JP3342898B2 - 硅素焼結体およびこれを用いて形成したウェハ保持用ボード、スパッタリングターゲットおよびシリコンウェハ - Google Patents
硅素焼結体およびこれを用いて形成したウェハ保持用ボード、スパッタリングターゲットおよびシリコンウェハInfo
- Publication number
- JP3342898B2 JP3342898B2 JP31370392A JP31370392A JP3342898B2 JP 3342898 B2 JP3342898 B2 JP 3342898B2 JP 31370392 A JP31370392 A JP 31370392A JP 31370392 A JP31370392 A JP 31370392A JP 3342898 B2 JP3342898 B2 JP 3342898B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- sintered body
- wafer
- less
- holding board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
結体を用いて形成されたウェハ保持用ボード、スパッタ
リングターゲットおよびシリコンウェハに係り、特に高
密度で強度が高く、加工性が優れた硅素焼結体、および
この焼結体を用い、高い原料歩留りで安価に製造するこ
とが可能なウェハ保持用ボード、スパッタリングターゲ
ットおよびシリコンウェハに関する。
結晶シリコンを薄く切断して表面を高度にポリッシング
加工して鏡面仕上げを施したシリコンウェハが広く使用
されており、このシリコンウェハ表面に各種回路を焼き
付けるなどの微細加工を施してIC(集積回路)が形成
されている。上記円柱状の単結晶シリコンは自然状態で
は多結晶になっているシリコン固体を溶解し、その中に
種となる小さな単結晶を挿入し、大きな単結晶体に成長
させる、いわゆる単結晶引上げ法によって一般に製造さ
れる。近年、単結晶化技術の進歩により、単結晶シリコ
ンの直径も6インチから8インチへさらに増大化が図ら
れているが、高度の結晶化技術を要するため、未だ製造
コストが高い上に強度が低い難点がある。
導体ウェハ(シリコンウェハ)を保持し、全てのウェハ
に対して同時に酸化、拡散等の熱処理を行うための治具
として、複数のウェハを保持する各種の形式のウェハ保
持用ボードが使用されている。
を示す斜視図である。このウェハ保持用ボード1は、円
板状の半導体ウェハ2の外周縁を受けてウェハ2を直立
して載置するための複数本の支持ロッド3を、対向配置
された1対の支板4,4に溶着して構成される。各支持
ロッド3には半導体ウェハ2の外周縁を嵌入させる保持
溝5が多数刻設される。
体ウェハ2を収容し保持するための、縦型のウェハ保持
用ボード1aの構成例を示す斜視図である。このウェハ
保持用ボード1aは、有底筒体6を2つ割りにして形成
した1対のカバー要素6a,6bを着脱自在に設け、各
カバー要素6a,6bの内面軸方向にウェハ支持材7を
配設して形成される。各ウェハ支持材7には、各ウェハ
2の外周縁部を水平位置で保持するための多数の突起8
が配設されている。各カバー要素6a,6bの縦方向に
はスリット状の反応ガス導入孔9が穿設されており、有
底筒体6は支柱10上に固定される。
持材7に支持され、有底筒体6によって被われた後に、
ウェハ保持用ボード1aはCVD装置の炉内に搬入され
る。炉内に導入された反応ガスは反応ガス導入孔9より
流入出して各ウェハ2にCVD膜が生成される。
各種治具は、一般に石英ガラスで形成されたものが使用
されていた。しかしながら熱処理温度が1100℃以上
の高温になる場合や、熱処理時間が長くなる場合には、
石英ガラスが熱で軟化し、ボード全体に形状変化を生
じ、繰返して使用することが困難であった。
熱性SiC製ボードやSi製ボードも使用されている。
しかしながら耐熱性SiC製ボードの場合においては、
石英と比較してSiC原料の純度が低いため、熱処理時
に揮散する不純物によってウェハが汚染され易い。その
ため低純度のSiCで形成したボード本体の外表面にさ
らにCVDによって高純度のSiC膜を形成することが
必須となり、製造コストが高騰する問題点がある。また
SiCは、石英と比較して加工性が悪いため、複雑形状
を有するウェハ保持用ボードを製作することが困難であ
るとともに、破損した場合の補修再生が困難であり、ま
た石英製ボードと比べて高価であるという欠点がある。
は、気相成長法(CVD製法)や溶解多結晶鋳造法によ
って形成した多結晶ポリシリコン(Poly‐Si)ブ
ロックや単結晶引上げ法によって形成した単結晶シリコ
ンが一般に使用されている。
コンブロックおよび単結晶シリコンは、素材形状がいず
れも円柱状であり、この円柱状素材から矩形の材料を切
り出し研削してウェハ保持用ボードおよびシリコンウェ
ハを構成する材料を調製することは、素材の外周縁部は
無駄に廃棄されることになり、高価な原料に対する製品
材料の歩留りが低くなり極めて不経済となる欠点があ
る。
ンは、いずれも結晶方位による異方性が顕著であるた
め、石英と比較して加工性が悪く、複雑な形状を有する
製品の製作が困難であり、かつ機械的強度が低く、クラ
ックやチッピングが生じ易く折損し易い問題点があり、
最終的な加工歩留りも低い欠点がある。
クや単結晶シリコンを材料とする半導体製造装置の構成
部品例としてスパッタリング装置のターゲットがある。
スパッタリング法は放電により生成したArなどの不活
性ガスイオンを電界で加速し、ターゲットに衝突させ、
これにより放出されたターゲット構成原子を基板上に堆
積させる成膜方法である。代表的な使用例として、Si
O2 やSi3 N4 製の半導体表面保護膜を形成するため
に、Si製のスパッタリングターゲットに、リアクティ
ブガスとして、O2 やN2 を作用させた直流(DC)二
極スパッタリング装置や高周波(RF)スパッタリング
装置がある。
汎用のSiスパッタリングターゲットより、さらに大き
な寸法を有するターゲット、例えば縦寸法が125〜1
50mm,横寸法が300〜400mmに及ぶ矩形や円板状
の大型のSiターゲットも要求されている。
コンブロックの原材料の製造限界寸法が未だ小さいた
め、大型のSiスパッタリングターゲットを得るために
は、従来は原材料から切り出した複数の小型切片を互い
に接合して加工するという煩雑な加工操作が必要であ
り、さらに前述のウェハ保持用ボードを製作する場合と
同様な問題点がある。加えて、切片の切り出しに要する
時間、加工操作途中におけるかけの発生による製品歩留
りの低下、接合部におけるスパッタリング速度の不均一
等の問題点を含めて評価すると、質的およびコスト的に
も未だ改善の余地が大きい現状である。
されたものであり、高密度で強度が高く、加工性が優れ
た硅素焼結体およびこの焼結体を用い、高い原料歩留り
で安価に製造することが可能なウェハ保持用ボード、ス
パッタリングターゲットおよびシリコンウェハを提供す
ることを目的とする。
記目的を達成するため、鋭意研究を重ねた。本来、硅素
(Si)は共有結合性を有し、難焼結材料とされてお
り、硅素粉末を単独で高密度に焼結するためには、例え
ば数万気圧という超高圧の加圧操作を要するため、一般
に硅素焼結体を用いて前記ウェハ保持用ボードやスパッ
タリングターゲットやシリコンウェハを形成することは
考慮されていなかった。そのため固形Si材料として
は、前記のようなポリシリコンや単結晶シリコンが使用
されていた。
究を繰り返した結果硅素粉末原料を真空中において所定
温度で加熱処理して酸素および不純物を除去した後に成
形焼成することにより、高強度で加工性に優れた優れた
Si焼結体が得られるという知見を得た。特に上記硅素
粉末原料として、気相成長法(CVD製法)によって調
整した高純度硅素粉末を使用し、この硅素粉末を同様に
加熱して脱酸し、しかる後に成形焼成することにより、
酸素含有量が少なく高密度の硅素焼結体が得られるとい
う知見も得た。本発明は上記知見に基づいて完成された
ものである。
下で1200℃以上硅素の融点未満の温度範囲で加熱し
た硅素粉末を圧縮成形し焼成して形成した硅素焼結体で
あり、焼結体の結晶粒径を100μm以下に設定したこ
とを特徴とする。
を減圧下で1200℃以上硅素の融点未満の温度範囲で
加熱して酸素および不純物を除去した原料硅素粉末を圧
縮成形し焼成した硅素焼結体であり、密度が99%以上
であり、酸素含有量が300ppm 以下に設定してもよ
い。
パッタリングターゲットおよびシリコンウェハは上記硅
素焼結体から形成することを特徴とする。
や単結晶シリコンから所要の材料を切り出した残りの廃
材や端材を、通常のボールミル、振動ミル、ジェットミ
ル等で粉砕して調製することができる。
H4 )の熱分解反応(SiH4 →Si+2H2 )によっ
て形成された粒状のSi粉末を分級して粒径30μm以
下の微細Si粉末を得て、この微細Si粉末を成形焼成
することにより、任意のサイズのボード、スパッタリン
グターゲットおよびシリコンウェハを調製することがで
きる。粒径を30μm以下とすることにより、得られる
焼結体の結晶粒径を小さくし、密度の向上を図ることが
でき、さらに機械的強度の向上や加工時のチッピング等
の問題を起こさず加工性の向上を図ることができる。
げ法において使用する粒径2〜3mmの種結晶粒をCVD
製法によって生産する際に副製物として多量に産出され
る。このCVD製法によって副製された安価で高純度の
微細Si粉末を利用して上記ウェハ保持ボード、ターゲ
ット、シリコンウェハを製造することにより、Si原料
粉末の利用率を大幅に高めることができる。特に上記S
i粉末を加熱脱酸後、成形焼成して得たシリコンウェハ
は高密度で酸素等の不純物も低減されており、ほぼ単結
晶シリコン製の正規のウェハに準じる特性を有してい
る。したがって正規の半導体回路基板として使用できな
い場合においても、評価用回路基板の製造時に使用され
るダミーウェハとして好適である。
0℃から硅素の融点未満の温度範囲で1〜5時間行うと
よい。加熱温度が1200℃未満の場合には硅素粉末原
料表面に存在する酸素や不純物元素を揮散させて低減す
ることが困難になる。その結果、焼結時に残存している
酸素がバリアとして働き焼結を阻害し、その結果、焼結
体の密度が低下してしまう。一方加熱温度の上限は硅素
の融点(1420℃)によって制限される。
物や酸素の揮散を促進するために可及的に低い方が有利
であるが、実用上10-4〜10-5Torrの範囲に設定すれ
ば充分である。上記加熱処理によって、焼結体特性を低
下させる各種不純物が除去され、また焼結性を阻害する
酸素量が300ppm 以下となり、焼結体の密度は99%
以上になる。
に対応するものであり、形成した焼結体の加工性に大き
な影響を及ぼすものである。本願発明の硅素焼結体の結
晶粒径は100μm以下に設定される。結晶粒径が10
0μmを超える場合には、結晶方位の異方性が顕著にな
り、焼結体の加工性が低下してしまうからである。特に
上記硅素焼結体にてシリコンウェハを形成する場合に
は、結晶粒径は30μm以下に設定するとよい。
0kg/cm2 、焼成時の温度時間は、加熱操作条件と同様
に、それぞれ1200〜1400℃,1〜5時間程度で
よい。なお上記加熱操作、圧縮成形操作および焼成操作
を、通常のホットプレス装置を使用して、原料硅素粉末
を装置系外に取り出すことなく連続的に実施することに
よって、より高品質の硅素焼結体を効率的に製造するこ
とができる。
その各構成要素を上記硅素焼結体にて最終形状に近い形
状(Near Net Shape)に形成し、機械仕上げした後に、
それらの構成要素を組立て、相互に溶着して形成され
る。
上記硅素焼結体を使用する場合には、加熱処理時に硅素
焼結体から揮散するFe,Ni,Cr,Co,Mn,A
l,Cu,Na,K,U,Thなどの不純物がウェハに
付着して汚染(コンタミネーション)することを防止す
るために、硅素焼結体中に含有される上記不純物の総含
有量は10ppm 以下、望ましくは5ppm 以下に設定する
とよい。
硅素焼結体を使用する場合には、集積回路に与える影響
を回避するため、硅素焼結体に含有されるFe,Ni,
Cr,Co,Mn,Al,Cu,Zn,Mg,Ca,N
aおよびKの各元素の含有量は0.5ppm 以下、好まし
くは0.1ppm 以下、さらに好ましくは0.05ppm以
下に設定するとよい。またウラン(U)およびトリウム
(Th)からの放射線によって集積回路に誤動作を生じ
る、いわゆるソフトエラー現象を防止するため、硅素焼
結体に含有されるUおよびThの各元素の含有量は0.
0005ppm 以下に設定するとよい。
ーゲットおよびシリコンウェハは、上記硅素焼結体から
形成することにより、従来のような切り出し加工や切断
加工、接合加工等を必要とせず、直接大型のターゲット
およびシリコンウェハを製造することができる。ターゲ
ットまたはシリコンウェハを構成する硅素焼結体は各結
晶粒が小さく、かつ結晶方位がランダムであるため、従
来のような方位異方性が発現することが少ない。そのた
め機械加工時にクラックやチッピングの発生もほとんど
なく、加工工程における歩留りも大幅に改善することが
できる。
ては、LSI用のSiウェハの不良品やウェハ製作途上
で発生するSi端材を粉砕したもの、および単結晶シリ
コン引上げ時に使用する種結晶粒をCVD製法により製
造する際に多量に副製される高純度のSi粉末を再利用
することが可能であり、硅素原料の材料歩留りを大幅に
向上させることができ、資源の有効活用にもつながる。
に説明する。
ンブロックの端材を、高純度Siを内張りしたポットミ
ル中に装填してミルを回転させ、ポリシリコンブロック
の端材同士の衝突、または端材と内張りしたSiとの衝
突等によって、端材を粉砕し、平均粒径が5μmである
高純度硅素粉末を調製した。
るホットプレス装置の成形型に上記調製した硅素粉末を
充填するとともに、雰囲気の真空度を10-4Torrに調整
した後に、温度1320℃で4時間加熱処理を実施し付
着酸素および不純物を揮散させた後に、加圧力250kg
/cm2 を作用させると同時に、温度1320℃で4時間
硅素粉末を焼成し、実施例1の硅素焼結体を多数形成し
た。
製した硅素粉末を使用し、加熱処理を実施しない点を除
き、実施例1と同一条件で硅素粉末を圧縮成形すると同
時に焼成して、実施例1と同一寸法の硅素焼結体を多数
調製した。
硅素粉末を使用し、ホットプレス装置内に通常圧のAr
ガスを封入した点を除き、実施例1と同一条件で硅素粉
末を加熱処理し、圧縮成形すると同時に焼成して実施例
1と同一寸法の硅素焼結体を多数調製した。
〜2の各硅素焼結体の相対密度を測定するとともに、元
素分析試験を行い、不純物として含有されるFe,N
i,Cr,Co,Mn,Al,Cu,Na,K,U,T
hの総含有量を測定し、下記表1に示す結果を得た。
例1の硅素焼結体によれば加熱処理によって、酸素や不
純物が効果的に低減されているため、焼結性が優れてお
り、相対密度も高くなり高強度の焼結体が得られること
が判明する。一方、加熱処理を実施しない場合(比較例
1)および雰囲気を減圧しない場合(比較例2)におい
ては、いずれも酸素や不純物の揮散が充分ではないた
め、低強度の焼結体しか得られていない。
成部品を、実施例1に示した製法を使用して最終形状に
近い形状の硅素焼結体として調製し、さらにウェハ保持
用の保持溝5等を切断または研削加工によって形成した
後に組立てることにより、最終的に図1に示すような、
ウェハ保持用ボード1を多数製作した。
構成部品を切り出し、研削研磨加工を施した後に、各構
成部品を組立て、最終的に実施例2と同一寸法を有する
ウェハ保持用ボードを多数製作した。
に形成したポリシリコンから、比較例3と同様に各構成
部品を切り出して、実施例2と同一寸法のウェハ保持用
ボードを多数製作した。
の各ウェハ保持用ボードについて、切断研削加工工程に
おけるチッピングやコーナー部の損傷や欠けの発生数を
集計して、最終的に欠陥がないボード数の割合を製品歩
留りとして算出するとともに、製造工程に投入した全素
材Si重量に対する製品重量の割合を材料歩留りとして
算出した。
から加熱処理、圧縮成形、焼成操作を経てウェハ保持用
ボードとして組立てが完了するまでに要する作業工数を
集計する一方、比較例3〜4については、それぞれ単結
晶シリコン、ポリシリコンから各構成部材を切り出し、
最終的にウェハ保持用ボードとして組立が完了するまで
に要する作業工数を集計して、ボードの製造工数を比較
した。なお製造工数は実施例2の場合を基準(100)
として相対値で示した。
例2によれば、硅素焼結体に結晶方位の異方性が少ない
ため加工性が極めて優れており、切断研削加工を実施し
てもチッピングや角部の欠けなどが少なく、高い歩留り
で高品質のボードを形成することができる。特に廃材を
粉化して焼結体原料としているため、材料歩留りが極め
て高く経済的である。
らの切り出し作業に多大な作業工数を要し、切り出し後
に端材が多量に発生するため製造コストが高くなった。
m、横400mm、厚さ5mmの寸法を有する実施例3およ
び比較例5の大型Siスパッタリングターゲットを製造
し、各場合における製造工数および材料歩留りを比較し
たところ、実施例2のSiスパッタリングターゲットの
製造工数は比較例3の1/3程度に低減される一方、材
料歩留りは30%程度改善され、ターゲットの製造コス
トを大幅に低減できることが実証された。
された高純度のSiスパッタリングターゲットは電気抵
抗値が小さいため、高周波(RF)スパッタリング装置
で使用しないとスパッタリングが困難とされており、加
えて、高周波スパッタリング装置自体の設備費が高額で
あり、スパッタレートも遅いという欠点がある。
って形成されるスパッタリングターゲットにおいては、
焼結体中にPやBなどをドープさせ、抵抗値を高めるこ
とも容易である。そのため直流電圧によっても容易にス
パッタリングが可能となり、高周波(RF)スパッタリ
ング装置と比べて設備費が安く、スパッタレートが格段
に高い直流(DC)二極スパッタリング装置や直流マグ
ネトロンスパッタリング装置に、本実施例の硅素焼結体
製スパッタリングターゲットを適用することも可能にな
る。その結果、成膜操作を主体とする半導体製品の生産
性を飛躍的に向上させることが可能となる。
造した後、分級して30μm以下の硅素粉末を得た。次
に離型剤を塗布した黒鉛製成形型を有するホットプレス
装置の成形型に上記調製した硅素粉末を充填するととも
に、雰囲気の真空度を10-4Torrに調整した後に、温度
1320℃で4時間加熱処理を実施した後に、加圧力2
50kg/cm2 を作用させると同時に、温度1320℃で
4時間硅素粉末を焼成し、実施例4の硅素焼結体を多数
形成した。
て調製した硅素粉末を使用し、加熱処理を実施しない点
を除き、実施例4と同一条件で硅素粉末を圧縮成形する
と同時に焼成して、実施例4と同一寸法の硅素焼結体を
多数調製した。
した硅素粉末を使用し、ホットプレス装置内に通常圧の
Arガスを封入した点を除き、実施例4と同一条件で硅
素粉末を加熱処理し、圧縮成形すると同時に焼成して実
施例4と同一寸法の硅素焼結体を多数調製した。
〜7の各硅素焼結体の相対密度を測定するとともに、元
素分析試験を行い、不純物として含有されるFe,N
i,Cr,Co,Mn,Al,Cu,Na,K,U,T
hの総含有量を測定し、下記表1に示す結果を得た。
例4の硅素焼結体によれば加熱処理によって、酸素や不
純物が効果的に低減されているため、焼結性が優れてお
り、相対密度も高くなり高強度の焼結体が得られること
が判明する。一方、加熱処理を実施しない場合(比較例
6)および雰囲気を減圧しない場合(比較例7)におい
ては、いずれも酸素や不純物の揮散が充分ではないた
め、低強度の焼結体しか得られていない。
状の硅素焼結体として調製し、得られた硅素焼結体を切
断または研削加工した後に、さらにポリッシング加工し
て8インチ用のシリコンウェハを多数製作した。
構成部品を切り出し、研削研磨加工を施して最終的に実
施例5と同一寸法を有するシリコンウェハを多数製作し
た。
に形成したポリシリコンから、比較例8と同様に各構成
部品を切り出して、実施例5と同一寸法のシリコンウェ
ハを多数製作した。
の各シリコンウェハについて、切断研削加工工程におけ
るチッピングやコーナー部の損傷や欠けの発生数を集計
して、最終的に欠陥がないウェハの割合を製品歩留りと
して算出するとともに、製造工程に投入した全素材Si
重量に対する製品重量の割合を材料歩留りとして算出し
た。
から加熱処理、圧縮成形、焼成操作を経てシリコンウェ
ハが完成するまでに要する作業工数を集計する一方、比
較例8〜9については、それぞれ単結晶シリコン、ポリ
シリコンから各構成部材を切り出し、最終的にシリコン
ウェハとして組立が完了するまでに要する作業工数を集
計して、ウェハの製造工数を比較した。なお製造工数は
実施例5の場合を基準(100)として相対値で示し
た。
例5によれば、硅素焼結体に結晶方位の異方性が少ない
ため加工性が極めて優れており、切断研削および研磨加
工を実施してもチッピングや角部の欠けなどが少なく、
高い歩留りで高品質のシリコンウェハを形成することが
できる。特に廃材をそのまま焼結体原料としているた
め、材料歩留りが極めて高く経済的である。
らの切り出し作業に多大な作業工数を要し、切り出し後
に端材が多量に発生するため製造コストが高くなる。
ウェハ保持用ボード、Siスパッタリングターゲットお
よびシリコンウェハに適用した例で示しているが、その
用途対象は上記実施例に限定されず、例えば各種セラミ
ックス成形体の焼成用容器、機械構造用部品の材料とし
て使用することも可能である。
体によれば、加熱処理により焼結を阻害する酸素や、汚
染を引起す不純物を低減しているため高強度の焼結体を
得ることができる。また結晶粒が小さく、かつ結晶方位
がランダムであるため、異方性の発現が少なく、加工性
が極めて優れる。
ドやスパッタリングターゲットやシリコンウェハを形成
した場合には、機械加工時にクラックやチッピングを生
じることがなく、加工歩留りを大幅に向上させることが
できる。また硅素焼結体は、使用製品の最終形状に近い
形状に形成することができるため、材料歩留りも大幅に
改善することができる。
図。
図。
Claims (7)
- 【請求項1】 減圧下で1200℃以上硅素の融点未満
の温度範囲で加熱して脱酸した硅素粉末を圧縮成形し焼
成して形成した硅素焼結体であり、焼結体の結晶粒径を
100μm以下に設定したことを特徴とする硅素焼結
体。 - 【請求項2】 CVD製法によって調製した硅素粉末を
減圧下で1200℃以上硅素の融点未満の温度範囲で加
熱して酸素および不純物を除去した原料硅素粉末を圧縮
成形し焼成した硅素焼結体であり、密度が99%以上で
あり、酸素含有量が300ppm 以下であることを特徴と
する硅素焼結体。 - 【請求項3】 請求項1または2記載の硅素焼結体から
形成されたことを特徴とするウェハ保持用ボード。 - 【請求項4】 硅素焼結体に含有されるFe,Ni,C
r,Co,Mn,Al,Cu,Na,K,U,Thの総
含有量を10ppm 以下に設定したことを特徴とする請求
項3記載のウェハ保持用ボード。 - 【請求項5】 請求項1または2記載の硅素焼結体から
形成されたことを特徴とするスパッタリングターゲッ
ト。 - 【請求項6】 請求項2記載の硅素焼結体から形成され
たことを特徴とするシリコンウェハ。 - 【請求項7】 硅素焼結体に含有されるFe,Ni,C
r,Co,Mn,Al,Cu,Zn,Mg,Ca,Na
およびKの各元素の含有量が0.5ppm 以下であり、U
およびThの各元素の含有量が0.0005ppm 以下に
設定したことを特徴とする請求項6記載のシリコンウェ
ハ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31370392A JP3342898B2 (ja) | 1991-11-26 | 1992-11-24 | 硅素焼結体およびこれを用いて形成したウェハ保持用ボード、スパッタリングターゲットおよびシリコンウェハ |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31097791 | 1991-11-26 | ||
JP3-310977 | 1991-11-26 | ||
JP31370392A JP3342898B2 (ja) | 1991-11-26 | 1992-11-24 | 硅素焼結体およびこれを用いて形成したウェハ保持用ボード、スパッタリングターゲットおよびシリコンウェハ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05229812A JPH05229812A (ja) | 1993-09-07 |
JP3342898B2 true JP3342898B2 (ja) | 2002-11-11 |
Family
ID=26566530
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31370392A Expired - Fee Related JP3342898B2 (ja) | 1991-11-26 | 1992-11-24 | 硅素焼結体およびこれを用いて形成したウェハ保持用ボード、スパッタリングターゲットおよびシリコンウェハ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3342898B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009011235A1 (ja) | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 焼結シリコンウエハ |
WO2009119338A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 日鉱金属株式会社 | 焼結シリコンウエハ |
WO2010004863A1 (ja) | 2008-07-10 | 2010-01-14 | 日鉱金属株式会社 | ハイブリッドシリコンウエハ及びその製造方法 |
WO2011055672A1 (ja) | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ハイブリッドシリコンウエハ |
WO2011055673A1 (ja) | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ハイブリッドシリコンウエハ |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19859288A1 (de) * | 1998-12-22 | 2000-06-29 | Bayer Ag | Agglomeration von Siliciumpulvern |
JP3819863B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2006-09-13 | 日鉱金属株式会社 | シリコン焼結体及びその製造方法 |
FR2853562B1 (fr) * | 2003-04-14 | 2006-08-11 | Centre Nat Rech Scient | Procede de fabrication de granules semiconducteurs |
US8405183B2 (en) | 2003-04-14 | 2013-03-26 | S'Tile Pole des Eco-Industries | Semiconductor structure |
US9493358B2 (en) | 2003-04-14 | 2016-11-15 | Stile | Photovoltaic module including integrated photovoltaic cells |
US8192648B2 (en) | 2003-04-14 | 2012-06-05 | S'tile | Method for forming a sintered semiconductor material |
US9741881B2 (en) | 2003-04-14 | 2017-08-22 | S'tile | Photovoltaic module including integrated photovoltaic cells |
JP4869061B2 (ja) * | 2003-04-14 | 2012-02-01 | セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク | 焼結された半導体材料 |
CN1856591B (zh) | 2003-09-26 | 2010-12-08 | 株式会社东芝 | 溅射靶及使用其的Si氧化膜的制造方法 |
WO2009011233A1 (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 焼結シリコンウエハ |
JPWO2009011234A1 (ja) * | 2007-07-13 | 2010-09-16 | 日鉱金属株式会社 | 焼結シリコンウエハ |
US8647747B2 (en) | 2010-07-08 | 2014-02-11 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Hybrid silicon wafer and method of producing the same |
US8252422B2 (en) | 2010-07-08 | 2012-08-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Hybrid silicon wafer and method of producing the same |
US8480944B2 (en) * | 2010-12-09 | 2013-07-09 | E I Du Pont De Nemours And Company | Quaternary chalcogenide wafers |
WO2013115289A1 (ja) | 2012-02-01 | 2013-08-08 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 多結晶シリコンスパッタリングターゲット |
JP5812217B1 (ja) * | 2014-04-17 | 2015-11-11 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 |
-
1992
- 1992-11-24 JP JP31370392A patent/JP3342898B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009011235A1 (ja) | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 焼結シリコンウエハ |
WO2009119338A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 日鉱金属株式会社 | 焼結シリコンウエハ |
WO2010004863A1 (ja) | 2008-07-10 | 2010-01-14 | 日鉱金属株式会社 | ハイブリッドシリコンウエハ及びその製造方法 |
WO2011055672A1 (ja) | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ハイブリッドシリコンウエハ |
WO2011055673A1 (ja) | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ハイブリッドシリコンウエハ |
US8512868B2 (en) | 2009-11-06 | 2013-08-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Hybrid silicon wafer |
US8659022B2 (en) | 2009-11-06 | 2014-02-25 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Hybrid silicon wafer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05229812A (ja) | 1993-09-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3342898B2 (ja) | 硅素焼結体およびこれを用いて形成したウェハ保持用ボード、スパッタリングターゲットおよびシリコンウェハ | |
EP0483375B1 (en) | Sputtering target and production thereof | |
US8173093B2 (en) | Iron silicide sputtering target and method for production thereof | |
US8647747B2 (en) | Hybrid silicon wafer and method of producing the same | |
KR102694011B1 (ko) | 스퍼터링 타겟 | |
US8252422B2 (en) | Hybrid silicon wafer and method of producing the same | |
TW200907119A (en) | Sintered silicon wafer | |
JP2757287B2 (ja) | タングステンターゲットの製造方法 | |
JP3819863B2 (ja) | シリコン焼結体及びその製造方法 | |
JP3244167B2 (ja) | タングステンまたはモリブデンターゲット | |
JP2003049264A (ja) | タングステンスパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
TWI837398B (zh) | 濺鍍靶材 | |
JP3280054B2 (ja) | 半導体用タングステンターゲットの製造方法 | |
KR20160109917A (ko) | 재활용 탄탈 타겟의 제조방법 및 이로부터 제조된 재활용 탄탈 타겟 | |
US20230220538A1 (en) | METAL-Si BASED POWDER, METHOD FOR PRODUCING SAME, METAL-Si BASED SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND METAL-Si BASED THIN FILM MANUFACTURING METHOD | |
JP3214927B2 (ja) | 透光性イットリウム−アルミニウム−ガーネット焼結体およびその製造方法並びに時計用窓材 | |
JP4354721B2 (ja) | シリコン焼結体の製造方法 | |
JP2646058B2 (ja) | スパッターターゲット材及びその製造方法 | |
JPS6058289B2 (ja) | 高クロム合金材の製造法 | |
TWI848149B (zh) | 濺鍍靶材 | |
JPH01136969A (ja) | チタンシリサイドスパッタリング用ターゲットの製造方法 | |
JPH1161392A (ja) | Ru薄膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JPH06128603A (ja) | 射出成形粉末冶金製品の製造方法 | |
JPS58511B2 (ja) | スパツタ−リング用タ−ゲツト材の製造法 | |
JP2725331B2 (ja) | ターゲット材の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070823 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080823 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090823 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100823 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100823 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110823 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120823 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |