JP3359602B2 - 電解浴 - Google Patents
電解浴Info
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- JP3359602B2 JP3359602B2 JP34385999A JP34385999A JP3359602B2 JP 3359602 B2 JP3359602 B2 JP 3359602B2 JP 34385999 A JP34385999 A JP 34385999A JP 34385999 A JP34385999 A JP 34385999A JP 3359602 B2 JP3359602 B2 JP 3359602B2
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- electrolytic bath
- sulfonic acid
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- liter
- phenolphthalein
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/60—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of tin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/30—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
- C25D3/32—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin characterised by the organic bath constituents used
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は金属基板に錫を電気
メッキする方法に関する。
メッキする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】錫は優れた耐食性を有する金属であるこ
とが知られている。錫と半田との間で優れた結合が形成
されるので、錫表面上に優れた半田接合が生成される。
更に、スチール、銅、アルミニウム、ニッケル及びこれ
らの合金類などのような金属上に錫がメッキされると、
錫メッキはこれら金属基板に、耐食性と半田付け適性を
与える。錫メッキ膜は一般的に、軟質であり、かつ、延
性である。
とが知られている。錫と半田との間で優れた結合が形成
されるので、錫表面上に優れた半田接合が生成される。
更に、スチール、銅、アルミニウム、ニッケル及びこれ
らの合金類などのような金属上に錫がメッキされると、
錫メッキはこれら金属基板に、耐食性と半田付け適性を
与える。錫メッキ膜は一般的に、軟質であり、かつ、延
性である。
【０００３】スチールストリップを電解錫メッキ(elect
rolytic tinning)して錫メッキ膜(tin plate)を生成す
ることは公知である。高速電気メッキ処理法を用いてス
チールに錫をメッキする。高速電気メッキ処理法では、
基板を電解メッキ浴内を迅速に通過させる。メッキ浴自
体は激しく攪拌し、そして、溶液を循環させる。基板へ
の錫の高速電気メッキ法は米国特許第４９９４１５５号
明細書及び同第４８８０５０７号明細書に記載されてい
る。スチールストリップへの錫の高速電気メッキ法は米
国特許第５１７４８８７号明細書に記載されている。
rolytic tinning)して錫メッキ膜(tin plate)を生成す
ることは公知である。高速電気メッキ処理法を用いてス
チールに錫をメッキする。高速電気メッキ処理法では、
基板を電解メッキ浴内を迅速に通過させる。メッキ浴自
体は激しく攪拌し、そして、溶液を循環させる。基板へ
の錫の高速電気メッキ法は米国特許第４９９４１５５号
明細書及び同第４８８０５０７号明細書に記載されてい
る。スチールストリップへの錫の高速電気メッキ法は米
国特許第５１７４８８７号明細書に記載されている。
【０００４】これらの方法では、アルキルスルホン酸又
はアルコイルスルホン酸の何れかの基本溶液を含むメッ
キ浴中で電気メッキが行われる。このメッキ浴は、電気
メッキ中に発泡しない界面活性剤も含有する。低発泡性
界面活性剤を使用し、貯留槽からのオーバーフローを防
止する。このようなオーバーフローはメッキ溶液を無駄
に浪費するため不経済である。また、発泡は、メッキ溶
液の攪拌及び循環のために使用するポンプに悪影響を及
ぼす。
はアルコイルスルホン酸の何れかの基本溶液を含むメッ
キ浴中で電気メッキが行われる。このメッキ浴は、電気
メッキ中に発泡しない界面活性剤も含有する。低発泡性
界面活性剤を使用し、貯留槽からのオーバーフローを防
止する。このようなオーバーフローはメッキ溶液を無駄
に浪費するため不経済である。また、発泡は、メッキ溶
液の攪拌及び循環のために使用するポンプに悪影響を及
ぼす。
【０００５】高速電気メッキ処理法で使用される電気メ
ッキ浴組成は、高速電気メッキに必要な温度及び攪拌度
を受けたときにも安定な化学成分類を含有しなければな
らない。更に、メッキ浴はメッキ処理中、大気に開放さ
れているので、このようなメッキ浴の化学成分類は、大
気に暴露されたときに安定でなければならない。
ッキ浴組成は、高速電気メッキに必要な温度及び攪拌度
を受けたときにも安定な化学成分類を含有しなければな
らない。更に、メッキ浴はメッキ処理中、大気に開放さ
れているので、このようなメッキ浴の化学成分類は、大
気に暴露されたときに安定でなければならない。
【０００６】メッキ浴は、広い温度範囲にわたって明澄
であり、濁りがあってなならない。従って、メッキ浴
は、５４℃以上の曇り点（cloud point：すなわち、化
学成分類が明澄度を維持する以下の温度）を有する。メ
ッキ浴は、５００ＡＳＦ以上の電流密度で動作しなけれ
ばならない。
であり、濁りがあってなならない。従って、メッキ浴
は、５４℃以上の曇り点（cloud point：すなわち、化
学成分類が明澄度を維持する以下の温度）を有する。メ
ッキ浴は、５００ＡＳＦ以上の電流密度で動作しなけれ
ばならない。
【０００７】最後に、このようなメッキ浴により形成さ
れる電気メッキ層は高反射性であり、かつ、比較的無欠
陥であり、しかも、リフロー条件を受けた後でも、無欠
陥でなければならない。これらの条件を満たす電解浴化
学成分類が探し求められている。
れる電気メッキ層は高反射性であり、かつ、比較的無欠
陥であり、しかも、リフロー条件を受けた後でも、無欠
陥でなければならない。これらの条件を満たす電解浴化
学成分類が探し求められている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は高速電気メッキ条件下でスチールに錫を電気メッキす
るのに有用な電解浴を提供することである。
は高速電気メッキ条件下でスチールに錫を電気メッキす
るのに有用な電解浴を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】高速電気メッキ条件は米
国特許第５１７４８８７号明細書に記載されている。ス
チールへの錫の高速電気メッキ条件は当業者に周知であ
り、ここでは詳細には説明しない。
国特許第５１７４８８７号明細書に記載されている。ス
チールへの錫の高速電気メッキ条件は当業者に周知であ
り、ここでは詳細には説明しない。
【００１０】本発明の電解メッキ浴は、アルキルスルホ
ン酸の水溶液及び錫化合物に可溶性の溶液である。好適
なアルキルスルホン酸は例えば、メタンスルホン酸であ
る。錫化合物に可溶性の溶液は例えば、メタンスルホン
酸錫である。メッキ浴中のアルキルスルホン酸の濃度
は、約０〜約３の範囲内のメッキ浴ｐＨをもたらすよう
に選択される。約１０ｇ／リットル〜約３０ｇ／リット
ルの範囲内のアルキルスルホン酸濃度が好適であると思
料される。
ン酸の水溶液及び錫化合物に可溶性の溶液である。好適
なアルキルスルホン酸は例えば、メタンスルホン酸であ
る。錫化合物に可溶性の溶液は例えば、メタンスルホン
酸錫である。メッキ浴中のアルキルスルホン酸の濃度
は、約０〜約３の範囲内のメッキ浴ｐＨをもたらすよう
に選択される。約１０ｇ／リットル〜約３０ｇ／リット
ルの範囲内のアルキルスルホン酸濃度が好適であると思
料される。
【００１１】錫（金属として）の好適な濃度は約１０ｇ
／リットル〜約１００ｇ／リットルである。錫濃度は約
１０ｇ／リットル〜約３０ｇ／リットルであることが好
ましい。高濃度（すなわち、１００ｇ／リットル超の濃
度）も技術的に使用可能であるが、このような高濃度は
不経済であると思われる。
／リットル〜約１００ｇ／リットルである。錫濃度は約
１０ｇ／リットル〜約３０ｇ／リットルであることが好
ましい。高濃度（すなわち、１００ｇ／リットル超の濃
度）も技術的に使用可能であるが、このような高濃度は
不経済であると思われる。
【００１２】このメッキ溶液は、ポリアルキレングリコ
ールとフェノールフタレイン又はフェノールフタレイン
誘導体との反応生成物である、少なくも１種類の有機添
加物も含有する。この反応生成物における、アルキレン
オキシド基（例えば、−ＣxＨyＯ−、ここでｙ＝２ｘで
ある）の個数は約１０〜約６２である。
ールとフェノールフタレイン又はフェノールフタレイン
誘導体との反応生成物である、少なくも１種類の有機添
加物も含有する。この反応生成物における、アルキレン
オキシド基（例えば、−ＣxＨyＯ−、ここでｙ＝２ｘで
ある）の個数は約１０〜約６２である。
【００１３】アルキレンオキシド基は置換されていても
よく、又は置換されていないくてもよい。ポリアルキレ
ングリコールがエチレングリコールである本発明の実施
態様では、アルキレンオキシド基はエチレンオキシド基
である。
よく、又は置換されていないくてもよい。ポリアルキレ
ングリコールがエチレングリコールである本発明の実施
態様では、アルキレンオキシド基はエチレンオキシド基
である。
【００１４】縮合生成物は、ポリアルキレングリコール
とフェノールフタレイン又はフェノールフタレイン誘導
体との反応により生成される。或る実施態様では、縮合
生成物は、これが電解メッキ浴に添加される前に生成さ
れる。別の実施態様では、縮合生成物は、アルキレン
グリコール又はポリアルキレングリコール及びフェノ
ールフタレイン又はフェノールフタレイン誘導体をメッ
キ浴に別々に添加することにより、電解メッキ浴中で生
成される。
とフェノールフタレイン又はフェノールフタレイン誘導
体との反応により生成される。或る実施態様では、縮合
生成物は、これが電解メッキ浴に添加される前に生成さ
れる。別の実施態様では、縮合生成物は、アルキレン
グリコール又はポリアルキレングリコール及びフェノ
ールフタレイン又はフェノールフタレイン誘導体をメッ
キ浴に別々に添加することにより、電解メッキ浴中で生
成される。
【００１５】アルキレンオキシドは置換されているか又
は置換されていない。置換されている場合、メチル及び
エチル置換基が好適であると思料される。メッキ溶液中
における有機添加物（縮合生成物として）の濃度は約
０．２ｇ／リットル〜約２ｇ／リットルであることが好
ましい。
は置換されていない。置換されている場合、メチル及び
エチル置換基が好適であると思料される。メッキ溶液中
における有機添加物（縮合生成物として）の濃度は約
０．２ｇ／リットル〜約２ｇ／リットルであることが好
ましい。
【００１６】このメッキ溶液は酸化防止剤も含有する。
好適な酸化防止剤は例えば、ベンズアルデヒドスルホン
酸のナトリウム塩及びこれらの誘導体などである。メッ
キ溶液中における酸化防止剤の濃度は約０．１５ｇ／リ
ットル〜約１．５ｇ／リットルである。
好適な酸化防止剤は例えば、ベンズアルデヒドスルホン
酸のナトリウム塩及びこれらの誘導体などである。メッ
キ溶液中における酸化防止剤の濃度は約０．１５ｇ／リ
ットル〜約１．５ｇ／リットルである。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の方法における、前記のメ
ッキ溶液は、アルキルスルホン酸第１錫(stannous alky
l sulfonate)又はアルコイルスルホン酸第１錫(stannou
s alkoyl sulfonate)を、アルキルスルホン酸又はアル
コイルスルホン酸の水溶液に添加することにより生成さ
れる。容量１リットルの溶液を調製する場合、約１０ｇ
〜約３０ｇの錫（スルホン酸第１錫として添加される）
を、約１０ｇ／リットル〜約３０ｇ／リットルのアルキ
ルスルホン酸又はアルコイルスルホン酸を含有する水溶
液１リットルに添加する。この溶液に、アルキレングリ
コール又はポリアルキレングリコールとフェノールフタ
レイン又はフェノールフタレイン誘導体の縮合生成物で
ある有機添加物を少なくとも約０．２ｇ／リットル添加
する。
ッキ溶液は、アルキルスルホン酸第１錫(stannous alky
l sulfonate)又はアルコイルスルホン酸第１錫(stannou
s alkoyl sulfonate)を、アルキルスルホン酸又はアル
コイルスルホン酸の水溶液に添加することにより生成さ
れる。容量１リットルの溶液を調製する場合、約１０ｇ
〜約３０ｇの錫（スルホン酸第１錫として添加される）
を、約１０ｇ／リットル〜約３０ｇ／リットルのアルキ
ルスルホン酸又はアルコイルスルホン酸を含有する水溶
液１リットルに添加する。この溶液に、アルキレングリ
コール又はポリアルキレングリコールとフェノールフタ
レイン又はフェノールフタレイン誘導体の縮合生成物で
ある有機添加物を少なくとも約０．２ｇ／リットル添加
する。
【００１８】フェノールフタレインは下記の構造式で示
される。
される。
【００１９】
【化３】
【００２０】フェノールフタレイン誘導体は例えば、下
記の構造式で示される化合物類である。
記の構造式で示される化合物類である。
【００２１】
【化４】 ブロモクレゾールパープル
【００２２】
【化５】 フェノールレッド
【００２３】
【化６】 ｏ−クレゾールフタレイン
【００２４】
【化７】 クロロフェノールレッド
【００２５】有機添加物の濃度は約０．２ｇ／リットル
以上であることが好適であると思料される。しかし、約
２ｇ／リットル超の濃度は不必要であると思われる。そ
の理由は、有機添加物の濃度が約２ｇ／リットル超の場
合、何らの追加的利益も存在しないからである。
以上であることが好適であると思料される。しかし、約
２ｇ／リットル超の濃度は不必要であると思われる。そ
の理由は、有機添加物の濃度が約２ｇ／リットル超の場
合、何らの追加的利益も存在しないからである。
【００２６】ポリエチレングリコールとフェノールフタ
レインとの反応生成物の構造は下記の構造式により示さ
れる。
レインとの反応生成物の構造は下記の構造式により示さ
れる。
【００２７】
【化８】 （式中、ｎは約１０〜約６２であり、Ｒは水素、メチル
又はエチルである。）
又はエチルである。）
【００２８】本発明の或る実施態様では、錫（メタンス
ルホン酸第１錫として添加される）を約１０ｇ／リット
ル〜約３０ｇ／リットル、メタンスルホン酸を約１０ｇ
／リットル〜約３０ｇ／リットル、ポリエチレングリコ
ールとフェノールフタレインとの縮合生成物を約０．２
ｇ／リットル〜約２ｇ／リットル、及び酸化防止剤を約
０．１５ｇ／リットル〜約１．５ｇ／リットル含有する
溶液を調製する。好適な酸化防止剤の一例は、ベンズア
ルデヒドスルホン酸のナトリウム塩である。
ルホン酸第１錫として添加される）を約１０ｇ／リット
ル〜約３０ｇ／リットル、メタンスルホン酸を約１０ｇ
／リットル〜約３０ｇ／リットル、ポリエチレングリコ
ールとフェノールフタレインとの縮合生成物を約０．２
ｇ／リットル〜約２ｇ／リットル、及び酸化防止剤を約
０．１５ｇ／リットル〜約１．５ｇ／リットル含有する
溶液を調製する。好適な酸化防止剤の一例は、ベンズア
ルデヒドスルホン酸のナトリウム塩である。
【００２９】本発明の電解浴は、様々な電流密度でスチ
ール基板上に錫をメッキするために使用される。本発明
の電解浴の利点の一つは、高速電気メッキで現に使用さ
れている任意の電流密度を用いて、優れた錫電気メッキ
層を形成できることである。現在、高速電気メッキで
は、約１００ＡＳＦ〜７００ＡＳＦの範囲内の電流密度
が使用される。しかし、本発明の電解浴は、７００ＡＳ
Ｆ超の電流密度が使用されても、優れた錫電気メッキ層
を形成する。
ール基板上に錫をメッキするために使用される。本発明
の電解浴の利点の一つは、高速電気メッキで現に使用さ
れている任意の電流密度を用いて、優れた錫電気メッキ
層を形成できることである。現在、高速電気メッキで
は、約１００ＡＳＦ〜７００ＡＳＦの範囲内の電流密度
が使用される。しかし、本発明の電解浴は、７００ＡＳ
Ｆ超の電流密度が使用されても、優れた錫電気メッキ層
を形成する。
【００３０】電気メッキ中の電解浴の温度は約３５℃〜
約６５℃である。本発明の電解浴は、常用の高速スチー
ル電気メッキ装置と共に使用される。このような装置
は、１５００フィート／分程度の速度で動作する。
約６５℃である。本発明の電解浴は、常用の高速スチー
ル電気メッキ装置と共に使用される。このような装置
は、１５００フィート／分程度の速度で動作する。
【００３１】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に例証す
る。
る。
【００３２】実施例１ 水に、メタンスルホン酸第１錫（３９ｇ／リットル，金
属錫として１５ｇ／リットル）及びメタンスルホン酸
（１５ｇ／リットル）を添加することにより溶液を調製
した。この溶液に、polyglycol 15-200（これは、ダウ
・ケミカル(Dow Chemical Co.)社から市販されているポ
リグリコールコポリマーである）とフェノールフタレイ
ンとの縮合生成物を添加した。縮合生成物は、前記溶液
中で１．５ｇ／リットルの濃度をもたらすのに充分な量
のポリグリコールと、前記溶液中で０．５ｇ／リットル
の濃度をもたらすのに充分な量のフェノールフタレイン
を添加することにより生成する。この溶液は、酸化防止
剤として、ベンズアルデヒドスルホン酸(benzaldehyde
sulfonic acid)（０．７５ｇ／リットル）も含有してい
た。
属錫として１５ｇ／リットル）及びメタンスルホン酸
（１５ｇ／リットル）を添加することにより溶液を調製
した。この溶液に、polyglycol 15-200（これは、ダウ
・ケミカル(Dow Chemical Co.)社から市販されているポ
リグリコールコポリマーである）とフェノールフタレイ
ンとの縮合生成物を添加した。縮合生成物は、前記溶液
中で１．５ｇ／リットルの濃度をもたらすのに充分な量
のポリグリコールと、前記溶液中で０．５ｇ／リットル
の濃度をもたらすのに充分な量のフェノールフタレイン
を添加することにより生成する。この溶液は、酸化防止
剤として、ベンズアルデヒドスルホン酸(benzaldehyde
sulfonic acid)（０．７５ｇ／リットル）も含有してい
た。
【００３３】１回目のメッキ試験では、流体力学的に制
御されたHull Cell(HCHC)を用いて、スチール基板上に
錫をメッキするために、前記溶液を６００ｍｌ使用し
た。ＨＣＨＣパネルを１５アンペアで３０秒間メッキし
た。前記の電流密度範囲内（すなわち、１００ＡＳＦ〜
７００ＡＳＦ）では、得られたメッキ層は梨地の光沢仕
上面（光沢計で反射率８０％の指示値）を示した。メッ
キ層はリフロー処理を受けると、完全な光沢面（光沢計
で反射率１００％の指示値）となった。メッキされたフ
ォイルを、温度２３８℃の常用のオーブン中に４分間静
置することにより、メッキ層をリフロー処理した。次い
で、このフォイルをオーブンから取り出し、空冷し、そ
して、走査電子顕微鏡で検査した。
御されたHull Cell(HCHC)を用いて、スチール基板上に
錫をメッキするために、前記溶液を６００ｍｌ使用し
た。ＨＣＨＣパネルを１５アンペアで３０秒間メッキし
た。前記の電流密度範囲内（すなわち、１００ＡＳＦ〜
７００ＡＳＦ）では、得られたメッキ層は梨地の光沢仕
上面（光沢計で反射率８０％の指示値）を示した。メッ
キ層はリフロー処理を受けると、完全な光沢面（光沢計
で反射率１００％の指示値）となった。メッキされたフ
ォイルを、温度２３８℃の常用のオーブン中に４分間静
置することにより、メッキ層をリフロー処理した。次い
で、このフォイルをオーブンから取り出し、空冷し、そ
して、走査電子顕微鏡で検査した。
【００３４】２回目のメッキ試験では、回転円筒電極を
使用し、スチール基板上に錫をメッキするために、前記
溶液を５００ｍｌ使用した。電流密度を、１００ＡＳ
Ｆ、３００ＡＳＦ、５００ＡＳＦ及び７００ＡＳＦに固
定した。回転速度は１０００ｒｐｍ又は２０００ｒｐｍ
であった。メッキ浴の温度は５４℃であった。前記のメ
ッキ条件を使用して得られたメッキ層は、梨地の光沢仕
上面を有しており、（前記のリフロー条件を使用して）
リフロー処理すると、メッキ層は完全な光沢面となっ
た。
使用し、スチール基板上に錫をメッキするために、前記
溶液を５００ｍｌ使用した。電流密度を、１００ＡＳ
Ｆ、３００ＡＳＦ、５００ＡＳＦ及び７００ＡＳＦに固
定した。回転速度は１０００ｒｐｍ又は２０００ｒｐｍ
であった。メッキ浴の温度は５４℃であった。前記のメ
ッキ条件を使用して得られたメッキ層は、梨地の光沢仕
上面を有しており、（前記のリフロー条件を使用して）
リフロー処理すると、メッキ層は完全な光沢面となっ
た。
【００３５】３回目のメッキ試験では、流動セルを使用
してスチール基板上に錫をメッキするために、前記の溶
液を３０３リットル使用した。溶液の流速は２４５ガロ
ン／分であった。１５００フィート／分の速度でメッキ
浴内を往復するスチールストリップに錫をメッキするた
めに使用される流動性を付与するような流動条件を選択
した。電流密度は１００ＡＳＦ、３００ＡＳＦ及び６０
０ＡＳＦであった。メッキ浴の温度は４９℃又は５４℃
の何れかであった。得られたメッキ層は梨地の光沢仕上
面を示した。前記のリフロー処理条件を用いてリフロー
処理すると、メッキ層は完全な光沢面となった。
してスチール基板上に錫をメッキするために、前記の溶
液を３０３リットル使用した。溶液の流速は２４５ガロ
ン／分であった。１５００フィート／分の速度でメッキ
浴内を往復するスチールストリップに錫をメッキするた
めに使用される流動性を付与するような流動条件を選択
した。電流密度は１００ＡＳＦ、３００ＡＳＦ及び６０
０ＡＳＦであった。メッキ浴の温度は４９℃又は５４℃
の何れかであった。得られたメッキ層は梨地の光沢仕上
面を示した。前記のリフロー処理条件を用いてリフロー
処理すると、メッキ層は完全な光沢面となった。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高速電気メッキ条件下でスチールに錫を電気メッキする
のに有用な電解メッキ浴が得られる。本発明のメッキ浴
により形成される電気メッキ層は高反射性であり、しか
も、リフロー条件を受けた後、無欠陥であるばかりか、
完全な光沢面を形成することができる。
高速電気メッキ条件下でスチールに錫を電気メッキする
のに有用な電解メッキ浴が得られる。本発明のメッキ浴
により形成される電気メッキ層は高反射性であり、しか
も、リフロー条件を受けた後、無欠陥であるばかりか、
完全な光沢面を形成することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シー ホン チウ アメリカ合衆国、11236 ニューヨーク、 ブルックリン、イースト 95 ストリー ト 1456 (72)発明者 ユン ツァン アメリカ合衆国、07059 ニュージャー ジー、ワーレン、ハードウッド コート ７ (56)参考文献 特開 平10−96095（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C25D 3/32
Claims (8)
- 【請求項１】 高速電気メッキ法により基板上に錫をメ
ッキするための電解浴であり、 (a)アルキルスルホン酸第１錫及びアルコイルスルホン
酸第１錫からなる群から選択されるスルホン酸第１錫
と、 (b)アルキルスルホン酸及びアルコイルスルホン酸から
なる群から選択されるスルホン酸と、 (c)ポリアルキレングリコールとフェノールフタレイン
又はフェノールフタレイン誘導体との反応生成物である
少なくとも１種類の有機添加剤とからなり、 溶液中のスルホン酸の濃度は、前記電解浴のｐＨ値を１
又はこれ未満とするのに充分な濃度であり、 前記電解浴中の前記有機添加剤の濃度は０．２ｇ／リッ
トル〜２ｇ／リットルである、ことを特徴とする電解
浴。 - 【請求項２】 前記フェノールフタレイン誘導体は、ブ
ロモクレゾールパープル、フェノールレッド、ｏ−クレ
ゾールフタレイン及びクロロフェノールレッドからなる
群から選択される、ことを特徴とする請求項１に記載の
電解浴。 - 【請求項３】 前記ポリアルキレングリコールは炭素原
子を２０〜２５０個有する、ことを特徴とする請求項１
に記載の電解浴。 - 【請求項４】 前記反応生成物は下記の構造式 【化１】 （式中、Ｘはフェノールフタレイン又はフェノールフタ
レイン基であり、Ｒは、水素、メチル及びエチルからな
る群から選択され、ｎは１０〜６２である）で示され
る、ことを特徴とする請求項１に記載の電解浴。 - 【請求項５】 前記反応生成物は下記の構造式 【化２】 （式中、ｎは１０〜６２であり、Ｒは水素、メチル又は
エチルである）で示される、ことを特徴とする請求項１
に記載の電解浴。 - 【請求項６】 酸化防止剤を更に含有し、前記酸化防止
剤の濃度が０．１５ｇ／リットル〜１．５ｇ／リットル
である、ことを特徴とする請求項１に記載の電解浴。 - 【請求項７】 前記酸化防止剤はベンズアルデヒドスル
ホン酸のナトリウム塩又はベンズアルデヒドスルホン酸
の誘導体である、ことを特徴とする請求項６に記載の電
解浴。 - 【請求項８】 高速電気メッキ法により電解浴を用いて
基板上に錫をメッキする方法であり、前記電解浴は、 (a)アルキルスルホン酸第１錫及びアルコイルスルホン
酸第１錫からなる群から選択されるスルホン酸第１錫
と、 (b)アルキルスルホン酸及びアルコイルスルホン酸から
なる群から選択されるスルホン酸と、 (c)ポリアルキレングリコールとフェノールフタレイン
又はフェノールフタレイン誘導体との反応生成物である
少なくとも１種類の有機添加剤とからなり、 溶液中のスルホン酸の濃度は、前記電解浴のｐＨ値を１
又はこれ未満とするのに充分な濃度であり、 前記電解浴中の前記有機添加剤の濃度は０．２ｇ／リッ
トル〜２ｇ／リットルである、ことを特徴とする基板上
に錫をメッキする方法。
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