JP3271762B2 - 半導体装置の組立方法及び半導体装置 - Google Patents

半導体装置の組立方法及び半導体装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、銅又は銅合金より
なるパッドを有する半導体装置の組立方法及び半導体装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの配線及びパッドの材質
は、一般にアルミニウムが用いられている。しかし、最
近、配線遅延を削減させるために、低抵抗で細くできる
銅配線及び銅パッドが使用されるようになってきた。例
えば、ＮＩＫＫＥＩ ＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣＥＳ １９
９９年７月号第５２頁〜第５６頁参照。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体チップは、ウェ
ーハをダイシングして得られる。しかし、ウェーハの表
面のパッドが銅の場合、銅パッドが露出したままダイシ
ング、ダイボンディングを行うと酸化膜が形成され、ワ
イヤボンディング時にワイヤ不着等の不都合が生じる。
【０００４】本発明の第１の課題は、ウェーハからダイ
ボンディング後までにおける銅パッドの酸化を防止する
ことができる半導体装置の組立方法及び半導体装置を提
供することにある。
【０００５】本発明の第２の課題は、前記第１の課題の
他に、更にワイヤボンディング工程までにおける銅パッ
ドの酸化を防止することができる半導体装置の組立方法
及び半導体装置を提供することにある。
【０００６】なお、銅パッドの場合に適用したものでは
ないが、ウェーハの表面に表面保護シートを貼り付けて
ダイシングを行うものとして、例えば特開平５−３１５
４４５号公報があげられる。この方法における表面保護
シートはウェーハの表面を保護するためのものであり、
銅パッドの酸化を防止するものではない。また表面保護
シートを除去した後に半導体チップをリードフレーム等
（パッケージ）にダイボンディングするので、この方法
を銅パッドに適用した場合、表面保護シートの除去工程
とダイボンディング工程間、ダイボンディング時、ダイ
ボンディング後の酸化は防止できない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の第１の半導体装置の組立方法は、パッドが銅
又は銅合金よりなるウェーハの表面に酸化防止用テープ
を貼り付ける酸化防止用テープ貼り付け工程と、ダイシ
ング用テープ上に前記ウェーハの裏面を貼り付けてダイ
シングを行い、酸化防止用テープ付の半導体チップとす
るダイシング工程と、この酸化防止用テープ付の半導体
チップをリードフレーム等にボンディングするダイボン
ディング工程とからなることを特徴とする。
【０００８】上記課題を解決するための本発明の第２の
半導体装置の組立方法は、パッドが銅又は銅合金よりな
るウェーハの表面に酸化防止用テープを貼り付ける酸化
防止用テープ貼り付け工程と、ダイシング用テープ上に
前記ウェーハの裏面を貼り付けてダイシングを行い、酸
化防止用テープ付の半導体チップとするダイシング工程
と、この酸化防止用テープ付の半導体チップをリードフ
レーム等にボンディングするダイボンディング工程と、
半導体チップ上の酸化防止用テープを除去する酸化防止
用テープ除去工程と、この工程の直後に半導体チップの
パッドとリードフレーム等のリードにワイヤを接続する
ワイヤボンディング工程とからなることを特徴とする。
【０００９】上記課題を解決するための本発明の第１の
半導体装置は、パッドが銅又は銅合金よりなるウェーハ
の表面に酸化防止用テープを貼り付け、ダイシング用テ
ープ上に前記ウェーハの裏面を貼り付けてダイシングを
行って酸化防止用テープ付の半導体チップとし、この酸
化防止用テープ付の半導体チップをリードフレーム等に
ボンディングしてなることを特徴とする。
【００１０】上記課題を解決するための本発明の第２の
半導体装置は、パッドが銅又は銅合金よりなるウェーハ
の表面に酸化防止用テープを貼り付け、ダイシング用テ
ープ上に前記ウェーハの裏面を貼り付けてダイシングを
行って酸化防止用テープ付の半導体チップとし、この酸
化防止用テープ付の半導体チップをリードフレーム等に
ボンディングし、半導体チップ上の酸化防止用テープを
除去し、半導体チップのパッドとリードフレーム等のリ
ードにワイヤを接続してなることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図１及び
図２により説明する。まず、図１（ａ）に示すように、
銅又は銅合金よりなるパッド（図示せず）が形成された
ウェーハ１の表面に酸化及び水を防ぐ酸化防止用テープ
２を貼り付ける。次に、図１（ｂ）に示すように、ウェ
ーハ１の裏面にダイシング用テープ３を貼り付ける。そ
の後、図１（ｃ）に示すように、ウェーハ１の表面側よ
り見て縦横に等間隔にダイシングを行って溝４を形成
し、酸化防止用テープ２が付いた個々の半導体チップ５
とする。そして、ダイシング用テープ３を図示しない引
き伸ばし装置で引き伸ばし、酸化防止用テープ２が付い
た半導体チップ５の間隔を広げる。
【００１２】このように、引き伸ばした半導体チップ５
付のダイシング用テープ３をダイボンディング装置の半
導体チップピックアップ部に設置する。図示しないダイ
ボンディング装置においては、図１（ｄ）に示すように
リードフレーム又は基板等（以下、リードフレーム等と
いう）６に塗布された接着剤８上に、酸化防止用テープ
２が付いた半導体チップ５をダイボンディングする。
【００１３】その後、半導体チップ５がダイボンディン
グされたリードフレーム等６を図示しないワイヤボンデ
ィング装置に供給する。このワイヤボンディング装置で
ワイヤボンディングを行う直前に、表面より紫外線を照
射して酸化防止用テープ２の接着力を低下させた後、コ
レット等で酸化防止用テープ２を真空吸着し、図１
（ｅ）に示すように、酸化防止用テープ２を除去する。
続いてワイヤボンディング装置では、図２に示すよう
に、半導体チップ５のパッド（図示せず）とリードフレ
ーム等６のリード７にワイヤ９を接続する。なお、酸化
防止用テープ２の除去及びワイヤボンディングは、還元
性ガス又は不活性ガス若しくは還元性ガスと不活性ガス
との混合ガスの雰囲気中で行う。
【００１４】このように、ウェーハ１の表面には酸化防
止用テープ２が貼り付けられた状態で、図１（ｃ）に示
すようにダイシングを行って溝４を形成し、またダイボ
ンディング工程においても、図１（ｄ）に示すように酸
化防止用テープ２が付いた半導体チップ５をダイボンデ
ィングするので、ダイボンディングまでの工程及びダイ
ボンディング後においても半導体チップ５の銅パッドの
酸化は防止される。また図１（ｅ）に示す酸化防止用テ
ープ２を除去する工程後に図２に示すワイヤボンディン
グ工程を連続して行うことにより、図１（ｅ）と図２間
における半導体チップ５の銅パッドの酸化は防止され
る。
【００１５】
【発明の効果】本発明の請求項１及び３により、ウェー
ハからダイボンディング後までにおける銅パッドの酸化
を防止することができる。また本発明の請求項２及び４
により、前記効果の他に、更にワイヤボンディング工程
までにおける銅パッドの酸化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の組立方法の一実施の形態
を示す工程説明図である。
【図２】図１の続きの工程説明図である。
【符号の説明】
１ ウェーハ ２ 酸化防止用テープ ３ ダイシング用テープ ４ 溝 ５ 半導体チップ ６ リードフレーム等 ７ リード ８ 接着剤 ９ ワイヤ
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/52 H01L 21/301

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 パッドが銅又は銅合金よりなるウェーハ
    の表面に酸化防止用テープを貼り付ける酸化防止用テー
    プ貼り付け工程と、ダイシング用テープ上に前記ウェー
    ハの裏面を貼り付けてダイシングを行い、酸化防止用テ
    ープ付の半導体チップとするダイシング工程と、この酸
    化防止用テープ付の半導体チップをリードフレーム等に
    ボンディングするダイボンディング工程とからなること
    を特徴とする半導体装置の組立方法。
  2. 【請求項２】 パッドが銅又は銅合金よりなるウェーハ
    の表面に酸化防止用テープを貼り付ける酸化防止用テー
    プ貼り付け工程と、ダイシング用テープ上に前記ウェー
    ハの裏面を貼り付けてダイシングを行い、酸化防止用テ
    ープ付の半導体チップとするダイシング工程と、この酸
    化防止用テープ付の半導体チップをリードフレーム等に
    ボンディングするダイボンディング工程と、半導体チッ
    プ上の酸化防止用テープを除去する酸化防止用テープ除
    去工程と、この工程の直後に半導体チップのパッドとリ
    ードフレーム等のリードにワイヤを接続するワイヤボン
    ディング工程とからなることを特徴とする半導体装置の
    組立方法。
  3. 【請求項３】 パッドが銅又は銅合金よりなるウェーハ
    の表面に酸化防止用テープを貼り付け、ダイシング用テ
    ープ上に前記ウェーハの裏面を貼り付けてダイシングを
    行って酸化防止用テープ付の半導体チップとし、この酸
    化防止用テープ付の半導体チップをリードフレーム等に
    ボンディングしてなることを特徴とする半導体装置。
  4. 【請求項４】 パッドが銅又は銅合金よりなるウェーハ
    の表面に酸化防止用テープを貼り付け、ダイシング用テ
    ープ上に前記ウェーハの裏面を貼り付けてダイシングを
    行って酸化防止用テープ付の半導体チップとし、この酸
    化防止用テープ付の半導体チップをリードフレーム等に
    ボンディングし、半導体チップ上の酸化防止用テープを
    除去し、半導体チップのパッドとリードフレーム等のリ
    ードにワイヤを接続してなることを特徴とする半導体装
    置。
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