JPH0514140A - 受光回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡単な回路構成で、一定のデューティ比を有
する出力信号を得る。 【構成】 受光素子４１，４２は、それに対して相対的
にスリット光ｈを一定方向に移動させることによって受
光面積比が一定の割合で変化する構成になっている。そ
のため、スリット光ｈが受光素子４１，４２に照射され
ると、その受光素子４１，４２の受光面積比に応じた割
合の出力がＩ／Ｖ変換アンプ５１，５２へ送られる。Ｉ
／Ｖ変換アンプ５１，５２では、受光素子４１，４２の
出力をそれぞれ電圧値に変換し、その電圧値が差動アン
プ６０で差動増幅された後、出力トランジスタ７０がオ
ン，オフ動作する。そのため、スリット光ｈの強弱によ
って変化しない、一定のデューティ比の出力信号ＶＯ１
０が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、エンコ―ダ等に用いら
れ、ディジタル信号を出力する光集積回路等で構成され
た受光回路に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図２は、従来のディジタル信号を出力す
る受光回路の構成図である。

【０００３】この受光回路は、光集積回路で構成される
もので、受光素子１と、該受光素子１と等価な容量値を
有する基準電圧用のキャパシタ２とを備えている。受光
素子１およびキャパシタ２には、それぞれ同一ゲインの
電流／電圧変換増幅器（以下、Ｉ／Ｖ変換アンプとい
う）１１，１２がそれぞれ接続され、それらの出力電圧
Ｖ１，Ｖ２が差動増幅器（以下、差動アンプという）２
０に接続されている。

【０００４】差動アンプ２０の出力側には、出力トラン
ジスタ３０が接続され、その出力トランジスタ３０のコ
レクタが、抵抗３１を介して電源電位ＶＣＣに接続され
ている。そして、出力トランジスタ３０のコレクタか
ら、高レベル（以下、Ｈレベルという）または低レベル
（以下、Ｌレベルという）の出力信号ＶＯが出力される
ようになっている。

【０００５】図３は、図２の各部の電圧波形図であり、
横軸に時間ｔ、縦軸に電圧がとられている。なお、Ｖ１
ａは入力光Ｈが弱いときのＩ／Ｖ変換アンプ１１の出力
電圧、Ｖ１ｂは入力光Ｈが強いときのＩ／Ｖ変換アンプ
１１の出力電圧である。ＶＯａは入力光Ｈが弱いときの
出力電圧であり、ＶＯｂは入力光Ｈが強いときの出力電
圧である。この図を参照しつつ、図２の動作を説明す
る。

【０００６】移動するスリット等を通った入力光Ｈが、
受光素子１に照射されると、該受光素子１の受光電流
が、Ｉ／Ｖ変換アンプ１１で電圧変換され、該出力電圧
Ｖ１が差動アンプ２０に入力される。一方、基準電圧と
して受光素子１と等価なキャパシタ２の電荷を、Ｉ／Ｖ
変換アンプ１２で増幅し、該出力電圧Ｖ２を差動アンプ
２０へ入力する。

【０００７】入力光Ｈが受光素子１に照射され、該入力
光Ｈが弱いときには、Ｉ／Ｖ変換アンプ１１から出力さ
れる出力電圧Ｖ１ｂが大きな振幅となり、該入力光Ｈが
弱いときには、Ｉ／Ｖ変換アンプ１１の出力電圧Ｖ１ａ
のように小さな振幅となる。Ｉ／Ｖ変換アンプ１２の出
力電圧Ｖ２は変化せず、該出力電圧Ｖ２を出力電圧Ｖ１
ａ，Ｖ１ｂが越えたとき、出力トランジスタ３０のコレ
クタからＨレベルの出力電圧ＶＯａまたはＶＯｂが出力
される。出力電圧Ｖ１ａ，Ｖ１ｂが出力電圧Ｖ２よりも
低いときには、出力トランジスタ３０のコレクタからＬ
レベルの出力電圧ＶＯが出力される。

【０００８】図４は、従来の他の受光回路の構成図であ
る。

【０００９】この受光回路は、図２と同様に光集積回路
で構成されるもので、同一の受光素子１−１，１−２を
有し、それらの出力側には、Ｉ／Ｖ変換アンプ１１，１
２がそれぞれ接続されている。各Ｉ／Ｖ変換アンプ１
１，１２の出力電圧Ｖ１，Ｖ２は、差動アンプ２０に入
力され、該差動アンプ２０からＨレベルまたはＬレベル
の出力電圧ＶＯが出力されるようになっている。

【００１０】図５は、図４の受光素子１−１，１−２付
近の構成図である。

【００１１】受光素子１−１と１−２は、平行に、かつ
極近接して配置されている。そして、この受光素子１−
１，１−２の近くには、スリット４１を有する回転円板
４０が設けられ、該回転円板４０のスリット４１を通過
した入力光Ｈが、図５の左から右方向に移動して受光素
子１−１，１−２に照射されるようになっている。

【００１２】図６は、図４の各部の電圧波形図であり、
横軸に時間ｔ、縦軸に電圧がとられている。この図を参
照しつつ、図４および図５の動作を説明する。

【００１３】入力光Ｈが回転円板４０のスリット４１を
通して受光部に照射されると、その光は受光素子１−１
から受光素子１−２へと順次移動する。各受光素子１−
１，１−２で発生した電流は、Ｉ／Ｖ変換アンプ１１，
１２を通して数十ｍＶの電圧Ｖ１，Ｖ２にそれぞれ変換
された後、差動アンプ２０に入力される。受光素子１−
１と１−２に入力光Ｈが照射される時刻にはずれがある
ため、Ｉ／Ｖ変換アンプ１１，１２から出力される出力
電圧Ｖ１，Ｖ２には、図６に示すような位相差が生じ
る。この位相差により、差動アンプ２０の出力電圧ＶＯ
のＬレベルおよびＨレベルが決定される。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
受光回路では、次のような課題があった。

【００１５】（ａ）図２の受光回路では、入力光Ｈの強
弱により、図３に示すように出力電圧ＶＯがＶＯａ，Ｖ
Ｏｂのようにそのデュ―ティ比が大きく変わり、該出力
電圧ＶＯを用いて電気的処理を行う場合、その処理が複
雑になるという問題があった。

【００１６】（ｂ）図４の受光回路では、入力光Ｈの位
相差により出力電圧ＶＯを得るようにしているので、必
ず２個の受光素子１−１，１−２が必要となる。しか
も、出力電圧Ｖ１，Ｖ２の位相差は、入力光Ｈの照射さ
れる時間、および該入力光Ｈの透過するスリット４１の
幅などによって変化してしまう。そのため、出力電圧Ｖ
Ｏのデュ―ティ比も変化し、一定のデュ―ティ比を有す
る出力電圧ＶＯを簡単な回路構成で得ることが困難であ
った。

【００１７】本発明は、前記従来技術が持っていた課題
として、簡単な回路構成で、一定のデュ―ティ比を有す
る出力電圧を得ることが困難な点について解決した受光
回路を提供するものである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】第１の発明は、前記課題
を解決するために、入力光を第１および第２の受光素子
でそれぞれ受光し、該第１および第２の受光素子の出力
を比較してその比較結果に応じたＨレベル／Ｌレベルの
出力信号を出力する受光回路において、前記第１および
第２の受光素子を次のように構成している。

【００１９】すなわち、この第１の発明の第１および第
２の受光素子は、それに対して相対的に前記入力光を一
定方向に移動させることによって受光面積比が一定の割
合で変化する構成にしている。

【００２０】第２の発明では、第１の発明の受光回路に
おいて、前記入力光を、一定方向に移動する長方形のス
リット光を用いて前記第１および第２の受光素子に照射
する構成にしている。さらに、前記第１の受光素子は円
形の受光面を有し、前記第２の受光素子は前記円形の受
光面の周囲に配置された所定幅のリング状の受光面を有
する構成にしている。

【００２１】第３の発明では、一定方向に移動する入力
光を受光してＨレベル／Ｌレベルの出力信号を出力する
受光回路において、前記入力光を受光して電流値に変換
する単一の受光素子と、前記受光素子のアノ―ド側出力
を電圧値に変換増幅する第１のＩ／Ｖ変換アンプと、前
記第１のＩ／Ｖ変換アンプと同一のゲインを有し、前記
受光素子のカソ―ド側出力を電圧値に変換増幅する第２
のＩ／Ｖ変換アンプと、前記第１および第２のＩ／Ｖ変
換アンプの各出力信号の変化分のみをそれぞれ出力する
同一容量値の第１および第２のキャパシタと、前記第１
および第２のキャパシタの各出力を差動増幅してＨレベ
ル／Ｌレベルの出力信号を出力する差動アンプとを、備
えている。

【００２２】

【作用】第１の発明によれば、以上のように受光回路を
構成したので、入力光が第１及び第２の受光素子の受光
面に照射されると、該第１及び第２の受光素子から、そ
の受光面積比に応じた割合の出力がでる。そして、この
両出力が比較されてＨレベル／Ｌレベルの出力信号が出
力される。これにより、入力光の強弱によって変化しな
い一定のデューティ比を有する出力信号が得られる。

【００２３】第２の発明によれば、長方形のスリット光
が第１，第２の受光素子に照射されると、第１の受光素
子では円形の受光面で該入力光を電気信号に変換し、さ
らに第２の受光素子では、リング状の受光面で該入力光
を電気信号に変換する。その変換された２つの電気信号
は比較されてＨレベル／Ｌレベルの出力信号が出力され
る。そのため、簡単な回路構成で、入力光の強弱に影響
されない、一定のデューティ比を有する的確な出力信号
が得られる。

【００２４】第３の発明によれば、入力光が１つの受光
素子に照射されると、該受光素子では、入力光を電流値
に変換して相補的な出力を第１及び第２のＩ／Ｖ変換ア
ンプへ送る。第１，第２のＩ／Ｖ変換アンプでは、受光
素子からの相補的な出力を電圧値に変換増幅する。これ
らの相補的な電圧値は、第１及び第２のキャパシタで変
化分のみがとりだされ、差動アンプで差動増幅され、出
力波形の時間的ずれのない一定のデューティ比を有する
出力信号が得られる。従って、前記課題を解決できるの
である。

【００２５】第１の実施例 図１は、本発明の第１の実施例を示す受光回路の構成図
である。

【００２６】この受光回路は、光集積回路で構成される
もので、例えばスリット光ｈをそれぞれ受光して電流値
に変換する第１及び第２の受光素子４１，４２を有し、
その出力側には、第１，第２のＩ／Ｖ変換アンプ５１，
５２がそれぞれ接続されている。各Ｉ／Ｖ変換アンプ５
１，５２は、受光素子４１，４２の出力を出力電圧Ｖ１
１，Ｖ１２にそれぞれ変換増幅する機能を有し、それら
の出力側には、差動アンプ６０が接続されている。

【００２７】差動アンプ６０は、出力電圧Ｖ１１とＶ１
２を差動増幅する回路であり、その出力側には、出力ト
ランジスタ７０のベースが接続されている。出力トラン
ジスタ７０のエミッタはグランドに接続され、コレクタ
が抵抗７１を介して電源電位ＶＣＣに接続されている。
この出力トランジスタ７０のコレクタから、Ｈレベル／
Ｌレベルの出力電圧ＶＯ１０が出力されるようになって
いる。

【００２８】図７（ａ），（ｂ）は図１の受光素子４
１，４２付近の構成図であり、同図（ａ）が斜視図、同
図（ｂ）が平面図である。

【００２９】第１，第２の受光素子４１，４２は、受光
面４１ａ，４２ａをそれぞれ有し、それらの受光面４１
ａ，４２ａが、例えば基板７５上に形成されている。第
１の受光素子４１の受光面４１ａは直径Ｌ１の円形をな
し、その周囲に、第２の受光素子４２における幅Ｌ２の
リング状受光面４２ａが配置されている。直径Ｌ１は、
幅Ｌ２の約４倍の大きさである。

【００３０】基板７５の近傍には、長方形のスリット７
６ａを有する回転円板７６が設けられ、入力光Ｈが該回
転円板７６上に照射されると、スリット７６ａを通った
長方形のスリット光ｈが、図７（ｂ）に示すように、左
から右方向に受光面４１ａ，４２ａ上を移動するように
なっている。

【００３１】図８は、図１の各部の電圧波形図であり、
横軸に時間ｔ、縦軸に電圧がとられている。この図を参
照しつつ、図１及び図７の動作を説明する。

【００３２】入力光Ｈが回転円板８１上に照射される
と、その回転円板８１のスリット８１ａを通ったスリッ
ト光ｈが、回転円板７６の回転によって図７（ｂ）に示
すように、第１，第２の受光素子４１，４２の受光面４
１ａ，４２ａ上を、左から右方向に移動していく。

【００３３】各受光面４１ａ，４２ａでは、スリット光
ｈの受光量に応じた電流値を出力する。これらの電流値
は、第１，第２のＩ／Ｖ変換アンプ５１，５２で出力電
圧Ｖ１１，Ｖ１２にそれぞれ変換される。この出力電圧
Ｖ１１，Ｖ１２は、受光面４１ａ，４２ａに照射される
長方形のスリット光ｈの量に依存する。そのため、スリ
ット光ｈの照射される受光エリアの形状及び面積によ
り、出力電圧Ｖ１１，Ｖ１２が決定される。

【００３４】即ち、図７（ｂ）及び図８に示すように、
スリット光ｈが左から右方向に移動し、該スリット光ｈ
がリング状の受光面４２ａ上にくると、出力電圧Ｖ１２
が立上がり、その後スリット光ｈが円形の受光面４１ａ
上に達すると、出力電圧Ｖ１１が上昇していく。この
際、リング状の受光面４２ａに照射されるスリット光ｈ
の量はほぼ一定であるため、出力電圧Ｖ１２が緩かな凹
状の波形となる。

【００３５】このような出力電圧Ｖ１１とＶ１２は、差
動アンプ６０で差動増幅され、その出力で出力トランジ
スタ７０がオン，オフ制御され、図８に示すような出力
電圧ＶＯ１０を得る。つまり、内側の受光面４１ａに
は、放物線のようにスリット光ｈが照射されるのに対
し、外側の受光面４２ａでは、ほぼ一定量のスリット光
ｈしか照射されず、しかも内側の受光面４１ａの照射光
よりも少ない。

【００３６】この第１の実施例では、次のような利点を
有している。

【００３７】第１の受光素子４１の円形の受光面４１ａ
の外側に、第２の受光素子４２のリング状の受光面４２
ａを設け、Ｉ／Ｖ変換アンプ５１，５２の出力電圧Ｖ１
１，Ｖ１２により、出力電圧ＶＯ１０を決定するように
しているので、受光面４１ａ，４２ａの受光面積比のみ
により、出力電圧ＶＯ１０のデューティ比が決定され
る。そのため、入力光Ｈの強弱によってデューティ比の
変動がなく、簡単な回路構成で、一定のデューティ比を
有する出力電圧ＶＯを的確に得ることができる。第２の実施例 図９は、本発明の第２の実施例を示す図１の第１，第２
の受光素子４１，４２の平面図である。

【００３８】この実施例の第１の受光素子４１は、四角
形の受光面４１ａ−１を有し、さらに第２の受光素子４
２が、三角形の４つの受光面４２ａ−１〜４２ａ−４を
有している。そして、基板７６上に受光面４２ａ−１が
形成され、その四隅に、４つの受光面４２ａ−１〜４２
ａ−４が配置され、該４つの受光面４２ａ−１〜４２ａ
−４が相互に接続されている。

【００３９】このような受光面４１ａ−１，４２ａ−１
〜４２ａ−４を有する第１，第２の受光素子４１，４２
に、長方形のスリット光ｈが、図９の左から右方向に移
動して照射されると、図８の電圧波形図に示すように、
Ｉ／Ｖ変換アンプ５２の出力電圧Ｖ１２がそのＨレベル
のほぼ中間で０レベルに立下がった形状となる。このよ
うな構成にしても、第１の実施例とほぼ同様の作用、効
果が得られる。

【００４０】第３の実施例 図１０は、本発明の第３の実施例を示す受光回路の構成
図である。

【００４１】この受光回路は、光集積回路により構成さ
れるもので、図７のスリット光ｈを受光して電流値に変
換する１つの受光素子８０を有し、そのアノード側とカ
ソード側には、それぞれ第１，第２のＩ／Ｖ変換アンプ
８１，８２が接続されている。第１，第２のＩ／Ｖ変換
アンプ８１，８２は、同一のゲインを有し、受光素子８
０の相補的な出力を電圧値にそれぞれ変換増幅する回路
であり、それらの出力側には、同一容量値の第１，第２
のキャパシタ９１，９２を介して差動アンプ１００が接
続されている。

【００４２】第１，第２のキャパシタ９１，９２は、第
１，第２のＩ／Ｖ変換アンプ８１，８２の各出力信号の
変化分のみをそれぞれ出力する機能を有している。差動
アンプ１００は、第１，第２のキャパシタ９１，９２の
出力電圧Ｖ２１，Ｖ２２を差動増幅してＨレベル／Ｌレ
ベルの出力電圧ＶＯ２０を出力する回路である。

【００４３】図１１は、図１０の各部の電圧波形図であ
り、横軸に時間ｔ、縦軸に電圧がとられている。この図
を参照しつつ、図１０の動作を説明する。

【００４４】図７に示す長方形のスリット光ｈが受光素
子８０に照射されると、該受光素子８０から、受光量に
応じた電流が出力され、第１，第２のＩ／Ｖ変換アンプ
８１，８２へ与えられる。第１，第２のＩ／Ｖ変換アン
プ８１，８２は、受光素子８０から出力される相補的な
電流値を電圧値に変換増幅する。この第１，第２のＩ／
Ｖ変換アンプ８１，８２からは、互いに逆符号の同レベ
ルの変化分が出力電圧として得られることになる。この
各出力電圧は、第１，第２のキャパシタ９１，９２によ
って変化分のみがとりだされ、その出力電圧Ｖ２１，Ｖ
２２が差動アンプ１００へ送られる。

【００４５】ここで、スリット光ｈが入射していない無
信号時の出力電圧Ｖ２１，Ｖ２２のレベルは、ほぼ同じ
で、この値を基準電圧ＶＲとすると、第１，第２のキャ
パシタ９１，９２の出力電圧Ｖ２１，Ｖ２２は、基準電
圧ＶＲを中心に交流的（ＡＣ的）に変化した信号とな
る。この際、第１，第２のキャパシタ９１，９２は同一
の容量値であり、第１，第２のＩ／Ｖ変換アンプ８１，
８２も同一のゲインであるため、出力電圧Ｖ２１，Ｖ２
２の基準電圧ＶＲに対する振幅値は、１８０度位相がず
れた同一の振幅値となる。そのため、出力電圧Ｖ２１と
Ｖ２２の波形のクロスポイントは、基準電圧ＶＲ上とな
る。

【００４６】このクロスポイントは、スリット７６ａの
スリット幅や、スリット光ｈの強弱による影響を受けな
いので、位相のずれが生じない。従って、差動アンプ１
００の出力電圧ＶＯ２０は、前記クロスポイントの点に
より決定され、オン，オフのデューティ比が等しい位相
ずれのない的確な出力電圧ＶＯ２０が得られる。

【００４７】この第３の実施例では、次のような利点を
有している。

【００４８】一つの受光素子８０を用い、その出力を第
１，第２のＩ／Ｖ変換アンプ８１，８２で電圧値に変換
し、第１，第２のキャパシタ９１，９２により、変化分
のみをとりだした後、差動アンプ１００で差動増幅す
る。そのため、出力電圧ＶＯ２０の位相のずれが生じ
ず、しかもスリット光ｈの強弱による影響も受けない。
しかも、スリット光ｈが照射していない時に暗電流が生
じても、第１，第２のキャパシタ９１，９２で信号の大
きな変化分のみを取り出すようにしているので、出力電
圧ＶＯ２０には影響がなく、位相ずれのない的確な出力
電圧ＶＯ２０を、簡単な回路構成で得ることができる。

【００４９】なお、本発明は上記実施例に限定されず、
種々の変形が可能である。その変形例としては、例えば
次のようなものがある。

【００５０】（ａ） 図１に示す第１，第２の受光素子
４１，４２の受光面の形状は、図７及び図９の形状に限
定されず、スリット光ｈの通過時に該受光面積比が変化
するような形状であれば、種々の形状に変形できる。し
かも、スリット光ｈは、長方形に限らず、受光面の形状
に対応して円形等の他の形状の光に変更することも可能
である。

【００５１】（ｂ） 図１０では、差動アンプ１００か
ら出力電圧ＶＯ２０を出力するようにしたが、この差動
アンプ１００の出力側に、例えば図１のような出力トラ
ンジスタ７０を設けてＨレベル／Ｌレベルの出力電圧を
出力するようにしてもよい。

【００５２】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１の発明
によれば、第１及び第２の受光素子は、それに対して相
対的に入力光を一定方向に移動させることによって受光
面積比が一定の割合で変化する構成にしたので、その第
１及び第２の受光素子の出力を比較することにより、受
光面積比のみにより決定されるデューティ比の出力信号
を得ることができる。そのため、入力光の強弱があって
も、出力信号のデューティ比の変動がなく、簡単な回路
構成で、一定のデューティ比を有する出力信号を的確に
得ることができる。

【００５３】第２の発明によれば、入射光として長方形
のスリット光を用い、第１の受光素子の受光面を円形に
し、その受光面の周囲に第２の受光素子のリング状の受
光面を配置する構成にしたので、スリット光の生成が簡
単になると共に、第１，第２のＩ／Ｖ変換アンプの出力
電圧の比較が的確に行え、より簡単な構成で、的確なデ
ューティー比を有する出力信号を得ることができる。

【００５４】第３の発明によれば、一つの受光素子を用
い、その相補的な出力を第１，第２のＩ／Ｖ変換アンプ
を介して第１，第２のキャパシタにより、変化分のみを
取り出すため、差動アンプの出力信号において位相のず
れが生じず、しかも入力光の強弱による影響や、暗電流
の影響を受けることなく、簡単な回路構成で、一定のデ
ューティ比を有する出力信号を的確に得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示す受光回路の構成図
である。

【図２】従来の受光回路の構成図である。

【図３】図２の電圧波形図である。

【図４】従来の他の受光回路の構成図である。

【図５】図４の受光素子１−１，１−２付近の構成図で
ある。

【図６】図４の電圧波形図である。

【図７】図１の受光素子４１，４２付近の構成図であ
る。

【図８】図１の電圧波形図である。

【図９】本発明の第２の実施例を示す受光素子４１，４
２の平面図である。

【図１０】本発明の第３の実施例を示す受光回路の構成
図である。

【図１１】図１０の電圧波形図である。

【符号の説明】 ４１，４２ 第１，第２の受光素子 ５１，５２ 第１，第２のＩ／Ｖ変換アンプ ６０ 差動アンプ ７０ 出力トランジスタ ８０ 受光素子 ８１，８２ 第１，第２のＩ／Ｖ変換アンプ ９１，９２ 第１，第２のキャパシタ １００ 差動アンプ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 入力光を第１および第２の受光素子でそ
   れぞれ受光し、該第１および第２の受光素子の出力を比
   較してその比較結果に応じた高レベル／低レベルの出力
   信号を出力する受光回路において、 前記第１および第２の受光素子は、それに対して相対的
   に前記入力光を一定方向に移動させることによって受光
   面積比が一定の割合で変化する構成にしたことを特徴と
   する受光回路。
2. 【請求項２】 請求項１記載の受光回路において、 前記入力光は、一定方向に移動する長方形のスリット光
   を用いて前記第１および第２の受光素子に照射する構成
   にし、 かつ、前記第１の受光素子は円形の受光面を有し、前記
   第２の受光素子は前記円形の受光面の周囲に配置された
   所定幅のリング状の受光面を有する構成にした受光回
   路。
3. 【請求項３】 一定方向に移動する入力光を受光して電
   流値に変換する単一の受光素子と、 前記受光素子のアノ―ド側出力を電圧値に変換増幅する
   第１の電流／電圧変換増幅器と、 前記第１の電流／電圧変換増幅器と同一のゲインを有
   し、前記受光素子のカソ―ド側出力を電圧値に変換増幅
   する第２の電流／電圧変換増幅器と、 前記第１および第２の電流／電圧変換増幅器の各出力信
   号の変化分のみをそれぞれ出力する同一容量値の第１お
   よび第２のキャパシタと、 前記第１および第２のキャパシタの各出力を差動増幅し
   て高レベル／低レベルの出力信号を出力する差動増幅器
   とを、 備えたことを特徴とする受光回路。