳＦＥＴ２１、２２より高くしてもよい。また、ＭＯＳ
ＦＥＴ２３，２４を接続せずにＭＯＳＦＥＴ１３，１４
をオフ制御時の電流経路内に含むように制御可能にして
もよい。
駆動装置２００と異なる点を、モータ１に流れる駆動電
流ＩM が図２に示す矢印方向で制御される場合について
説明する。ＰＷＭ制御信号が”Ｌ”レベルから”Ｈ”レ
ベルに切り替わると、ＭＯＳＦＥＴ２４、センス抵抗
８、ＭＯＳＦＥＴ２７及び抵抗２９からなる電流経路に
回生電流が流れる。尚、モータ１に流れる駆動電流が図
２に示す矢印方向と反対方向で制御される場合、矢印方
向の場合に準じるので説明を省略する。以上の場合、回
生電流が流れる電流経路内のセンス抵抗８を除く抵抗成
分が駆動装置２００より更に高くなり、時定数は更に小
さくなり、また、回生電流によるセンス抵抗の初期電圧
も逆起電圧がセンス抵抗／（センス抵抗＋センス抵抗以
外の抵抗成分）により分圧されて更に小さくなるのでＰ
ＷＭの移行が更にしやすくなる。尚、抵抗２９，３０を
接続せずに、ＭＯＳＦＥＴ２７，２８のオン抵抗をＭＯ
ＳＦＥＴ２１、２２より高くしてもよい。また、ＭＯＳ
ＦＥＴ２３，２４を接続せずにＭＯＳＦＥＴ１３，１４
をオフ制御時の電流経路内に含むように制御可能にして
もよい。
【００２３】本発明の駆動装置の第３の実施例について
図３を参照して説明する。尚、図１に示す駆動装置２０
０と同一部分は同一符号を付したのでその説明を省略す
る。本発明の駆動装置４００は図１の駆動装置２００と
は、図１のＭＯＳＦＥＴ２３，２４の替わりにＭＯＳＦ
ＥＴ１３，１４に並列に、高抵抗化手段としてＭＯＳＦ
ＥＴ２３と抵抗３１との直列回路，ＭＯＳＦＥＴ２４と
抵抗３２との直列回路をそれぞれ接続し、抵抗３１，３
２をスイッチＳ１，Ｓ２によりそれぞれ短絡可能にした
点で異なる構成としている。
図３を参照して説明する。尚、図１に示す駆動装置２０
０と同一部分は同一符号を付したのでその説明を省略す
る。本発明の駆動装置４００は図１の駆動装置２００と
は、図１のＭＯＳＦＥＴ２３，２４の替わりにＭＯＳＦ
ＥＴ１３，１４に並列に、高抵抗化手段としてＭＯＳＦ
ＥＴ２３と抵抗３１との直列回路，ＭＯＳＦＥＴ２４と
抵抗３２との直列回路をそれぞれ接続し、抵抗３１，３
２をスイッチＳ１，Ｓ２によりそれぞれ短絡可能にした
点で異なる構成としている。
【００２４】この駆動装置４００の動作について図１の
駆動装置２００と異なる点を、モータ１に流れる駆動電
流ＩM が図３に示す矢印方向で制御される場合について
説明する。このときスイッチＳ１はオン状態に制御され
ている。ＰＷＭ制御信号が”Ｌ”レベルのときスイッチ
Ｓ２はＰＷＭ制御信号に同期してオン状態に制御され、
端子２，４間に印加されている電源電圧によりＭＯＳＦ
ＥＴ１１、モータ１、ＭＯＳＦＥＴ１４及びＭＯＳＦＥ
Ｔ２４を含む電流経路に電流が流れる。ＰＷＭ制御信号
が”Ｌ”レベルから”Ｈ”レベルに切り替わると、スイ
ッチＳ２はオフ状態に制御され、抵抗３２、ＭＯＳＦＥ
Ｔ２４、センス抵抗８及びＭＯＳＦＥＴ２１を含む電流
経路に回生電流が流れる。尚、モータ１に流れる駆動電
流ＩM が図３に示す矢印方向と反対方向で制御される場
合、スイッチＳ２はオン状態に制御され、以下、上記矢
印方向の場合に準じるので説明を省略する。以上の場合
も駆動装置３００と同様に回生電流が流れる電流経路内
のセンス抵抗８を除く抵抗成分が駆動装置２００より更
に高くなり、駆動装置３００と同様にＰＷＭの移行が更
にしやすくなる。尚、電源電圧によりモータ１に電流が
流れるときは、抵抗３１（又は抵抗３２）は短絡される
ので、電流経路内の抵抗成分が低くなる。また、ＭＯＳ
ＦＥＴ２３，２４を接続せずに、高抵抗化手段として抵
抗３１，３２とスイッチＳ１，Ｓ２のそれぞれの並列回
路をＭＯＳＦＥＴ１３，１４にそれぞれ直列接続し、抵
抗３１，３２及びＭＯＳＦＥＴ１３，１４をオフ制御時
の電流経路に含むように制御可能にしてもよい。
駆動装置２００と異なる点を、モータ１に流れる駆動電
流ＩM が図３に示す矢印方向で制御される場合について
説明する。このときスイッチＳ１はオン状態に制御され
ている。ＰＷＭ制御信号が”Ｌ”レベルのときスイッチ
Ｓ２はＰＷＭ制御信号に同期してオン状態に制御され、
端子２，４間に印加されている電源電圧によりＭＯＳＦ
ＥＴ１１、モータ１、ＭＯＳＦＥＴ１４及びＭＯＳＦＥ
Ｔ２４を含む電流経路に電流が流れる。ＰＷＭ制御信号
が”Ｌ”レベルから”Ｈ”レベルに切り替わると、スイ
ッチＳ２はオフ状態に制御され、抵抗３２、ＭＯＳＦＥ
Ｔ２４、センス抵抗８及びＭＯＳＦＥＴ２１を含む電流
経路に回生電流が流れる。尚、モータ１に流れる駆動電
流ＩM が図３に示す矢印方向と反対方向で制御される場
合、スイッチＳ２はオン状態に制御され、以下、上記矢
印方向の場合に準じるので説明を省略する。以上の場合
も駆動装置３００と同様に回生電流が流れる電流経路内
のセンス抵抗８を除く抵抗成分が駆動装置２００より更
に高くなり、駆動装置３００と同様にＰＷＭの移行が更
にしやすくなる。尚、電源電圧によりモータ１に電流が
流れるときは、抵抗３１（又は抵抗３２）は短絡される
ので、電流経路内の抵抗成分が低くなる。また、ＭＯＳ
ＦＥＴ２３，２４を接続せずに、高抵抗化手段として抵
抗３１，３２とスイッチＳ１，Ｓ２のそれぞれの並列回
路をＭＯＳＦＥＴ１３，１４にそれぞれ直列接続し、抵
抗３１，３２及びＭＯＳＦＥＴ１３，１４をオフ制御時
の電流経路に含むように制御可能にしてもよい。
【００２５】本発明の駆動装置の第４の実施例について
図４を参照して説明する。尚、図１に示す駆動装置２０
０と同一部分は同一符号を付したのでその説明を省略す
る。本発明の駆動装置５００は図１の駆動装置２００と
は、第２の高抵抗化手段としてＭＯＳＦＥＴ１１，１３
の中点と出力端子５間に抵抗３３、ＭＯＳＦＥＴ１２，
１４の中点と出力端子６間に抵抗３４が接続され、抵抗
３３をスイッチＳ３、抵抗３４をスイッチＳ４により短
絡可能にした点で異なる構成としている。
図４を参照して説明する。尚、図１に示す駆動装置２０
０と同一部分は同一符号を付したのでその説明を省略す
る。本発明の駆動装置５００は図１の駆動装置２００と
は、第２の高抵抗化手段としてＭＯＳＦＥＴ１１，１３
の中点と出力端子５間に抵抗３３、ＭＯＳＦＥＴ１２，
１４の中点と出力端子６間に抵抗３４が接続され、抵抗
３３をスイッチＳ３、抵抗３４をスイッチＳ４により短
絡可能にした点で異なる構成としている。
【００２６】この駆動装置４００の動作について図１の
駆動装置２００と異なる点を、モータ１に流れる駆動電
流が図４に示す矢印方向で制御される場合について説明
する。このときスイッチＳ３はオン状態に制御されてい
る。ＰＷＭ制御信号が”Ｌ”レベルのときスイッチＳ４
はＰＷＭ制御信号に同期してオン状態に制御され、端子
２，３間に印加されている電源電圧によりＭＯＳＦＥＴ
１１、モータ１、ＭＯＳＦＥＴ１４及びＭＯＳＦＥＴ２
４を含む電流経路に電流が流れ、モータ１に図４の矢印
方向に駆動電流が流れる。ＰＷＭ制御信号が”Ｌ”レベ
ルから”Ｈ”レベルに切り替わると、スイッチＳ４はオ
フ状態に制御され、抵抗３４、ＭＯＳＦＥＴ２４、セン
ス抵抗８及びＭＯＳＦＥＴ２１を含む電流経路に回生電
流が流れる。尚、モータ１に流れる駆動電流が図４に示
す矢印方向と反対方向で制御される場合、スイッチＳ４
はオン状態に制御され、以下、上記矢印方向の場合に準
じるので説明を省略する。以上の場合も駆動装置３００
と同様にＰＷＭの移行が更にしやすくなる。尚、ＭＯＳ
ＦＥＴ２３，２４を接続せずにＭＯＳＦＥＴ１３，１４
をオフ制御時の電流経路に含むように制御可能にしても
よい。
駆動装置２００と異なる点を、モータ１に流れる駆動電
流が図４に示す矢印方向で制御される場合について説明
する。このときスイッチＳ３はオン状態に制御されてい
る。ＰＷＭ制御信号が”Ｌ”レベルのときスイッチＳ４
はＰＷＭ制御信号に同期してオン状態に制御され、端子
２，３間に印加されている電源電圧によりＭＯＳＦＥＴ
１１、モータ１、ＭＯＳＦＥＴ１４及びＭＯＳＦＥＴ２
４を含む電流経路に電流が流れ、モータ１に図４の矢印
方向に駆動電流が流れる。ＰＷＭ制御信号が”Ｌ”レベ
ルから”Ｈ”レベルに切り替わると、スイッチＳ４はオ
フ状態に制御され、抵抗３４、ＭＯＳＦＥＴ２４、セン
ス抵抗８及びＭＯＳＦＥＴ２１を含む電流経路に回生電
流が流れる。尚、モータ１に流れる駆動電流が図４に示
す矢印方向と反対方向で制御される場合、スイッチＳ４
はオン状態に制御され、以下、上記矢印方向の場合に準
じるので説明を省略する。以上の場合も駆動装置３００
と同様にＰＷＭの移行が更にしやすくなる。尚、ＭＯＳ
ＦＥＴ２３，２４を接続せずにＭＯＳＦＥＴ１３，１４
をオフ制御時の電流経路に含むように制御可能にしても
よい。
【００２７】本発明の駆動装置の第５の実施例について
図５を参照して説明する。尚、図１に示す駆動装置２０
０と同一部分は同一符号を付したのでその説明を省略す
る。本発明の駆動装置６００は、図１に示す駆動装置２
００とは、図１のＭＯＳＦＥＴ２１，２２及びプリドラ
イバ１２０の替わりにＰＷＭ制御におけるオフ制御時に
ＭＯＳＦＥＴ１３、１４が高抵抗化手段としてオン抵抗
が高くなるようにＭＯＳＦＥＴ１３，１４のゲートを制
御するプリドライバ２２０とこのプリドライバへの中間
電位電源端子９を有する点で異なる構成としている。
図５を参照して説明する。尚、図１に示す駆動装置２０
０と同一部分は同一符号を付したのでその説明を省略す
る。本発明の駆動装置６００は、図１に示す駆動装置２
００とは、図１のＭＯＳＦＥＴ２１，２２及びプリドラ
イバ１２０の替わりにＰＷＭ制御におけるオフ制御時に
ＭＯＳＦＥＴ１３、１４が高抵抗化手段としてオン抵抗
が高くなるようにＭＯＳＦＥＴ１３，１４のゲートを制
御するプリドライバ２２０とこのプリドライバへの中間
電位電源端子９を有する点で異なる構成としている。
【００２８】プリドライバ２２０は例えば、図７に示す
論理回路からなり、プリドライバ２２０の入力は、入力
Ｄがデレクション信号入力端子７に、入力ＶGMが中間電
位電源端子９に、入力ＰＷＭが比較器１９の出力に接続
され、プリドライバ２２０の出力は、出力Ａ１がＭＯＳ
ＦＥＴ１１のゲートに、出力Ｂ１がＭＯＳＦＥＴ１２の
ゲートに、出力Ａ３がＭＯＳＦＥＴ２１のゲートに、出
力Ｂ３がＭＯＳＦＥＴ２２のゲートに、出力Ａ４がＭＯ
ＳＦＥＴ１４のゲートに、出力Ｂ４がＭＯＳＦＥＴ１３
のゲートにそれぞれ接続されている。
論理回路からなり、プリドライバ２２０の入力は、入力
Ｄがデレクション信号入力端子７に、入力ＶGMが中間電
位電源端子９に、入力ＰＷＭが比較器１９の出力に接続
され、プリドライバ２２０の出力は、出力Ａ１がＭＯＳ
ＦＥＴ１１のゲートに、出力Ｂ１がＭＯＳＦＥＴ１２の
ゲートに、出力Ａ３がＭＯＳＦＥＴ２１のゲートに、出
力Ｂ３がＭＯＳＦＥＴ２２のゲートに、出力Ａ４がＭＯ
ＳＦＥＴ１４のゲートに、出力Ｂ４がＭＯＳＦＥＴ１３
のゲートにそれぞれ接続されている。
【００２９】この駆動装置６００の動作について図１の
駆動装置２００と異なる点を、図９を併用して説明す
る。端子９には中間電位電源が接続され、中間電位の電
源電圧が供給される。モータ１を流れる駆動電流を制御
する動作は、比較器１９からプリドライバ２２０にＰＷ
Ｍ制御信号を出力し、さらにプリドライバ２２０からＨ
ブリッジ回路１０及びＭＯＳＦＥＴ２１，２２のゲート
に出力してＭＯＳＦＥＴ１１〜１４，２１，２２を選択
的にオン／オフ動作することにより行われ、駆動電流は
疑似正弦波的に制御される。
駆動装置２００と異なる点を、図９を併用して説明す
る。端子９には中間電位電源が接続され、中間電位の電
源電圧が供給される。モータ１を流れる駆動電流を制御
する動作は、比較器１９からプリドライバ２２０にＰＷ
Ｍ制御信号を出力し、さらにプリドライバ２２０からＨ
ブリッジ回路１０及びＭＯＳＦＥＴ２１，２２のゲート
に出力してＭＯＳＦＥＴ１１〜１４，２１，２２を選択
的にオン／オフ動作することにより行われ、駆動電流は
疑似正弦波的に制御される。
【００３０】ＭＯＳＦＥＴ１１〜１４のオン／オフ動作
を具体的に説明する。モータ１に流れる駆動電流ＩM は
図５で示す矢印方向とその反対方向に交互に制御されて
疑似正弦波的波形となり、その両方向の動作を図９に示
すが、基本的には同一であるので、以下、モータ１に流
れる駆動電流ＩM が矢印方向で制御される場合について
説明する。駆動電流が矢印方向で制御される間、端子７
にデレクション信号Ｄがレベル”Ｌ”で供給され、その
ときプリドライバ２２０の出力Ｂ１，Ｂ３，Ｂ４はレベ
ル”Ｈ”，”Ｌ”，”Ｌ”にそれぞれなり、ＭＯＳＦＥ
Ｔ１２，１３，２２はそれぞれオフ，オフ，オフの状態
に制御される。
を具体的に説明する。モータ１に流れる駆動電流ＩM は
図５で示す矢印方向とその反対方向に交互に制御されて
疑似正弦波的波形となり、その両方向の動作を図９に示
すが、基本的には同一であるので、以下、モータ１に流
れる駆動電流ＩM が矢印方向で制御される場合について
説明する。駆動電流が矢印方向で制御される間、端子７
にデレクション信号Ｄがレベル”Ｌ”で供給され、その
ときプリドライバ２２０の出力Ｂ１，Ｂ３，Ｂ４はレベ
ル”Ｈ”，”Ｌ”，”Ｌ”にそれぞれなり、ＭＯＳＦＥ
Ｔ１２，１３，２２はそれぞれオフ，オフ，オフの状態
に制御される。
【００３１】この状態でＰＷＭ制御信号がレベル”Ｌ”
のときプリドライバ２２０の出力Ａ１，Ａ３，Ａ４はレ
ベル”Ｌ”，”Ｌ”，”Ｈ”にそれぞれなり、ＭＯＳＦ
ＥＴ１１，１４，２１はオン，オン，オフの状態に制御
され、端子２，４間に印加されている電源電圧によりＭ
ＯＳＦＥＴ１１、モータ１及びＭＯＳＦＥＴ１４を含む
電流経路に電流が流れ、モータ１に図５の矢印方向に駆
動電流ＩM が流れる。
のときプリドライバ２２０の出力Ａ１，Ａ３，Ａ４はレ
ベル”Ｌ”，”Ｌ”，”Ｈ”にそれぞれなり、ＭＯＳＦ
ＥＴ１１，１４，２１はオン，オン，オフの状態に制御
され、端子２，４間に印加されている電源電圧によりＭ
ＯＳＦＥＴ１１、モータ１及びＭＯＳＦＥＴ１４を含む
電流経路に電流が流れ、モータ１に図５の矢印方向に駆
動電流ＩM が流れる。
【００３２】ＰＷＭ制御信号が”Ｌ”レベルから”Ｈ”
レベルに切り替わると、プリドライバ２２０の出力Ａ
１，Ａ３，Ａ４はレベル”Ｈ”，”Ｈ”，”Ｍ”にそれ
ぞれなり、ＭＯＳＦＥＴ１１，１４，２１はオフ，中間
（オン抵抗が高い動作状態），オンの状態に制御され、
モータ１には電源電圧による駆動電流は流れなくなる
が、その時点でモータ１には逆起電力が発生するため、
ＭＯＳＦＥＴ１４、センス抵抗８及びＭＯＳＦＥＴ２１
を含む電流経路に回生電流が流れる。この場合、回生電
流が流れる電流経路のセンス抵抗８を除く抵抗成分とし
てＭＯＳＦＥＴ１４のオン抵抗をＰＷＭ制御信号による
オン制御時より高く制御するため、駆動装置２００と同
様の効果が得られる。
レベルに切り替わると、プリドライバ２２０の出力Ａ
１，Ａ３，Ａ４はレベル”Ｈ”，”Ｈ”，”Ｍ”にそれ
ぞれなり、ＭＯＳＦＥＴ１１，１４，２１はオフ，中間
（オン抵抗が高い動作状態），オンの状態に制御され、
モータ１には電源電圧による駆動電流は流れなくなる
が、その時点でモータ１には逆起電力が発生するため、
ＭＯＳＦＥＴ１４、センス抵抗８及びＭＯＳＦＥＴ２１
を含む電流経路に回生電流が流れる。この場合、回生電
流が流れる電流経路のセンス抵抗８を除く抵抗成分とし
てＭＯＳＦＥＴ１４のオン抵抗をＰＷＭ制御信号による
オン制御時より高く制御するため、駆動装置２００と同
様の効果が得られる。
【００３３】以上の第１〜第５の実施例において、各ス
イッチ素子をＭＯＳＦＥＴを例にして説明したが、これ
に限定されることなく例えば、バイポーラトランジスタ
やＩＧＢＴでもよい。また、電源側ＭＯＳＦＥＴをＰ型
で説明したが、昇圧回路を接続すればＮ型でもよい。ま
たＨブリッジ回路で説明したが、ハーフブリッジ回路や
多相ブリッジ回路でもよい。
イッチ素子をＭＯＳＦＥＴを例にして説明したが、これ
に限定されることなく例えば、バイポーラトランジスタ
やＩＧＢＴでもよい。また、電源側ＭＯＳＦＥＴをＰ型
で説明したが、昇圧回路を接続すればＮ型でもよい。ま
たＨブリッジ回路で説明したが、ハーフブリッジ回路や
多相ブリッジ回路でもよい。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、ＰＷＭ制御信号による
モータのオフ制御時に回生電流が流れる電流経路内にお
いてセンス抵抗を除く抵抗成分が大きくなる構成とする
ことにより電流経路の電気的時定数を小さくできるの
で、モータの逆起電力により流れる回生電流の立ち下が
りを速くでき、また、回生電流によるセンス抵抗の初期
電圧も逆起電圧がセンス抵抗／（センス抵抗＋センス抵
抗以外の抵抗成分）により分圧されて更に小さくなるの
で、センス抵抗に発生する電圧も速く下げることができ
ステップ高速化においても駆動電流波形に歪みを生じ
ず、特に疑似正弦波状の駆動電流のピークからの減少時
に従来の駆動装置で発生した跳ね上がる形の波形が改善
され、モータの振動、騒音を低減できる。
モータのオフ制御時に回生電流が流れる電流経路内にお
いてセンス抵抗を除く抵抗成分が大きくなる構成とする
ことにより電流経路の電気的時定数を小さくできるの
で、モータの逆起電力により流れる回生電流の立ち下が
りを速くでき、また、回生電流によるセンス抵抗の初期
電圧も逆起電圧がセンス抵抗／（センス抵抗＋センス抵
抗以外の抵抗成分）により分圧されて更に小さくなるの
で、センス抵抗に発生する電圧も速く下げることができ
ステップ高速化においても駆動電流波形に歪みを生じ
ず、特に疑似正弦波状の駆動電流のピークからの減少時
に従来の駆動装置で発生した跳ね上がる形の波形が改善
され、モータの振動、騒音を低減できる。
【図１】 本発明の第１の実施例を示す回路図
【図２】 本発明の第２の実施例を示す回路図
【図３】 本発明の第３の実施例を示す回路図
【図４】 本発明の第４の実施例を示す回路図
【図５】 本発明の第５の実施例を示す回路図
【図６】 図１〜図４の駆動装置に使われるプリドライ
バの実施例を示す回路図
バの実施例を示す回路図
【図７】 図５の駆動装置に使われるプリドライバの実
施例を示す回路図
施例を示す回路図
【図８】 図１の駆動装置の動作状態図
【図９】 図５の駆動装置の動作状態図
【図１０】 従来のモータ駆動装置の回路図
【図１１】 従来のモータ駆動装置の駆動電流の波形図
【図１２】 ステッピングモータの概略構成図
【符号の説明】
１ ステッピングモータ
８ センス抵抗
１１ 第１ＭＯＳＦＥＴ（電源側スイッチ素子）
１２ 第２ＭＯＳＦＥＴ（電源側スイッチ素子）
１３ 第３ＭＯＳＦＥＴ（ＧＮＤ側スイッチ素子）
１４ 第４ＭＯＳＦＥＴ（ＧＮＤ側スイッチ素子）
１７ ステップ電圧発生回路
１８ 三角波発生回路
１９ 比較器
２１，２７ 第５ＭＯＳＦＥＴ（回生用スイッチ素
子） ２２，２８ 第６ＭＯＳＦＥＴ（回生用スイッチ素
子） ２３ 第７ＭＯＳＦＥＴ（高抵抗化手段） ２４ 第８ＭＯＳＦＥＴ（高抵抗化手段） ２９，３０，３１，３２，３３，３４ 抵抗（高抵抗
化手段） １２０，２２０ プリドライバ Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４ スイッチ
子） ２２，２８ 第６ＭＯＳＦＥＴ（回生用スイッチ素
子） ２３ 第７ＭＯＳＦＥＴ（高抵抗化手段） ２４ 第８ＭＯＳＦＥＴ（高抵抗化手段） ２９，３０，３１，３２，３３，３４ 抵抗（高抵抗
化手段） １２０，２２０ プリドライバ Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４ スイッチ
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H02P 8/00
Claims (5)
- 【請求項１】センス抵抗の電圧に基づいて生成したＰＷ
Ｍ制御信号によりマイクロステップ駆動するステッピン
グモータの駆動装置において、 電源端子および接地端子と、ステッピングモータへの第
１および第２の出力端子と、電源端子と第１の出力端子
間に接続された電源側スイッチ素子と、第２の出力端子
と一端が接地端子に接続されたセンス抵抗の他端間に接
続されたＧＮＤ側スイッチ素子と、ＧＮＤ側スイッチ素
子に並列接続されたＧＮＤ側スイッチ素子より高オン抵
抗のスイッチ素子と、第１の出力端子と接地端子間に接
続された回生用スイッチ素子とを具備し、 前記ＰＷＭ制御信号によるオン制御時に、前記電源側ス
イッチ素子、ＧＮＤ側スイッチ素子および高オン抵抗の
スイッチ素子がオン制御されるとともに、前記回生用ス
イッチ素子がオフ制御され、 前記ＰＷＭ制御信号によるオフ制御時に、前記高オン抵
抗のスイッチ素子および回生用スイッチ素子がオン制御
されるとともに、前記電源側スイッチ素子およびＧＮＤ
側スイッチ素子がオフ制御されることを特徴とするステ
ッピングモータの駆動装置。 - 【請求項２】さらに、前記回生用スイッチ素子に直列接
続された抵抗素子を具備したことを特徴とする請求項１
記載のステッピングモータの駆動装置。 - 【請求項３】さらに、前記高オン抵抗のスイッチ素子に
直列接続された抵抗素子を具備したことを特徴とする請
求項１記載のステッピングモータの駆動装置。 - 【請求項４】さらに、前記第２の出力端子とＧＮＤ側ス
イッチ素子間に接続された抵抗素子を具備したことを特
徴とする請求項１記載のステッピングモータの駆動装
置。 - 【請求項５】センス抵抗の電圧に基づいて生成したＰＷ
Ｍ制御信号によりマイクロステップ駆動するステッピン
グモータの駆動装置において、 電源端子および接地端子と、ステッピングモータへの第
１および第２の出力端子と、電源端子と第１の出力端子
間に接続された電源側スイッチ素子と、第２の出力端子
と一端が接地端子に接続されたセンス抵抗の他端間に接
続されたＧＮＤ側スイッチ素子と、第１の出力端子と接
地端子間に接続された回生用スイッチ素子とを具備し、 前記ＰＷＭ制御信号によるオン制御時に、前記電源側ス
イッチ素子がオン制御され、前記ＧＮＤ側スイッチ素子
が低オン抵抗にオン制御されるとともに、前記回生用ス
イッチ素子がオフ制御され、 前記ＰＷＭ制御信号によるオフ制御時に、前記回生用ス
イッチ素子がオン制御され、前記ＧＮＤ側スイッチ素子
が高オン抵抗にオン制御されるとともに、前記電源側ス
イッチ素子がオフ制御されることを特徴とするステッピ
ングモータの駆動装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10997797A JP3365250B2 (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | ステッピングモータ駆動装置 |
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| US09/066,941 US6114826A (en) | 1997-04-28 | 1998-04-28 | Stepping motor driving apparatus having small time constant regenerative current path |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10997797A JP3365250B2 (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | ステッピングモータ駆動装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10304698A JPH10304698A (ja) | 1998-11-13 |
| JP3365250B2 true JP3365250B2 (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=14523957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10997797A Expired - Fee Related JP3365250B2 (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | ステッピングモータ駆動装置 |
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| Country | Link |
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| US (1) | US6114826A (ja) |
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| KR (1) | KR100331008B1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US6392373B1 (en) | 2000-12-06 | 2002-05-21 | Milwaukee Electric Tool Corporation | Automatic reverse motor controller |
| US7116071B2 (en) * | 2000-12-06 | 2006-10-03 | Milwaukee Electric Tool Corporation | Power tool and motor controller |
| EP1282222A3 (de) * | 2001-08-04 | 2005-01-12 | NexPress Solutions LLC | Vorrichtung zur Erzeugung oder Steuerung eines Wechselstromes in wenigstens einer induktiven Last |
| US6573680B2 (en) * | 2001-08-07 | 2003-06-03 | Toshiba Tec Kabushiki Kaisha | Method and circuit for driving stepping motor |
| JP3863844B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2006-12-27 | 松下電器産業株式会社 | ステッピングモータ駆動装置、及びステッピングモータ駆動方法 |
| JP3965127B2 (ja) * | 2003-03-07 | 2007-08-29 | 松下電器産業株式会社 | ステッピングモータ駆動装置、及びステッピングモータ駆動方法 |
| JP2005051852A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Sanyo Electric Co Ltd | モータ駆動回路、集積回路、モータ回路の駆動方法 |
| JP3899071B2 (ja) * | 2003-12-19 | 2007-03-28 | 松下電器産業株式会社 | ステッピングモータ駆動装置、及びステッピングモータ駆動方法 |
| JP2009038865A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Panasonic Corp | 短絡検出機能を備えた電力供給装置 |
| JP2010022137A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 駆動信号出力回路およびマルチチップパッケージ |
| US8410828B2 (en) * | 2010-12-28 | 2013-04-02 | Stmicroelectronics Pvt Ltd. | Area efficient EMI reduction technique for H-bridge current mode transmitter |
| JP2013132093A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Fujitsu General Ltd | スイッチドリラクタンスモータ用駆動回路およびスイッチドリラクタンスモータ |
| KR101367679B1 (ko) * | 2012-09-06 | 2014-02-27 | 삼성전기주식회사 | 모터 구동 장치 |
| KR102117480B1 (ko) * | 2013-08-16 | 2020-06-01 | 삼성전기주식회사 | Ｈ 브릿지 모터 구동 장치 |
| CN104682792B (zh) | 2013-11-27 | 2020-01-31 | 德昌电机(深圳)有限公司 | 直流电机控制电路 |
| JP6675259B2 (ja) * | 2016-04-20 | 2020-04-01 | 株式会社マキタ | 電動作業機 |
| US20180182730A1 (en) * | 2016-12-23 | 2018-06-28 | Infineon Technologies Americas Corp. | Common contact semiconductor device package |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE1210927B (de) * | 1963-04-27 | 1966-02-17 | Philips Patentverwaltung | Anordnung zur selbsttaetigen Senderwahl in Funkempfaengern |
| US3371259A (en) * | 1965-05-26 | 1968-02-27 | Bendix Corp | On-off direct current motor control network with dynamic braking |
| US3628112A (en) * | 1970-06-01 | 1971-12-14 | Thomas A O Gross | Dynamic braking of electric motors with load changing during braking |
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| JPH0681551B2 (ja) * | 1984-10-16 | 1994-10-12 | セイコ−電子工業株式会社 | ステップモ−タの回転検出方法 |
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| US4980838A (en) * | 1989-01-31 | 1990-12-25 | Staubli International Ag. | Digital robot control having pulse width modulator operable with reduced noise |
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| ES2229450T3 (es) * | 1997-05-20 | 2005-04-16 | Seiko Epson Corporation | Metodo y aparato para accionar un motor paso a paso. |
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1997
- 1997-04-28 JP JP10997797A patent/JP3365250B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
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- 1998-04-28 KR KR1019980015885A patent/KR100331008B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-04-28 US US09/066,941 patent/US6114826A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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| KR100331008B1 (ko) | 2002-09-26 |
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