JP3346180B2 - 半田バンプ形成方法 - Google Patents
半田バンプ形成方法Info
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- plate
- solder bump
- hole
- cream solder
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1216—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by screen printing or stencil printing
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
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-
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- H05K3/3485—Applying solder paste, slurry or powder
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板や半導体チッ
プに半田バンプを形成する半田バンプ形成方法に関する
ものである。
プに半田バンプを形成する半田バンプ形成方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、基板や半導体チップのように、電
極を備えたワークに半田バンプを形成し、この半田バン
プを電極として使用するだけでなく、ワークの固着手段
としても使用する工法が、広く実施されるようになって
きている。
極を備えたワークに半田バンプを形成し、この半田バン
プを電極として使用するだけでなく、ワークの固着手段
としても使用する工法が、広く実施されるようになって
きている。
【０００３】さて、ワークの電極に、一括して複数の半
田バンプを形成するについて、次に述べるように、治具
を用いた方法がある。
田バンプを形成するについて、次に述べるように、治具
を用いた方法がある。
【０００４】図４は、従来の半田バンプ形成方法の工程
説明図である。図４（ａ）において、１はその上面１ａ
側に、ワークの電極の位置にあわせて複数の凹部２が形
成されている治具である。そして、上面１ａ上でスキー
ジ３をスライドさせ、スキージ３でクリーム半田４をか
き寄せることにより、凹部２にクリーム半田４を充填す
る。
説明図である。図４（ａ）において、１はその上面１ａ
側に、ワークの電極の位置にあわせて複数の凹部２が形
成されている治具である。そして、上面１ａ上でスキー
ジ３をスライドさせ、スキージ３でクリーム半田４をか
き寄せることにより、凹部２にクリーム半田４を充填す
る。
【０００５】次に、図４（ｂ）に示すように、充填され
たクリーム半田４上に、ワークとしての基板５の電極６
をセットする。
たクリーム半田４上に、ワークとしての基板５の電極６
をセットする。
【０００６】そして、図４（ｃ）に示すように、ヒータ
７で治具１を加熱することにより、凹部２内のクリーム
半田４を溶融させる。その結果、クリーム半田４は溶け
て電極６に接触しながら、略球状に凝集する。この後、
冷却すると、溶けたクリーム半田４は固化して、半田バ
ンプ８となる。
７で治具１を加熱することにより、凹部２内のクリーム
半田４を溶融させる。その結果、クリーム半田４は溶け
て電極６に接触しながら、略球状に凝集する。この後、
冷却すると、溶けたクリーム半田４は固化して、半田バ
ンプ８となる。
【０００７】次に、図４（ｄ）に示すように、基板５を
治具１から外すと、半田バンプ８付きの基板５が得られ
る。
治具１から外すと、半田バンプ８付きの基板５が得られ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、クリーム半
田４にはフラックスが含まれており、このような治具１
によると、電極６が凹部２から外れても、凹部２内にフ
ラックス残渣９が残ってしまう。このため、図４（ｅ）
に示すように、次の基板１０の電極１１に対するバンプ
形成を行うべく、図４（ａ）と同様にクリーム半田４を
充填すると、凹部２内に充填されるクリーム半田４は、
フラックス残渣９の体積だけ減ってしまう。
田４にはフラックスが含まれており、このような治具１
によると、電極６が凹部２から外れても、凹部２内にフ
ラックス残渣９が残ってしまう。このため、図４（ｅ）
に示すように、次の基板１０の電極１１に対するバンプ
形成を行うべく、図４（ａ）と同様にクリーム半田４を
充填すると、凹部２内に充填されるクリーム半田４は、
フラックス残渣９の体積だけ減ってしまう。
【０００９】したがって、図４（ｆ）に示すように、こ
のままバンプ形成を行うと、形成される半田バンプ１２
は、以前の半田バンプ８に対してかなり小さなものとな
ってしまう。このように、従来の半田バンプ形成方法に
よると、形成される半田バンプのサイズがばらついてし
まうという問題点があった。
のままバンプ形成を行うと、形成される半田バンプ１２
は、以前の半田バンプ８に対してかなり小さなものとな
ってしまう。このように、従来の半田バンプ形成方法に
よると、形成される半田バンプのサイズがばらついてし
まうという問題点があった。
【００１０】そこで本発明は、均一な半田バンプを形成
できる半田バンプ形成方法を提供することを目的とす
る。
できる半田バンプ形成方法を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半田バンプ形成
方法は、水平台の上に、電極の位置にあわせて形成され
た複数個の貫通孔を備えたプレートを重ねる工程と、プ
レートの各貫通孔にクリーム半田を充填する工程と、充
填されたクリーム半田にバンプを形成しようとする電極
を接触させる工程と、クリーム半田を溶融させた後固化
させて電極に半田バンプを形成する工程と、形成した半
田バンプを貫通孔から外す工程と、プレートを水平台か
ら外して、水平台上に残ったフラックス残渣を除去する
工程とを含む。
方法は、水平台の上に、電極の位置にあわせて形成され
た複数個の貫通孔を備えたプレートを重ねる工程と、プ
レートの各貫通孔にクリーム半田を充填する工程と、充
填されたクリーム半田にバンプを形成しようとする電極
を接触させる工程と、クリーム半田を溶融させた後固化
させて電極に半田バンプを形成する工程と、形成した半
田バンプを貫通孔から外す工程と、プレートを水平台か
ら外して、水平台上に残ったフラックス残渣を除去する
工程とを含む。
【００１２】
【発明の実施の形態】請求項１記載の半田バンプ形成方
法は、水平台の上に、電極の位置にあわせて形成された
複数個の貫通孔を備えたプレートを重ねる工程と、プレ
ートの各貫通孔にクリーム半田を充填する工程と、充填
されたクリーム半田にバンプを形成しようとする電極を
接触させる工程と、クリーム半田を溶融させた後固化さ
せて電極に半田バンプを形成する工程と、形成した半田
バンプを貫通孔から外す工程と、プレートを水平台から
外して、水平台上に残ったフラックス残渣を除去する工
程とを含む。
法は、水平台の上に、電極の位置にあわせて形成された
複数個の貫通孔を備えたプレートを重ねる工程と、プレ
ートの各貫通孔にクリーム半田を充填する工程と、充填
されたクリーム半田にバンプを形成しようとする電極を
接触させる工程と、クリーム半田を溶融させた後固化さ
せて電極に半田バンプを形成する工程と、形成した半田
バンプを貫通孔から外す工程と、プレートを水平台から
外して、水平台上に残ったフラックス残渣を除去する工
程とを含む。
【００１３】したがって、上記各工程が済んだ後、貫通
孔内にはフラックス残渣が残っておらず、貫通孔内に
は、常に一定の体積のクリーム半田が充填される。この
ため、形成される半田バンプのサイズも均一になる。
孔内にはフラックス残渣が残っておらず、貫通孔内に
は、常に一定の体積のクリーム半田が充填される。この
ため、形成される半田バンプのサイズも均一になる。
【００１４】次に図面を参照しながら、本発明の実施の
形態について説明する。図１は、本発明の一実施の形態
における半田バンプ形成方法の工程説明図である。図１
（ａ）に示すように、本形態における治具は、水平台１
３と、水平台１３上に接離自在に重ねられるプレート１
４とからなる。このプレート１４には、基板５の電極６
の位置にあうように形成され、かつこのプレート１４を
厚さ方向に貫通する貫通孔１５が複数個設けてある。
形態について説明する。図１は、本発明の一実施の形態
における半田バンプ形成方法の工程説明図である。図１
（ａ）に示すように、本形態における治具は、水平台１
３と、水平台１３上に接離自在に重ねられるプレート１
４とからなる。このプレート１４には、基板５の電極６
の位置にあうように形成され、かつこのプレート１４を
厚さ方向に貫通する貫通孔１５が複数個設けてある。
【００１５】そして、スキージ３をプレート１４の上面
１４ａ上で矢印Ｎ１方向にスライドすることにより、ク
リーム半田４をかき寄せて、それぞれの貫通孔１５内に
クリーム半田４を充填する。
１４ａ上で矢印Ｎ１方向にスライドすることにより、ク
リーム半田４をかき寄せて、それぞれの貫通孔１５内に
クリーム半田４を充填する。
【００１６】次に、図１（ｂ）に示すように、充填され
たクリーム半田４上に、基板５の電極６をセットする。
たクリーム半田４上に、基板５の電極６をセットする。
【００１７】そして、図１（ｃ）に示すように、ヒータ
７で水平台１３を加熱することにより、貫通孔１５内の
クリーム半田４を溶融させる。その結果、クリーム半田
４は溶けて電極６に接触しながら、略球状に凝集する。
この後、冷却すると、溶けたクリーム半田４は固化し
て、半田バンプ８となる。
７で水平台１３を加熱することにより、貫通孔１５内の
クリーム半田４を溶融させる。その結果、クリーム半田
４は溶けて電極６に接触しながら、略球状に凝集する。
この後、冷却すると、溶けたクリーム半田４は固化し
て、半田バンプ８となる。
【００１８】次に、図１（ｄ）に示すように、基板５を
プレート１４から外すと、半田バンプ８付きの基板５が
得られる。
プレート１４から外すと、半田バンプ８付きの基板５が
得られる。
【００１９】ところが、クリーム半田４にはフラックス
が含まれており、従来の技術の項で説明したように、ク
リーム半田４が凝集した後には、クリーム半田４に含ま
れていたフラックスと半田が分離し、電極６が貫通孔１
５から外れても、貫通孔１５内にフラックス残渣９が残
ってしまう。
が含まれており、従来の技術の項で説明したように、ク
リーム半田４が凝集した後には、クリーム半田４に含ま
れていたフラックスと半田が分離し、電極６が貫通孔１
５から外れても、貫通孔１５内にフラックス残渣９が残
ってしまう。
【００２０】そこで、図１（ｅ）に示すように、プレー
ト１４を水平台１３から外す。すると、貫通孔１５内に
残っていたフラックス残渣９は、プレート１４から分離
し水平台１３上に取残される。
ト１４を水平台１３から外す。すると、貫通孔１５内に
残っていたフラックス残渣９は、プレート１４から分離
し水平台１３上に取残される。
【００２１】そして、図１（ｆ）に示すように、スキー
ジ３を水平台１３上で矢印Ｎ１方向にスライドすること
により、フラックス残渣９をかき寄せて、水平台１３上
からフラックス残渣９を取除く。ここで、フラックス残
渣９を取除くには、必ずしもスキージ３を用いなければ
ならないというものではなく、例えば作業者が紙や布な
どを用いて手作業で取除いてもよい。この場合、図３に
示す方法が好ましい。
ジ３を水平台１３上で矢印Ｎ１方向にスライドすること
により、フラックス残渣９をかき寄せて、水平台１３上
からフラックス残渣９を取除く。ここで、フラックス残
渣９を取除くには、必ずしもスキージ３を用いなければ
ならないというものではなく、例えば作業者が紙や布な
どを用いて手作業で取除いてもよい。この場合、図３に
示す方法が好ましい。
【００２２】図３（ａ）において、基板５をプレート１
４から外した後、このプレート１４を水平台１３から外
し、プレート１４と水平台１３の間にフラックス９を吸
収する布又は紙より成るシート２０をはさみ込む。そし
てプレート１４を水平台１３へ押し付けて水平台１３上
に残るフラックス９やプレート１４にわずかに付着して
残っているフラックスをシート２０で吸収する（図３
（ｂ））。その後このシート２０を除去すればフラック
ス９はシート２０と共に取り除かれる。シート２０を使
用する場合はフラックス９が固化しないうちに作業を行
うか、フラックス９を加熱しながら行うとよい。またシ
ート２０を除去した後水平台１３上をシート２０で拭き
取ってもよい。
４から外した後、このプレート１４を水平台１３から外
し、プレート１４と水平台１３の間にフラックス９を吸
収する布又は紙より成るシート２０をはさみ込む。そし
てプレート１４を水平台１３へ押し付けて水平台１３上
に残るフラックス９やプレート１４にわずかに付着して
残っているフラックスをシート２０で吸収する（図３
（ｂ））。その後このシート２０を除去すればフラック
ス９はシート２０と共に取り除かれる。シート２０を使
用する場合はフラックス９が固化しないうちに作業を行
うか、フラックス９を加熱しながら行うとよい。またシ
ート２０を除去した後水平台１３上をシート２０で拭き
取ってもよい。
【００２３】水平台１３上のフラックス残渣９を取除い
たら、図１（ｇ）に示すように、再び水平台１３上にプ
レート１４を重ねて次の作業に備えるものである。この
とき、図示しているように、貫通孔１５は空になってお
り、次に貫通孔１５にクリーム半田４を充填する際に
は、図１（ａ）と同量のクリーム半田４が貫通孔１５内
に充填され、当然次に形成されるクリーム半田４も、図
１（ｄ）と同じ体積のものとなる。このように、貫通孔
１５内のフラックス残渣９を１ストロークごとに除去す
るようにしたので、均一なフラックス残渣９を形成する
ことができる。
たら、図１（ｇ）に示すように、再び水平台１３上にプ
レート１４を重ねて次の作業に備えるものである。この
とき、図示しているように、貫通孔１５は空になってお
り、次に貫通孔１５にクリーム半田４を充填する際に
は、図１（ａ）と同量のクリーム半田４が貫通孔１５内
に充填され、当然次に形成されるクリーム半田４も、図
１（ｄ）と同じ体積のものとなる。このように、貫通孔
１５内のフラックス残渣９を１ストロークごとに除去す
るようにしたので、均一なフラックス残渣９を形成する
ことができる。
【００２４】さらに、貫通孔１５の形状を図２に示すよ
うにすると、一層好適である。即ち、一旦プレート１４
に貫通孔１５を形成した後、プレート１４の下面側から
ザグリを入れて、貫通孔１５の下端部を外側に張出すよ
うにする。こうすると、フラックスがザグった貫通孔１
５の底部に溜りやすくフラックス残渣９による悪影響を
より小さくすることができるし、クリーム半田４を貫通
孔１５に充填する際に、貫通孔１５内に取残された空気
の逃場が形成され、充填が一層確実に行える。
うにすると、一層好適である。即ち、一旦プレート１４
に貫通孔１５を形成した後、プレート１４の下面側から
ザグリを入れて、貫通孔１５の下端部を外側に張出すよ
うにする。こうすると、フラックスがザグった貫通孔１
５の底部に溜りやすくフラックス残渣９による悪影響を
より小さくすることができるし、クリーム半田４を貫通
孔１５に充填する際に、貫通孔１５内に取残された空気
の逃場が形成され、充填が一層確実に行える。
【００２５】ここで、本形態では、図１（ｂ）に示すよ
うに、電極６をクリーム半田４に接触させた後、図１
（ｃ）に示すように、半田バンプ８を形成する例を説明
した。しかしながら、この順を、先に半田バンプ８を形
成しておいて次に電極６を半田バンプ８に接触させると
いうように、逆にしても差支えない。
うに、電極６をクリーム半田４に接触させた後、図１
（ｃ）に示すように、半田バンプ８を形成する例を説明
した。しかしながら、この順を、先に半田バンプ８を形
成しておいて次に電極６を半田バンプ８に接触させると
いうように、逆にしても差支えない。
【００２６】
【発明の効果】本発明の半田バンプ形成方法は、水平台
の上に、電極の位置にあわせて形成された複数個の貫通
孔を備えたプレートを重ねる工程と、プレートの各貫通
孔にクリーム半田を充填する工程と、充填されたクリー
ム半田にバンプを形成しようとする電極を接触させる工
程と、クリーム半田を溶融させた後固化させて電極に半
田バンプを形成する工程と、形成した半田バンプを貫通
孔から外す工程と、プレートを水平台から外して、水平
台上に残ったフラックス残渣を除去する工程とを含むの
で、繰返し半田バンプを形成しても、貫通孔内に充填さ
れるクリーム半田の体積は一定であって、その結果均一
な半田ボールを繰返し形成することができる。
の上に、電極の位置にあわせて形成された複数個の貫通
孔を備えたプレートを重ねる工程と、プレートの各貫通
孔にクリーム半田を充填する工程と、充填されたクリー
ム半田にバンプを形成しようとする電極を接触させる工
程と、クリーム半田を溶融させた後固化させて電極に半
田バンプを形成する工程と、形成した半田バンプを貫通
孔から外す工程と、プレートを水平台から外して、水平
台上に残ったフラックス残渣を除去する工程とを含むの
で、繰返し半田バンプを形成しても、貫通孔内に充填さ
れるクリーム半田の体積は一定であって、その結果均一
な半田ボールを繰返し形成することができる。
【図１】（ａ）本発明の一実施の形態における半田バン
プ形成方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態における半田バンプ形成方
法の工程説明図 （ｃ）本発明の一実施の形態における半田バンプ形成方
法の工程説明図 （ｄ）本発明の一実施の形態における半田バンプ形成方
法の工程説明図 （ｅ）本発明の一実施の形態における半田バンプ形成方
法の工程説明図 （ｆ）本発明の一実施の形態における半田バンプ形成方
法の工程説明図 （ｇ）本発明の一実施の形態における半田バンプ形成方
法の工程説明図
プ形成方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態における半田バンプ形成方
法の工程説明図 （ｃ）本発明の一実施の形態における半田バンプ形成方
法の工程説明図 （ｄ）本発明の一実施の形態における半田バンプ形成方
法の工程説明図 （ｅ）本発明の一実施の形態における半田バンプ形成方
法の工程説明図 （ｆ）本発明の一実施の形態における半田バンプ形成方
法の工程説明図 （ｇ）本発明の一実施の形態における半田バンプ形成方
法の工程説明図
【図２】本発明の一実施の形態における貫通孔の拡大図
【図３】（ａ）本発明の一実施の形態における半田バン
プ形成方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態における半田バンプ形成方
法の工程説明図
プ形成方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態における半田バンプ形成方
法の工程説明図
【図４】（ａ）従来の半田バンプ形成方法の工程説明図 （ｂ）従来の半田バンプ形成方法の工程説明図 （ｃ）従来の半田バンプ形成方法の工程説明図 （ｄ）従来の半田バンプ形成方法の工程説明図 （ｅ）従来の半田バンプ形成方法の工程説明図 （ｆ）従来の半田バンプ形成方法の工程説明図 （ｇ）従来の半田バンプ形成方法の工程説明図
４ クリーム半田 ６ 電極 ８ 半田バンプ ９ フラックス残渣 １３ 水平台 １４ プレート １５ 貫通孔
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−308037（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−326526（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−245309（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−227894（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−237963（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60
Claims (5)
- 【請求項１】水平台の上に、電極の位置にあわせて形成
された複数個の貫通孔を備えたプレートを重ねる工程
と、前記プレートの各貫通孔にクリーム半田を充填する
工程と、充填されたクリーム半田にバンプを形成しよう
とする電極を接触させる工程と、クリーム半田を溶融さ
せた後固化させて前記電極に半田バンプを形成する工程
と、形成した半田バンプを前記貫通孔から外す工程と、
前記プレートを前記水平台から外して、前記水平台上に
残ったフラックス残渣を除去する工程とを含むことを特
徴とする半田バンプ形成方法。 - 【請求項２】水平台の上に、電極の位置にあわせて形成
された複数個の貫通孔を備えたプレートを重ねる工程
と、前記プレートの各貫通孔にクリーム半田を充填する
工程と、クリーム半田を溶融させた後固化させて半田ボ
ールを形成する工程と、形成された半田ボールに電極を
接触させる工程と、形成した半田バンプを前記貫通孔か
ら外す工程と、前記プレートを前記水平台から外して、
前記水平台上に残ったフラックス残渣を除去する工程と
を含むことを特徴とする半田バンプ形成方法。 - 【請求項３】クリーム半田は、前記プレート上でスキー
ジをスライドさせることにより充填されることを特徴と
する請求項１記載の半田バンプ形成方法。 - 【請求項４】フラックス残渣は、前記水平台上でスキー
ジをスライドさせることにより除去されることを特徴と
する請求項１記載の半田バンプ形成方法。 - 【請求項５】フラックス残渣は、布又は紙より成るシー
トによって除去されることを特徴とする請求項１記載の
半田バンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22343096A JP3346180B2 (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | 半田バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22343096A JP3346180B2 (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | 半田バンプ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064947A JPH1064947A (ja) | 1998-03-06 |
| JP3346180B2 true JP3346180B2 (ja) | 2002-11-18 |
Family
ID=16798029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22343096A Expired - Fee Related JP3346180B2 (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | 半田バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3346180B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4255161B2 (ja) | 1998-04-10 | 2009-04-15 | 株式会社野田スクリーン | 半田バンプ形成装置 |
-
1996
- 1996-08-26 JP JP22343096A patent/JP3346180B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1064947A (ja) | 1998-03-06 |
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