JP3309342B2 - 磁気ディスク - Google Patents
磁気ディスクInfo
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- JP3309342B2 JP3309342B2 JP31047092A JP31047092A JP3309342B2 JP 3309342 B2 JP3309342 B2 JP 3309342B2 JP 31047092 A JP31047092 A JP 31047092A JP 31047092 A JP31047092 A JP 31047092A JP 3309342 B2 JP3309342 B2 JP 3309342B2
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- Japan
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- undulation
- magnetic disk
- interval
- magnetic
- texture
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピューターなどの
データ記憶装置である磁気ディスク装置に用いられる磁
気ディスクに関するものである。
データ記憶装置である磁気ディスク装置に用いられる磁
気ディスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】コンピューター等のデータ記憶手段とし
て、ハードディスクドライブ装置に用いられる記憶媒体
用基板としては、アルミ合金基板、ガラス基板またはプ
ラスチック基板等が使用されており、現在はアルミ合金
基板が主流である。このアルミ合金基板には、一般にア
ルミ合金基板上にＮｉ−Ｐメッキ処理後ポリッシュ加工
を施し、その後、円周方向に基板表面を粗くするテクス
チャー加工が施されている。このテクスチャー加工を施
す目的は円周方向に磁気異方性を付け、しかも表面を粗
くすることにより磁気ヘッドと磁気ディスク接触時の接
触面積を減らし、摩擦摩耗特性、吸着特性を向上させる
ことにある。磁気ディスク装置は一般にコンタクト・ス
タート・ストップ方式（ＣＳＳ）を採用しており、装置
停止時は磁気ヘッドと磁気ディスクとは接触状態であ
る。そして、起動時には磁気ヘッドと磁気ディスクが摺
動しながら浮上状態に入り、ある回転数に達した時点で
約０．２〜０．３μｍの隙間を持って磁気ヘッドが磁気
ディスク上から浮上する。磁気ディスク装置は上記のよ
うな停止、起動を繰り返す。
て、ハードディスクドライブ装置に用いられる記憶媒体
用基板としては、アルミ合金基板、ガラス基板またはプ
ラスチック基板等が使用されており、現在はアルミ合金
基板が主流である。このアルミ合金基板には、一般にア
ルミ合金基板上にＮｉ−Ｐメッキ処理後ポリッシュ加工
を施し、その後、円周方向に基板表面を粗くするテクス
チャー加工が施されている。このテクスチャー加工を施
す目的は円周方向に磁気異方性を付け、しかも表面を粗
くすることにより磁気ヘッドと磁気ディスク接触時の接
触面積を減らし、摩擦摩耗特性、吸着特性を向上させる
ことにある。磁気ディスク装置は一般にコンタクト・ス
タート・ストップ方式（ＣＳＳ）を採用しており、装置
停止時は磁気ヘッドと磁気ディスクとは接触状態であ
る。そして、起動時には磁気ヘッドと磁気ディスクが摺
動しながら浮上状態に入り、ある回転数に達した時点で
約０．２〜０．３μｍの隙間を持って磁気ヘッドが磁気
ディスク上から浮上する。磁気ディスク装置は上記のよ
うな停止、起動を繰り返す。
【０００３】しかし、このように繰り返し摺動すると、
摩擦摩耗特性が劣化し磁気ディスクに損傷を来す場合も
ある。このため、磁気ディスク表面に固体潤滑剤または
液体潤滑剤を被覆するなどの対策が行われている。しか
し、磁気ディスクに潤滑剤を塗布すると、磁気ヘッドと
磁気ディスクとが吸着し、装置スタート時にモーターが
回転せず磁気ヘッド、磁気ディスクに損傷を引き起こ
す。従って、ＣＳＳを繰り返しても摩擦摩耗が生じない
程度に潤滑剤を塗布し、磁気ヘッドと磁気ディスクとが
吸着しないような表面粗さを有するテクスチャー加工が
必要となる。
摩擦摩耗特性が劣化し磁気ディスクに損傷を来す場合も
ある。このため、磁気ディスク表面に固体潤滑剤または
液体潤滑剤を被覆するなどの対策が行われている。しか
し、磁気ディスクに潤滑剤を塗布すると、磁気ヘッドと
磁気ディスクとが吸着し、装置スタート時にモーターが
回転せず磁気ヘッド、磁気ディスクに損傷を引き起こ
す。従って、ＣＳＳを繰り返しても摩擦摩耗が生じない
程度に潤滑剤を塗布し、磁気ヘッドと磁気ディスクとが
吸着しないような表面粗さを有するテクスチャー加工が
必要となる。
【０００４】従来のテクスチャー加工はメカニカルテク
スチャー加工が主流であり、加工材には研磨砥粒をテー
プに固定保持したラッピングテープが用いられていた。
加工法としては、上記磁気ディスク基板を回転させなが
ら研磨テープを押し付け加工することが行われていた。
従来から半径方向のテクスチャー粗さを表わす標記法と
しては、図１０に示すように中心線粗さＲａ（ここでＲ
ａとはＪＩＳＢ０６０１に規定された定義を用い
る。）、中心線Ｏから最大凸部までの高さＲｐ、中心線
Ｏから最大凹部まで深さＲｖ、うねりの間隔Ｔ、うねり
の大きさＰ−Ｖなどがある。
スチャー加工が主流であり、加工材には研磨砥粒をテー
プに固定保持したラッピングテープが用いられていた。
加工法としては、上記磁気ディスク基板を回転させなが
ら研磨テープを押し付け加工することが行われていた。
従来から半径方向のテクスチャー粗さを表わす標記法と
しては、図１０に示すように中心線粗さＲａ（ここでＲ
ａとはＪＩＳＢ０６０１に規定された定義を用い
る。）、中心線Ｏから最大凸部までの高さＲｐ、中心線
Ｏから最大凹部まで深さＲｖ、うねりの間隔Ｔ、うねり
の大きさＰ−Ｖなどがある。
【０００５】図１１に示すように従来のテクスチャーで
は、Ｒａが約８０〜１００Å、Ｒｐ＝２００〜４００
Å、Ｒｖ＝３００〜５００Å、うねりの間隔Ｔは０〜５
０μｍ、うねりの大きさＰ−Ｖは０〜３００Åである。
ところが近年、磁気ディスク装置は高密度化・大容量化
の要請が強く、そのため磁気ヘッドの浮上量が低下して
おり、現在では約０．１μｍ以下にまで達しようとして
いる。そのため磁気ディスクの表面粗さＲａを極力小さ
くしても磁気ヘッドと磁気ディスクとが吸着することな
く、しかもＣＳＳ特性の良好なテクスチャーの開発が必
要となってきた。
は、Ｒａが約８０〜１００Å、Ｒｐ＝２００〜４００
Å、Ｒｖ＝３００〜５００Å、うねりの間隔Ｔは０〜５
０μｍ、うねりの大きさＰ−Ｖは０〜３００Åである。
ところが近年、磁気ディスク装置は高密度化・大容量化
の要請が強く、そのため磁気ヘッドの浮上量が低下して
おり、現在では約０．１μｍ以下にまで達しようとして
いる。そのため磁気ディスクの表面粗さＲａを極力小さ
くしても磁気ヘッドと磁気ディスクとが吸着することな
く、しかもＣＳＳ特性の良好なテクスチャーの開発が必
要となってきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の技
術では、磁気ヘッド浮上量０．１μｍ以下の低浮上でＣ
ＳＳ試験を行った場合、磁気ヘッドの摺動時間と摺動距
離が増加し磁気ディスク表面が摩耗しヘッドクラッシュ
が生じてしまうという問題点があった。それに加え磁気
ヘッドの浮上量を０．１μｍ以下（例えば０．０７５μ
ｍ（３μinch））で安定して浮上させるためには、磁気
ヘッドのシーク時のローリング、ピッチング方向の揺れ
を考慮した保証できる浮上量（以下、浮上保証とい
う。）を一般的には１μinchの余裕をもたせるため、
０．０５μｍにする必要がある。このように低浮上にな
るので磁気ディスクのテクスチャー粗さＲａは極力小さ
くされており、従来技術ではＣＳＳ特性が劣化しないよ
うな潤滑膜厚では磁気ヘッドと磁気ディスクとが吸着し
装置が回転不可能になるという問題点があった。
術では、磁気ヘッド浮上量０．１μｍ以下の低浮上でＣ
ＳＳ試験を行った場合、磁気ヘッドの摺動時間と摺動距
離が増加し磁気ディスク表面が摩耗しヘッドクラッシュ
が生じてしまうという問題点があった。それに加え磁気
ヘッドの浮上量を０．１μｍ以下（例えば０．０７５μ
ｍ（３μinch））で安定して浮上させるためには、磁気
ヘッドのシーク時のローリング、ピッチング方向の揺れ
を考慮した保証できる浮上量（以下、浮上保証とい
う。）を一般的には１μinchの余裕をもたせるため、
０．０５μｍにする必要がある。このように低浮上にな
るので磁気ディスクのテクスチャー粗さＲａは極力小さ
くされており、従来技術ではＣＳＳ特性が劣化しないよ
うな潤滑膜厚では磁気ヘッドと磁気ディスクとが吸着し
装置が回転不可能になるという問題点があった。
【０００７】本発明の目的は、上記問題点を改善するた
めに磁気ヘッド浮上量０．０７５μｍの低浮上量におい
てもＣＳＳ特性が劣化せず、しかも浮上量０．０５μｍ
の浮上保証可能及び吸着特性に優れた磁気ディスクを提
供しようとするものである。
めに磁気ヘッド浮上量０．０７５μｍの低浮上量におい
てもＣＳＳ特性が劣化せず、しかも浮上量０．０５μｍ
の浮上保証可能及び吸着特性に優れた磁気ディスクを提
供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、テクスチャー加工を施した非磁性基板上に
少なくとも磁性層を設けた磁気ディスクであって、半径
方向５０μｍの範囲のテクスチャー粗さの形状を周波数
分析して波長が１０μｍ以上のうねり成分を混合したう
ねりの隣あう凸部の間隔（うねりの間隔Ｔ）が１０〜３
０μｍ範囲で、そのうねりの最大値から最小値までの距
離（うねりの大きさＰ−Ｖ）が１００〜２００Åである
磁気ディスクとした。
するために、テクスチャー加工を施した非磁性基板上に
少なくとも磁性層を設けた磁気ディスクであって、半径
方向５０μｍの範囲のテクスチャー粗さの形状を周波数
分析して波長が１０μｍ以上のうねり成分を混合したう
ねりの隣あう凸部の間隔（うねりの間隔Ｔ）が１０〜３
０μｍ範囲で、そのうねりの最大値から最小値までの距
離（うねりの大きさＰ−Ｖ）が１００〜２００Åである
磁気ディスクとした。
【０００９】
【００１０】
【作用】本発明では、基板に設けられたテクスチャーの
粗さとして、うねりの間隔Ｔを１０〜３０μｍの範囲で
そのうねりの大きさＰ−Ｖを１００〜２００Åにするこ
とによりヘッドディスク間の接触ポイントを少なくし、
また接触点での圧力を小さくできる。
粗さとして、うねりの間隔Ｔを１０〜３０μｍの範囲で
そのうねりの大きさＰ−Ｖを１００〜２００Åにするこ
とによりヘッドディスク間の接触ポイントを少なくし、
また接触点での圧力を小さくできる。
【００１１】
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を示す。図１は本発明
に用いた磁気ディスク媒体の膜の構造を示す図である。
図１において、１は基板で、直径３．５インチのアルミ
合金基板２にラップ加工を施し、その上にＮｉ−Ｐメッ
キ膜３を１５〜２０μｍ被覆させた構成となっている。
この基板１にポリッシュ加工を施し鏡面仕上した後、ダ
イアモンドスラリーによるバフ加工及びアルミナ砥粒が
塗布されたラッピングテープ加工により、円周方向に溝
を形成するテクスチャー加工を施した。その後、ＤＣマ
グネトロンスパッタ法によりＣｒ下地膜４、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｃｒ磁性膜５、カーボン保護膜６を順次被着しさらに
潤滑膜７を被覆した。
に用いた磁気ディスク媒体の膜の構造を示す図である。
図１において、１は基板で、直径３．５インチのアルミ
合金基板２にラップ加工を施し、その上にＮｉ−Ｐメッ
キ膜３を１５〜２０μｍ被覆させた構成となっている。
この基板１にポリッシュ加工を施し鏡面仕上した後、ダ
イアモンドスラリーによるバフ加工及びアルミナ砥粒が
塗布されたラッピングテープ加工により、円周方向に溝
を形成するテクスチャー加工を施した。その後、ＤＣマ
グネトロンスパッタ法によりＣｒ下地膜４、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｃｒ磁性膜５、カーボン保護膜６を順次被着しさらに
潤滑膜７を被覆した。
【００１３】図２、図３及び図４に本実施例のテクスチ
ャー作製装置を示す。図２は、本実施例の第１段目のテ
クスチャーを示す正面図、図３は、本実施例の第２段目
のテクスチャーを示す正面図、図４は、本実施例のテク
スチャーの側面図である。詳細なサンプル作製法を以下
に示す。
ャー作製装置を示す。図２は、本実施例の第１段目のテ
クスチャーを示す正面図、図３は、本実施例の第２段目
のテクスチャーを示す正面図、図４は、本実施例のテク
スチャーの側面図である。詳細なサンプル作製法を以下
に示す。
【００１４】まず、１段目のテクスチャーでは基板１を
５００〜８００ｒｐｍの回転数で回転させながら各粒度
のダイアモンド砥粒を砥粒供給ノズル10よりバフテープ
８に垂らし、０〜５０cm／ｓの揺動速度をもってディス
ク上にコンタクトロール９を介して０．５〜１．５Ｋｇ
／cm2 の圧力で１５ｓ間押し当て加工する。次に２段目
ではアルミナ砥粒の塗布された各粒度のラッピングテー
プ11を０〜５０cm／ｓの揺動速度をもってディスク１上
にコンタクトロール９を介して０．５〜１．５Ｋｇ／cm
2 の圧力で３０ｓ間押し当て加工することにより作製し
た。
５００〜８００ｒｐｍの回転数で回転させながら各粒度
のダイアモンド砥粒を砥粒供給ノズル10よりバフテープ
８に垂らし、０〜５０cm／ｓの揺動速度をもってディス
ク上にコンタクトロール９を介して０．５〜１．５Ｋｇ
／cm2 の圧力で１５ｓ間押し当て加工する。次に２段目
ではアルミナ砥粒の塗布された各粒度のラッピングテー
プ11を０〜５０cm／ｓの揺動速度をもってディスク１上
にコンタクトロール９を介して０．５〜１．５Ｋｇ／cm
2 の圧力で３０ｓ間押し当て加工することにより作製し
た。
【００１５】うねりの間隔Ｔ及び大きさＰ−Ｖの変化に
対しては１段目のダイアモンドスラリー粒度の変化や揺
動速度、回転数を変更させることにより、又、Ｒｐを変
化させたサンプル及び中心線から１００Å以上の凸部の
数を変化させたサンプルについては２段目のラッピング
テープの揺動速度と回転数を変化させることにより作製
した。テクスチャー粗さ測定に関しては、ランクテーラ
ーホブソン社製のタリステップにより測定を行った。測
定条件はスタイラス径：０．１＊２．５μｍ、測定長：
５０μｍ、カットオフ周波数：２５Ｈｚである。
対しては１段目のダイアモンドスラリー粒度の変化や揺
動速度、回転数を変更させることにより、又、Ｒｐを変
化させたサンプル及び中心線から１００Å以上の凸部の
数を変化させたサンプルについては２段目のラッピング
テープの揺動速度と回転数を変化させることにより作製
した。テクスチャー粗さ測定に関しては、ランクテーラ
ーホブソン社製のタリステップにより測定を行った。測
定条件はスタイラス径：０．１＊２．５μｍ、測定長：
５０μｍ、カットオフ周波数：２５Ｈｚである。
【００１６】先ず、信頼性試験として浮上試験を行った
結果を図５に示す。浮上試験としては、磁気ヘッドを浮
上保証の浮上量０．０５μｍで磁気ディスク上に浮上さ
せ半径２０ｍｍ〜４５ｍｍまでシークさせた時のヘッド
ディスク間の接触をＡＥ（アコースティックエミッショ
ン）センサーによって感知しコンピューターによりヒッ
ト数をカウントさせた。
結果を図５に示す。浮上試験としては、磁気ヘッドを浮
上保証の浮上量０．０５μｍで磁気ディスク上に浮上さ
せ半径２０ｍｍ〜４５ｍｍまでシークさせた時のヘッド
ディスク間の接触をＡＥ（アコースティックエミッショ
ン）センサーによって感知しコンピューターによりヒッ
ト数をカウントさせた。
【００１７】図５はＲｐを変化させたサンプルを示し、
図６はうねりの間隔Ｔが０、１０、２０、３０、５０μ
ｍに対してうねりの大きさＰ−Ｖを変化させたサンプル
を示す。図５において、Ｒｐが２００Åを越えると急に
ヒット数が増加することが分かる。これはテクスチャー
凸部の最大値が小さいと、磁気ディスクが平坦で異常突
起がなく磁気ヘッドが低浮上している時ヘッドディスク
間の接触する確率が少ないので安定して浮上しシークで
きるからである。
図６はうねりの間隔Ｔが０、１０、２０、３０、５０μ
ｍに対してうねりの大きさＰ−Ｖを変化させたサンプル
を示す。図５において、Ｒｐが２００Åを越えると急に
ヒット数が増加することが分かる。これはテクスチャー
凸部の最大値が小さいと、磁気ディスクが平坦で異常突
起がなく磁気ヘッドが低浮上している時ヘッドディスク
間の接触する確率が少ないので安定して浮上しシークで
きるからである。
【００１８】また、図６においては、うねりの間隔Ｔが
０及び１０μｍの場合はうねりの大きさＰ−Ｖが２５０
Åを越える当りからＡＥヒット数が増加するが、うねり
の間隔Ｔが２０、３０μｍではうねりの大きさＰ−Ｖが
２００Åを越える当りから急激にＡＥヒット数が増加す
る。また、うねりの間隔Ｔが５０μｍになるとうねりの
大きさＰ−Ｖが１００ÅからＡＥヒットが増加している
ことが分かる。これはうねりの間隔Ｔやうねりの大きさ
Ｐ−Ｖが大きくなることにより、浮上を発生させる面が
下がることになり実質的には浮上量が下がり、ヘッドデ
ィスク間の接触する確率が増えるのでＡＥヒット数も増
加するからである。これらのことより低浮上で安定して
シークするために、ＡＥヒット数を１０個以下に限定す
るならばうねりの間隔Ｔを０〜３０μｍの範囲としうね
りの大きさＰ−Ｖを２００Å以下にする必要がある。
０及び１０μｍの場合はうねりの大きさＰ−Ｖが２５０
Åを越える当りからＡＥヒット数が増加するが、うねり
の間隔Ｔが２０、３０μｍではうねりの大きさＰ−Ｖが
２００Åを越える当りから急激にＡＥヒット数が増加す
る。また、うねりの間隔Ｔが５０μｍになるとうねりの
大きさＰ−Ｖが１００ÅからＡＥヒットが増加している
ことが分かる。これはうねりの間隔Ｔやうねりの大きさ
Ｐ−Ｖが大きくなることにより、浮上を発生させる面が
下がることになり実質的には浮上量が下がり、ヘッドデ
ィスク間の接触する確率が増えるのでＡＥヒット数も増
加するからである。これらのことより低浮上で安定して
シークするために、ＡＥヒット数を１０個以下に限定す
るならばうねりの間隔Ｔを０〜３０μｍの範囲としうね
りの大きさＰ−Ｖを２００Å以下にする必要がある。
【００１９】次にＣＳＳ試験を行った結果を図７、図８
に示す。ＣＳＳ試験は周速９ｍ／ｓで約０．０７５μｍ
のウインチェスターモノリシックマイクロスライダーを
使用して、半径２５ｍｍ、回転数３６００ｒｐｍ、立ち
上がり１０ｓ、立ち下がり２０ｓのパティＣＳＳ装置に
て２万回後の動摩擦係数μＫの値を測定した。図７は、
うねりの大きさＰ−Ｖを５０、１００、２００Åに対し
てうねりの間隔Ｔを変化させたサンプルを示す。
に示す。ＣＳＳ試験は周速９ｍ／ｓで約０．０７５μｍ
のウインチェスターモノリシックマイクロスライダーを
使用して、半径２５ｍｍ、回転数３６００ｒｐｍ、立ち
上がり１０ｓ、立ち下がり２０ｓのパティＣＳＳ装置に
て２万回後の動摩擦係数μＫの値を測定した。図７は、
うねりの大きさＰ−Ｖを５０、１００、２００Åに対し
てうねりの間隔Ｔを変化させたサンプルを示す。
【００２０】図８は、うねりの大きさＰ−Ｖが１００、
２００Åに対してうねりの間隔Ｔを２０μｍに固定し中
心線から１００Å以上の凸部の数を変化させたサンプル
を示す。図７において、うねりの大きさＰ−Ｖが５０Å
のものではうねりの間隔Ｔの値を変化させても動摩擦係
数μＫはすべて０．３以上で摩擦特性が劣化しているこ
とが分かる、これはうねりの大きさＰ−Ｖが小さいと、
粗さが小さく平坦でヘッドディスク間の接触面積が大き
くなることによる摩擦特性の劣化が原因である。また、
うねりの大きさＰ−Ｖが１００、２００Åについては、
うねりの間隔Ｔが１０〜３０μｍでは動摩擦係数μＫは
０．３以下で良好だがそれ以外のポイントでは特性が悪
化している。これはうねりの間隔Ｔ＜１０μｍの場合は
ヘッドディスク間の接触面積が大きくなるので、摩擦特
性が劣化するためと考えられ、また、うねりの間隔Ｔ＞
３０μｍの場合はうねりの間隔が広くなりすぎ、ヘッド
ディスク間の接触ポイントは少なくなるが接触点での圧
力が大きくなり摩耗するためだと考えられる。そこでＣ
ＳＳ特性を満足するためには適当なうねりの間隔と大き
さが必要であり、うねりの大きさＰ−Ｖを１００、２０
０Åでうねりの間隔Ｔを１０〜３０μｍとすることが望
ましい。
２００Åに対してうねりの間隔Ｔを２０μｍに固定し中
心線から１００Å以上の凸部の数を変化させたサンプル
を示す。図７において、うねりの大きさＰ−Ｖが５０Å
のものではうねりの間隔Ｔの値を変化させても動摩擦係
数μＫはすべて０．３以上で摩擦特性が劣化しているこ
とが分かる、これはうねりの大きさＰ−Ｖが小さいと、
粗さが小さく平坦でヘッドディスク間の接触面積が大き
くなることによる摩擦特性の劣化が原因である。また、
うねりの大きさＰ−Ｖが１００、２００Åについては、
うねりの間隔Ｔが１０〜３０μｍでは動摩擦係数μＫは
０．３以下で良好だがそれ以外のポイントでは特性が悪
化している。これはうねりの間隔Ｔ＜１０μｍの場合は
ヘッドディスク間の接触面積が大きくなるので、摩擦特
性が劣化するためと考えられ、また、うねりの間隔Ｔ＞
３０μｍの場合はうねりの間隔が広くなりすぎ、ヘッド
ディスク間の接触ポイントは少なくなるが接触点での圧
力が大きくなり摩耗するためだと考えられる。そこでＣ
ＳＳ特性を満足するためには適当なうねりの間隔と大き
さが必要であり、うねりの大きさＰ−Ｖを１００、２０
０Åでうねりの間隔Ｔを１０〜３０μｍとすることが望
ましい。
【００２１】また、図８においては、１００Å以上の凸
部の数が約５０個以下ではうねりの大きさＰ−Ｖが１０
０、２００Å共に動摩擦係数μＫが上昇している。これ
はヘッドディスク接触点での凸部の数が少ないとディス
クの表面積が小さいことになりヘッドディスク間の接触
面積が大きくなり摩擦特性が劣化するからである。そこ
で中心線から１００Å以上の凸部の数を５０個以上確保
することにより、磁気ヘッドの低浮上化におけるＣＳＳ
特性を満足することができる。
部の数が約５０個以下ではうねりの大きさＰ−Ｖが１０
０、２００Å共に動摩擦係数μＫが上昇している。これ
はヘッドディスク接触点での凸部の数が少ないとディス
クの表面積が小さいことになりヘッドディスク間の接触
面積が大きくなり摩擦特性が劣化するからである。そこ
で中心線から１００Å以上の凸部の数を５０個以上確保
することにより、磁気ヘッドの低浮上化におけるＣＳＳ
特性を満足することができる。
【００２２】また、図９は、図７のうねりの大きさＰ−
Ｖが１００、２００Åのサンプルについて吸着試験を行
った結果を示す。吸着試験としては実際のハードディス
クドライブに磁気ディスク２枚、磁気ヘッド４個を組み
込むことにより測定を行った。試験環境は６０℃、８０
％ＲＨの高温高湿環境下に２４時間放置後の静止摩擦係
数の上昇δμｓを測定した。
Ｖが１００、２００Åのサンプルについて吸着試験を行
った結果を示す。吸着試験としては実際のハードディス
クドライブに磁気ディスク２枚、磁気ヘッド４個を組み
込むことにより測定を行った。試験環境は６０℃、８０
％ＲＨの高温高湿環境下に２４時間放置後の静止摩擦係
数の上昇δμｓを測定した。
【００２３】図９において、うねりの間隔Ｔが１０μｍ
以下になるとδμｓが上昇している。これはうねりの間
隔Ｔが小さくなるとヘッドディスク間の接触ポイントが
増え接触面積が増加することによる。また、うねりの大
きさＰ−Ｖが大きいと全体的に吸着しにくい傾向があ
る。これはうねりの大きさＰ−Ｖが大きいことは粗さが
全体的に大きいということになり、ヘッドディスク間の
接触面積が減少することによる。そこで吸着特性を向上
させるためには、うねりの間隔Ｔを１０μｍ以上にする
必要である。
以下になるとδμｓが上昇している。これはうねりの間
隔Ｔが小さくなるとヘッドディスク間の接触ポイントが
増え接触面積が増加することによる。また、うねりの大
きさＰ−Ｖが大きいと全体的に吸着しにくい傾向があ
る。これはうねりの大きさＰ−Ｖが大きいことは粗さが
全体的に大きいということになり、ヘッドディスク間の
接触面積が減少することによる。そこで吸着特性を向上
させるためには、うねりの間隔Ｔを１０μｍ以上にする
必要である。
【００２４】
【発明の効果】本発明では、テクスチャーのうねりの間
隔Ｔが１０〜３０μｍの範囲でうねりの大きさＰ−Ｖを
１００〜２００Åにすることにより異常突起がなく深い
溝もないのでＣＳＳ特性および吸着特性を向上させるこ
とができる。
隔Ｔが１０〜３０μｍの範囲でうねりの大きさＰ−Ｖを
１００〜２００Åにすることにより異常突起がなく深い
溝もないのでＣＳＳ特性および吸着特性を向上させるこ
とができる。
【００２５】
【００２６】すなわち、磁気ヘッドの低浮上化における
高信頼性のディスクが提供できる。
高信頼性のディスクが提供できる。
【図１】磁気ディスクの膜の構造を示す図
【図２】本実施例の第１段目のテクスチャーを示す正面
図
図
【図３】本実施例の第２段目のテクスチャーを示す正面
図
図
【図４】本実施例のテクスチャーの側面図
【図５】中心線粗さＲｐとＡＥヒット数との関係を示す
図
図
【図６】うねりの大きさＰ−ＶとＡＥヒット数との関係
を示す図
を示す図
【図７】うねりの間隔Ｔと動摩擦係数μＫとの関係を示
す図
す図
【図８】１００Å以上の凸部の数と動摩擦係数μＫとの
関係を示す図
関係を示す図
【図９】うねりの間隔Ｔと静止摩擦係数の上昇δμｓと
の関係を示す図
の関係を示す図
【図１０】テクスチャー粗さの標記法を示す図
【図１１】従来のテクスチャーの半径方向のプロファイ
ルを示す図
ルを示す図
１ 基板 ２ アルミ合金基板 ３ Ｎｉ−Ｐメッキ膜 ４ Ｃｒ下地膜 ５ Ｃｏ／Ｎｉ／Ｃｒ磁性膜 ６ カーボン保護膜 ７ 潤滑膜
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−212714（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−141016（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−208826（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−286115（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−137823（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 テクスチャー加工を施した非磁性基板上
に少なくとも磁性層を設けた磁気ディスクであって、半
径方向５０μｍの範囲のテクスチャー粗さの形状を周波
数分析して波長が１０μｍ以上のうねり成分を混合した
うねりの隣あう凸部の間隔（うねりの間隔Ｔ）が１０〜
３０μｍ範囲で、そのうねりの最大値から最小値までの
距離（うねりの大きさＰ−Ｖ）が１００〜２００Åであ
ることを特徴とする磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31047092A JP3309342B2 (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | 磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31047092A JP3309342B2 (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | 磁気ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06162492A JPH06162492A (ja) | 1994-06-10 |
| JP3309342B2 true JP3309342B2 (ja) | 2002-07-29 |
Family
ID=18005635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31047092A Expired - Lifetime JP3309342B2 (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | 磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3309342B2 (ja) |
-
1992
- 1992-11-19 JP JP31047092A patent/JP3309342B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06162492A (ja) | 1994-06-10 |
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Legal Events
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