JP3302382B2 - 受光回路 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、エンコ―ダ等に用いら
れ、ディジタル信号を出力する光集積回路等で構成され
た受光回路に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図２は、従来のディジタル信号を出力す
る受光回路の構成図である。

【０００３】この受光回路は、光集積回路で構成される
もので、受光素子１と、該受光素子１と等価な容量値を
有する基準電圧用のキャパシタ２とを備えている。受光
素子１及びキャパシタ２には、それぞれ同一ゲインの電
流／電圧変換増幅器（以下、Ｉ／Ｖ変換アンプという）
１１，１２がそれぞれ接続され、それらの出力電圧Ｖ
１，Ｖ２が差動増幅器（以下、差動アンプという）２０
に接続されている。

【０００４】差動アンプ２０の出力側には、出力トラン
ジスタ３０が接続され、その出力トランジスタ３０のコ
レクタが、抵抗３１を介して電源電位ＶＣＣに接続され
ている。そして、出力トランジスタ３０のコレクタか
ら、高レベル（以下、Ｈレベルという）または低レベル
（以下、Ｌレベルという）の出力信号ＶＯが出力される
ようになっている。

【０００５】図３は、図２の各部の電圧波形図であり、
横軸に時間ｔ、縦軸に電圧がとられている。なお、Ｖ１
ａは入力光Ｈが弱いときのＩ／Ｖ変換アンプ１１の出力
電圧、Ｖ１ｂは入力光Ｈが強いときのＩ／Ｖ変換アンプ
１１の出力電圧である。ＶＯａは入力光Ｈが弱いときの
出力電圧であり、ＶＯｂは入力光Ｈが強いときの出力電
圧である。この図を参照しつつ、図２の動作を説明す
る。

【０００６】移動するスリット等を通った入力光Ｈが、
受光素子１に照射されると、該受光素子１の受光電流
が、Ｉ／Ｖ変換アンプ１１で電圧変換され、該出力電圧
Ｖ１が差動アンプ２０に入力される。一方、基準電圧と
して受光素子１と等価なキャパシタ２の電荷を、Ｉ／Ｖ
変換アンプ１２で増幅し、該出力電圧Ｖ２を差動アンプ
２０へ入力する。

【０００７】入力光Ｈが受光素子１に照射され、該入力
光Ｈが強いときには、Ｉ／Ｖ変換アンプ１１から出力さ
れる出力電圧Ｖ１ｂが大きな振幅となり、該入力光Ｈが
弱いときには、Ｉ／Ｖ変換アンプ１１の出力電圧Ｖ１ａ
のように小さな振幅となる。Ｉ／Ｖ変換アンプ１２の出
力電圧Ｖ２は変化せず、該出力電圧Ｖ２を出力電圧Ｖ１
ａ，Ｖ１ｂが越えたとき、出力トランジスタ３０のコレ
クタからＨレベルの出力電圧ＶＯａまたはＶＯｂが出力
される。出力電圧Ｖ１ａ，Ｖ１ｂが出力電圧Ｖ２よりも
低いときには、出力トランジスタ３０のコレクタからＬ
レベルの出力電圧ＶＯが出力される。

【０００８】図４は、従来の他の受光回路の構成図であ
る。

【０００９】この受光回路は、図２と同様に光集積回路
で構成されるもので、同一の受光素子１−１，１−２を
有し、それらの出力側には、Ｉ／Ｖ変換アンプ１１，１
２がそれぞれ接続されている。各Ｉ／Ｖ変換アンプ１
１，１２の出力電圧Ｖ１，Ｖ２は、差動アンプ２０に入
力され、該差動アンプ２０からＨレベルまたはＬレベル
の出力電圧ＶＯが出力されるようになっている。

【００１０】図５は、図４の受光素子１−１，１−２付
近の構成図である。

【００１１】受光素子１−１と１−２は、平行に、かつ
極近接して配置されている。そして、この受光素子１−
１，１−２の近くには、スリット４１を有する回転円板
４０が設けられ、該回転円板４０のスリット４１を通過
した入力光Ｈが、図５の左から右方向に移動して受光素
子１−１，１−２に照射されるようになっている。

【００１２】図６は、図４の各部の電圧波形図であり、
横軸に時間ｔ、縦軸に電圧がとられている。この図を参
照しつつ、図４及び図５の動作を説明する。

【００１３】入力光Ｈが回転円板４０のスリット４１を
通して受光部に照射されると、その光は受光素子１−１
から受光素子１−２へと順次移動する。各受光素子１−
１，１−２で発生した電流は、Ｉ／Ｖ変換アンプ１１，
１２を通して数十ｍＶの電圧Ｖ１，Ｖ２にそれぞれ変換
された後、差動アンプ２０に入力される。受光素子１−
１と１−２に入力光Ｈが照射される時刻にはずれがある
ため、Ｉ／Ｖ変換アンプ１１，１２から出力される出力
電圧Ｖ１，Ｖ２には、図６に示すような位相差が生じ
る。この位相差により、差動アンプ２０の出力電圧ＶＯ
のＬレベル及びＨレベルが決定される。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
受光回路では、次のような課題があった。

【００１５】（ａ）図２の受光回路では、入力光Ｈの強
弱により、図３に示すように出力電圧ＶＯがＶＯａ，Ｖ
Ｏｂのようにそのデュ―ティ比が大きく変わり、該出力
電圧ＶＯを用いて電気的処理を行う場合、その処理が複
雑になるという問題があった。

【００１６】（ｂ）図４の受光回路では、入力光Ｈの位
相差により出力電圧ＶＯを得るようにしているので、必
ず２個の受光素子１−１，１−２が必要となる。しか
も、出力電圧Ｖ１，Ｖ２の位相差は、入力光Ｈの照射さ
れる時間、及び該入力光Ｈの透過するスリット４１の幅
などによって変化してしまう。そのため、出力電圧ＶＯ
のデュ―ティ比も変化し、一定のデュ―ティ比を有する
出力電圧ＶＯを簡単な回路構成で得ることが困難であっ
た。

【００１７】本発明は、前記従来技術が持っていた課題
として、簡単な回路構成で、一定のデュ―ティ比を有す
る出力電圧を得ることが困難な点について解決した受光
回路を提供するものである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明のうちの第１の発明は、受光回路において、
第１及び第２の受光素子を備えている。前記第１の受光
素子は、一定方向に移動する長さＬの照射面長方形の入
力光が照射されると、その移動に対応して受光面積が変
化する直径Ｌ１（＜Ｌ）の円形の第１の受光面を有し、
この第１の受光面で受光した受光量を、これに応じた電
流値に変換する素子である。前記第２の受光素子は、前
記第１の受光面の外周に所定距離隔てて同心円上に配置
され、前記入力光が照射されると、この入力光の照射面
の移動に対応して受光面積が変化し、かつこの受光面積
と該第１の受光面での受光面積との受光面積比が一定の
割合で変化する外径Ｌ３（≦Ｌ）のリング形状の第２の
受光面を有し、この第２の受光面で受光した受光量を、
これに応じた電流値に変換する素子である。

【００１９】さらに、この受光回路は、前記第１の受光
素子から出力された電流値を電圧値に変換する第１の電
流／電圧変換手段（以下、Ｉ／Ｖ変換手段という）と、
前記第２の受光素子から出力された電流値を電圧値に変
換する第２のＩ／Ｖ変換手段と、前記第１及び第２のＩ
／Ｖ変換手段の出力を比較してこの比較結果に応じたＨ
レベル／Ｌレベルの出力信号を出力する出力手段と、を
備えている。

【００２０】第２の発明は、受光回路において、第１及
び第２の受光素子と、第１の発明と同様の第１、第２の
Ｉ／Ｖ変換手段及び出力手段と、を備えている。前記第
１の受光素子は、一定方向に移動する長さＬの照射面長
方形の入力光が照射されると、その長さＬ方向に対して
平行に長さＬ１（≦Ｌ）の対角線が配置され、その入力
光の移動に対応して受光面積が変化する四角形の第１の
受光面を有し、この第１の受光面で受光した受光量を、
これに応じた電流値に変換する素子である。 さらに、前
記第２の受光素子は、前記第１の受光面の四辺に所定距
離隔てて長さＬ内に納まるように配置され、前記入力光
が照射されると、この入力光の照射面の移動に対応して
総受光面積が変化し、かつこの総受光面積と該第１の受
光面での受光面積との受光面積比が一定の割合で変化す
る４個の三角形の第２の受光面を有し、この第２の受光
面で受光した受光量を、これに応じた電流値に変換する
素子である。

【００２１】第３の発明は、受光回路において、一定方
向に移動する入力光を受光し、この受光量を、これに応
じた電流値に変換してアノードから出力すると共に、該
電流値に対して位相差１８０°の電流値をカソードから
出力する単一の受光素子と、前記受光素子のアノードか
ら出力された電流値を電圧値に変換増幅する第１のＩ／
Ｖ変換アンプと、前記第１のＩ／Ｖ変換アンプと同一の
ゲインを有し、前記受光素子のカソードから出力された
電流値を電圧値に変換増幅する第２のＩ／Ｖ変換アンプ
と、前記第１及び第２のＩ／Ｖ変換アンプの各出力信号
の変化分のみをそれぞれ出力する同一容量値の第１及び
第２のキャパシタと、前記第１及び第２のキャパシタの
出力を差動増幅してＨレベル／Ｌレベルの出力信号を出
力する差動アンプと、を備えている。

【００２２】

【作用】第１及び第２の発明によれば、以上のように受
光回路を構成したので、入力光が第１の受光素子の第１
の受光面、及び第２の受光素子の第２の受光面に照射さ
れると、該第１及び第２の受光素子から、その受光面積
比に応じた割合の電流値が出力され、第１及び第２のＩ
／Ｖ変換手段で電圧値に変換される。この電圧値は、出
力手段で比較されてＨレベル／Ｌレベルの出力信号が出
力される。そのため、簡単な回路構成で、入力光の強弱
に影響されない、一定のデューティ比を有する的確な出
力信号が得られる。

【００２３】

【００２４】第３の発明によれば、入力光が１つの受光
素子に照射されると、該受光素子では、入力光を電流値
に変換して位相が１８０°異なる相補的な２つの電流値
を第１及び第２のＩ／Ｖ変換アンプへ出力する。第１、
第２のＩ／Ｖ変換アンプでは、受光素子からの相補的な
２つの電流値を電圧値に変換増幅する。これらの位相が
１８０°異なる相補的な２つの電圧値は、第１及び第２
のキャパシタで変化分のみが取り出され、差動アンプで
差動増幅され、出力波形の時間的ずれのない一定のデュ
ーティ比を有する出力信号が得られる。従って、前記課
題を解決できるのである。

【００２５】（第１の実施例） 図１は、本発明の第１の実施例を示す受光回路の構成図
である。

【００２６】この受光回路は、光集積回路で構成される
もので、所定の照射面形状の入力光Ｈ（例えば、長さＬ
の長方形のスリット光ｈ）をそれぞれ受光して電流値に
変換する第１及び第２の受光素子４１，４２を有し、こ
の出力側には、第１、第２のＩ／Ｖ変換手段である第
１、第２のＩ／Ｖ変換アンプ５１，５２がそれぞれ接続
されている。各Ｉ／Ｖ変換アンプ５１，５２は、受光素
子４１，４２の出力を出力電圧Ｖ１１，Ｖ１２にそれぞ
れ変換増幅する機能を有し、これらの出力側には、差動
アンプ６０が接続されている。

【００２７】差動アンプ６０は、出力電圧Ｖ１１とＶ１
２を差動増幅する回路であり、この出力側に、出力トラ
ンジスタ７０のベースが接続されている。出力トランジ
スタ７０のエミッタはグランドに接続され、コレクタが
抵抗７１を介して電源電位ＶＣＣに接続されている。差
動アンプ６０及び出力トランジスタ７０によって出力手
段が構成され、その出力トランジスタ７０のコレクタか
ら、Ｈレベル／Ｌレベルの出力電圧ＶＯ１０が出力され
るようになっている。

【００２８】図７（ａ）、（ｂ）は図１の受光素子４
１，４２付近の構成図であり、同図（ａ）が斜視図、同
図（ｂ）が平面図である。

【００２９】第１、第２の受光素子４１，４２は、第
１、第２の受光面４１ａ，４２ａをそれぞれ有し、これ
らの受光面４１ａ，４２ａが、例えば基板７５上に形成
されている。第１の受光素子４１の第１の受光面４１ａ
は直径Ｌ１（＜Ｌ）の円形をなし、この外周に、所定距
離隔てて第２の受光素子４２における幅Ｌ２及び外形Ｌ
３（≦Ｌ）のリング形状の第２の受光面４２ａが同心円
上に配置されている。直径Ｌ１は、幅Ｌ２の約４倍の大
きさである。

【００３０】基板７５の近傍には、長方形のスリット７
６ａを有する回転円板７６が設けられ、入力光Ｈが該回
転円板７６上に照射されると、スリット７６ａを通った
長さＬの長方形のスリット光ｈが、図７（ｂ）に示すよ
うに、左から右方向に受光面４１ａ，４２ａ上を移動す
るようになっている。

【００３１】図８は、図１の各部の電圧波形図であり、
横軸に時間ｔ、縦軸に電圧がとられている。この図を参
照しつつ、図１及び図７の動作を説明する。

【００３２】入力光Ｈが回転円板７６上に照射される
と、その回転円板７６のスリット７６ａを通ったスリッ
ト光ｈが、回転円板７６の回転によって図７（ｂ）に示
すように、第１、第２の受光素子４１，４２の第１、第
２の受光面４１ａ，４２ａ上を、左から右方向に移動し
ていく。

【００３３】各受光面４１ａ，４２ａでは、スリット光
ｈの受光量に応じた電流値を出力する。これらの電流値
は、第１、第２のＩ／Ｖ変換アンプ５１，５２で出力電
圧Ｖ１１，Ｖ１２にそれぞれ変換される。この出力電圧
Ｖ１１，Ｖ１２は、受光面４１ａ，４２ａに照射される
長方形のスリット光ｈの量に依存する。そのため、スリ
ット光ｈの照射される受光エリアの形状及び面積によ
り、出力電圧Ｖ１１，Ｖ１２が決定される。

【００３４】即ち、図７（ｂ）及び図８に示すように、
スリット光ｈが左から右方向に移動し、該スリット光ｈ
がリング状の受光面４２ａ上にくると、出力電圧Ｖ１２
が立上がり、その後スリット光ｈが円形の受光面４１ａ
上に達すると、出力電圧Ｖ１１が上昇していく。この
際、リング状の受光面４２ａに照射されるスリット光ｈ
の量はほぼ一定であるため、出力電圧Ｖ１２が緩かな凹
状の波形となる。

【００３５】このような出力電圧Ｖ１１とＶ１２は、差
動アンプ６０で差動増幅され、この出力で出力トランジ
スタ７０がオン、オフ制御され、図８に示すような出力
電圧ＶＯ１０を得る。つまり、内側の受光面４１ａに
は、放物線のようにスリット光ｈが照射されるのに対
し、外側の受光面４２ａでは、ほぼ一定量のスリット光
ｈしか照射されず、しかも内側の受光面４１ａの照射光
よりも少ない。

【００３６】この第１の実施例では、次のような利点を
有している。

【００３７】第１の受光素子４１の円形の第１の受光面
４１ａの外側に、第２の受光素子４２のリング状の第２
の受光面４２ａを設け、Ｉ／Ｖ変換アンプ５１，５２の
出力電圧Ｖ１１，Ｖ１２により、出力電圧ＶＯ１０を決
定するようにしているので、受光面４１ａ，４２ａの受
光面積比のみにより、出力電圧ＶＯ１０のデューティ比
が決定される。そのため、入力光Ｈの強弱によってデュ
ーティ比の変動がなく、簡単な回路構成で、一定のデュ
ーティ比を有する出力電圧ＶＯを的確に得ることができ
る。（ 第２の実施例） 図９は、本発明の第２の実施例を示す図１の第１、第２
の受光素子４１，４２の平面図である。

【００３８】この実施例の第１の受光素子４１は、四角
形の第１の受光面４１ａ−１を有し、さらに第２の受光
素子４２が、三角形の４つの第２の受光面４２ａ−１〜
４２ａ−４を有している。そして、基板７５上に受光面
４２ａ−１が形成され、この四隅に、４つの受光面４２
ａ−１〜４２ａ−４が配置され、該４つの受光面４２ａ
−１〜４２ａ−４が相互に接続されている。

【００３９】このような第１、第２の受光面４１ａ−
１，４２ａ−１〜４２ａ−４を有する第１、第２の受光
素子４１，４２に、長方形のスリット光ｈが、図９の左
から右方向に移動して照射されると、図８の電圧波形図
に示すように、Ｉ／Ｖ変換アンプ５２の出力電圧Ｖ１２
がこのＨレベルのほぼ中間で０レベルに立下がった形状
となる。このような構成にしても、第１の実施例とほぼ
同様の作用、効果が得られる。

【００４０】（第３の実施例） 図１０は、本発明の第３の実施例を示す受光回路の構成
図である。

【００４１】この受光回路は、光集積回路により構成さ
れるもので、図７のスリット光ｈを受光して電流値に変
換する１つの受光素子８０を有し、このアノード側とカ
ソード側には、それぞれ第１、第２のＩ／Ｖ変換アンプ
８１，８２が接続されている。第１，第２のＩ／Ｖ変換
アンプ８１，８２は、同一のゲインを有し、受光素子８
０から出力される位相が１８０°異なる相補的な２つの
電流値を電圧値にそれぞれ変換増幅する回路であり、こ
れらの出力側には、同一容量値の第１、第２のキャパシ
タ９１，９２を介して差動アンプ１００が接続されてい
る。

【００４２】第１、第２のキャパシタ９１，９２は、第
１、第２のＩ／Ｖ変換アンプ８１，８２の各出力信号の
変化分のみをそれぞれ出力する機能を有している。差動
アンプ１００は、第１、第２のキャパシタ９１，９２の
出力電圧Ｖ２１，Ｖ２２を差動増幅してＨレベル／Ｌレ
ベルの出力電圧ＶＯ２０を出力する回路である。

【００４３】図１１は、図１０の各部の電圧波形図であ
り、横軸に時間ｔ、縦軸に電圧がとられている。この図
を参照しつつ、図１０の動作を説明する。

【００４４】図７に示す長方形のスリット光ｈが受光素
子８０に照射されると、該受光素子８０から、受光量に
応じた電流が出力され、第１、第２のＩ／Ｖ変換アンプ
８１，８２へ与えられる。第１、第２のＩ／Ｖ変換アン
プ８１，８２は、受光素子８０から出力される位相が１
８０°異なる相補的な２つの電流値を電圧値に変換増幅
する。この第１、第２のＩ／Ｖ変換アンプ８１，８２か
らは、互いに逆符号の同レベルの変化分が出力電圧とし
て得られることになる。この各出力電圧は、第１、第２
のキャパシタ９１，９２によって変化分のみが取り出さ
れ、この出力電圧Ｖ２１，Ｖ２２が差動アンプ１００へ
送られる。

【００４５】ここで、スリット光ｈが入射していない無
信号時の出力電圧Ｖ２１，Ｖ２２のレベルは、ほぼ同じ
で、この値を基準電圧ＶＲとすると、第１、第２のキャ
パシタ９１，９２の出力電圧Ｖ２１，Ｖ２２は、基準電
圧ＶＲを中心に交流的（ＡＣ的）に変化した信号とな
る。この際、第１、第２のキャパシタ９１，９２は同一
の容量値であり、第１、第２のＩ／Ｖ変換アンプ８１，
８２も同一のゲインであるため、出力電圧Ｖ２１，Ｖ２
２の基準電圧ＶＲに対する振幅値は、１８０°位相がず
れた同一の振幅値となる。そのため、出力電圧Ｖ２１と
Ｖ２２の波形のクロスポイントは、基準電圧ＶＲ上とな
る。

【００４６】このクロスポイントは、スリット７６ａの
スリット幅や、スリット光ｈの強弱による影響を受けな
いので、位相のずれが生じない。従って、差動アンプ１
００の出力電圧ＶＯ２０は、前記クロスポイントの点に
より決定され、オン、オフのデューティ比が等しい位相
ずれのない的確な出力電圧ＶＯ２０が得られる。

【００４７】この第３の実施例では、次のような利点を
有している。

【００４８】１つの受光素子８０を用い、この出力を第
１、第２のＩ／Ｖ変換アンプ８１，８２で電圧値に変換
し、第１、第２のキャパシタ９１，９２により、変化分
のみをとりだした後、差動アンプ１００で差動増幅す
る。そのため、出力電圧ＶＯ２０の位相のずれが生じ
ず、しかもスリット光ｈの強弱による影響も受けない。
しかも、スリット光ｈが照射していない時に暗電流が生
じても、第１、第２のキャパシタ９１，９２で信号の大
きな変化分のみを取り出すようにしているので、出力電
圧ＶＯ２０には影響がなく、位相ずれのない的確な出力
電圧ＶＯ２０を、簡単な回路構成で得ることができる。

【００４９】なお、本発明は上記実施例に限定されず、
種々の変形が可能である。その変形例としては、例えば
次のようなものがある。

【００５０】

【００５１】図１０では、差動アンプ１００から出力電
圧ＶＯ２０を出力するようにしたが、この差動アンプ１
００の出力側に、例えば図１のような出力トランジスタ
７０を設けてＨレベル／Ｌレベルの出力電圧を出力する
ようにしてもよい。

【００５２】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１の発明
によれば、入力光として長さＬの照射面長方形の光を用
い、第１の受光素子の第１の受光面を円形にし、この第
１の受光面の外周に、第２の受光素子のリング形状の第
２の受光面を配置する構成にしたので、スリット光の生
成が簡単になると共に、第１、第２のＩ／Ｖ変換手段の
出力電圧の比較が出力手段で的確に行え、簡単な構成
で、的確なデューティ比を有する出力信号を得ることが
できる。

【００５３】第２の発明によれば、入力光として長さＬ
の照射面長方形の光を用い、第１の受光素子の第１の受
光面を四角形にし、この第１の受光面の四辺に、第２の
受光素子の４個の三角形の第２の受光面を配置する構成
にしたので、第１の発明とほぼ同様に、スリット光の生
成が簡単になると共に、第１、第２のＩ／Ｖ変換手段の
出力電圧の比較が出力手段で的確に行え、簡単な構成
で、的確なデューティ比を有する出力信号を得ることが
できる。

【００５４】第３の発明によれば、１つの受光素子を用
い、この１８０°位相が異なる相補的な２つの出力電流
値を第１、第２のＩ／Ｖ変換アンプを介して第１、第２
のキャパシタにより、変化分のみを取り出すため、差動
アンプの出力信号において位相のずれが生じず、しかも
入力光の強弱による影響や、暗電流の影響を受けること
なく、簡単な回路構成で、一定のデューティ比を有する
出力信号を的確に得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示す受光回路の構成図
である。

【図２】従来の受光回路の構成図である。

【図３】図２の電圧波形図である。

【図４】従来の他の受光回路の構成図である。

【図５】図４の受光素子１−１，１−２付近の構成図で
ある。

【図６】図４の電圧波形図である。

【図７】図１の受光素子４１，４２付近の構成図であ
る。

【図８】図１の電圧波形図である。

【図９】本発明の第２の実施例を示す受光素子４１，４
２の平面図である。

【図１０】本発明の第３の実施例を示す受光回路の構成
図である。

【図１１】図１０の電圧波形図である。

【符号の説明】

４１，４２ 第１、第２の受光素子４１ａ，４１ｂ 第１、第２の受光面 ５１，５２ 第１、第２のＩ／Ｖ変換アンプ ６０ 差動アンプ ７０ 出力トランジスタ ８０ 受光素子 ８１，８２ 第１、第２のＩ／Ｖ変換アンプ ９１，９２ 第１、第２のキャパシタ １００ 差動アンプ

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一定方向に移動する長さＬの照射面長方
   形の入力光が照射されると、その移動に対応して受光面
   積が変化する直径Ｌ１（＜Ｌ）の円形の第１の受光面を
   有し、この第１の受光面で受光した受光量を、これに応
   じた電流値に変換する第１の受光素子と、 前記第１の受光面の外周に所定距離隔てて同心円上に配
   置され、前記入力光が照射されると、この入力光の照射
   面の移動に対応して受光面積が変化し、かつこの受光面
   積と該第１の受光面での受光面積との受光面積比が一定
   の割合で変化する外径Ｌ３（≦Ｌ）のリング形状の第２
   の受光面を有し、この第２の受光面で受光した受光量
   を、これに応じた電流値に変換する第２の受光素子と、 前記第１の受光素子から出力された電流値を電圧値に変
   換する第１の電流／電圧変換手段と、 前記第２の受光素子から出力された電流値を電圧値に変
   換する第２の電流／電圧変換手段と、 前記第１及び第２の電流／電圧変換手段の出力を比較し
   てこの比較結果に応じた高レベル／低レベルの出力信号
   を出力する出力手段と、 を備えたことを特徴とする受光回路。
2. 【請求項２】 一定方向に移動する長さＬの照射面長方
   形の入力光が照射されると、その長さＬ方向に対して平
   行に長さＬ１（≦Ｌ）の対角線が配置され、その入力光
   の移動に対応して受光面積が変化する四角形の第１の受
   光面を有し、この第１の受光面で受光した受光量を、こ
   れに応じた電流値に変換する第１の受光素子と、 前記第１の受光面の四辺に所定距離隔てて長さＬ内に納
   まるように配置され、前記入力光が照射されると、この
   入力光の照射面の移動に対応して総受光面積が変化し、
   かつこの総受光面積と該第１の受光面での受光面積との
   受光面積比が一定の割合で変化する４個の三角形の第２
   の受光面を有し、この第２の受光面で受光した受光量
   を、これに応じた電流値に変換する第２の受光素子と、 前記第１の受光素子から出力された電流値を電圧値に変
   換する第１の電流／電圧変換手段と、 前記第２の受光素子から出力された電流値を電圧値に変
   換する第２の電流／電圧変換手段と、 前記第１及び第２の電流／電圧変換手段の出力を比較し
   てこの比較結果に応じた高レベル／低レベルの出力信号
   を出力する出力手段と、 を備えたことを特徴とする受光回路。
3. 【請求項３】 一定方向に移動する入力光を受光し、こ
   の受光量を、これに応じた電流値に変換してアノードか
   ら出力すると共に、該電流値に対して位相差１８０°の
   電流値をカソードから出力する単一の受光素子と、 前記受光素子のアノードから出力された電流値を電圧値
   に変換増幅する第１の電流／電圧変換増幅器と、 前記第１の電流／電圧変換増幅器と同一のゲインを有
   し、前記受光素子のカソードから出力された電流値を電
   圧値に変換増幅する第２の電流／電圧変換増幅器と、 前記第１及び第２の電流／電圧変換増幅器の各出力信号
   の変化分のみをそれぞれ出力する同一容量値の第１及び
   第２のキャパシタと、 前記第１及び第２のキャパシタの出力を差動増幅して高
   レベル／低レベルの出力信号を出力する差動増幅器と、 を備えたことを特徴とする受光回路。