JP3317555B2 - ポリカーボネートの製造方法 - Google Patents

ポリカーボネートの製造方法

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JP3317555B2
JP3317555B2 JP21479993A JP21479993A JP3317555B2 JP 3317555 B2 JP3317555 B2 JP 3317555B2 JP 21479993 A JP21479993 A JP 21479993A JP 21479993 A JP21479993 A JP 21479993A JP 3317555 B2 JP3317555 B2 JP 3317555B2
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Idemitsu Petrochemical Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電気・電子分野、自動車
分野において用いられるポリカーボネートの製造法に関
する。詳しくは、本発明は高品質のポリカーボネートを
生産性よく提供し得るポリカーボネートの製造方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】ポリカーボネートは透明性、耐熱性、耐
衝撃性に優れたエンジニアリングプラスチックであり、
現在、広く工業分野で使用されている樹脂である。ポリ
カーボネートの製造法として、ビスフェノールAなどの
2価フェノールとホスゲンとを直接反応させる界面法あ
るいはビスフェノールAなどの2価フェノールとジフェ
ニルカーボネートなどの炭酸ジエステルとを溶融状態で
エステル交換させる溶融法が知られている。
【0003】しかし、界面法においてはその製造工程に
おいて有毒なホスゲンを用いなければならないこと、副
生する塩化水素や塩化ナトリウムなどの含塩素化合物に
より装置が腐食すること、樹脂中に混入する水酸化ナト
リウムなどのポリマーの物性に悪影響を及ぼす不純物の
分離が困難であることなどの問題があり、一方溶融法
は、界面法と比較して安価にポリカーボネートを製造で
きるという利点を有しているものの、通常280℃〜3
10℃という高温下で長時間反応させるため着色がまぬ
がれないという問題があった。また、塩基性触媒を用い
ることが多く、得られたポリマーの耐加水分解性が悪い
という問題もある。
【0004】溶融法において、着色を防止するため、特
定の触媒を用いる方法(特公昭61−39972号公
報、特開昭63−223036号公報等)、反応後期に
酸化防止剤を添加する方法(特開昭61−151236
号公報、特開昭62−158719号公報等)、反応後
期に2軸ベント式混練押出機を使用する方法(特開昭6
1−62522号公報等)、横型攪拌重合槽を使用する
方法(特開平2−153925号公報等)などが提案さ
れているが、未だ完全には解決されていない。
【0005】また、得られるポリカーボネートの耐加水
分解性を改良するために、従来よりジメチル硫酸のよう
な酸により中和することが知られており、最近ではp−
トルエンスルホン酸のような酸で中和を行ない、過剰の
酸をエポキシ化合物を用いて中和する技術(特開平4−
175368号公報等)などが知られているが、未だ完
全には解決されていない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、実質的にポ
リマー中に触媒を含有しない、着色性、耐加水分解性等
の品質に優れたポリカーボネートを生産性よく製造する
ことができるポリカーボネートの製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者は前記目的を達
成するために鋭意検討を行なった結果、エステル交換法
によりポリカーボネートを製造する際に、含窒素塩基性
化合物を触媒として用い、使用する水酸基の塩基性が主
原料として使用するジヒドロキシ化合物以上であるジオ
ールを反応系に添加することにより、実質的にポリマー
中に触媒を含有しない品質に優れたポリカーボネートを
生産性よく製造することができることを見出し、この知
見に基づいて本発明を完成するに至った。
【0008】すなわち、本発明はジヒドロキシ化合物と
炭酸ジエステルとからエステル交換によってポリカーボ
ネートを製造するにあたり、含窒素塩基性化合物を触媒
として用い、反応率が70%を超えた時点で水酸基の塩
基性が使用するジヒドロキシ化合物以上であるジオール
を反応系に添加することを特徴とするポリカーボネート
の製造法を提供するものである。
【0009】本発明で主原料として用いられるジヒドロ
キシ化合物としては特に限定はなく、従来公知のものを
含む種々のジヒドロキシ化合物を用いることができ、ま
た、ジヒドロキシ化合物1種のみを単独で用いてもよい
し、2種以上を併用することもできる。
【0010】ここで、ジヒドロキシ化合物としては、例
えば、芳香族ジヒドロキシ化合物、脂肪族ジヒドロキシ
化合物、これら化合物のビスエステル類、カーボネート
類などがある。
【0011】本発明に好適に用いられる主原料として用
いられる芳香族ジヒドロキシ化合物の例としては、例え
ば、4,4−ジヒドロキシビフェニル、4,4′−ジヒ
ドロキシ−2,2′−ジメチルビフェニル、4,4′−
ジヒドロキシ−3,3′−ジメチルビフェニル、4,
4′−ジヒドロキシ−3,3′−ジシクロヘキシルビフ
ェニル、3,3′−ジフルオロ−4,4′−ジヒドロキ
シビフェニル等のジヒドロキシビフェニル類;ビス(4
−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(3−フルオロ
−4−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒド
ロキシ−3−メチルフェニル)エーテル等のビス(ヒド
ロキシアリール)エーテル類;4,4′−ジヒドロキシ
ベンゾフェノン等のビス(ヒドロキシアリール)ケトン
類;ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルフィド、ビス
(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)スルフィド等
のビス(ヒドロキシアリール)スルフィド類;ビス(4
−ヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(3−メチ
ル−4−ヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(3
−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)スルホキシド等
のビス(ヒドロキシアリール)スルホキシド類;ビス
(4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3−メチ
ル−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3−フ
ェニル−4−ヒドロキシフェニル)スルホン等のビス
(ヒドロキシアリール)スルホン類;ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)メタン、ビス(3−メチル−4−ヒドロ
キシフェニル)メタン、ビス(3−クロロ−4−ヒドロ
キシフェニル)メタン、ビス(3,5−ジブロモ−4−
ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)−1−フェニルメタン、1,1−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)−1,1−ジフェニルメタ
ン、1,1−ビス(2−tert−ブチル−4−ヒドロ
キシ−5−メチルフェニル)−1−フェニルメタン、
1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,
1−ビス(2−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−3
−メチルフェニル)エタン、1−フェニル−1,1−ビ
ス(3−フルオロ−4−ヒドロキシフェニル)エタン、
1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニ
ルエタン、2−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)−2−(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニル
エタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−
2,2,2−トリフェニルエタン、2,2−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−メ
チル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビ
ス(2−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、
2,2−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)プロパン、1,1−ビス(2−tert−ブチル
−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(3−クロロ−4−ヒドロキシフェニル)
プロパン、2,2−ビス(3−フルオロ−4−ヒドロキ
シフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−ブロモ−4
−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3,
5−ジフルオロ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、
2,2−ビス(3,5−ジクロロ−4−ヒドロキシフェ
ニル)プロパン、2,2−ビス(3,5−ジブロモ−4
−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−
ブロモ−4−ヒドロキシ−5−クロロフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(3−ヒドロキシフェニル)ヘキサフ
ルオロプロパン、2,2−ビス(3−フェニル−4−ヒ
ドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)ブタン、2,2−ビス(3−メチル−
4−ヒドロキシフェニル)ブタン、1,1−ビス(2−
ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)ブタ
ン、1,1−ビス(2−tert−ブチル−4−ヒドロ
キシ−5−メチルフェニル)ブタン、1,1−ビス(2
−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェ
ニル)イソブタン、1,1−ビス(2−tert−アミ
ル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)ブタン、
2,2−ビス(3,5−ジクロロ−4−ヒドロキシフェ
ニル)ブタン、2,2−ビス(3,5−ジブロモ−4−
ヒドロキシフェニル)ブタン、2,2−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)−4−メチルペンタン、4,4−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)ヘプタン、1,1−ビス
(2−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチル
フェニル)ヘプタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)オクタン、1,2−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)エタン等のビス(ヒドロキシアリール)アルカン
類;1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロペ
ンタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シク
ロヘキサン、1,1−ビス(3−メチル−4−ヒドロキ
シフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(3−シク
ロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサ
ン、1,1−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェ
ニル)シクロヘキサン等のビス(ヒドロキシアリール)
シクロアルカン類;1,1′−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−p−ジイソプロピルベンゼン、1,1′−ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)−m−ジイソプロピルベ
ンゼン等のビス{(ヒドロキシアリール)メチル}ベン
ゼン類;レゾルシン、3−メチルレゾルシン、3−エチ
ルレゾルシン、3−プロピルレゾルシン、3−ブチルレ
ゾルシン、3−tert−ブチルレゾルシン、3−フェ
ニルレゾルシン、3−クミルレゾルシン、2,3,4,
6−テトラフルオロレゾルシン、2,3,4,6−テト
ラブロモレゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、3
−メチルハイドロキノン、3−エチルハイドロキノン、
3−プロピルハイドロキノン、3−ブチルハイドロキノ
ン、3−tert−ブチルハイドロキノン、3−フェニ
ルハイドロキノン、3−クミルハイドロキノン、2,
3,5,6−テトラメチルハイドロキノン、2,3,
4,6−テトラ−tert−ブチルハイドロキノン、
2,3,5,6−テトラフルオロハイドロキノン、2,
3,5,6−テトラブロモハイドロキノン等の無置換又
はハロゲン及びアルキル置換ジヒドロキシベンゼン類な
どを挙げることができる。
【0012】さらに、本発明においては、ジヒドロキシ
化合物として、2,2,2′,2′−テトラヒドロ−
3,3,3′,3′−テトラメチル−1,1′−スピロ
ビ−[1H−インデン]−6,6′−ジオール等のスピ
ロ化合物を用いることもできる。
【0013】また、上記ジヒドロキシ化合物の一部に代
えて、ビフェニルジカルボン酸のヒドロキシアルキルエ
ステル、ビシクロヘキシルジカルボン酸のヒドロキシア
ルキルエステル等の2価アルコールを用いてもよい。こ
の場合、ポリエステルカーボネートが得られる。
【0014】本発明で用いられる炭酸ジエステルとして
は、特に限定はなく、公知のものを含む種々の炭酸ジエ
ステルを用いることができ、炭酸ジエステルとして1種
単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
【0015】本発明で用いられる炭酸ジエステルとして
は、炭酸ジアリール化合物、炭酸ジアルキル化合物、炭
酸アルキルアリール化合物がある。炭酸ジアリール化合
物の具体例としては、ジフェニルカーボネート、ジトリ
ルカーボネート、ビス(クロロフェニル)カーボネー
ト、m−クレジルカーボネート、ジナフチルカーボネー
ト、ビス(ビフェニリル)カーボネート等が挙げられ
る。また、炭酸ジアルキル化合物の具体例としては、ジ
エチルカーボネート、ジメチルカーボネート、ジブチル
カーボネート、ジシクロヘキシルカーボネート等が挙げ
られる。一方、炭酸アルキルアリール化合物の具体例と
しては、メチルフェニルカーボネート、エチルフェニル
カーボネート、ブチルフェニルカーボネート、シクロヘ
キシルフェニルカーボネート等がある。これらのうち、
ジフェニルカーボネートが好ましく用いられる。
【0016】炭酸ジエステルの使用量は、通常、主原料
としてのジヒドロキシ化合物及び後から添加するジオー
ルの合計1モルに対して0.90〜1.50モル、好ま
しくは0.95〜1.25モル程度である。
【0017】なお、必要に応じて、炭酸ジエステルの一
部に代えてジカルボン酸、ジカルボン酸エステルを用い
てもよい。この場合、ポリエステルカーボネートが得ら
れる。ジカルボン酸及びジカルボン酸エステルとして
は、例えば、イソフタル酸、テレフタル酸、イソフタル
酸ジフェニル、テレフタル酸ジフェニル、イソフタル酸
ジクロリド、テレフタル酸ジクロリド等の芳香族ジカル
ボン酸類;コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリ
ン酸、スペリン酸、アゼライン酸、セバンシン酸、デカ
ン二酸、ドデカン二酸、セバシン酸ジフェニル、デカン
二酸ジフェニル等の脂肪族ジカルボン酸類;シクロプロ
パンジカルボン酸、1,2−シクロブタンジカルボン
酸、1,3−シクロブタンジカルボン酸、1,2−シク
ロペンタンジカルボン酸、1,3−シクロペンタンジカ
ルボン酸、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸、1,
3−シクロヘキサンジカルボン酸、1,4−シクロヘキ
サンジカルボン酸、シクロプロパンジカルボン酸ジフェ
ニル、1,2−シクロブタンジカルボン酸ジフェニル、
1,3−シクロブタンジカルボン酸ジフェニル、1,2
−シクロペンタンジカルボン酸ジフェニル、1,2−シ
クロヘキサンジカルボン酸ジフェニル、1,3−シクロ
ヘキサンジカルボン酸ジフェニル、1,4−シクロヘキ
サンジカルボン酸ジフェニル等の脂環族ジカルボン酸類
を挙げることができる。ジカルボン酸及びジカルボン酸
エステルの使用量は、例えば、炭酸ジエステルの50モ
ル%以下、好ましくは30モル%以下である。
【0018】本発明において用いられるエステル交換触
媒としては、塩基性を示し、反応系中に比較的残留しな
い含窒素塩基性化合物が用いられる。
【0019】本発明において用いられる含窒素塩基性化
合物としては、具体的には、トリメチルアミン、トリエ
チルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、
トリベンチルアミン、トリヘキシルアミン、ジメチルベ
ンジルアミン等の脂肪族第3級アミン化合物、トリフェ
ニルアミン等の芳香族第3級アミン化合物が挙げられ
る。
【0020】また、N,N−ジメチル−4−アミノピリ
ジン、4−ジエチルアミノピリジン、4−ピロリジノピ
リジン、4−アミノピリジン、2−アミノピリジン、2
−ヒドロキシピリジン、2−メトキシピリジン、4−メ
トキシピリジン、4−ヒドロキシピリジン、2−ジメチ
ルアミノイミダゾール、2−メトキシイミダゾール、2
−メルカプトイミダゾール、アミノキノリン、イミダゾ
ール、2−メチルイミダゾール、4−メチルイミダゾー
ル、ジアザビシクロオクタン(DABCO)等の含窒素
複素環化合物が挙げられる。
【0021】また、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド(Me4NOH)、テトラエチルアンモニウムヒド
ロキシド(Et4NOH)、テトラブチルアンモニウム
ヒドロキシド(Bu4NOH)、トリメチルベンジルア
ンモニウムヒドロキシド[C65CH2(Me)3NO
H]等のアルキル、アリール、アルアリール基などを有
するアンモニウムヒドロキシド類が挙げられる。
【0022】更に、テトラメチルアンモニウムボロハイ
ドライド(Me4NBH4)、テトラブチルアンモニウム
ボロハイドライド(Bu4NBH4)、テトラブチルアン
モニウムテトラフェニルボレート(Bu4NBPh4)、
テトラメチルアンモニウムテトラフェニルボレート(M
4NBPh4)等の塩基性塩が挙げられる。
【0023】これらの含窒素塩基性化合物の中では、ト
リヘキシルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチ
ルアミノピリジンが好ましい。
【0024】これらの触媒は単独で、あるいは2種類以
上を併用して用いることができ、その添加量は主原料で
あるジヒドロキシ化合物1モルに対して、10-8〜10
-1モル、好ましくは10-7〜10-2モルの範囲である。
10-8モル未満であると反応速度向上効果が発現でき
ず、10-1モルを超えるとコストアップに繋がる。
【0025】また、本発明では、ポリカーボネートを製
造するに際して、分岐剤として、更に、1分子中に3個
以上の官能基を有する多官能性化合物を併用してもよ
い。
【0026】このような多官能性化合物としては、例え
ば、フロログルシン、ピロガロール、1,1,1−トリ
ス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1,1−ト
リス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,1,1−
トリス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,
1−トリス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)エ
タン、4,6−ジメチル−2,4,6−トリス(4−ヒ
ドロキシフェニル)−2−ヘプテン、4,6−ジメチル
−2,4,6−トリス(4−ヒドロキシフェニル)ヘプ
タン、2,6−ジメチル−2,4,6−トリス(4−ヒ
ドロキシフェニル)−3−ヘプテン、1,3,5−トリ
ス(2−ヒドロキシフェニル)ベンゼン、1,3,5−
トリス(4−ヒドロキシフェニル)ベンゼン、トリス
(4−ヒドロキシフェニル)−フェニルメタン、2,2
−ビス[4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シク
ロヘキシル]プロパン、2,4−ビス[α−(4−ヒド
ロキシフェニル)イソプロピル]フェノール、2,6−
ビス(2′−ヒドロキシ−5′−メチルベンジル)−4
−メチルフェノール、2−(4−ヒドロキシフェニル)
−2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)プロパン、
α,α′,α″−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−
1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、α−メチル−
α,α′,α′−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−
1,4−ジエチルベンゼン、ヘキサキス[4−{α−
(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル}フェニル]
−o−テレフタル酸エステル、テトラキス(4−ヒドロ
キシフェニル)メタン、テトラキス[4−{α−(4−
ヒドロキシフェニル)イソプロピル}フェノキシ]メタ
ン、1,4−ビス[(4′,4″−ジヒドロキシトリフ
ェニル)メチル]ベンゼン、2,4−ジヒドロキシ安息
香酸、トリメリト酸、トリメシン酸、ピロメリト酸、シ
アヌル酸塩化物、3,3−ビス(3−メチル−4−ヒド
ロキシフェニル)−2−オキソ−2,3−ジヒドロイン
ドール、3,3−ビス(4−ヒドロキシアリール)オキ
シインドール、5−クロロイサチン、5,7−ジクロロ
イサチン、5−ブロモイサチンフロログリシド等が挙げ
られる。
【0027】本発明において重要な点は、ジヒドロキシ
化合物と炭酸ジエステルの反応率が70%を超えた時
点、好ましくは80%を超えた時点で、更に好ましくは
90%を超えた時点で、反応系に水酸基の塩基性が主原
料として使用するジヒドロキシ化合物以上であるジオー
ルを添加することである。ジオールを添加しなかった
り、反応率が70%以下の時点で添加した場合には高分
子量のポリマーが得られなかったり、ポリマーの耐加水
分解性が不十分となる。ここで反応率は、エステル変換
により炭酸ジエステルに由来して生成するフェノール類
の量、例えば炭酸ジエステルとしてジフェニルカーボネ
ートを用いた場合には留出してくるフェノールの量から
計算される。
【0028】また、本発明で後添加物として用いるジオ
ールの水酸基の塩基性が主原料として用いるジヒドロキ
シ化合物と同等以上とは、主原料として用いるジヒドロ
キシ化合物のpKa値(酸性度)をA、後から添加する
ジオールのpKa値(酸性度)をBとした場合、A≦B
の関係を満足することをいう。この塩基性の大きさは通
常の方法により測定できるが、フェノール類については
その置換基のハメット定数でおおよそ推定することがで
きる。また脂肪族水酸基は通常芳香族水酸基よりも塩基
性が大きいことが知られている。後添加物として用いら
れるジオールは主原料として用いられるジヒドロキシ化
合物の種類に応じて上記のことを考慮して適宜決定され
る。
【0029】主原料のジヒドロキシ化合物と後添加物と
してのジオールが上記の関係を満足しない場合には十分
な反応速度の向上は期待できない。
【0030】主原料のジヒドロキシ化合物が2,2−ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン(ビスフェノー
ルA)である場合、上記の関係を満足する好ましい後添
加ジオールの具体例としては電子供与性基を有する2価
フェノール、脂肪族ジオールなどを挙げることができ
る。
【0031】このような電子供与性基を有する2価フェ
ノールの具体例としては、例えば、ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)エタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)ブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
オクタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−1−メチル
フェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−
t−ブチルフェニル)プロパンなどのビス(ヒドロキシ
アリール)アルカン類、1,1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)シクロペンタン、1,1−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)−3,5,5−トリメチルシクロヘ
キサンなどのビス(ヒドロキシアリール)シクロアルカ
ン類、4,4′−ジヒドロキシジフェニルエーテル、
4,4′−ジヒドロキシ−3,3′−ジメチルジフェニ
ルエーテルなどのジヒドロキシジアリールエーテルが挙
げられる。
【0032】脂肪族ジオールの具体例としては、例え
ば、ブタン−1,4−ジオール、2,2−ジメチルプロ
パン−1,3−ジオール、ヘキサン−1,8−ジオー
ル、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、
テトラエチレングリコール、オクタエチレングリコー
ル、ジプロピレングリコール、N,N−メチルジエタノ
ールアミン、シクロヘキサン−1,3−ジオール、シク
ロヘキサン−1,4−ジオール、1,4−ジメチロール
シクロヘキサン、p−キシリレングリコール、2,2−
ビス−(4−ヒドロキシシクロヘキシル)−プロパン、
1,3−シクロペンタンジオール、2,2,4,4−テ
トラメチル−1,3−シクロペンタンジオール、1,1
2−ドデカンジオールなどが挙げられる。
【0033】後添加物としてのジオールは、操作上沸点
が200℃以上のものが好ましい。
【0034】後添加物としてのジオールは主原料である
ジヒドロキシ化合物1モルに対し、通常、0.1〜20
モル%添加することが好ましい。添加量が0.1モル%
未満では十分な反応速度向上効果が得られないことがあ
り、20モル%を超えると最終製品であるポリカーボネ
ートの物性、特に耐熱性、低下を招く場合がある。添加
量の好ましい範囲は0.2〜10モル%である。
【0035】本発明における反応速度向上効果は、反応
後期において、反応性の高いジオールを添加することに
より効率的に鎖延長が生ずることによるものと考えられ
る。従って、その添加時期は、ジヒドロキシ化合物が反
応し、しかもジヒドロキシ末端が少なくなるような条件
で反応した後に添加することが効果的である。
【0036】本発明におけるポリカーボネートの重合温
度は、特に限定されないが通常100℃〜330℃の範
囲であり、好ましくは160℃〜300℃まで、より好
ましくは、反応の進行に合わせて次第に180℃〜30
0℃ 温度を上げてゆく方法が良い。また、該反応は1
00℃未満では反応の進行が遅く、330℃を超えると
ポリマーの熱劣化が起こり好ましくない。
【0037】反応時の圧力は、使用するモノマーの蒸気
圧に応じて反応温度に応じて設定される。これは、反応
が効率よく行なわれるように設定されればよく、限定さ
れるものではない。通常、反応初期においては、1〜5
0atm(760〜38000torr)までの大気圧
ないし加圧状態にしておき、反応後期においては減圧状
態、好ましくは最終的には0.01〜100torrに
する場合が多い。また、反応時間は、目標の分子量とな
るまで行なえばよく、通常0.2〜10時間程度であ
る。
【0038】反応は窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰
囲気下で行うことが好ましく、また、必要に応じて、末
端停止剤、酸化防止剤等を添加したり、不活性溶剤を使
用してもよい。
【0039】末端停止剤としてはo−n−ブチルフェノ
ール、m−n−ブチルフェノール、p−n−ブチルフェ
ノール、o−イソブチルフェノール、m−イソブチルフ
ェノール、p−イソブチルフェノール、o−t−ブチル
フェノール、m−t−ブチルフェノール、p−t−ブチ
ルフェノール、o−n−ペンチルフェノール、m−n−
ペンチルフェノール、p−n−ペンチルフェノール、o
−n−ヘキシルフェノール、m−n−ヘキシルフェノー
ル、p−n−ヘキシルフェノール、o−シクロヘキシル
フェノール、m−シクロヘキシルフェノール、p−シク
ロヘキシルフェノール、o−フェニルフェノール、m−
フェニルフェノール、p−フェニルフェノール、o−n
−ノニルフェノール、m−n−ノニルフェノール、p−
n−ノニルフェノール、o−クミルフェノール、m−ク
ミルフェノール、p−クミルフェノール、o−ナフチル
フェノール、m−ナフチルフェノール、p−ナフチルフ
ェノール、2,6−ジ−t−ブチルフェノール、2,6
−ジ−t−ブチルフェノール、2,4−ジ−t−ブチル
フェノール、3,5−ジ−t−ブチルフェノール、2,
5−ジクミルフェノール、3,5−ジクミルフェノー
ル、1−ベンジル−4−(ヒドロキシベンジル)ベンゼ
ン、ジベンジル−4−(4−ヒドロキシベンジル)ベン
ゼン、並びに2,2,4−トリメチル−4−(4−ヒド
ロキシフェニル)クロマン、2,4,4−トリメチル−
4−(4−ヒドロキシフェニル)クロマン等のクロマン
誘導体等の1価フェノールが挙げられる。
【0040】このようなフェノール類のうち、本発明で
は特に限定されないが、p−t−ブチルフェノール、p
−クミルフェノール、p−フェニルフェノールなどが好
ましい。
【0041】また、他の末端停止剤として炭酸ジエステ
ル化合物が場合によって用いられる。このような炭酸ジ
エステル化合物の末端停止剤の具体例としては、カルボ
ブトキシフェニルフェニルカーボネート、メチルフェニ
ルブチルフェニルカーボネート、エチルフェニルブチル
フェニルカーボネート、ジブチルジフェニルカーボネー
ト、ビフェニリルフェニルカーボネート、ジビフェニリ
ルカーボネート、クミルフェニルカーボネート、ジクミ
ルフェニルカーボネート、ナフチルフェニルカーボネー
ト、ジナフチルフェニルカーボネート、カルボプロポキ
シフェニルフェニルカーボネート、カルボヘプトキシフ
ェニルフェニルカーボネート、カルボメトキシ−t−ブ
チルフェニルフェニルカーボネート、カルボプロポキシ
フェニルメチルフェニルカーボネート、クロマニルフェ
ニルカーボネート、ジクロマニルカーボネート等が挙げ
られる。またC7-30−アルキルカルボニルオキシベンゼ
ン、C7-30−脂肪族アルコール、フェニル (C1-12
アルコキシ)ベンゾエート、フェニル ジ(C1-12−ア
ルコキシ)ベンゾエート、フェニル トリ(C1-12−ア
ルコキシ)ベンゾエート、フェニル (C1-12−アルコ
キシ)スルホネート等が挙げられる。
【0042】末端停止剤の存在量が、主原料であるジヒ
ドロキシ化合物1モルに対して0.05モル%〜10モ
ル%の範囲にあると、得られるポリカーボネートの水酸
基末端が封止されるため、耐熱性及び耐水性に充分優れ
たポリカーボネートが得られ好ましい。末端停止剤や炭
酸ジエステルは、予め反応系に全量添加しておいてもよ
く、また予め反応系に一部添加しておき、反応の進行に
伴って残部を添加してもよい。更に場合によっては、ジ
ヒドロキシ化合物と炭酸ジエステル及び/又はジオール
との重縮合反応が一部進行した後に、反応系に全量添加
してもよい。
【0043】酸化防止剤としては、トリス(ノニルフェ
ニル)ホスファイト、トリスフェニルホスファイト、2
−エチルヘキシルジフェニルホスファイト、トリメチル
ホスファイト、トリエチルホスファイト、トリクレジル
ホスファイト、トリアリールホスファイト等のリン系酸
化防止剤が好適に用いられる。
【0044】不活性溶剤としては、ジフェニルエーテ
ル、ハロゲン化ジフェニルエーテル、ジフェニルスルホ
ン、ベンゾフェノン、ポリフェニルエーテル、ジクロロ
ベンゼン、メチルナフタレン等の芳香族化合物、二酸化
炭素、一酸化二窒素、窒素などのガス、クロロフルオロ
炭化水素、エタン、プロパン等のアルカン、シクロヘキ
サン、トリシクロ(5,2,10)−デカン、シクロオ
クタン、シクロドデカン等のシクロアルカン、エチレ
ン、プロペンのようなアルケン又は六フッ化イオウ等各
種のものが挙げられる。
【0045】また、本発明によって得られるポリカーボ
ネートにはその他に、可塑剤、顔料、潤滑剤、離型剤、
安定剤、無機充填剤などのような周知の添加剤を配合し
て使用することができる。
【0046】またこれらのPCは、ポリオレフィン、ポ
リスチレン等のポリマーとブレンドすることが可能であ
り、特にOH基、COOH基、NH2基などを末端に有
するポリフェニレンエーテル、ポリエーテルニトリル、
末端変性ポリシロキサン化合物、変性ポリプロピレン、
変性ポリスチレン等と併用すると効果的である。
【0047】
【実施例】以下、本発明の実施例及びその比較例によっ
て本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの
実施例に限定されるものではない。
【0048】実施例1〜4 内容積1.4リットルのNi鋼製オートクレーブ(攪拌
機付き)に、ビスフェノールA217g(0.95モ
ル)、ジフェニルカーボネート225g(1.05モ
ル)、(CH34NOHを1×10-5モルを仕込み、窒
素置換を5回行った。混合物を180℃まで加熱し、ビ
スフェノールAとジフェニルカーボネートを溶融させ
た。次いで温度を220℃とし、同時に攪拌を開始し、
窒素を微量に流通させると、生成するフェノールが留去
し始めた。反応物温度を220℃のまま1時間保った。
【0049】その後、温度を240℃にし次第に真空度
を50mmHgまで上げて1時間反応させた。フェノー
ルの留出量より反応率は92%であった。ここで表1に
示すジオールを添加し、240℃、200mmHgで3
0分反応させた後、温度を270℃にし、徐々に真空度
を上げ最終的に1mmHgにし1時間反応させた。
【0050】最後にオートクレーブ内に、粘稠で透明な
縮合物が残った。この物質をメチレンクロライドに溶解
し、粘度平均分子量を測定した。また、得られた粘稠で
透明な縮合物を粉砕し、280℃でプレス成形で、3m
m厚の板を成形し、耐加水分解性を測定した。結果は表
3に示す。
【0051】実施例5 実施例1に於いて、(CH34NOHのかわりに(C4
94NBH4を用いた以外は同様に実施した。
【0052】実施例6 実施例1に於いて、(CH34NOHのかわりにジメチ
ルアミノピリジンを用いた以外は同様に実施した。
【0053】実施例7 実施例1に於いて、水添ビスフェノールAの添加量を2
×10-2molにした以外は同様に実施した。
【0054】比較例1 実施例1に於いて、水添ビスフェノールAを添加しなか
った以外は同様に実施した。
【0055】比較例2 実施例1に於いて、触媒を添加しなかった以外は同様に
実施した。
【0056】
【表1】 1)20℃、CH2Cl2中での[η]を測定し、[η]
=1.23×10-5×Mv0.83より算出した。 2)プレート(厚さ3mm)を121℃のスチームに4
8時間暴露させた後の状態を目視で判断。 3)水添ビスフェノールA:2,2−ビス(4−ヒドロ
キシシクロヘキシル)プロパン 4)ビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル:Ham
mettの置換基定数(σ)C65O−=−0.34、
フェノールの反応定数(ρ)=+2.2としてpKa=
pKa(フェノール)−ρΣσより算出、pKa(フェ
ノール)=9.9、ビスフェノールA;σ(C(C
33−)=−0.197として上法に従って算出、水
添ビスフェノールA、1,12−ドデカンジオールはエ
タノールの値にて代用。
【0057】
【発明の効果】本発明はエステル交換法によりポリカー
ボネートを製造する際に、従来用いられていたエステル
交換触媒の添加量を低減し、実質的にポリマー中に触媒
を含有しない、着色性、耐加水分解性等の品質に優れた
ポリカーボネートを生産性よく製造することが可能とな
った。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルと
    からエステル交換によってポリカーボネートを製造する
    にあたり、含窒素塩基性化合物を触媒として用い、反応
    率が70%を超えた時点で水酸基の塩基性が使用するジ
    ヒドロキシ化合物以上であるジオールを反応系に添加す
    ることを特徴とするポリカーボネートの製造方法。
  2. 【請求項2】 含窒素塩基性化合物が、脂肪族第3級ア
    ミン化合物、芳香族第3級アミン化合物、含窒素複素環
    化合物或いはアルキル、アリール若しくはアルアリール
    基を有する4級アンモニウムの塩基性塩である請求項1
    記載のポリカーボネートの製造方法。
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