JP2500657B2 - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、固体電解コンデンサの
製造方法に関し、特に、導電性高分子化合物を固体電解
質として用いた固体電解コンデンサの製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】科学技術の進歩に伴って電子機器の小型
化および信頼性の向上が求められている。コンデンサに
関しても高周波数域まで良好な特性を有し、しかも信頼
性にすぐれた大容量固体電解コンデンサへの要求が高ま
っており、このような要求に応えるための研究開発が活
発に行われている。

【０００３】通常、固体電解コンデンサは、タンタルあ
るいはアルミニウムなどの弁作用金属の多孔質成形体を
第１の電極（陽極）とし、その酸化皮膜を誘電体、二酸
化マンガン（ＭｎＯ₂ ）やＴＣＮＱ錯塩等の固体電解質
を第２電極（陰極）の一部とする構造を有している。こ
の場合に、固体電解質には多孔質成形体内部の誘電体全
面と電極リード間を電気的に接続する機能と、酸化皮膜
の欠陥に起因する電気的短絡を修復する機能とが必要と
される。その結果、導電率は高いが誘電体修復機能のな
い金属は固体電解質として使用できず、短絡電流による
熱などによって絶縁体に転移する二酸化マンガン等が用
いられてきた。しかしながら、二酸化マンガンを電極の
一部とするものでは、その導電率が充分低くないため、
高周波数域でのインピーダンスが低下しない。また、Ｔ
ＣＮＱ錯塩を電極の一部とするものではＴＣＮＱ錯塩が
熱分解し易いため、耐熱性に劣っている。

【０００４】最近、高分子の分野においても新しい材料
の開発が進み、その結果ポリアセチレン、ポリパラフェ
ニレン、ポリピロール、ポリアニリンなどの共役系高分
子に電子供与性や電子吸引性化合物（ドーパント）を添
加（ドーピング）した導電性高分子が開発されている。
例えば、導電性高分子のモノマーを液相で誘電体として
の酸化皮膜上に導入した後に酸化剤溶液を導入すること
によって、導電性高分子を生成させることが提案されて
いる（例えば、特開昭６３−１５８８２９号公報参
照）。しかしながら上記公報記載の発明では、モノマー
溶液または酸化剤溶液の粘度が低いために陽極リード上
に導電性高分子化合物が形成されてしまい、外部陽極リ
ード端子と導電性高分子化合物が接触し電気的絶縁が確
保できないという欠点があった。

【０００５】また、あらかじめ陽極リードにレジスト剤
を塗布、乾燥してレジスト層を形成し、陽極リードへの
導電性高分子化合物形成阻止を図る方法も考えられる
が、レジスト剤が拡面化した弁作用金属酸化皮膜へ浸透
し、コンデンサの容量出現率を著しく低下させるという
欠点があった。

【０００６】そこで、拡面化した弁作用金属酸化皮膜へ
レジスト剤含浸防止部材をあらかじめ塗布した後陽極リ
ードにレジスト層を形成しレジスト剤浸透を阻止してか
ら、レジスト剤含浸部材を除去し陰極層を形成する方法
も提案されている（例えば、特公昭６１−２７８９１号
公報参照）。しかしながら、この方法ではレジスト剤の
酸化皮膜への浸透は防止できるが、いかにレジスト剤と
言えども陰極層構成物質がレジスト剤上に徐々に形成さ
れてしまうため、ついには陽極リードと陰極層とが接触
してしまい、陽極リードが溶接された外部陽極リード端
子と陰極層との電気的絶縁が確保できないという欠点が
あった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明において解決し
ようとする課題は、下記の二点である。第一に、レジス
ト剤を陽極リードだけに精度良く形成することにより、
酸化皮膜へのレジスト剤浸透による容量出現率（コンデ
ンサ素子の状態で、実際に得られた容量値と得られるべ
き容量値との割合）低下を防止することである。第二
に、陽極リードへの導電性高分子化合物形成を防止し、
外部陽極リード端子と導電性高分子化合物との電気的絶
縁を確保し、体積効率が高く漏れ電流が小さくかつ優れ
た高周波特性を付与することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の固体電解コンデ
ンサの製造方法は、陽極リードが植立された弁作用金属
の多孔質成形体に誘電体としてその弁作用金属の酸化皮
膜を形成する工程と、前記酸化皮膜上に固体電解質とし
ての導電性高分子化合物層を形成する工程とを含む固体
電解コンデンサの製造方法において、前記導電性高分子
化合物層の形成工程が、前記多孔質成形体の少くとも前
記陽極リード植立面を含む外周面を覆ってその覆われた
部分の前記酸化皮膜を保護する第１のレジスト層を形成
する工程と、少なくとも前記陽極リードを含む部分を、
前記酸化皮膜に直接接触することのないように覆って、
前記陽極リードを保護する第２のレジスト層を形成する
工程と、前記第１のレジスト層を除去すると共に前記第
２のレジスト層を前記陽極リード上の部分のみ残して除
去し、前記多孔質成形体に形成した全酸化皮膜を露出さ
せる工程と、前記陽極リード上に残した第２のレジスト
層および露出させた前記酸化皮膜上に前記導電性高分子
化合物層を形成する工程と、前記陽極リード上に残した
第２のレジスト層を除去すると共に、前記導電性高分子
化合物層のうち前記陽極リード上の第２のレジスト層上
に形成された部分を同時に除去する工程とを含んでいる
ことを特徴とする。

【０００９】

【実施例】以下、本発明の好適な実施例について、図面
を参照し、従来の技術による固体電解コンデンサと比較
しながら説明する。図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実
施例１〜６におけるコンデンサ素子の断面構造を、製造
工程順に示す図である。又、図２は、実施例１〜６によ
る固体電解コンデンサの断面図である。更に、図３
（ａ）は、従来の技術によって作製した比較例１の固体
電解コンデンサ（後述）の完成後の断面構造を示す図で
あり、図３（ｂ）は、従来の技術による比較例２の固体
電解コンデンサ（後述）の完成後の断面構造を示す図で
ある。

【００１０】まず始めに、本発明の製造方法を製造工程
を追って説明する。図１（ａ）〜（ｅ）および図２を参
照して、陽極となる弁作用金属の焼結体１の表面の細孔
壁面及び陽極リード１Ａに沿って、誘電体である酸化皮
膜（図示せず）を形成する。次に、陽極リード植立面に
第１のレジスト剤を塗布乾燥し第１のレジスト層３を形
成する（図１（ａ））。更に、陽極リード１Ａ上に第２
のレジスト剤を塗布乾燥し第２のレジスト層４を形成す
る（図１（ｂ））。次に、第１のレジスト層３を除去す
る（図１（ｃ））。次に、酸化皮膜の表面に固体電解質
（導電性高分子化合物層５及び５Ａ）を、その細孔の奥
深くまで入り込むように形成する（図１（ｄ））。次
に、陽極リード１Ａ上に形成された第２のレジスト層４
と導電性高分子化合物層５Ａとを同時に除去し（図１
（ｅ））、陽極リード１Ａと導電性高分子化合物層５と
の電気的絶縁を確保する。さらに、この導電性高分子化
合物層５上にカーボン層６、金属の電極７を順次形成す
る。更に、外部陽極リード端子９を陽極リード１Ａへ溶
接した後、外部陰極リード端子１０を導電性接着剤８で
接続し、エポキシ樹脂１１で外装してチップ型固体電解
コンデンサとして完成させる。

【００１１】以下、実施例を挙げて具体的に説明する
が、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではな
い。

【００１２】実施例１ 長さ１ｍｍ、幅１ｍｍ、厚さ１ｍｍの直方体状のタンタ
ル微粉末焼結体ペレット（ＣＶ積値（１ｇ当たりの静電
容量μＦと陽極酸化電圧Ｖとの積）＝３０，０００／
ｇ）を０．１ｗｔ％燐酸水溶液中で４８Ｖで陽極酸化
し、酸化皮膜を形成した。

【００１３】この焼結体ペレットを熱溶融したパラフィ
ン浴中へ浸漬して、焼結体外周面及び陽極リード植立面
上にパラフィンからなる第１のレジスト層３を形成し
た。次に、陽極リード１Ａ上にポリブタジエン樹脂を塗
布し、ポリブタジエン樹脂からなる第２のレジスト層４
を形成した。ここで第２のレジスト層４の陽極リード方
向の長さは平均６ｍｍである。また、第１のレジスト層
３が陽極リード植立面にすでに形成されているために、
第２のレジスト層４はタンタル焼結体内へ浸透せず、陽
極リード１Ａ上にのみ形成された。次いで、９０℃の温
浴中で超音波洗浄することにより、パラフィンからなる
第１のレジスト層を完全に除去した。

【００１４】次いで、エタノール７０ｗｔ％、水３０ｗ
ｔ％の混合溶媒に、アニリンとｐ−トルエンスルホン酸
とを等モルで溶媒重量に対して１５ｗｔ％となるように
混合した、０℃のアニリン塩溶液中に焼結体ペレットを
３０秒間浸漬後、室温で１５分放置した。次に、０℃で
５ｗｔ％ニクロム酸アンモニウムと４８ｗｔ％ｐ−トル
エンスルホン酸とを含有する水溶液に３０秒間浸漬した
後、焼結体ペレットを取り出し室温で３０分間保持して
重合を行い、黒色のポリアニリンを酸化皮膜表面に形成
した。更に、ｐ−トルエンスルホン酸が７ｗｔ％となる
エタノール５０ｗｔ％、水５０ｗｔ％の混合溶媒の酸溶
液に５分間浸漬した後室温で３０分放置した。上記アニ
リン溶液の充填、酸化剤溶液への浸漬、重合及び酸溶液
への浸漬を１０回繰り返し、ポリアニリンからなる導電
性高分子化合物層５及び５Ａを形成した。ここで、ポリ
アニリンからなる導電性高分子化合物層５Ａの陽極リー
ド方向の長さは、平均２ｍｍであった。

【００１５】一組のヒーターチップ（３００℃）を用い
て、ポリアニリンからなる導電性高分子化合物層５Ａが
形成された陽極リード１Ａを９０秒間挟み、ポリブタジ
エン樹脂からなる第２のレジスト層４を熱分解し、かつ
同時にポリアニリンからなる導電性高分子化合物層５Ａ
を除去した。更に、除去を完全にするために高圧エアー
を吹き付けた。これらの処理によって、ポリブタジエン
樹脂からなる第２のレジスト層４及びポリアニリンから
なる導電性高分子化合物層５Ａを完全に除去できた。

【００１６】カーボンペーストを塗布乾燥しカーボン層
６を形成し、銀ペーストを塗布乾燥し電極７を形成し
た。更に、外部陽極リード端子９を、陽極植立面から
０．５〜１ｍｍの位置で陽極リード１Ａに溶接した。次
に、外部陰極リード端子１０を導電性接着剤８で接着
し、エポキシ樹脂１１で封止して静電容量３．３μＦの
コンデンサを完成した。このとき溶接点において、外部
陽極リード端子９とポリアニリンからなる導電性高分子
化合物層５とは接触していないので、両者の電気的絶縁
が確保された。尚、チップ型固体電解コンデンサとして
外装した寸法は３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×１．６ｍｍで
あった。

【００１７】実施例２ 実施例１の長さ１ｍｍ、幅１ｍｍ、厚さ１ｍｍの直方体
状のタンタル微粉末焼結体ペレット（ＣＶ積値；３０，
０００／ｇ）を使用して、実施例１と同様に酸化皮膜を
形成し、更に焼結体外周面及び陽極リード植立面上にパ
ラフィンからなる第１のレジスト層３を形成した。

【００１８】次に、焼結体ペレットをクレゾールノボラ
ック樹脂溶液に浸漬した後乾燥し、陽極リード１Ａにク
レゾールノボラック樹脂からなる第２のレジスト層４を
形成した。ここで、第２のレジスト層４の陽極リード方
向の長さは、平均５ｍｍである。また第１のレジスト層
３が陽極リード植立面にすでに形成されているために、
第２のレジスト層４はタンタル焼結体内へ浸透せず、陽
極リード１Ａ上にのみ形成された。

【００１９】パラフィンからなる第１のレジスト層３の
除去を実施例１と同様に行った。

【００２０】次に、室温でピロール溶液、５ｗｔ％塩化
第二鉄溶液に順次浸漬することを１５回繰り返して、ポ
リピロールからなる導電性高分子化合物層５及び５Ａを
形成した。ここで、ポリピロールからなる導電性高分子
化合物層５Ａの陽極リード方向の長さは、平均３ｍｍで
あった。

【００２１】１５％水酸化ナトリウム溶液中に焼結体ペ
レットを５分間浸漬して、クレゾールノボラック樹脂か
らなる第２のレジスト層４を溶解し、かつ同時にポリピ
ロールからなる導電性高分子化合物層５Ａを完全に除去
した。

【００２２】これ以外は実施例１と同様にコンデンサを
完成させた。実施例１と同様に、溶接点において外部陽
極リード端子９とポリピロールからなる導電性高分子化
合物層５とは接触していないので、両者の電気的絶縁が
確保された。

【００２３】実施例３ 実施例１の長さ１ｍｍ、幅１ｍｍ、厚さ１ｍｍの直方体
状のタンタル微粉末焼結体ペレット（ＣＶ積値；３０，
０００／ｇ）を使用して、実施例１と同様に酸化皮膜を
形成し、焼結体外周面及び陽極リード植立面上にパラフ
ィンからなる第１のレジスト層３を形成した。

【００２４】次に、陽極リード１Ａにエポキシ樹脂を塗
布乾燥し、第２のレジスト層４を形成した。ここで、第
２のレジスト層４の陽極リード方向の長さは平均５ｍｍ
である。また第１のレジスト層３が陽極リード植立面に
すでに形成されているために、第２のレジスト層４はタ
ンタル焼結体内へ浸透せず、陽極リード１Ａ上にのみ形
成された。

【００２５】パラフィンからなる第１のレジスト層３の
除去を実施例１と同様に、またポリピロールからなる導
電性高分子化合物層５及び５Ａの形成を実施例２と同様
に行った。ここで、ポリピロールからなる導電性高分子
化合物層５Ａの陽極リード方向の長さは平均２ｍｍであ
った。

【００２６】１２０℃のＮ−メチル−２−ピロリドン溶
液中で焼結体ペレットを１５分間洗浄してエポキシ樹脂
からなる第２のレジスト層４を膨潤させ、温純水中で５
分間超音波洗浄することにより、エポキシ樹脂からなる
第２のレジスト層４を剥離し、同時に、ポリピロールか
らなる導電性高分子化合物層５Ａを除去した。

【００２７】これ以外は実施例１と同様にコンデンサを
完成させた。実施例１と同様に、溶接点において外部陽
極リード端子９とポリピロールからなる導電性高分子化
合物層５は接触していないので、両者の電気的絶縁が確
保された。

【００２８】実施例４ 実施例１の長さ１ｍｍ、幅１ｍｍ、厚さ１ｍｍの直方体
状のタンタル微粉末焼結体ペレット（ＣＶ積値；３０，
０００／ｇ）を使用して、実施例１と同様に酸化皮膜を
形成した。

【００２９】次に、焼結体ペレットをクレゾールノボラ
ック樹脂溶液に浸漬した後乾燥し、焼結体外周面及び陽
極リード植立面上にクレゾールノボラック樹脂からなる
第１のレジスト層３を形成した。次いで、焼結体ペレッ
トに熱溶融したパラフィンを塗布して陽極リード１Ａ上
に、パラフィンからなる第２のレジスト層４を形成し
た。ここで、第２のレジスト層４の陽極リード方向の長
さは、平均５ｍｍであった。また、第１のレジスト層３
が陽極リード植立面にすでに形成されているために、第
２のレジスト層４はタンタル焼結体内へ浸透せず、陽極
リード１Ａ上にのみ形成された。

【００３０】１５％水酸化ナトリウム溶液中に焼結体ペ
レットを５分間浸漬して、クレゾールノボラック樹脂か
らなる第１のレジスト層３を溶解し除去した。

【００３１】ポリピロールからなる導電性高分子化合物
層５及び５Ａの形成を実施例２と同様に行った。ここ
で、ポリピロールからなる導電性高分子化合物層５Ａの
陽極リード方向の長さは、平均２ｍｍであった。次い
で、９０℃の温浴中で超音波洗浄することにより、パラ
フィンからなる第２のレジスト層４を除去し、かつ同時
にポリピロールからなる導電性高分子化合物層５Ａを除
去した。

【００３２】これ以外は実施例１と同様にコンデンサを
完成させた。実施例１と同様に、溶接点において外部陽
極リード端子９とポリピロールからなる導電性高分子化
合物層５とは接触していないので、両者の電気的絶縁が
確保された。

【００３３】実施例５ 実施例１の長さ１ｍｍ、幅１ｍｍ、厚さ１ｍｍの直方体
状のタンタル微粉末焼結体ペレット（ＣＶ積値；３０，
０００／ｇ）を使用して、実施例４と同様に酸化皮膜を
形成し、クレゾールノボラック樹脂からなる第１のレジ
スト層３を形成した。

【００３４】次に、陽極リード１Ａ上にポリブタジエン
樹脂を塗布し、ポリブタジエン樹脂からなる第２のレジ
スト層４を形成した。また、第１のレジスト層３が陽極
リード植立面にすでに形成されているために、第２のレ
ジスト層４はタンタル焼結体内へ浸透せず、陽極リード
１Ａ上にのみ形成された。

【００３５】クレゾールノボラック樹脂からなる第１の
レジスト層３の除去を実施例４と同様に、またポリピロ
ールからなる導電性高分子化合物層５及び５Ａの形成を
実施例４と同様に行った。ここで、ポリピロールからな
る導電性高分子化合物層５Ａの陽極リード方向の長さは
平均２ｍｍであった。

【００３６】一組のヒーターチップ（３００℃）を用い
て、ポリピロールからなる導電性高分子化合物層５Ａが
形成された陽極リード１Ａを９０秒間挟み、ポリブタジ
エン樹脂からなる第２のレジスト層４を熱分解し、かつ
同時にポリアニリンからなる導電性高分子化合物層５Ａ
を除去した。更に、除去を完全にするために高圧エアー
を吹き付けた。これらの処理によって、ポリブタジエン
樹脂からなる第２のレジスト層４及びポリアニリンから
なる導電性高分子化合物層５Ａを完全に除去できた。

【００３７】これ以外は実施例１と同様にコンデンサを
完成させた。実施例１と同様に、溶接点において外部陽
極リード端子９とポリピロールからなる導電性高分子化
合物層５とは接触していないので、両者の電気的絶縁が
確保された。

【００３８】実施例６ 実施例１の長さ１ｍｍ、幅１ｍｍ、厚さ１ｍｍの直方体
状のタンタル微粉末焼結体ペレット（ＣＶ積値；３０，
０００／ｇ）を使用して、実施例４と同様に酸化皮膜を
形成し、クレゾールノボラック樹脂からなる第１のレジ
スト層３を形成した。

【００３９】次に、陽極リード１Ａにエポキシ樹脂を塗
布乾燥し、エポキシ樹脂からなる第２のレジスト層４を
形成した。ここで、第２のレジスト層４の陽極リード方
向の長さは、平均５ｍｍである。また第１のレジスト層
３が陽極リード植立面にすでに形成されているために、
第２のレジスト層４はタンタル焼結体内へ浸透せず、陽
極リード上にのみ形成された。

【００４０】クレゾールノボラック樹脂からなる第１の
レジスト層３の除去を実施例４と同様に、またポリピロ
ールからなる導電性高分子化合物層５及び５Ａの形成を
実施例２と同様に行った。ここで、ポリピロールからな
る導電性高分子化合物層５Ａの陽極リード方向の長さは
平均２ｍｍであった。

【００４１】１２０℃のＮ−メチル−２−ピロリドン溶
液中で焼結体ペレットを１５分間洗浄してエポキシ樹脂
からなる第２のレジスト層４を膨潤させ、温純水中で５
分間超音波洗浄することにより、エポキシ樹脂からなる
第２のレジスト層４とポリピロールからなる導電性高分
子化合物層５Ａとを同時に除去した。

【００４２】これ以外は実施例１と同様にコンデンサを
完成させた。実施例１と同様に溶接点において外部陽極
リード端子９とポリピロールからなる導電性高分子化合
物層５とは接触していないので、両者の電気的絶縁が確
保された。

【００４３】比較例１ 本比較例は、従来の技術によって作製したチップ型のタ
ンタル固体電解コンデンサ、すなわち、レジスト層を全
く用いずに作製したコンデンサであって、図３（ａ）に
示す断面構造をもつものである。

【００４４】実施例１の長さ１ｍｍ、幅１ｍｍ、厚さ１
ｍｍの直方体状のタンタル微粉末焼結体ペレット（ＣＶ
積値；３０，０００／ｇ）を使用して、実施例１と同様
に酸化皮膜を形成した。その後、特にレジスト層を形成
せず、これ以外は実施例１と同様にコンデンサを完成さ
せた。

【００４５】従って、図３（ａ）に示すように、焼結体
ペレットの陽極リード１Ａ上には、ポリアニリンからな
る導電性高分子化合物層５Ａが陽極リード植立面から３
ｍｍ形成されたままであり、溶接点（陽極リード植立面
から０．５〜１ｍｍ）において、外部陽極リード端子９
とポリアニリンからなる導電性高分子化合物層５とが接
触し、両者は電気的に絶縁されていない。尚、チップ型
固体電解コンデンサとして外装した寸法は、実施例１と
同様に、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×１．６ｍｍであっ
た。

【００４６】比較例２ 本比較例は、従来の技術によって作製したチップ型タン
タル固体電解コンデンサ、すなわち、本発明における第
１のレジスト層形成工程（陽極リード植立面へのレジス
ト層形成）を省いて作製したコンデンサであって、図３
（ｂ）に示す断面構造をもつものである。

【００４７】実施例１の長さ１ｍｍ、幅１ｍｍ、厚さ１
ｍｍの直方体状のタンタル微粉末焼結体ペレット（ＣＶ
積値；３０，０００／ｇ）を使用して、実施例１と同様
に酸化皮膜を形成した。

【００４８】実施例１〜６における第１のレジスト層に
相当する層は形成せず、ポリブタジエン樹脂を陽極リー
ド１Ａ上に塗布形成してポリブタジエン樹脂からなる第
２のレジスト層４を直接形成した。このとき第１のレジ
スト層が陽極リード植立面に形成されていないため、ポ
リブタジエン樹脂からなる第２のレジスト層４の一部が
焼結体ペレットに浸透し、図３（ｂ）に示すように、焼
結体の陽極リード植立面内部に、レジスト含浸部１２が
形成されていた。

【００４９】次に、ポリアニリンからなる導電性高分子
化合物層５及び５Ａ形成を実施例１と同様に行った。ま
たポリブタジエン樹脂からなる第２のレジスト層４及び
ポリアニリンからなる導電性高分子化合物層５Ａの除去
を実施例５と同様に行った。

【００５０】これ以外は実施例１と同様にコンデンサを
完成させた。実施例１と同様に、溶接点において外部陽
極リード端子９とポリアニリンからなる導電性高分子化
合物層５とが接触していないので、両者の電気的絶縁が
確保された。尚、チップ型固体電解コンデンサとして外
装した寸法は、実施例１と同様に、３．２ｍｍ×１．６
ｍｍ×１．６ｍｍであった。

【００５１】以上の実施例１〜６および比較例１〜２に
よって得られたチップ型タンタル固体電解コンデンサに
ついて、外形寸法、１２０Ｈｚにおける容量出現率（得
られた容量Ｃと得られるべき容量Ｃ₀ との比）Ｃ／
Ｃ₀ 、定格電圧印加時の漏れ電流値ＬＣおよび共振点イ
ンピーダンスＺを、表１に示す。尚、容量出現率Ｃ／Ｃ
₀におけるＣ₀ としては、電解質溶液中における容量値
を用いた。

【００５２】

【表１】

【００５３】表１を参照すると、実施例１〜６はいずれ
も、比較例１〜２と同等の共振点インピーダンスＺを示
し、導電性高分子化合物を固体電解質として用いたコン
デンサの特徴、すなわち良好な高周波特性を示してい
る。しかも、比較例１に比べて漏れ電流ＬＣが桁違いに
小さい。比較例１は、図３（ａ）に示すように、陽極リ
ード１上の導電性性高分子化合物層５Ａと外部陽極リー
ド端子９とが接触してしまっているからである。

【００５４】実施例１〜６は、又、比較例２に比べて約
２倍弱の容量出現率をもっている。比較例２では、陽極
リード１上に第２のレジスト層を形成する際に、図３
（ｂ）に示すように、焼結体の陽極リード植立面にレジ
スト層が含浸された部分（レジスト含浸部１２）が形成
されてしまうため、この植立面の酸化皮膜が容量に寄与
しないためである。

【００５５】このように、実施例１〜６は、従来の技術
による固体電解コンデンサに比べて漏れ電流が小さく容
量出現率が大きいという二つの特徴を併せ備えている。

【００５６】尚、これまでの実施例１〜６は全て、第１
のレジスト層と第２のレジスト層とが、除去性に関して
互いに異なる属性を持つ（例えば、実施例１では、第１
のレジスト層としてのパラフィンは熱溶融性であり、第
２のレジスト層としてのポリブタジエン樹脂は熱分解性
を備えている）例があるが、本発明はこれに限られるも
のではない。第１のレジスト層と第２のレジスト層と
は、除去性に関して同じ属性を持っていても、除去条件
を適当に選ぶことによって選択的に除去できるものどう
しであればよい。

【００５７】尚また、第２のレジスト層は、陽極リード
上のみに形成してもよいし、更には陽極リード上のみな
らず第１のレジスト層上に形成してもよい。この第１の
レジスト層上の第２のレジスト層は、第１のレジスト層
除去の際に同時に除去されてしまうので、後の製造工程
においてなんら障害にならない。

【００５８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
陽極リード上のみへ簡易にかつ精度良くレジスト層を形
成できるので、弁作用金属酸化皮膜へのレジスト剤浸透
が抑制され容量出現率が高いコンデンサを製造できる。

【００５９】また、陽極リード上に形成された導電性高
分子化合物層を容易にかつ完全に除去できるので、外部
陽極リード端子溶接後に、コンデンサ素子の陰極層であ
る導電性高分子化合物層と外部陽極リード端子との電気
的絶縁を確保でき、漏れ電流が小さくかつ優れた高周波
特性を有するコンデンサを製造できる。

【００６０】また、本発明によれば、外部陽極リード端
子の溶接を陽極リード植立面に近い位置で行えるので、
体積効率に優れたコンデンサを製造できる。

【００６１】このように本発明により、今後も引き続き
進展する電子部品の小型化及び高密度実装への対応が可
能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明により製造される固体電解コンデンサ素
子の断面構造を製造工程順に示す図である。

【図２】実施例１〜実施例６によって製造されたチップ
型タンタル固体電解コンデンサの断面図である。

【図３】比較例１によって製造されたチップ型タンタル
固体電解コンデンサの断面図および比較例２によって製
造されたチップ型タンタル固体電解コンデンサの断面図
である。

【符号の説明】

１ 焼結体 １Ａ 陽極リード ３ 第１のレジスト層 ４ 第２のレジスト層 ５，５Ａ 導電性高分子化合物層 ６ カーボン層 ７ 電極 ８ 導電性接着剤 ９ 外部陽極リード端子 １０ 外部陰極リード端子 １１ エポキシ樹脂 １２ レジスト含浸部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荒井 智次 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 西山 利彦 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 陽極リードが植立された弁作用金属の多
   孔質成形体に誘電体としてその弁作用金属の酸化皮膜を
   形成する工程と、前記酸化皮膜上に固体電解質としての
   導電性高分子化合物層を形成する工程とを含む固体電解
   コンデンサの製造方法において、前記導電性高分子化合
   物層の形成工程が、 前記多孔質成形体の少くとも前記陽極リード植立面を含
   む外周面を覆ってその覆われた部分の前記酸化皮膜を保
   護する第１のレジスト層を形成する工程と、 少なくとも前記陽極リードを含む部分を、前記酸化皮膜
   に直接接触することのないように覆って、前記陽極リー
   ドを保護する第２のレジスト層を形成する工程と、 前記第１のレジスト層を除去すると共に前記第２のレジ
   スト層を前記陽極リード上の部分のみ残して除去し、前
   記多孔質成形体に形成した全酸化皮膜を露出させる工程
   と、 前記陽極リード上に残した第２のレジスト層および露出
   させた前記酸化皮膜上に前記導電性高分子化合物層を形
   成する工程と、 前記陽極リード上に残した第２のレジスト層を除去する
   と共に、前記導電性高分子化合物層のうち前記陽極リー
   ド上の第２のレジスト層上に形成された部分を同時に除
   去する工程とを含んでいることを特徴とする固体電解コ
   ンデンサの製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の固体電解コンデンサの製
   造方法において、 前記第１のレジスト層および前記第２のレジスト層とし
   て、熱溶融性有機化合物，光分解性または熱分解性有機
   化合物，酸溶解性またはアルカリ溶解性有機化合物およ
   び溶剤可溶性または溶剤膨潤性有機化合物のいずれかを
   用いると共に、前記第１のレジスト層と前記第２のレジ
   スト層とが互いに異なる物質からなるようにしたことを
   特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。