JP3338396B2 - 固体電解コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサ及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、陽極化成箔と対向
陰極箔とをセパレータを介して巻回したコンデンサ素子
内に導電性ポリマー層を形成すると共に、前記陽極化成
箔及び対向陰極箔からリード線を引き出した固体電解コ
ンデンサに関する。
陰極箔とをセパレータを介して巻回したコンデンサ素子
内に導電性ポリマー層を形成すると共に、前記陽極化成
箔及び対向陰極箔からリード線を引き出した固体電解コ
ンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器のデジタル化に伴い、それに使
用されるコンデンサにも、高周波領域における低ＥＳＲ
化、小型大容量化が求められるようになってきている。
ここでＥＳＲとは、等価直列抵抗を意味する。
用されるコンデンサにも、高周波領域における低ＥＳＲ
化、小型大容量化が求められるようになってきている。
ここでＥＳＲとは、等価直列抵抗を意味する。
【０００３】小型、大容量、低ＥＳＲのコンデンサとし
て、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリ
アニリン等の導電性ポリマーを陰極材として用いた固体
電解コンデンサに注目が寄せられている。
て、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリ
アニリン等の導電性ポリマーを陰極材として用いた固体
電解コンデンサに注目が寄せられている。
【０００４】本願出願人は、特開平１０−５０５５８号
において、陽極化成箔と対向陰極箔とをセパレータを介
して巻回したコンデンサ素子内に、導電性ポリマー層を
形成する技術を開示した。その技術によれば、酸化重合
により導電性ポリマーとなるモノマーと酸化剤とを含む
化学重合液を準備し、該化学重合液に前記コンデンサ素
子を浸漬することにより、導電性ポリマー層が形成され
る。
において、陽極化成箔と対向陰極箔とをセパレータを介
して巻回したコンデンサ素子内に、導電性ポリマー層を
形成する技術を開示した。その技術によれば、酸化重合
により導電性ポリマーとなるモノマーと酸化剤とを含む
化学重合液を準備し、該化学重合液に前記コンデンサ素
子を浸漬することにより、導電性ポリマー層が形成され
る。
【０００５】又本願出願人は、特願平１０−２２０７６
６号において、前記導電性ポリマー層を形成するに当た
り、前記コンデンサ素子を前記化学重合液に浸漬した
後、２００〜３００℃の温度で熱処理する技術を開示し
た。
６号において、前記導電性ポリマー層を形成するに当た
り、前記コンデンサ素子を前記化学重合液に浸漬した
後、２００〜３００℃の温度で熱処理する技術を開示し
た。
【０００６】更に本願出願人は、特願平１１−７９７４
１号において、前記導電性ポリマー層を形成する前に、
前記コンデンサ素子を２００〜３００℃の温度で熱処理
する技術を開示した。
１号において、前記導電性ポリマー層を形成する前に、
前記コンデンサ素子を２００〜３００℃の温度で熱処理
する技術を開示した。
【０００７】導電性ポリマー層を形成したコンデンサ素
子は、有底筒状の外装ケースに収納され、該ケースの開
口部をゴムパッキング、エポキシ樹脂等により密封した
後、周知のエージング処理が施されてコンデンサ完成品
となる。
子は、有底筒状の外装ケースに収納され、該ケースの開
口部をゴムパッキング、エポキシ樹脂等により密封した
後、周知のエージング処理が施されてコンデンサ完成品
となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記コンデ
ンサ素子の陽極化成箔及び対向陰極箔からは、陽極リー
ド線及び陰極リード線が引き出されており、該リード線
の外表面には、実用時の半田濡れ性や耐食性を向上させ
るため、半田メッキや錫メッキが施されているが、前記
特願平１０−２２０７６６号や特願平１１−７９７４１
号に開示された技術に従って熱処理を行うと、前記リー
ド線の半田メッキ（融点＝約２００℃）や錫メッキ（融
点＝２３２℃）が溶けて剥がれるという問題があった。
ンサ素子の陽極化成箔及び対向陰極箔からは、陽極リー
ド線及び陰極リード線が引き出されており、該リード線
の外表面には、実用時の半田濡れ性や耐食性を向上させ
るため、半田メッキや錫メッキが施されているが、前記
特願平１０−２２０７６６号や特願平１１−７９７４１
号に開示された技術に従って熱処理を行うと、前記リー
ド線の半田メッキ（融点＝約２００℃）や錫メッキ（融
点＝２３２℃）が溶けて剥がれるという問題があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による固体電解コ
ンデンサは、陽極化成箔と対向陰極箔とをセパレータを
介して巻回したコンデンサ素子内に導電性ポリマー層を
形成すると共に、前記陽極化成箔及び対向陰極箔からリ
ード線を引き出した固体電解コンデンサにおいて、前記
リード線の外表面に、３００℃以上の融点を有する金属
メッキ層を形成したことを特徴とするものである。
ンデンサは、陽極化成箔と対向陰極箔とをセパレータを
介して巻回したコンデンサ素子内に導電性ポリマー層を
形成すると共に、前記陽極化成箔及び対向陰極箔からリ
ード線を引き出した固体電解コンデンサにおいて、前記
リード線の外表面に、３００℃以上の融点を有する金属
メッキ層を形成したことを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態に従った固体
電解コンデンサを製造するには、まず、図１に示すよう
なコンデンサ素子７を準備する。
電解コンデンサを製造するには、まず、図１に示すよう
なコンデンサ素子７を準備する。
【００１１】このコンデンサ素子７は、陽極化成箔１と
対向陰極箔２とをセパレータ３を介して巻き取ることに
より作製される。陽極箔化成１及び対向陰極箔２から
は、陽極リードタブ６１及び陰極リードタブ６２を介し
て、陽極リード線５１及び陰極リード線５２がそれぞれ
引き出されている。４は巻き止めテープである。
対向陰極箔２とをセパレータ３を介して巻き取ることに
より作製される。陽極箔化成１及び対向陰極箔２から
は、陽極リードタブ６１及び陰極リードタブ６２を介し
て、陽極リード線５１及び陰極リード線５２がそれぞれ
引き出されている。４は巻き止めテープである。
【００１２】陽極化成箔１は、アルミニウム等の弁作用
金属からなる箔に、粗面化のためのエッチング処理を施
した後、化成処理（電解酸化処理）を施して化成皮膜
（誘電体皮膜）を形成したものである。
金属からなる箔に、粗面化のためのエッチング処理を施
した後、化成処理（電解酸化処理）を施して化成皮膜
（誘電体皮膜）を形成したものである。
【００１３】本発明実施例においては、前記陽極リード
線及び陰極リード線として、その外表面に３００℃以上
の融点を有する金属メッキ層を形成したものを用いる。
線及び陰極リード線として、その外表面に３００℃以上
の融点を有する金属メッキ層を形成したものを用いる。
【００１４】前記金属メッキ層の材料としては、高融
点、低抵抗で半田濡れ性、耐食性等に優れたものが適
し、具体的には、銀（融点＝９６２℃）、金（融点＝１
０６４℃）、ニッケル（融点＝１４５５℃）、パラジウ
ム（融点＝１５４４℃）、亜鉛（融点＝４２０℃）、鉛
（融点＝３２８℃）或いはそれらの金属を主成分とする
合金等が適する。銅（融点＝１０８５℃）は、耐食性の
点で好ましくない。
点、低抵抗で半田濡れ性、耐食性等に優れたものが適
し、具体的には、銀（融点＝９６２℃）、金（融点＝１
０６４℃）、ニッケル（融点＝１４５５℃）、パラジウ
ム（融点＝１５４４℃）、亜鉛（融点＝４２０℃）、鉛
（融点＝３２８℃）或いはそれらの金属を主成分とする
合金等が適する。銅（融点＝１０８５℃）は、耐食性の
点で好ましくない。
【００１５】前記コンデンサ素子７には、陽極化成箔の
裁断面や陽極化成箔に対する陽極リードタブのカシメ接
続部に化成皮膜を形成すると共に、巻き取り過程で生じ
た陽極化成箔の損傷修復を目的として、再化成処理が施
される。
裁断面や陽極化成箔に対する陽極リードタブのカシメ接
続部に化成皮膜を形成すると共に、巻き取り過程で生じ
た陽極化成箔の損傷修復を目的として、再化成処理が施
される。
【００１６】更に、再化成処理済のコンデンサ素子に
は、セパレータを構成する繊維組織の隙間を拡げて後工
程での化学重合液の浸透性を向上させることを目的とし
て、第１の熱処理が施される。この熱処理は、コンデン
サ素子７を乾燥雰囲気中で２００〜３００℃に昇温し、
数十分間保持するものである。
は、セパレータを構成する繊維組織の隙間を拡げて後工
程での化学重合液の浸透性を向上させることを目的とし
て、第１の熱処理が施される。この熱処理は、コンデン
サ素子７を乾燥雰囲気中で２００〜３００℃に昇温し、
数十分間保持するものである。
【００１７】ここで、従来技術に従ってリード線の外表
面に半田メッキ層を形成したものでは、２４０℃、３０
分の熱処理により、試料数５００個の全てにおいてメッ
キ層の剥がれが観測されたが、本発明実施例に従ってリ
ード線の外表面に銀メッキ層を形成したものでは、２４
０℃、３０分の熱処理を施しても、試料数５００個の全
てにおいてメッキ層の剥がれは観測されなかった。
面に半田メッキ層を形成したものでは、２４０℃、３０
分の熱処理により、試料数５００個の全てにおいてメッ
キ層の剥がれが観測されたが、本発明実施例に従ってリ
ード線の外表面に銀メッキ層を形成したものでは、２４
０℃、３０分の熱処理を施しても、試料数５００個の全
てにおいてメッキ層の剥がれは観測されなかった。
【００１８】熱処理済のコンデンサ素子内に導電性ポリ
マー層を形成するに当たっては、酸化重合により導電性
ポリマーとなるモノマーとしての３，４−エチレンジオ
キシチオフェン：３４ｗｔ％と、酸化剤としてのパラト
ルエンスルホン酸鉄（III）：３３ｗｔ％と、希釈剤と
してのｎ−ブチルアルコール：３３ｗｔ％とを含有する
化学重合液を準備する。
マー層を形成するに当たっては、酸化重合により導電性
ポリマーとなるモノマーとしての３，４−エチレンジオ
キシチオフェン：３４ｗｔ％と、酸化剤としてのパラト
ルエンスルホン酸鉄（III）：３３ｗｔ％と、希釈剤と
してのｎ−ブチルアルコール：３３ｗｔ％とを含有する
化学重合液を準備する。
【００１９】そして、該化学重合液に前記コンデンサ素
子を浸漬した後、第２の熱処理を施すことにより、コン
デンサ素子内の陽極化成箔及び対向陰極箔に密着した
３，４−エチレンジオキシチオフェンのポリマー層が形
成される。
子を浸漬した後、第２の熱処理を施すことにより、コン
デンサ素子内の陽極化成箔及び対向陰極箔に密着した
３，４−エチレンジオキシチオフェンのポリマー層が形
成される。
【００２０】この熱処理は、導電性ポリマー層の形成を
促進すると共に、該導電性ポリマー層から発生する可能
性のあるガスを放出させ尽くすこと等を目的とするもの
であり、前記化学重合液に浸漬した後のコンデンサ素子
を、２００〜３００℃に昇温して数分間保持するもので
ある。
促進すると共に、該導電性ポリマー層から発生する可能
性のあるガスを放出させ尽くすこと等を目的とするもの
であり、前記化学重合液に浸漬した後のコンデンサ素子
を、２００〜３００℃に昇温して数分間保持するもので
ある。
【００２１】前記導電性ポリマー層のガス抜きが不十分
であると、コンデンサ完成後の半田リフロー工程等にお
いて２００℃以上の高温環境下に置かれた際、導電性ポ
リマー層から何らかのガスが発生して、外装ケースや封
口ゴムが膨れるという問題を引き起こす。
であると、コンデンサ完成後の半田リフロー工程等にお
いて２００℃以上の高温環境下に置かれた際、導電性ポ
リマー層から何らかのガスが発生して、外装ケースや封
口ゴムが膨れるという問題を引き起こす。
【００２２】ここで、従来技術に従ってリード線の外表
面に半田メッキ層を形成したものでは、２７０℃、５分
の熱処理により、試料数５００個の全てにおいてメッキ
層の剥がれが観測されたが、本発明実施例に従ってリー
ド線の外表面に銀メッキ層を形成したものでは、２７０
℃、５分の熱処理を施しても、試料数５００個の全てに
おいてメッキ層の剥がれは観測されなかった。
面に半田メッキ層を形成したものでは、２７０℃、５分
の熱処理により、試料数５００個の全てにおいてメッキ
層の剥がれが観測されたが、本発明実施例に従ってリー
ド線の外表面に銀メッキ層を形成したものでは、２７０
℃、５分の熱処理を施しても、試料数５００個の全てに
おいてメッキ層の剥がれは観測されなかった。
【００２３】前記銀メッキ層は、チオフェン系の化学重
合液に触れると硫化されることがあるが、硫化銀用の洗
浄液（商品名：イートレックス等）を用いて洗浄すれ
ば、きれいな銀表面が現れ、半田濡れ性等に悪影響が残
ることはない。
合液に触れると硫化されることがあるが、硫化銀用の洗
浄液（商品名：イートレックス等）を用いて洗浄すれ
ば、きれいな銀表面が現れ、半田濡れ性等に悪影響が残
ることはない。
【００２４】導電性ポリマー層を形成したコンデンサ素
子７は、図２に示すように、リードタブ部６１、６２に
ゴムパッキング９を装着して有底筒状のアルミニウム製
外装ケース８に収納され、その開口部に横絞り加工及び
カール加工が施され、エージング処理が施されて、コン
デンサ完成品となる。
子７は、図２に示すように、リードタブ部６１、６２に
ゴムパッキング９を装着して有底筒状のアルミニウム製
外装ケース８に収納され、その開口部に横絞り加工及び
カール加工が施され、エージング処理が施されて、コン
デンサ完成品となる。
【００２５】上記実施例においては、導電性ポリマー層
形成の出発物質として３，４−エチレンジオキシチオフ
ェンを用いたが、その代わりに、ピロール、チオフェ
ン、フラン、アニリン及びそれらの誘導体等、酸化重合
により導電性ポリマーとなる各種モノマーを用いてもよ
い。
形成の出発物質として３，４−エチレンジオキシチオフ
ェンを用いたが、その代わりに、ピロール、チオフェ
ン、フラン、アニリン及びそれらの誘導体等、酸化重合
により導電性ポリマーとなる各種モノマーを用いてもよ
い。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、陽極化成箔と対向陰極
箔とをセパレータを介して巻回したコンデンサ素子内に
導電性ポリマー層を形成すると共に、前記陽極化成箔及
び対向陰極箔からリード線を引き出した固体電解コンデ
ンサにおいて、導電性ポリマー層の形成促進等を目的と
して、前記コンデンサ素子を化学重合液に浸漬する前後
に比較的高温での熱処理を施しても、前記リード線の外
観や半田濡れ性が損なわれない。
箔とをセパレータを介して巻回したコンデンサ素子内に
導電性ポリマー層を形成すると共に、前記陽極化成箔及
び対向陰極箔からリード線を引き出した固体電解コンデ
ンサにおいて、導電性ポリマー層の形成促進等を目的と
して、前記コンデンサ素子を化学重合液に浸漬する前後
に比較的高温での熱処理を施しても、前記リード線の外
観や半田濡れ性が損なわれない。
【図１】本発明実施例において用いられるコンデンサ素
子の分解斜視図である。
子の分解斜視図である。
【図２】本発明実施例による固体電解コンデンサの断面
図である。
図である。
１ 陽極化成箔 ２ 対向陰極箔 ３ セパレータ ４ 巻き止めテープ ５１ 陽極リード線 ５２ 陰極リード線 ６１ 陽極リードタブ ６２ 陰極リードタブ ７ コンデンサ素子 ８ 外装ケース ９ ゴムパッキング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩邊 州悦 佐賀県杵島郡大町町大字福母217番地 佐賀三洋工業株式会社内 (72)発明者 中野 公智 佐賀県杵島郡大町町大字福母217番地 佐賀三洋工業株式会社内 (72)発明者 福山 幸子 佐賀県杵島郡大町町大字福母217番地 佐賀三洋工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−304055（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−45812（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 9/012 H01G 9/04 H01G 13/00 303
Claims (3)
- 【請求項１】 陽極化成箔と対向陰極箔とをセパレータ
を介して巻回したコンデンサ素子内に導電性ポリマー層
を形成すると共に、前記陽極化成箔及び対向陰極箔から
リード線を引き出した固体電解コンデンサにおいて、 前記リード線の外表面に、３００℃以上の融点を有する
金属メッキ層を形成したことを特徴とする固体電解コン
デンサ。 - 【請求項２】 陽極化成箔と対向陰極箔とをセパレータ
を介して巻回したコンデンサ素子内に導電性ポリマー層
を形成すると共に、前記陽極化成箔及び対向陰極箔から
リード線を引き出した固体電解コンデンサの製造方法に
おいて、 前記リード線の外表面に３００℃以上の融点を有する金
属メッキ層を形成しておき、 前記導電性ポリマー層を形成するに当たり、導電性ポリ
マーとなるモノマーと酸化剤とを含む溶液に前記コンデ
ンサ素子を浸漬した後、該コンデンサ素子を２００〜３
００℃の温度で熱処理することを特徴とする固体電解コ
ンデンサの製造方法。 - 【請求項３】 陽極化成箔と対向陰極箔とをセパレータ
を介して巻回したコンデンサ素子内に導電性ポリマー層
を形成すると共に、前記陽極化成箔及び対向陰極箔から
リード線を引き出した固体電解コンデンサの製造方法に
おいて、 前記リード線の外表面に３００℃以上の融点を有する金
属メッキ層を形成しておき、 前記導電性ポリマー層を形成する前に、前記コンデンサ
素子を２００〜３００℃の温度で熱処理することを特徴
とする固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08379499A JP3338396B2 (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08379499A JP3338396B2 (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277385A JP2000277385A (ja) | 2000-10-06 |
| JP3338396B2 true JP3338396B2 (ja) | 2002-10-28 |
Family
ID=13812567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08379499A Expired - Fee Related JP3338396B2 (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3338396B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002203751A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサ |
| JP5337943B2 (ja) * | 2010-02-10 | 2013-11-06 | ニチコン株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
-
1999
- 1999-03-26 JP JP08379499A patent/JP3338396B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP2000277385A (ja) | 2000-10-06 |
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