JP4788262B2 - めっき皮膜、およびめっき皮膜の形成方法。 - Google Patents
めっき皮膜、およびめっき皮膜の形成方法。 Download PDFInfo
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- めっき皮膜の形成方法であって、
基体上に、Niイオン、ならびに、アミノカルボン酸、アミノアルコール、および[化1]に示される官能基を有する化合物から選ばれる少なくとも1種を含むめっき液を用いて、Niを主成分とするめっき層を形成する工程と、
前記Niを主成分とするめっき層上に、Snを主成分とするめっき層を形成する工程と、
前記Snを主成分とするめっき層を形成した後に、230〜350℃の温度にて熱処理する工程とを備えることを特徴とする、めっき皮膜の形成方法。
- 請求項1に記載のめっき皮膜の形成方法で基体上に形成された、めっき皮膜であって、
前記めっき皮膜の色度が、L*a*b*表色系において−5≦a*≦5、b*≧10を満たすことを特徴とする、めっき皮膜。
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JP2005272486A JP4788262B2 (ja) | 2005-09-20 | 2005-09-20 | めっき皮膜、およびめっき皮膜の形成方法。 |
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