JP3297840B2 - 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 - Google Patents
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電解コンデンサ電
極に使用されるアルミニウム箔、特にエッチングにより
均一かつ多数のピットを形成し、高い静電容量を得るこ
とができる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔に関す
る。
極に使用されるアルミニウム箔、特にエッチングにより
均一かつ多数のピットを形成し、高い静電容量を得るこ
とができる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子部品の小型化に伴い、電解コンデン
サ電極用アルミニウム箔について静電容量の一層の向
上、すなわち、エッチング後に十分な表面積の拡大が得
られるアルミニウム箔の開発が要望されている。通常、
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔のエッチングは、
塩素イオンを含む溶液中で電気化学的あるいは化学的な
処理を施すことにより行われ、エッチングによりエッチ
ピットと呼ばれる多数の孔を形成して、エッチング面の
表面積を拡大させる。
サ電極用アルミニウム箔について静電容量の一層の向
上、すなわち、エッチング後に十分な表面積の拡大が得
られるアルミニウム箔の開発が要望されている。通常、
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔のエッチングは、
塩素イオンを含む溶液中で電気化学的あるいは化学的な
処理を施すことにより行われ、エッチングによりエッチ
ピットと呼ばれる多数の孔を形成して、エッチング面の
表面積を拡大させる。
【０００３】従来、エッチングにより拡面率の向上を図
るために、アルミニウム箔に含まれる微量成分をコント
ロールし、エッチピットの分布状態を均一かつ高密度に
する多くの試みがなされている。例えば、アルミニウム
箔の表面から0.1 μm 深さまでの表層部のＭｇ含有量を
高濃度に規定することにより、多数のエッチピットを形
成して静電容量を増大させることが提案されている。
（特開平4-62821 号公報、特開平5-82397 号公報) ま
た、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎなどの元素の濃化層を箔基
体と表面酸化皮膜との界面部、および酸化皮膜の表層部
の２箇所に設けたアルミニウム箔も提案されている。
（特開平4-213810号公報）
るために、アルミニウム箔に含まれる微量成分をコント
ロールし、エッチピットの分布状態を均一かつ高密度に
する多くの試みがなされている。例えば、アルミニウム
箔の表面から0.1 μm 深さまでの表層部のＭｇ含有量を
高濃度に規定することにより、多数のエッチピットを形
成して静電容量を増大させることが提案されている。
（特開平4-62821 号公報、特開平5-82397 号公報) ま
た、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎなどの元素の濃化層を箔基
体と表面酸化皮膜との界面部、および酸化皮膜の表層部
の２箇所に設けたアルミニウム箔も提案されている。
（特開平4-213810号公報）
【０００４】さらに、Ｍｇ含有量と酸化皮膜の厚さおよ
び酸化皮膜中の水和率を規定して、静電容量を増大させ
ようとする試みもなされており（特開平7-150280号公
報）、アルミニウム純度を99.9％以上とし、Ｍｇを50〜
500ppm含有させて製造時にＭｇの表面偏析を生ぜしめ、
特定されたエッチング条件を組合わせることによって、
エッチングピットを均一に分散させることも提案されて
いる。（特開平7-235457号公報）
び酸化皮膜中の水和率を規定して、静電容量を増大させ
ようとする試みもなされており（特開平7-150280号公
報）、アルミニウム純度を99.9％以上とし、Ｍｇを50〜
500ppm含有させて製造時にＭｇの表面偏析を生ぜしめ、
特定されたエッチング条件を組合わせることによって、
エッチングピットを均一に分散させることも提案されて
いる。（特開平7-235457号公報）
【０００５】しかしながら、表層部のＭｇ含有量を規定
したのみでは、十分に均一なピットは得られず、またＭ
ｇは熱処理によって酸化皮膜中に濃化するため、通常Ｍ
ｇの濃化層を箔基体と表面酸化皮膜との界面部、および
酸化皮膜の表層部の２箇所にもうけることは、非常に困
難である。すなわち、規定量のＭｇを添加したアルミニ
ウム箔を単純に加熱しＭｇを表層部に拡散させるだけで
は、ピット分布のコントロールが不十分となり、さら
に、熱処理後に酸化皮膜を除去したアルミニウム箔は、
静電容量が大きく低下してしまうのである。
したのみでは、十分に均一なピットは得られず、またＭ
ｇは熱処理によって酸化皮膜中に濃化するため、通常Ｍ
ｇの濃化層を箔基体と表面酸化皮膜との界面部、および
酸化皮膜の表層部の２箇所にもうけることは、非常に困
難である。すなわち、規定量のＭｇを添加したアルミニ
ウム箔を単純に加熱しＭｇを表層部に拡散させるだけで
は、ピット分布のコントロールが不十分となり、さら
に、熱処理後に酸化皮膜を除去したアルミニウム箔は、
静電容量が大きく低下してしまうのである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、電解コンデ
ンサ電極用アルミニウム箔における上記従来の問題点を
解消するために、エッチング時のピット形成機構におけ
る酸化皮膜中の化合物の種類とサイズ、酸化皮膜中の欠
陥の発生およびこれらの分布、さらにアルミニウム箔に
生じる酸化皮膜の厚みなどとの関連性について多角的に
検討した結果としてなされたものであり、その目的は、
エッチングによりエッチピットの分布状態が均一且つ高
密度となり、高い静電容量を得ることができる電解コン
デンサ電極用アルミニウム箔を提供することにある。
ンサ電極用アルミニウム箔における上記従来の問題点を
解消するために、エッチング時のピット形成機構におけ
る酸化皮膜中の化合物の種類とサイズ、酸化皮膜中の欠
陥の発生およびこれらの分布、さらにアルミニウム箔に
生じる酸化皮膜の厚みなどとの関連性について多角的に
検討した結果としてなされたものであり、その目的は、
エッチングによりエッチピットの分布状態が均一且つ高
密度となり、高い静電容量を得ることができる電解コン
デンサ電極用アルミニウム箔を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明による電解コンデンサ電極用アルミニウム箔
は、表面に酸化皮膜を有するアルミニウム箔であって、
該酸化皮膜を除くアルミニウム合金箔基体の平均アルミ
ニウム純度が99.9％以上であり、酸化皮膜中に平均サイ
ズ0.01〜0.8 μm のＡｌ−Ｍｇ系化合物が1 ×106 〜 9
×106 個/mm2分散していることを構成上の特徴とする。
但し、Ａｌ−Ｍｇ系化合物の平均サイズは、アルミニウ
ム箔の表面からみたときのサイズで、同じ面積を有する
真円に近似したときの平均直径をいう。
めの本発明による電解コンデンサ電極用アルミニウム箔
は、表面に酸化皮膜を有するアルミニウム箔であって、
該酸化皮膜を除くアルミニウム合金箔基体の平均アルミ
ニウム純度が99.9％以上であり、酸化皮膜中に平均サイ
ズ0.01〜0.8 μm のＡｌ−Ｍｇ系化合物が1 ×106 〜 9
×106 個/mm2分散していることを構成上の特徴とする。
但し、Ａｌ−Ｍｇ系化合物の平均サイズは、アルミニウ
ム箔の表面からみたときのサイズで、同じ面積を有する
真円に近似したときの平均直径をいう。
【０００８】また、上記の電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム箔において、Ａｌ−Ｍｇ系化合物の８０％以上が
スピネル構造のＭｇＡｌ2 Ｏ4 であることを第２の特徴
とし、上記の電解コンデンサ電極用アルミニウム箔にお
いて、表面酸化皮膜の平均厚さが0.002 〜0.01μm ので
あることを第３の特徴とする。
ニウム箔において、Ａｌ−Ｍｇ系化合物の８０％以上が
スピネル構造のＭｇＡｌ2 Ｏ4 であることを第２の特徴
とし、上記の電解コンデンサ電極用アルミニウム箔にお
いて、表面酸化皮膜の平均厚さが0.002 〜0.01μm ので
あることを第３の特徴とする。
【０００９】表面に酸化皮膜を有するアルミニウム箔を
エッチング処理した場合、エッチングの初期に半球状の
ピットの核が形成される場所は、酸化皮膜中に存在する
化合物の周辺のクラックであり、特に特定サイズのＡｌ
−Ｍｇ系化合物周辺に好適なピットの核が形成される。
エッチング処理した場合、エッチングの初期に半球状の
ピットの核が形成される場所は、酸化皮膜中に存在する
化合物の周辺のクラックであり、特に特定サイズのＡｌ
−Ｍｇ系化合物周辺に好適なピットの核が形成される。
【００１０】本発明におけるアルミニウム箔の箔基体の
アルミニウム純度および酸化皮膜中の化合物についての
限定理由を説明すると、Ａｌ純度が99.9％以上のアルミ
ニウム箔基体を用いるのは、エッチング時に不純物によ
り不均一なピットが発生するのを防止するためである。
不均一なピットが発生すると、ピット同士が合体し易く
なり高い静電容量が得難くなる。さらに好ましいアルミ
ニウム純度は99.98 ％以上である。
アルミニウム純度および酸化皮膜中の化合物についての
限定理由を説明すると、Ａｌ純度が99.9％以上のアルミ
ニウム箔基体を用いるのは、エッチング時に不純物によ
り不均一なピットが発生するのを防止するためである。
不均一なピットが発生すると、ピット同士が合体し易く
なり高い静電容量が得難くなる。さらに好ましいアルミ
ニウム純度は99.98 ％以上である。
【００１１】本発明においては、さらにその酸化皮膜膜
中のＡｌ−Ｍｇ系化合物の平均サイズ（アルミニウム箔
の表面からみたときのサイズで、そのサイズを面積が同
じ真円に近似したときの平均直径）を0.01〜0.8 μm 、
その分布を 1×106 〜 9×106 個/mm2とするのが好まし
い。酸化皮膜膜中のＡｌ−Ｍｇ系化合物の平均サイズが
0.01μm 未満であると、化合物がピット開始点として作
用しなくなり、0.8 μm を越えると、その化合物に複数
のピットが集中して発生し、静電容量は低下し易くな
る。また、その分布が下限値未満であると、ピット開始
点が少なすぎるため、高い静電容量が得られない。一
方、上限値をを越えると、ピット発生数が多すぎるた
め、ピット同士の合体により高い静電容量が得難くな
る。
中のＡｌ−Ｍｇ系化合物の平均サイズ（アルミニウム箔
の表面からみたときのサイズで、そのサイズを面積が同
じ真円に近似したときの平均直径）を0.01〜0.8 μm 、
その分布を 1×106 〜 9×106 個/mm2とするのが好まし
い。酸化皮膜膜中のＡｌ−Ｍｇ系化合物の平均サイズが
0.01μm 未満であると、化合物がピット開始点として作
用しなくなり、0.8 μm を越えると、その化合物に複数
のピットが集中して発生し、静電容量は低下し易くな
る。また、その分布が下限値未満であると、ピット開始
点が少なすぎるため、高い静電容量が得られない。一
方、上限値をを越えると、ピット発生数が多すぎるた
め、ピット同士の合体により高い静電容量が得難くな
る。
【００１２】Ａｌ−Ｍｇ系化合物は表面酸化皮膜中にの
み存在し、箔基体や箔基体と酸化皮膜の界面には存在し
ないほうが、ピットの成長を妨げられないという観点か
ら好ましい。また、酸化皮膜を除く表面から0.1 μm ま
でを表層部とすると、該表層部におけるＰｂ量を500ppm
以下、好ましくは300ppm以下とするのが好ましい。この
理由は箔表層部に鉛が高濃度に濃化した場合、Ｐｂがピ
ット発生点として強く作用するため、スピネルＭｇＡｌ
2 Ｏ4 がピット開始点として有効に作用しなくなり、そ
の結果、箔表面に対して垂直方向へのピットが極端に減
少するためである。エッチング性に対しては、表層部の
みの鉛含有量が影響するため、アルミニウム箔全体の鉛
含有量については特に限定されない。
み存在し、箔基体や箔基体と酸化皮膜の界面には存在し
ないほうが、ピットの成長を妨げられないという観点か
ら好ましい。また、酸化皮膜を除く表面から0.1 μm ま
でを表層部とすると、該表層部におけるＰｂ量を500ppm
以下、好ましくは300ppm以下とするのが好ましい。この
理由は箔表層部に鉛が高濃度に濃化した場合、Ｐｂがピ
ット発生点として強く作用するため、スピネルＭｇＡｌ
2 Ｏ4 がピット開始点として有効に作用しなくなり、そ
の結果、箔表面に対して垂直方向へのピットが極端に減
少するためである。エッチング性に対しては、表層部の
みの鉛含有量が影響するため、アルミニウム箔全体の鉛
含有量については特に限定されない。
【００１３】アルミニウム箔の表面酸化皮膜の平均厚さ
を0.002 〜0.01μm と限定する理由は、0.002 μm 未満
であるとエッチング時のエッチング液により酸化皮膜が
溶解してしまうことがあり、均一なピットの核形成が阻
害される。上限を越えると、酸化皮膜膜中のＡｌ−Ｍｇ
系化合物による欠陥がピット開始点として作用し難くな
るためである。
を0.002 〜0.01μm と限定する理由は、0.002 μm 未満
であるとエッチング時のエッチング液により酸化皮膜が
溶解してしまうことがあり、均一なピットの核形成が阻
害される。上限を越えると、酸化皮膜膜中のＡｌ−Ｍｇ
系化合物による欠陥がピット開始点として作用し難くな
るためである。
【００１４】
【発明実施の形態】本発明の電解コンデンサ用アルミニ
ウム箔は、上記のように表面酸化皮膜中にＡｌ−Ｍｇ系
化合物を分散させることを特徴とするものであるが、こ
のアルミニウム箔を製造する方法としては、例えば、ア
ルミニウム箔の表面にＭｇを元素または化合物の状態で
付与し、酸素を含む雰囲気で表面を酸化させながら熱拡
散処理する方法、Ｍｇをイオン注入し、陽極酸化処理に
より酸化皮膜を形成する方法、Ｍｇ：20〜80ppm 含有し
たアルミニウム箔を、酸素 2〜10ppm のＡｒ雰囲気中で
560 〜570 ℃で 5〜30ｈ熱処理する方法等がある。
ウム箔は、上記のように表面酸化皮膜中にＡｌ−Ｍｇ系
化合物を分散させることを特徴とするものであるが、こ
のアルミニウム箔を製造する方法としては、例えば、ア
ルミニウム箔の表面にＭｇを元素または化合物の状態で
付与し、酸素を含む雰囲気で表面を酸化させながら熱拡
散処理する方法、Ｍｇをイオン注入し、陽極酸化処理に
より酸化皮膜を形成する方法、Ｍｇ：20〜80ppm 含有し
たアルミニウム箔を、酸素 2〜10ppm のＡｒ雰囲気中で
560 〜570 ℃で 5〜30ｈ熱処理する方法等がある。
【００１５】アルミニウム箔表面の酸化皮膜中にＭｇＯ
を形成させた場合には、ＭｇＯは断面からみると不均一
な層状に分布し、エッチング時には層全体が溶解するこ
とにより、箔表面が過剰に溶解される結果、高い静電容
量は得難い。一方、酸化皮膜中にスピネル構造のＭｇＡ
ｌ2 Ｏ4 を形成させた場合には、該スピネルは点状に分
散し、エッチング時、個々のスピネルは一部溶解すると
同時に、その周辺部も溶解して良好な表面積拡大の効果
を付与する。このため、酸化皮膜中に形成されるＡｌ−
Ｍｇ系化合物の80％以上がスピネル、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 あ
ることが望ましい。
を形成させた場合には、ＭｇＯは断面からみると不均一
な層状に分布し、エッチング時には層全体が溶解するこ
とにより、箔表面が過剰に溶解される結果、高い静電容
量は得難い。一方、酸化皮膜中にスピネル構造のＭｇＡ
ｌ2 Ｏ4 を形成させた場合には、該スピネルは点状に分
散し、エッチング時、個々のスピネルは一部溶解すると
同時に、その周辺部も溶解して良好な表面積拡大の効果
を付与する。このため、酸化皮膜中に形成されるＡｌ−
Ｍｇ系化合物の80％以上がスピネル、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 あ
ることが望ましい。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と対比して説
明する。 実施例１ アルミニウム純度 99.98％、厚み 100μm のアルミニウ
ム箔の表面に、Ｍｇを0.01〜0.02ｇ/m2 熱拡散によって
付与したのち、酸素を含む雰囲気で560 〜570℃の範囲
内の各温度で表面を酸化処理し、表１に示すアルミニウ
ム箔を製造し、酸化皮膜の厚み、酸化皮膜中のＡｌ−Ｍ
ｇ系化合物の平均サイズ、分布、Ａｌ−Ｍｇ系化合物中
のスピネルＭｇＡｌ2 Ｏ4 の存在比率を測定した。つい
で、このアルミニウム箔を70℃、1.5mol/lの塩酸中で、
電流密度25A/dm2 の条件で 8分間電解エッチングし、そ
の後200Vで化成して、静電容量を測定した。その結果を
表１に示す。表１から明らかなように、酸化皮膜中にＭ
ｇＡｌ2 Ｏ4 をほとんど含まない従来材（試験材９）の
静電容量を100 ％とした場合、本発明による電解コンデ
ンサ電極用合金箔は105 ％以上の高い静電容量を示し
た。
明する。 実施例１ アルミニウム純度 99.98％、厚み 100μm のアルミニウ
ム箔の表面に、Ｍｇを0.01〜0.02ｇ/m2 熱拡散によって
付与したのち、酸素を含む雰囲気で560 〜570℃の範囲
内の各温度で表面を酸化処理し、表１に示すアルミニウ
ム箔を製造し、酸化皮膜の厚み、酸化皮膜中のＡｌ−Ｍ
ｇ系化合物の平均サイズ、分布、Ａｌ−Ｍｇ系化合物中
のスピネルＭｇＡｌ2 Ｏ4 の存在比率を測定した。つい
で、このアルミニウム箔を70℃、1.5mol/lの塩酸中で、
電流密度25A/dm2 の条件で 8分間電解エッチングし、そ
の後200Vで化成して、静電容量を測定した。その結果を
表１に示す。表１から明らかなように、酸化皮膜中にＭ
ｇＡｌ2 Ｏ4 をほとんど含まない従来材（試験材９）の
静電容量を100 ％とした場合、本発明による電解コンデ
ンサ電極用合金箔は105 ％以上の高い静電容量を示し
た。
【００１７】なお、酸化皮膜中のＡｌ−Ｍｇ系化合物の
平均サイズおよび分布は、ヨウ素−メタノール中でアル
ミニウム素地のみを溶解し、酸化皮膜を透過電子顕微鏡
で表面から観察することにより求めた。また、Ａｌ−Ｍ
ｇ系化合物中のＭｇＡｌ2 Ｏ4 スピネルの存在比率は、
透過電顕により観察された酸化皮膜中のＡｌ−Ｍｇ系化
合物のうち無作為に50個を電子線回折により調査した。
平均サイズおよび分布は、ヨウ素−メタノール中でアル
ミニウム素地のみを溶解し、酸化皮膜を透過電子顕微鏡
で表面から観察することにより求めた。また、Ａｌ−Ｍ
ｇ系化合物中のＭｇＡｌ2 Ｏ4 スピネルの存在比率は、
透過電顕により観察された酸化皮膜中のＡｌ−Ｍｇ系化
合物のうち無作為に50個を電子線回折により調査した。
【００１８】また、酸化皮膜を除く表面から0.1 μm ま
での表層部の鉛含有量を測定して、300ppm以下であるこ
とを確認した。測定方法は、表面積が1000cm2 のアルミ
ニウム箔を、純水960ml に85％りん酸35mlと三酸化クロ
ム20ｇを加えた85℃の溶液に10分間浸漬し、酸化皮膜を
除去したのち、純水で水洗、乾燥後、60℃、1mol/lの塩
酸中で表層部から平均して0.1 μm に相当する部分まで
溶解させ、この溶液中の鉛量を誘導結合プラズマ質量分
析（ＩＣＰ−ＭＳ）により定量し、この結果に基づき表
層部0.1 μm の鉛含有量を算出することにより行った。
での表層部の鉛含有量を測定して、300ppm以下であるこ
とを確認した。測定方法は、表面積が1000cm2 のアルミ
ニウム箔を、純水960ml に85％りん酸35mlと三酸化クロ
ム20ｇを加えた85℃の溶液に10分間浸漬し、酸化皮膜を
除去したのち、純水で水洗、乾燥後、60℃、1mol/lの塩
酸中で表層部から平均して0.1 μm に相当する部分まで
溶解させ、この溶液中の鉛量を誘導結合プラズマ質量分
析（ＩＣＰ−ＭＳ）により定量し、この結果に基づき表
層部0.1 μm の鉛含有量を算出することにより行った。
【００１９】
【表１】 《表注》試験材No.9は従来の例で、Ｍｇを5ppm含有した厚み100 μm のアルミニ ウム箔をＡｒガス雰囲気中にて 550℃で 1ｈ焼鈍することにより製造した。
【００２０】比較例１ 実施例１と同様に、アルミニウム純度99.98 ％、厚み 1
00μm の箔を用い、この表面に、Ｍｇ0.005 〜3.0 g/m2
を熱拡散により付与し、これを酸素を含む雰囲気で 520
〜 575℃の範囲内の各温度で表面を酸化処理し、表２に
示すアルミニウム箔を製造し、この酸化皮膜厚み、酸化
皮膜中のＡｌ−Ｍｇ系化合物の平均サイズおよび分布、
Ａｌ−Ｍｇ系化合物中のスピネルＭｇＡｌ2 Ｏ4 の存在
比率を測定した。ついで、このアルミニウム箔を70℃、
1.5mol/lの塩酸中で、電流密度25A/dm2 で 8分間電解エ
ッチングし、その後200Vで化成し、静電容量を測定し
た。その結果を表２に示す。なお、表２において、本発
明の条件を外れたものには下線を付した。表層部のＰｂ
量が300ppm以下であることは実施例１と同様にして確認
した。
00μm の箔を用い、この表面に、Ｍｇ0.005 〜3.0 g/m2
を熱拡散により付与し、これを酸素を含む雰囲気で 520
〜 575℃の範囲内の各温度で表面を酸化処理し、表２に
示すアルミニウム箔を製造し、この酸化皮膜厚み、酸化
皮膜中のＡｌ−Ｍｇ系化合物の平均サイズおよび分布、
Ａｌ−Ｍｇ系化合物中のスピネルＭｇＡｌ2 Ｏ4 の存在
比率を測定した。ついで、このアルミニウム箔を70℃、
1.5mol/lの塩酸中で、電流密度25A/dm2 で 8分間電解エ
ッチングし、その後200Vで化成し、静電容量を測定し
た。その結果を表２に示す。なお、表２において、本発
明の条件を外れたものには下線を付した。表層部のＰｂ
量が300ppm以下であることは実施例１と同様にして確認
した。
【００２１】
【表２】
【００２２】表２に示すように、Ａｌ−Ｍｇ系化合物の
平均サイズ、Ａｌ−Ｍｇ系化合物の平均分散個数が本発
明の条件をはずれる試験材No.10 〜13、Ａｌ−Ｍｇ系化
合物におけるスピネルの存在比率、酸化皮膜の厚さが本
発明の条件を外れる試験材No.14 〜16は、いずれも静電
容量が劣っている。
平均サイズ、Ａｌ−Ｍｇ系化合物の平均分散個数が本発
明の条件をはずれる試験材No.10 〜13、Ａｌ−Ｍｇ系化
合物におけるスピネルの存在比率、酸化皮膜の厚さが本
発明の条件を外れる試験材No.14 〜16は、いずれも静電
容量が劣っている。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、エッチング処理により
均一且つ多数のピットが形成され、拡面率が高く、優れ
た静電容量を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム
箔が提供され、電子部品の小型化、高性能化を達成する
ことができる。
均一且つ多数のピットが形成され、拡面率が高く、優れ
た静電容量を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム
箔が提供され、電子部品の小型化、高性能化を達成する
ことができる。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 9/055 H01G 9/04 304
Claims (3)
- 【請求項１】 表面に酸化皮膜を有するアルミニウム箔
であって、該酸化皮膜を除くアルミニウム箔基体の平均
アルミニウム純度が９９．９％（重量％、以下同じ）以
上であり、酸化皮膜中に平均サイズ0.01〜0.8 μm のＡ
ｌ−Ｍｇ系化合物が１×106 〜9 ×106 個/mm2分散して
いることを特徴とする電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム箔。但し、Ａｌ−Ｍｇ系化合物の平均サイズはアルミ
ニウム箔の表面から見たときのサイズで、同じ面積を有
する真円に近似したときの平均直径をいう。 - 【請求項２】 Ａｌ−Ｍｇ系化合物の80％以上がスピネ
ル構造のＭｇＡｌ2Ｏ4 であることを特徴とする請求項
１記載の電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 - 【請求項３】 表面酸化皮膜の平均厚さが0.002 〜0.01
μm であることを特徴とする請求項１または２記載の電
解コンデンサ電極用アルミニウム箔
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19981096A JP3297840B2 (ja) | 1996-07-10 | 1996-07-10 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19981096A JP3297840B2 (ja) | 1996-07-10 | 1996-07-10 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1027732A JPH1027732A (ja) | 1998-01-27 |
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